JPH0363734B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0363734B2 JPH0363734B2 JP11323183A JP11323183A JPH0363734B2 JP H0363734 B2 JPH0363734 B2 JP H0363734B2 JP 11323183 A JP11323183 A JP 11323183A JP 11323183 A JP11323183 A JP 11323183A JP H0363734 B2 JPH0363734 B2 JP H0363734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- unnecessary
- substrate
- photomask
- patterns
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はホトマスク或はレテイクルのパターン
修正方法に関する。
修正方法に関する。
(b) 技術の背景
半導体IC、磁気バブルメモリ、弾性表面波フ
イルタなどにおいて導体パターン、絶縁パターン
などの微細パターンの形成には写真蝕刻技術（ホ
トリングラフイ）が用いられている。
イルタなどにおいて導体パターン、絶縁パターン
などの微細パターンの形成には写真蝕刻技術（ホ
トリングラフイ）が用いられている。
すなわち被処理基板上にホトレジストをスピン
コート法やスプレイ法などを用いて被覆し、これ
に必要とする電子回路が金属蒸着膜などでパター
ン形成されているホトマスクを通じ必要とする精
度に応じてＸ線、電子線、紫外線などを照射して
被露光部を分解さすか或は重合させるかして現象
液に対する溶解度を変えてレジスト膜が部分的に
窓明けされた微細パターンが作られる。
コート法やスプレイ法などを用いて被覆し、これ
に必要とする電子回路が金属蒸着膜などでパター
ン形成されているホトマスクを通じ必要とする精
度に応じてＸ線、電子線、紫外線などを照射して
被露光部を分解さすか或は重合させるかして現象
液に対する溶解度を変えてレジスト膜が部分的に
窓明けされた微細パターンが作られる。
次にこれにプラズマエツチング、イオンミーリ
ングなどのドライエツチング或は化学薬品を用い
るケミカルエツチングを施すことによりレジスト
膜の窓明け部がエツチングされ、その後、レジス
ト膜を溶解除去することにより微細パターンが形
成される。
ングなどのドライエツチング或は化学薬品を用い
るケミカルエツチングを施すことによりレジスト
膜の窓明け部がエツチングされ、その後、レジス
ト膜を溶解除去することにより微細パターンが形
成される。
本発明はかゝる写真蝕刻技術に使用されるホト
マスク或はこの原板であるレテイクルのパターン
修正方法に関するものである。
マスク或はこの原板であるレテイクルのパターン
修正方法に関するものである。
(c) 従来技術と問題点
半導体ICの製造に使用されるマスクを例に挙
げると各種のサイズのものが用いられているが５
〔インチ〕角厚さ0.09〔インチ〕の透明石英板或は
ガラス基板が多く用いられこれに厚さ600〜900
〔Å〕に金属クローム（Cr）をスパツタ法或は真
空蒸着法で析出したものが使用されている。
げると各種のサイズのものが用いられているが５
〔インチ〕角厚さ0.09〔インチ〕の透明石英板或は
ガラス基板が多く用いられこれに厚さ600〜900
〔Å〕に金属クローム（Cr）をスパツタ法或は真
空蒸着法で析出したものが使用されている。
こゝでCrが選ばれる理由は基板との接着性が
優れていることによる。
優れていることによる。
次にこれにレジストを被覆したる後ICの設計
パターンを投影露光し現像してレテイクルを形成
して原板とし、次にこれを用いて基板上の複数個
の位置に投影露光を行つて縮少された複数個の
ICパターンからなるホトマスクを作りこれを使
用してICが量産されている。
パターンを投影露光し現像してレテイクルを形成
して原板とし、次にこれを用いて基板上の複数個
の位置に投影露光を行つて縮少された複数個の
ICパターンからなるホトマスクを作りこれを使
用してICが量産されている。
こゝでレテイクルおよびホトマスクを製作する
場合にレジスト膜のピンホール或は原画に付着し
たゴミ、キズなどに原因してマスクパターン以外
に不要なパターンが形成されている場合には除去
する必要がある。
場合にレジスト膜のピンホール或は原画に付着し
たゴミ、キズなどに原因してマスクパターン以外
に不要なパターンが形成されている場合には除去
する必要がある。
第１図はこの状態を示すものでホトレジスト膜
に存在するピンホールなどに原因して必要なマス
クパターン１以外の位置に不必要パターン２が存
在することのマスクを使用して製造されるICに
は総べてこの不要パターンが付くことになるので
除去する必要がある。
に存在するピンホールなどに原因して必要なマス
クパターン１以外の位置に不必要パターン２が存
在することのマスクを使用して製造されるICに
は総べてこの不要パターンが付くことになるので
除去する必要がある。
従来この除去法としてはアルゴン（Ar）レー
ザ或はYAG（イツトニウム・アルミニウム・ガー
ネツト）レーザを用いて第３図に示すように不要
パターン２にレーザ光３を照射し、これを部分的
に加熱し蒸発させて除去する方法がとられてい
た。
ザ或はYAG（イツトニウム・アルミニウム・ガー
ネツト）レーザを用いて第３図に示すように不要
パターン２にレーザ光３を照射し、これを部分的
に加熱し蒸発させて除去する方法がとられてい
た。
然しパターン形成がCrが行われている場合は
基板の石英或はガラスとの接着性が極めてよく、
またCrの沸点は2482〔℃〕と高いことからレーザ
加熱による蒸発除去は容易ではなく基板４に焼損
（くもり）を与えることが多く問題であつた。
基板の石英或はガラスとの接着性が極めてよく、
またCrの沸点は2482〔℃〕と高いことからレーザ
加熱による蒸発除去は容易ではなく基板４に焼損
（くもり）を与えることが多く問題であつた。
(d) 発明の目的
本発明の目的はホトマスク或はレテイクルの製
造に際して不要なパターンを除去する修正作用を
容易に行い得る方法を提供することを目的とす
る。
造に際して不要なパターンを除去する修正作用を
容易に行い得る方法を提供することを目的とす
る。
(e) 発明の構成
本発明の目的は基板上のホトマスクパターン以
外に生じた不要パターン部を水滴で覆い、この水
滴を通して超音波振動付与処理を加えた後レーザ
光を照射して不要パターンを蒸発飛散せしめるこ
とにより達成することができる。
外に生じた不要パターン部を水滴で覆い、この水
滴を通して超音波振動付与処理を加えた後レーザ
光を照射して不要パターンを蒸発飛散せしめるこ
とにより達成することができる。
(f) 発明の実施例
本発明はCrなど石英、ガラスなどの基板と接
着性のよい蒸着膜を剥離する方法として超音波振
動と水の滲透力とを用いるものである。
着性のよい蒸着膜を剥離する方法として超音波振
動と水の滲透力とを用いるものである。
その方法として第２図に示すように不要パター
ン２に水滴５を垂らして覆つた状態で超音波振動
子６により超音波振動を短時間加える。
ン２に水滴５を垂らして覆つた状態で超音波振動
子６により超音波振動を短時間加える。
例えば本実施例の場合は先端に直径10〔μｍ〕
程度の金属針を備えており、これに100〜250〔Ｋ
Hz〕の高周波振動を起させたものを使用し、各不
要パターン２に約５〔秒〕づつ超音波振動を与え
ている。
程度の金属針を備えており、これに100〜250〔Ｋ
Hz〕の高周波振動を起させたものを使用し、各不
要パターン２に約５〔秒〕づつ超音波振動を与え
ている。
こゝで超音波は水中では減衰が少く且つ均一に
拡がり、また基板４と不要パターン２との境界部
に沿つて水の滲透が促進されるために不要パター
ン２が基板４から剥れ易い状態とすることができ
る。
拡がり、また基板４と不要パターン２との境界部
に沿つて水の滲透が促進されるために不要パター
ン２が基板４から剥れ易い状態とすることができ
る。
このような工程を経た後第３図に示すように従
来の方法でレーザ光３を照射すると基板４を損傷
することなく容易に不要パターン２を除去するこ
とができる。
来の方法でレーザ光３を照射すると基板４を損傷
することなく容易に不要パターン２を除去するこ
とができる。
(g) 発明の効果
本発明はレテイクル或はホトマスクとして使用
されているクロームマスクの修正作業において
Crの沸点が高くまた基板との密着性が優れてい
るために、この除去が容易でなく基板に損傷を与
え易い点を改良するためになされたものであつて
本発明の実施によりマスク修正が容易となり作業
率を高めることができる。
されているクロームマスクの修正作業において
Crの沸点が高くまた基板との密着性が優れてい
るために、この除去が容易でなく基板に損傷を与
え易い点を改良するためになされたものであつて
本発明の実施によりマスク修正が容易となり作業
率を高めることができる。
第１図は基板上に形成されたマスクパターンと
不要パターンを示す断面図、第２図は本発明に係
る超音波振動を加える状態を示す断面図、また第
３図はこれにレーザ光を照射する状態を示す断面
図である。 図において、１はマスクパターン、２は不要パ
ターン、３はレーザ光、４は基板、５は水滴、６
は超音波振動子。
不要パターンを示す断面図、第２図は本発明に係
る超音波振動を加える状態を示す断面図、また第
３図はこれにレーザ光を照射する状態を示す断面
図である。 図において、１はマスクパターン、２は不要パ
ターン、３はレーザ光、４は基板、５は水滴、６
は超音波振動子。
Claims (1)
- １ 石英もしくはガラス基板上にパターン形成し
てホトマスクを製造する際、ホトマスクパターン
以外に生じた不要パターンを除去し修正を施こす
方法として該不要パターン部を水滴で覆い超音波
振動付与処理を加えたる後レーザーを照射して蒸
発飛散せしめることを特徴とするマスク修正方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113231A JPS605523A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113231A JPS605523A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605523A JPS605523A (ja) | 1985-01-12 |
| JPH0363734B2 true JPH0363734B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=14606884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113231A Granted JPS605523A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605523A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158106A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ＳｉＣ被覆用黒鉛材の製造法 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113231A patent/JPS605523A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS605523A (ja) | 1985-01-12 |
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