JPS5968745A - Ｘ−線リトグラフイによりパタ−ンをラツカ−層に形成するマスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は可視光線に不透明な金属の隔膜、および該隔膜
の一つの主面上に存在し、Ｘ−線を吸収しかつ形成すべ
きパターンに従って形式する層からなるＸ＝線リトグラ
フィによりパターンをラッカ一層に形成するマスクに関
する。

更に、本発明はかかるマスクを製造する方法に関する。

特に、集積半導体システムの製造において、しかも例え
ば磁気円筒型ドメイン装置の製造において、より小ざく
する細部のために要求される常数、および構造において
およびマスクにおいて現在要求され、かつ光の波長によ
り課せられる制限に近ずける分解能が存在する。このた
めに７オトーオプテイカル法（ｐｈｏｔｏ　−ｏｐｔｉ
ｃａｌ　　ｍｅｔｈｏｄ）以外の方法が高い分解能を得
るためにすでに用いられている。

リトグラフィの適合性はフォトリトグラフィ七２〜３μ
ｍ、電子ビーム　リトグラフィ（０，０５〜０．１μｍ
１Ｘ−練り１〜グラフイおよびイオン８− ビーム　リトグラフィ＜　１５０ｎｍにより達成できる
構造の最小ストリップ中によって明らかにされる。

すべての高い分解能方法は正確で、かつ極めて厳密に規
定されたマスクを必要とする。このマスクは使用する平
版輻射線（ｌｉｔ１１ｏｇａｐｌ＋１ｃｒａｄｉａｔｉ
ｏｎ　）に不透明な材料の製造すべき構造のパターン（
以後吸収パターンと称する）からなり、吸収パターンは
平版輻射線にできるだけ透明な材料の薄い隔膜上に形成
する。隔膜のために用いられ、特に大きさおよび破壊強
さに対する正確さの如きマスクに要求される特性に関し
て適当な、例えばチタン、ベリリウムまたはマグネシウ
ムの如き金属の数種類の材料は短波平版輻射線、例えば
Ｘ−線に十分透明であるが、しかし可視光線に不透明で
ある。この事はレーザ光によって主として作用する前記
マスクの調整のために望ましくない。

「Ｊ　ｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　ｔｈｅ　　Ｅ　ｌｅｃ
ｔｒｏｃｌ）ｅｍｉｃａ１３　ｏｃｉｅｔｙ、　３　ｏ
ｆ　ｉｄ　　Ｓ　ｔａｔｅ　　５ｃｉｅｎｃｅ　　ａｎ
ｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｊ　１１０６〜１１２０ペー
ジ、１９８１年５月には、例えばＸ−線リトグラフィの
ためのマスりどじてチタン隔膜について記載され、この
場合にはかかる隔膜が可視光線に透明でないために間接
調整方法が提案されている。この間接調整方法は研究学
的で、正確さが低いために比較的に大きいパターンにだ
け用いることができる。

本発明の目的はレーザ光によって自動的にかつ直接に十
分に調整できるような手段において可視光線に不透明で
ある金属のオプニング　パラグラフ隔膜（ｏｐｅｎｉｎ
ｇ　　ｐａｒａｇｒａｐｈ　　ｄｉａｐｌ＋ｒａｇｍｓ
）に示される種類のマスクを提供することである。本発
明においては隔膜に可視光線に透明な材料の調整窓を設
けることによって達成する。

本発明の好適な例においては、隔膜をチタンから形成し
、調整窓をポリイミドの如き合成材料から形成する。ポ
リイミドは合成樹脂としておよび箔の如き半製品として
存在させるが、瞬間実際的要件に対して変化させて適応
できる加工上の可能性が１ｑられる。

本発明のマスクを製造する方法は特許請求の範囲第８〜
１２項に記載する種々の加工工程に特徴を有する。本発
明の方法の有利な変形を特８′［請求の範囲第１３項に
記載している。

第１の方法においては、隔膜を調整窓のためのＩＪ　Ｆ
、ｌとして、例えばポリアミドの如き合成樹脂の形態の
合成材料で被１７することができる。この事は隔膜の特
性を、合成樹脂層を隔膜に被着する前に隔膜に対して適
合しつる製造方法により種々の所望の実際的要件に従っ
て調整できる利点を有している。

第２の方法においては、出発材わ１として例えば陰極ス
パッタリングによって隔膜を形成する月利で被覆する合
成材料、例えばポリイミドの一般に入手しうる箔の形態
の半製品を用いることができる。このプロセスは液体合
成樹脂を加工する場合に隔膜および合成材料を共に結合
するのに必とされる一連の加工工程を経済的に達成でき
る利点がある。このために、合成樹脂の形態または箔の
形態の合成材料は種々の実際的要件によりＲ適に選択す
ることができる。

特に、本発明により得られる利点はオプニング１１− パラグラフに用いられる種類のマスクのための隔膜とし
て、高い破壊強さを有し、しかも例えばＸ−線に対して
安定である金属隔膜を用いることができ、これにより直
接全自動調整をこれまで金属隔膜では不可能であったレ
ーザ光によって作用できることである。特に、マスクを
製造する本発明の方法によって、調整フィギュア（ａｄ
ｊｕｓｔｍｅｎｔｆｉＱｔｌｒｅｓ　）の位置の極めて
高い正確さを得ることかできると同時に、調整窓の大き
さを最小にすることができる利点を有する 本発明のマスクおよびその製造方法の例を説明し、その
操作を添付図面について説明する。

第１ａ〜１０図および第２ａ〜２０図のそれぞれにチタ
ンの隔膜１の断面を示している。これらの隔膜は賃なる
方法で作ることができる。例えば、先づガラスに対する
接着力の乏しい金層をガラス基体に被着することかでき
る。次いで、隔膜をガラス基体から離した金層と共に引
っばり、更に加工するために保持枠上に既知のようにし
て伸ばす。

チタン層を蒸着しないで、ガラス基体上に存在１２− する金層に陰極スパッタリング　プロレスにより被着す
る場合に好ましい結果が得られる。

他の方法としては、隔膜の材お１、すなわち、チタンを
調整窓を形成する後加エエ稈に用いる一般に入手しうる
ポリイミドに直接被着して形成することができる。この
被着は、例えば陰極スパッタリングにより同様に行うこ
とができる。

方法　Ａ ガラス基体上に陰極スパッタリングにより形成し、引き
離し、保持枠Ｈ上に伸ばす隔膜１を第１ａ〜１Ｃ図に従
って次のようにして加工する：先づ、約０．５μｍｎの
厚さのポリイミド層２をチタンの隔膜１の一つの主面に
遠心作用によって被着する。この操作は、このポリイミ
ド層を安定にするために、ポリイミド層を約２００℃の
温度で４時間にわたる調質プロセス（ｔｅｍｐｅｒｉｎ
Ｏｐｒｏｃｅｓｓ　）により行うことができる。

次いで、約０．５μｍの厚さを有し、かつ負作用（ｎｅ
ｇａｔｉｖｅｌｙ　　ｗｏｒｋｉｎｇ）　ＵＶ−感光性
フオドラッカーからなる層３をポリイミド層２に被着す
る。

約１．３μｍの厚さを右し、かつ正作用（ｐｏｓｉｔｉ
ｖｅｌｙ　　ｗｏｒｋｉｎｇ　）フォトラッカーからイ
ｆる層４を隔膜１の他の主面に被着づ゛る。次いで、両
フＡ１〜ラッカ一層３および４を約９０℃の温度で０．
５時間にわたる調質プロレスによって安定化づ−る。

次いで、工作用フォトラッカ一層４をそこに形成する調
整窓のためのパターンに従って露光する。

第１ａ図に示づ例におい−Ｃは開口５および数個の小さ
い間口５′をフォトラッカ一層４に形成している。

フォトラッカ一層４に形成した開口５および５′を介し
て、フーＡ１〜ラッカ一層４の下側に位置するチタンの
隔膜１を次の加工工程において調整窓５５ｄ３よび５５
′　を形成するために腐食する。この腐食は、例えば湿
式化学腐食ににって行うことができる。適当な腐食液は
０．６８　Ｆ　：　　２．４１−Ｉ　Ｎ　Ｏ３：９６１
−１２０　：　１　第２０２の比を有する溶液からなる
。

あるいは、また隔膜１は次に示すパラメータを用いて反
応性イオン腐食プロセスによって腐食することができる
： １−Ｉ　Ｆ発生器：　　　　　　　２７．５Ｍ　＠　ｚ
電極直径：　　　　　　　　２００ｎ＋ｔ＋＋陰極にお
ける電位：３０Ｖ ガス雰囲気の使用圧カニ　ＣＣρ４＝　３．９ｐａ反応
性イオン腐食プロセスの代りに、例えばプラズマ腐食プ
ロレスを行うことができる。

これによって、第１１）図に示す構造を得ることができ
る。

小さい調整窓５５′　は後加工■稈において用いる電子
ビームライター（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　ｂｅａｍ　　ｗ
ｒｉｔｅｒ）のための調整フィギュアとして用いること
ができる。調整窓５５′　によって復で被着するマスク
の調整および吸収フィギュアの位置をＸ−線露光のため
の調整窓５５に対して正確に定めることができ、このた
めにマスクを通して露光する基体の表面積の最大限にわ
たる有効性を補償することができる、上述するように隔
膜１に形成した調整窓５５および５５′を介して、可視
光線に透明な層２の下側に位Ｅ−’Ｊ”る負作用フォト
ラッカーのフォトラッカー−ｌ　　ｆｉ　　一 層３を紫外線に露光し、この区域において架橋させる。

次いで、隔膜は自動調整マスクとして作用する。また、
負作用フォトラッカーを紫外線の露光中に可視光線に透
明な層２の厚さにより、および紫外線源からの距餌によ
り定められた窓範囲において架橋させる。次いで、フォ
トラッカ一層３を現象する。次の加工工程において、可
視光線に透明な第２を残留フォトラッカ一層３で被覆さ
れている区域から酸素作用下での反応性イオン腐食によ
って除去する。この場合、０２雰囲気を有利に用いるこ
とができる。この腐食工程後、可視光線に透明層２の島
９および１１が調整窓５５および５５′の下側に残留す
る（第１Ｃ図）。次いで、調整窓５５および５５′の下
側に位置する可視光線に透明なポリイミド層２の島９お
よび１１を普通使用されているＰＭＭＡラッカーの露光
に必要とされるより大きいファクタ−１２程度の線量で
シンクロトロン輻射線で露光する。シンクロトロン輻射
線の露光はポリイミドをＸ−線に対して安定化するのに
効果的である。

１６− 調整窓のための開口５および５′の側部に位置するフォ
トラッカ一層４の部分を除去した後、所望の吸収パター
ンを隔膜１に形成する。吸収パターンを形成する方法は
後述する。

方法　Ｂ 本発明のマスクを製造する他の変形方法においては、ポ
リイミド層２、負作用フォトラッカーのフォトラッカ一
層３および正作用フォ１〜ラッカーのフォトラッカ一層
４を上述するようにして保持枠１」に緊張するチタンの
隔膜に被着する（第２ａ〜２０図）。

しかしながら、開口５おＪ：び開ロアは電子ビーム平版
プロセスによる以外の写真平版プロセス（ｐＨｏｔｏｌ
ｉｔｈｏ（ｌｒａｐｈｉｃ　　ｐｒｏＣｅＳＳ　）によ
ってフォトラッカ一層４に設（プない。次いで、フォト
ラッカ一層４を開口５を形成するフォトラッカ一層４の
区域を露光する全電流密度に対して約６０％まで減少す
る電流密度を形成すべぎ開ロアの区域で与える電子ビー
ムに露光する。このために、フォトラッカーの層厚さの
半分だけを次の現像中強く露光しない区域から除去する
。

フォトラッカ一層４の露光部分を除去した後、チタン隔
膜１に対する腐食プロセスを上述する方法Ａに記載する
ように行う。この場合、調整窓５５を隔膜を貫通して形
成するように完全に腐食するのに対して、調整くぼみ７
１を隔膜の部分の−だけの厚さ腐食する。

マスクを製造する伯の加工工程を上述する方法Ａに記載
する加工工程に類似する方法で行うことができる。

方法　Ｃ 本発明のマスクを製造する他の例においては、上述する
方法ＡおよびＢに記載するように可視光線に透明な材料
、この場合、ポリアミドの層２を、保持枠］」上に緊張
し、かつ２００℃の温度で調質することよって４時間に
わたって安定化するチタンの隔膜１の一つの主面に上述
するように被着する。

次いで、上述Ｊる方法ＡおよびＢとは相違して正作用フ
ォトラッカーｍ４だけを隔膜１の他の主面に被着する。

この場合、負作用フォトラッカ一層−１Ｑ　− は被着しない。また、正作用フォトラッカ一層４は上述
するように約０．５時間にわたり約９０℃の温度で調質
することによって安定化する。

写真平版プロセスによって、フォトラッカ一層４を形成
すべき調整窓の区域で露光し、しかる後に調整窓５５お
よび５５′　を隔膜１に上述する方法Ａに記載するよう
にプラズマ腐食により、または反応性イオン腐食により
腐食する。

この腐食工程後、可視光線に透明な月利（この場合、ポ
リイミド）の全層２を上述する方法へに記載するように
シンクロトロン輻射線によって安定化する。ここに記載
する方法においては、調整窓の下側に位置する互いに分
１するポリイミド島は形成しないが、しかし隔膜の下側
に全ポリイミド層を維持する。

正作用フォトラッカ一層４を隔膜１から除去した後、後
述するように所望とする吸収パターンをこの隔膜上に形
成する。

方法　Ｄ 上述する方法Ａ〜Ｃの変形方法によって本発明のマスク
を製造ηる。この方法においては、隔膜１の材料（この
場合、チタン）を上述する方法によって陰極スパッタリ
ングにより可視光線に透明な層２として半製品で一般に
入手しうるポリイミド箔に被着する。他の加工工程にお
いて、負作用フォトラッカーのフォトラッカ一層３をポ
リイミド箔に被着し、正作用フォトラッカーのフォトラ
ッカ一層４を隔膜１を構成するチタン層に被着する。次
いで、両フォトラッカ一層３および４を約３０分間にわ
たり約９０℃の温度での調質プロセスによって安定化す
る。

正作用フォトラッカーのフォトラッカ一層４を形成すべ
き調整窓の区域においてマスクを通して紫外線で露光し
、次いで露光部分を除去して調整窓５５および５５′　
に対する開口５および５′を設ける。次の腐食プロセス
ににつて調整窓５５および５５′をチタン層で構成する
隔膜１に間口する。この場合、上述する方法Ａに記載す
る腐食プロセスを用いることができる。次いで、隔膜１
を全調整窓区域で完全に腐食する。

−２１−−−ウ・ 　２０− 次いで、負作用フォトラッカーのフ第１・ラッカ一層３
を上述する方法Ａに記載するように調整窓５５および５
５′　を通して紫外線に露光し、架橋する。

架橋しないフォトラッカ一層の部分を現像する。

次いで、調整窓の外側に位置するポリイミド箔の部分を
上述する方法へに記載するように反応性イオン腐食プロ
セスによって腐食ザる。

次いで、また調整窓５５および５５′　の下側に残留す
るポリイミド島を上述する方法△に記載するようにして
安定化する。

正作用フォトラッカ一層４を隔膜１から除去した後、所
望の吸収パターンをこの隔膜上に後述する加工工程によ
って形成する。

方法　Ｅ 上述でる方法りの変形方法において、半製品として一般
に入手しうるポリイミド箔を用い、これに隔膜１を構成
するチタン層を被着し、調整窓５５を上述する方法Ｂに
記載するようにチタン層部分に完全腐食して形成する。

同時に、調整くほみ７７をチタン層部分に存在させ、か
つその層の厚さの）ｃ　　　　　　　　　　　　２２− 部分の−だ（）腐食して形成する。

隔膜１を構成するチタン層に層厚さの部分の−だけ腐食
して形成した調整くぼみ７７は、吸収パターンを電子ビ
ームライターによって形成する場合に用いる。調整くぼ
みは電子ビームに対する基準標識（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ
　　ｍａｒｋｅｒｓ　）として作用し、このために調整
窓に後で形成する調整標識の位置を調整窓に対して正確
に定める。

完全に腐食貫通しない調整くぼみは、該くぼみが一方に
おいて電子ビームに対して調整補助手段どして作用Ｊ−
るのに対して、使方においてくぼみが不連続であるため
に隔膜を化較的に安定に残留する利点を有する。

上）ホする方法Ｂ　Ｊ５よびＤに類似する方法において
、マスクを製造でる場合に、先づ可視光線に透明な層２
として一般に入手しろるポリイミド層を隔膜１を構成す
るチタン層を有するその一方の主面に被着する。あるい
は、またチタン層を、例えばポリイミド箔に応力・補償
セキュエンス（５ｔｒｅｓｓ　−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅ
ｄｓｅｑｕｅｎｃｅ）として陰極スパッタリングにより
被着することができる。次いで、負作用フォトラッカ一
層 ３をポリイミド箔の他方の主面に被着し、正作用フォト
ラッカーのフォトラッカ一層４をチタン層の」］側に被
着する。上記両フォトラッカー岡を約３０分間にわたり
約９０℃の温度での調質プロセスによって安定化する。

次いで、電子ビーム平版プロセスを行ってフ第１・ラッ
カ一層４に開口５および７を形成する。

調整窓５５および調整くぼみ７１を形成する腐食工程後
、ポリイミド箔の下側に存在する０作用フォトラッカー
のフォ１へラッカ一層３を全開放調整窓５５を通して分
岐する紫外線源（ｄｉｖｅｒｇｉｎｇ　　ＵＶｒａｄｉ
ａｔｉｏｎ　　５ＯＩＩｒＣｅ）から露光し、架橋する
。次いで、フォトラッカーのための現像プロｔ？スを行
う。次いで、プラズマまた【ま反応性イオンビーム腐食
プロセスを行い、調整窓の側部に位置するポリイミド箔
の部分を腐食する。調整窓５５の下側のポリイミド層の
残留部分を−Ｖ述する方法Ａに記載するように安定化す
る。

２３− 正作用フォトラッカ一層を隔膜１から除去した後、製造
すべきマスクの所望の吸収パターンをこの隔膜上に形成
する。

例えば、タングステンおよびモリブデンの多層吸収層を
この目的のために極めて適当に設置ノる。

このために、次のように処理することができる：タング
ステン層およびモリブデン層は成極スパッタリングによ
り被着する。タングステン層は次に示す条件で効果的に
被着することができる：ＨＦ発生器　　　　　　　　　
　１３．６Ｍ　＋−１’Ｚ電極直径　　　　　　　　　
　　２００ｍｍ電極間隔　　　　　　　　　　　４２ｍ
ｍガス雰囲気の使用圧力　　　　　Ａｒ＝２Ｐａ電極に
おける電位　　　　　　　ｇｏｏｖマスク基体における
電位　　　　４０Ｖモリブデン層は次に示す条件で陰極
スパッタリングにより被着することができる： １−ＩＦ発生器　　　　　　　　　１３．６Ｍ＋−１２
電極直径　　　　　　　　　　２００１電極間隔　　　
　　　　　　　４２ｍｍ２４− ガス雰囲気の使用圧力　　　　Δｒ＝２Ｐａ電極におけ
る電位　　　　　　７００Ｖマスク基体における電位　
　　９５Ｖ 所望のマスク　パターンによるこの吸収層の構造は、例
えば電子ビーム　リ１−グラフィによる知られた技術に
よって得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１ａ〜１Ｇ図は本発明の方法の各製造段階における調
整窓を有するマスクの断面図、および第２ａ〜２０図は
本発明の方法の各製造段階における調整窓および調整く
ぼみを右するマスクの断面図である。 １・・・隔膜　　　　　　　２・・・ポリイミド層３・
・・負作用フォトラッカ一層 ４・・・正作用フォトラッカ一層 Ｊ　　５１　、　７・・・開口　９，１１・・・島５５
、５５’・・・調整窓　　７７・・・調整くぼみ。 １０１ ０ ３３８−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、可視光線に不透明な金属の隔膜、および該隔膜の一
   つの主面に存在し、Ｘ−線を吸収し、かつ形成すべきパ
   ターンに従って形成した層から構成した×−線りＩ〜グ
   ラフィによりパターンをラッカ一層に形成するマスクに
   おいて、隔１ｔ！！　（１）に可視光線に透明な材料の
   調整窓（５５および５５′）を設けたことを特徴とする
   Ｘ−線リトグラフイによりパターンをラッカ一層に形成
   するマスク。 ２、前記隔膜（１）をチタンから形成した特許請求の範
   囲第１項記載のマスク。 ３、前記調整窓（５５および５５′）を合成材料から形
   成した特許請求の範囲第１項記載のマスク。 ４、前記調整窓（５５および５５′）をポリイミド−１
   −ワり から形成した特許請求の範囲第３項記載のマスク。 ５、可視光線に不透明な金属の隔膜、該隔膜の一つの主
   面に存在し、Ｘ−線を吸収し、かつ形成ターベきパター
   ンに従って形成した層、および隔膜に可視光線に透明な
   材料の調整窓から構成されたＸ−線リトグラフィにより
   パターンをラッカ一層に形成するマスクを製造する方法
   において、 ａ）可視光線に透明な材料の層を隔膜の一つの主面に被
   着し： ｂ）可視光線に透明な層に負作用フォトラッカ一層を被
   着し： Ｃ）隔膜の他の主面に正作用フォトラッカ一層を被着し
   ： ｄ）前記両ラッカ一層を調質により安定化し；ｅ）形成
   する調整窓の区１或における正作用フォトラッカ一層を
   露光し： ｆ）形成する調整窓の区域における正作用フォトラッカ
   一層を除去し； 、　　　　　　　　　　　−２− Ｑ）正作用フォトラッカ一層を除去した区域における隔
   膜を調整窓を形成するための腐食■稈により除去し； ｈ）調整窓の区域における負作用フォトラッカ一層を重
   合させ； ｊ）負作用フォｌ−ラッカ一層の非架橋部分を現像によ
   り、および調整窓の側部に位置する区域における可視光
   線に透明な層を腐食工程にＪζり除去し： ｋ）正作用フォトラッカ一層を隔膜から除去し； Ｉ）可視光線に透明な層をＸ−線により安定化し：およ
   び ｌ１１）可視光線に透明な月利の島に対向して位置する
   隔膜の主面上に所望の吸収パターンを形成する 上記各■稈によって可視光線に透明な月利の調整窓を隔
   膜に設ｃノることを特徴とするＸ−線リトグラフィによ
   りパタンをラッカ一層に形成するマスクの製造方法。 ６、可視光線に不透明な金属の隔膜、該隔膜の一つの主
   面に存在し、Ｘ−稗を吸収し、かつ形成すべきパターン
   に従って形成した層、および隔膜に可視光線に透明な材
   料の調整窓から構成されたＸ−線り１〜グラフイにより
   パターンをラッカ一層に形成するマスクを製造する方法
   において、 ａ）可視光線に透明な材料の層を隔膜の一つの主面に被
   着し； ｂ）正作用フォトラッカ一層を隔膜の他の主面に被着し
   ： Ｃ）フォトラッノＪ一層を調質により安定化し；ｄ）形
   成する調整窓の区域における工作用フＡ１〜ラッカ一層
   を露光し； ｅ）形成する調整窓の区域における正作用フォトラッカ
   一層を除去し； ｒ）正作用フォトラッカ一層を除去した区域における隔
   膜を、調整窓を形成するために腐食工程により除去し： ｇ）正作用フォトラッカ一層を隔膜から除去３− し； ｈ）可視光線に透明な層をＸ−線により安定化し：およ
   び ｊ）可視光線に透明な材料の層に対向して位置する隔膜
   の主面上に所望の吸収パターンを形成する 上記各工程によって可視光線に透明な材料の調整窓を隔
   膜に設けることを特徴とするＸ−線リトグラフィにより
   パターンをラッカ一層に形成するマスクの製造方法。 ７、可視光線に不透明な金属の隔膜、該隔膜の一つに主
   面に存在し、Ｘ−線を吸収し、かつ形成すべきパターン
   に従って形成した層、および隔膜に可視光線に透明な月
   利の調整窓から構成されたＸ−リトグラフィによりパタ
   ーンをラッカ一層に形成するマスクを製造する方法にお
   いて、 ａ）隔膜を可視光線に透明な箔の−っの主面に薄層とし
   て被着し； ｂ）負作用フォトラッカ一層を可視光線に透４− 明な箔の伯の主面に被着し； Ｃ）正作用フォトラッカ一層を隔膜を形成する薄層に被
   着し； ｄ）両フォ］−ラッカ一層を調質により安定化し； ｅ）形成する調整窓の区域における正作用フォトラッカ
   一層を露光し； ［）形成する調整窓の区域における正作用フォトラッカ
   一層を除去し； ９）工作用フｉ１−ラッカ一層を除去した区域における
   隔膜を、調整窓を形成するための腐食工程により除去し
   ； ｈ）調整窓の区域における負作用フォトラッカ一層を重
   合させ； ｊ）負作用フォトラッカ一層の非架橋部分を現像により
   、および調整窓の側部に位置する区域における可視光線
   に透明な箔を腐食工程により除去し： ｋ）正作用フォトラッカ一層を隔膜から除去し； １）可視光線に透明な箔をＸ−線により安定化し；およ
   び ｍ）可視光線に透明４丁月判の島に対向して位置する隔
   膜の主面上に所望の吸収パターンを形成する 上記各工程によって可視光線に透明な材第３１の調整窓
   を隔膜に設けることを特徴とする×−線リトグラフィに
   よりパターンをラッカ一層に形成するマスクの製造方法
   。 ８、隔膜に用いる材料を特徴とする特許請求の範囲第５
   〜７項のいずれか一つの項記載の方法。 ９、可視光線に透明＜ｒ月利を合成材料どする特許請求
   の範囲ｆｆ１５〜７項のいずれか一つの項記載の方法。 １０、合成材料としてポリイミドを用いる特許請求の範
   囲第９項記載の方法。 １１、ポリイミドを合成材料の層として被着する特許請
   求の範囲第５，６および１０項のいずれか一つの項記載
   の方法 １２、ポリイミドを箔の形態の半製品として用いる特許
   請求の範囲第７〜１０項のいずれか一つの項記載の方法
   。 １３、隔膜を、サンドイッヂ構造に並置し、かつ異なる
   引張または圧縮応力を有する数層の分離層を基体上に堆
   積し、次いでこの基体から分離して作る特許請求の範囲
   第１２項記載の方法。 １４、可視光線に不透明な金属の隔膜、おＪ：び該隔膜
   の一つの主面に存在し、Ｘ−線を吸収し、かつ形成すべ
   きパターンに従って形成した吸収パターンからなるマス
   クを用いて半導体装置をＸ−線り１へグラフィにより製
   造する方法において、隔膜（１）に可視光線に透明な合
   成材料の調整窓（５５および５５′）を設けることを特
   徴とする半導体装置をＸ−線り］〜グラフィにより製造
   する方法。 ＝７−