JPS5989422A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPS5989422A JPS5989422A JP57201299A JP20129982A JPS5989422A JP S5989422 A JPS5989422 A JP S5989422A JP 57201299 A JP57201299 A JP 57201299A JP 20129982 A JP20129982 A JP 20129982A JP S5989422 A JPS5989422 A JP S5989422A
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- mask
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は例えば１μｍ前後のきわめて微細なパターン
を形成するために用いることができるＸ線マスクの製造
方法に関するものである。
を形成するために用いることができるＸ線マスクの製造
方法に関するものである。
最近、例えば１μｍ前後の微細パターンを形成するため
ＫＸ線露光技術が注目されている。このＸ線露光に使用
されるマスクは軟Ｘ線および光に対する高いコントラス
トを有する以外に、低熱膨張性、高い精度、耐薬品性な
どが要求される。
ＫＸ線露光技術が注目されている。このＸ線露光に使用
されるマスクは軟Ｘ線および光に対する高いコントラス
トを有する以外に、低熱膨張性、高い精度、耐薬品性な
どが要求される。
従来、Ｘ線露光用マスクの吸収層としては金の薄膜が広
く使用されている。ところが、この金によるパターン形
成は金の耐薬品性が優れているため、通常のリソグラフ
ィ一工程の適用が困難となシ、特に微細パターンの形成
は不可能となる。このため、Ｘ線露光のための金のバタ
〜ン形成には通常のりフトオフプロセスが適用されてい
る。このリフトオフプロセスは基板上に、あらかじめ感
光性樹脂によるパターンを形成し、この上の金の薄膜を
形成する。次に、仁の感光性樹脂を除去すると共に感光
性樹脂上の金の薄膜をも除去し、感光性樹脂に被覆され
ていない部分のみに金のパターンを形成することによっ
て所望のパターンが得られる。
く使用されている。ところが、この金によるパターン形
成は金の耐薬品性が優れているため、通常のリソグラフ
ィ一工程の適用が困難となシ、特に微細パターンの形成
は不可能となる。このため、Ｘ線露光のための金のバタ
〜ン形成には通常のりフトオフプロセスが適用されてい
る。このリフトオフプロセスは基板上に、あらかじめ感
光性樹脂によるパターンを形成し、この上の金の薄膜を
形成する。次に、仁の感光性樹脂を除去すると共に感光
性樹脂上の金の薄膜をも除去し、感光性樹脂に被覆され
ていない部分のみに金のパターンを形成することによっ
て所望のパターンが得られる。
しかしながら、従来のＸ線マスクの製造方法では通常の
リフトオフプロセスを適用して、感光性樹脂層の上に金
の膜を形成するため、工程が煩雑になるのみならず、基
板と金属との接着強度が弱くなり、パターンの脱落が起
き易い。さらに工程中に感光性樹脂膜の除去を容易にす
るため、感光性樹脂層の膜厚をできるだけ厚くする必要
が生じ、これが逆に微細パターン形成の障害となる。ま
た、感光性樹脂層の除去には強酸あるいは強アルカリの
ような腐食性の強い薬品を使用するため、マスク材料の
破壊あるいは欠陥発生の原因となるなどの欠点があった
。
リフトオフプロセスを適用して、感光性樹脂層の上に金
の膜を形成するため、工程が煩雑になるのみならず、基
板と金属との接着強度が弱くなり、パターンの脱落が起
き易い。さらに工程中に感光性樹脂膜の除去を容易にす
るため、感光性樹脂層の膜厚をできるだけ厚くする必要
が生じ、これが逆に微細パターン形成の障害となる。ま
た、感光性樹脂層の除去には強酸あるいは強アルカリの
ような腐食性の強い薬品を使用するため、マスク材料の
破壊あるいは欠陥発生の原因となるなどの欠点があった
。
したがって、この発明の目的は通常のリソグラフィ一工
程を適用することができ、しかも微細パターンの形成を
可能にするＸ線マスクの製造方法を提供するものである
。
程を適用することができ、しかも微細パターンの形成を
可能にするＸ線マスクの製造方法を提供するものである
。
このような目的を達成するため、この発明はシリコン基
板上に窒化膜、ボロン窒化膜あるいはポリイミドのよう
なＸＭを通しやすい薄膜を形成する工程と、この薄膜上
にＴｉの薄膜を一様に形成する工程と、このＴｉの薄膜
上にＸ線吸収層である金の薄膜を一様に形成する工程と
、この金の薄膜上にＴｉ、Ｔａ、Ｍｏのようなイオンエ
ツチング耐性の大きい、所望パターンの金属膜を形成す
る工程と、この金属膜をマスク材として金の薄膜をイオ
ンエツチングによって除去する工程と、前記シリコン基
板を除去する工程と金備えるものであ）、以下実施例を
用いて詳細に説明する。
板上に窒化膜、ボロン窒化膜あるいはポリイミドのよう
なＸＭを通しやすい薄膜を形成する工程と、この薄膜上
にＴｉの薄膜を一様に形成する工程と、このＴｉの薄膜
上にＸ線吸収層である金の薄膜を一様に形成する工程と
、この金の薄膜上にＴｉ、Ｔａ、Ｍｏのようなイオンエ
ツチング耐性の大きい、所望パターンの金属膜を形成す
る工程と、この金属膜をマスク材として金の薄膜をイオ
ンエツチングによって除去する工程と、前記シリコン基
板を除去する工程と金備えるものであ）、以下実施例を
用いて詳細に説明する。
第１図、第２図および第３図はこの発明に係るＸ線マス
クの製造方法の一実施例を工程順に示す断面図である。
クの製造方法の一実施例を工程順に示す断面図である。
同図において、（１）はシリコン基板、（２）はＸｌ１
ｌｊ！露光用マスクの透過基板となるシリコンナイトラ
イド膜、（３）はＴ１膜、（４）は金の膜、（５）はこ
の金の膜（４）上に所望のパターンに形成した例えば２
．０００Ａ 程度のＭｏ膜である。
ｌｊ！露光用マスクの透過基板となるシリコンナイトラ
イド膜、（３）はＴ１膜、（４）は金の膜、（５）はこ
の金の膜（４）上に所望のパターンに形成した例えば２
．０００Ａ 程度のＭｏ膜である。
次に、上記構成によるＸ線マスクの製造方法について説
明する。まず、第１図に示すように、シリコン基板（１
）上にＸ線露光用マスクの透過基板となるシリコンナイ
トライド膜（２）を形成する。そして、このシリコンナ
イトライド膜（２）上にＴｉ膜（３）を１．０００にの
厚さに形成する。そして、この１１膜（３）上に金の膜
（４）をスパッタ法によシ、またはメッキを用いて１．
０μｍの厚さに形成する。このとき、Ｔｉ膜（３）と金
の膜（４）とは密着性がよいため、金の膜（４）がはが
れ難い構造となる。次にこの金の膜（４）上に２．００
０ Ｘ 程度のＭｏ膜（５）により所望のパターンを
形成する。次に１イオンビームでエツチングを行なうこ
とによシ、第２図に示すように、金の膜（４）がエツチ
ングされ、良好なノくター／が得られる。このとき、金
の膜（４）の下地膜であるＴｉ膜（３）はイオンエツチ
ング耐性が強いので、金の膜（４）のエツチングが多少
長めに行なっても、Ｔｉ膜（３）がエツチングのストッ
パとして働らくため、問題とならない。なお、イオンビ
ームエツチング装置はアルゴンガスを用い、イオンビー
ムエネルギは５００’ｅＶ、イオンビームの電流密度は
１ｍＡ／ｃｒｌであシ、７分でエツチングすることがで
きる。
明する。まず、第１図に示すように、シリコン基板（１
）上にＸ線露光用マスクの透過基板となるシリコンナイ
トライド膜（２）を形成する。そして、このシリコンナ
イトライド膜（２）上にＴｉ膜（３）を１．０００にの
厚さに形成する。そして、この１１膜（３）上に金の膜
（４）をスパッタ法によシ、またはメッキを用いて１．
０μｍの厚さに形成する。このとき、Ｔｉ膜（３）と金
の膜（４）とは密着性がよいため、金の膜（４）がはが
れ難い構造となる。次にこの金の膜（４）上に２．００
０ Ｘ 程度のＭｏ膜（５）により所望のパターンを
形成する。次に１イオンビームでエツチングを行なうこ
とによシ、第２図に示すように、金の膜（４）がエツチ
ングされ、良好なノくター／が得られる。このとき、金
の膜（４）の下地膜であるＴｉ膜（３）はイオンエツチ
ング耐性が強いので、金の膜（４）のエツチングが多少
長めに行なっても、Ｔｉ膜（３）がエツチングのストッ
パとして働らくため、問題とならない。なお、イオンビ
ームエツチング装置はアルゴンガスを用い、イオンビー
ムエネルギは５００’ｅＶ、イオンビームの電流密度は
１ｍＡ／ｃｒｌであシ、７分でエツチングすることがで
きる。
また、金のエツチング速度は１．４００Ａ ／ ｍｉｎ
であるのに対し、Ｍｏのエツチング速度は２３０Ａ／ｍ
ｌｎ、Ｔｉのエツチング速度は３２０Ａ／ｍｉｎである
。したがって、この金のエツチング速度とＴｉのエツチ
ング速度の差を利用して、上述のように金の膜（４）を
所望のパター７にエツチングすることができる。また、
金の膜（４）の下地膜であるＴｉ膜（３）は金の接着性
を大きくする働らきとイオンエツチングのときのエツチ
ングストッパとしての働きとの２つの重要な役割を果た
しているが、さらにこの場合にＬＸ線を透過し易い性質
をもっていることによる。したがって、金の膜（４）の
エツチングの後、Ｔｌ膜（３）をエツチング除去する必
要がないという利点を有している。また、金のエツチン
グのマスク材であるＭｏは比較的Ｘ線を吸収し易い材料
であるが、この実施例ではＸ＃吸収層である金の膜上に
しか存在しないため、エツチング除去する必要がないと
いう利点をもっている。次に、第３図に示すように、Ｋ
ＯＨ水溶液において、シリコン基板（１）をエツチング
する仁とによって、Ｘ線露光用マスクを完成することが
できる。
であるのに対し、Ｍｏのエツチング速度は２３０Ａ／ｍ
ｌｎ、Ｔｉのエツチング速度は３２０Ａ／ｍｉｎである
。したがって、この金のエツチング速度とＴｉのエツチ
ング速度の差を利用して、上述のように金の膜（４）を
所望のパター７にエツチングすることができる。また、
金の膜（４）の下地膜であるＴｉ膜（３）は金の接着性
を大きくする働らきとイオンエツチングのときのエツチ
ングストッパとしての働きとの２つの重要な役割を果た
しているが、さらにこの場合にＬＸ線を透過し易い性質
をもっていることによる。したがって、金の膜（４）の
エツチングの後、Ｔｌ膜（３）をエツチング除去する必
要がないという利点を有している。また、金のエツチン
グのマスク材であるＭｏは比較的Ｘ線を吸収し易い材料
であるが、この実施例ではＸ＃吸収層である金の膜上に
しか存在しないため、エツチング除去する必要がないと
いう利点をもっている。次に、第３図に示すように、Ｋ
ＯＨ水溶液において、シリコン基板（１）をエツチング
する仁とによって、Ｘ線露光用マスクを完成することが
できる。
なお、以上の実施例では金をエツチングするためのマス
クとして、ＭＯ膜を用いたが、Ｔｉ等の耐イオンエツチ
ング性を有する材料であれによいことはもちろんである
。また、Ｘ線透過用基板として、シリコンナイトライド
膜を用いたが、ボロンナイトライド、あるいはＳｉＣま
たはポリイミドを用いてもよいことはもちろんである。
クとして、ＭＯ膜を用いたが、Ｔｉ等の耐イオンエツチ
ング性を有する材料であれによいことはもちろんである
。また、Ｘ線透過用基板として、シリコンナイトライド
膜を用いたが、ボロンナイトライド、あるいはＳｉＣま
たはポリイミドを用いてもよいことはもちろんである。
以上詳細に説明したように、この発明に係るＸ線マスク
の製造方法によれば金のパターン形成を通常のリソグラ
フィ一工程を用いてできるため、製造工程が簡単になる
と共に微細パターンの形成が可能になるなどの効果があ
る。
の製造方法によれば金のパターン形成を通常のリソグラ
フィ一工程を用いてできるため、製造工程が簡単になる
と共に微細パターンの形成が可能になるなどの効果があ
る。
第１図、第２図および第３図はこの発明に係るＸ線マス
クの製造方法の一実施例を示す工程順の断面図である。 （１）・・・・シリコン、Ｓ板、（２）・・・−シリコ
ンナイトライド膜、（３）・Ｑ・・ Ｔｉ膜、（４）・
・・・金の膜、（５）・・・−Ｍｏ膜。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１ｒ 第２ 第３ １６５ ５
クの製造方法の一実施例を示す工程順の断面図である。 （１）・・・・シリコン、Ｓ板、（２）・・・−シリコ
ンナイトライド膜、（３）・Ｑ・・ Ｔｉ膜、（４）・
・・・金の膜、（５）・・・−Ｍｏ膜。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１ｒ 第２ 第３ １６５ ５
Claims (1)
- シリコン基板上に窒化膜、ボロン窒化膜あるいはポリイ
ミドのようなＸ線を通しやすい薄膜を形成する工程と、
この薄膜上にＴｉの薄膜を一様に形成する工程と、この
Ｔ１の薄膜上にＸ線吸収層である金の薄膜を一様に形成
する工程と、この金の薄膜上にＴｉ、Ｔａ、Ｍｏのよう
なイオンエツチング耐性の大きい、所望パターンの金属
膜を形成する工程と、この金属膜をマスク材として金の
薄膜をイオンエツチングによって除去する工程と、前記
シリコン基板を除去する工程とを備えたことを特徴とす
るＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201299A JPS5989422A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201299A JPS5989422A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989422A true JPS5989422A (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=16438683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201299A Pending JPS5989422A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4680243A (en) * | 1985-08-02 | 1987-07-14 | Micronix Corporation | Method for producing a mask for use in X-ray photolithography and resulting structure |
| WO2004006018A1 (ja) * | 2002-07-04 | 2004-01-15 | Hoya Corporation | 反射型マスクブランクス |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411677A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Rockwell International Corp | Mask used for fine line lithography and method of producing same |
| JPS5731135A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Collective forming method for metallic pattern |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57201299A patent/JPS5989422A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411677A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Rockwell International Corp | Mask used for fine line lithography and method of producing same |
| JPS5731135A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Collective forming method for metallic pattern |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7348105B2 (en) | 2002-07-04 | 2008-03-25 | Hoya Corporation | Reflective maskblanks |
| US7722998B2 (en) | 2002-07-04 | 2010-05-25 | Hoya Corporation | Reflective mask blank |
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