JPS605523A - マスク修正方法 - Google Patents
マスク修正方法Info
- Publication number
- JPS605523A JPS605523A JP58113231A JP11323183A JPS605523A JP S605523 A JPS605523 A JP S605523A JP 58113231 A JP58113231 A JP 58113231A JP 11323183 A JP11323183 A JP 11323183A JP S605523 A JPS605523 A JP S605523A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- unwanted pattern
- substrate
- waterdrop
- unwanted
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の→、／子自分！ｉ１［
本発明はホトマスク或はレティクルのパターンイ１．ム
正方法に関する。
正方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
半イ・体Ｉ Ｃ，ｌｎ：ｉＱｃバブルメモリ、弾性表面
波フィルタなどにおいて４＋Ｃパターン、絶縁パターン
などの微細パターンの形成には写真蝕刻技術（ホトリソ
グラフィ）が用いらｎている。
波フィルタなどにおいて４＋Ｃパターン、絶縁パターン
などの微細パターンの形成には写真蝕刻技術（ホトリソ
グラフィ）が用いらｎている。
すなわち被処理基板上にホトレジストをスピンコード法
やスプレィ法などを用いて彷り（シし、これに必要とす
る電子回路が金属Ｍ着１１９などでパターン形成されて
いるホトマスクを１川じ必要とする鞘度に応じてＸ線、
′電子線、紫夕）１晦などを照射して被露光部を分解さ
すか！Ｒは重合させるかして現像液に対する溶解度を変
えてレジストＩＩ！−ｉが’ＮｊｉＳ分的に窓明けされ
た１砦細パクーンか作られる。
やスプレィ法などを用いて彷り（シし、これに必要とす
る電子回路が金属Ｍ着１１９などでパターン形成されて
いるホトマスクを１川じ必要とする鞘度に応じてＸ線、
′電子線、紫夕）１晦などを照射して被露光部を分解さ
すか！Ｒは重合させるかして現像液に対する溶解度を変
えてレジストＩＩ！−ｉが’ＮｊｉＳ分的に窓明けされ
た１砦細パクーンか作られる。
次にこれにプラズマエツチング、イオンミーリングなど
のドライエツチング或は化！−′″Ｊ！：、檗品イ、用
いるケミカルエツチングｒ施すことによりレジスト膜の
窓明は部がエツチングされ、その後レジスト膜を溶′Ｎ
ｌ去することにより俤・劇パターンが形成される。
のドライエツチング或は化！−′″Ｊ！：、檗品イ、用
いるケミカルエツチングｒ施すことによりレジスト膜の
窓明は部がエツチングされ、その後レジスト膜を溶′Ｎ
ｌ去することにより俤・劇パターンが形成される。
本発明はか＼る写真蝕刻技術区二使用されるホトマスク
或はこの原板であるレブイクルのバター／４１＆正方法
に関するものである。
或はこの原板であるレブイクルのバター／４１＆正方法
に関するものである。
（ｃ） 従来技術と問題点
半堺体ＩＣの製造に使用され◇マスクをレリに誉げると
各種のサイズのものが用いられているが５〔インチ〕角
厚さ０．０９．［インチ］の透明石英板或はガラス基板
が多く用いられこれに厚さ６００〜９００〔入〕に金属
クローム（Ｃｒ ）をスパッタ法或は真空蒸着法で析出
したものが使用されている。
各種のサイズのものが用いられているが５〔インチ〕角
厚さ０．０９．［インチ］の透明石英板或はガラス基板
が多く用いられこれに厚さ６００〜９００〔入〕に金属
クローム（Ｃｒ ）をスパッタ法或は真空蒸着法で析出
したものが使用されている。
とべでＣｒが選ばれる理由は基板との接着性が優れてい
ることによる、−１ 次にこれにレジストを被層したる後ＩＣの設計パターン
を投影露光し現像してレティクルを形成して原板とし、
次にこれを用いて基板上の複数個の位置に投影露光を行
って縮少された複数個のＩＣパターンからなるホトマス
クを作りこれを使用してＩＣが一１？ｉ−産されている
。
ることによる、−１ 次にこれにレジストを被層したる後ＩＣの設計パターン
を投影露光し現像してレティクルを形成して原板とし、
次にこれを用いて基板上の複数個の位置に投影露光を行
って縮少された複数個のＩＣパターンからなるホトマス
クを作りこれを使用してＩＣが一１？ｉ−産されている
。
こ＼でレティクルおよびホトマスクを製作する場合にレ
ジスト膜のヒン月−ル或Ｉ−Ｊ、原画に伺九−したゴミ
、キズなどに原因してマスクパターン以外に不１〃なパ
ターンが形成されている場合には除去する必要がある。
ジスト膜のヒン月−ル或Ｉ−Ｊ、原画に伺九−したゴミ
、キズなどに原因してマスクパターン以外に不１〃なパ
ターンが形成されている場合には除去する必要がある。
第１［す！１はこの状態を示すものでホトレジスト膜Ｋ
存ｔ’ニーＪ−るヒノホールなどに原因して必要なマ
スクパターン１以外の位置に不必要パターン２が存在す
るとこのマスクを使用して製造されるＩＣに２Ｖｉ総べ
てこの不要パターンが伺くことになるので除去する必要
かある。
存ｔ’ニーＪ−るヒノホールなどに原因して必要なマ
スクパターン１以外の位置に不必要パターン２が存在す
るとこのマスクを使用して製造されるＩＣに２Ｖｉ総べ
てこの不要パターンが伺くことになるので除去する必要
かある。
従来この除去法とし７−Ｃはアルゴン（Ａ ｒ ） ｌ
／ −（Ｊ或はＹＡＧ （イツトニウム・アルミニウノ
・・カーネット）レーザを用いて第３図に７Ｊ：ずよう
に不吸パターン２にレーザ光３を照射！−２、こノ′［
を部分的に加熱し蒸発させて除去する方法がとら）主て
いた。
／ −（Ｊ或はＹＡＧ （イツトニウム・アルミニウノ
・・カーネット）レーザを用いて第３図に７Ｊ：ずよう
に不吸パターン２にレーザ光３を照射！−２、こノ′［
を部分的に加熱し蒸発させて除去する方法がとら）主て
いた。
然しパターン形成がＣｒで行わ−ｈている。１．３．ｉ
合ａ基板の石英或はカラスとの接崩慴が極めてよく、捷
たＣｒの沸点は２４８２ （’に）］と高いことからレ
ーザ加熱による蒸発除去に、容易ではなく基板４に焼損
（くもり）を与えることが多く門地であった。
合ａ基板の石英或はカラスとの接崩慴が極めてよく、捷
たＣｒの沸点は２４８２ （’に）］と高いことからレ
ーザ加熱による蒸発除去に、容易ではなく基板４に焼損
（くもり）を与えることが多く門地であった。
（ｃｌ） 発明の目的
本発明の目的はホトマスク俄津ｊ、レナイクルの製造に
際して不をなパターンを除去する修正作用を容易に行い
得る方法を提供することを目的とする（ｅ） 発明の構
成 本発明の目的１ｄ、基板上のホトマスクパターン以外に
生じた不、９Ｍパターン部を水滴で桟い、この水滴を通
して超音波振動付与処理を加えた後レーザ光を照射して
不要パターンを蒸発飛散せしめることにより１？成する
ことがで点る。
際して不をなパターンを除去する修正作用を容易に行い
得る方法を提供することを目的とする（ｅ） 発明の構
成 本発明の目的１ｄ、基板上のホトマスクパターン以外に
生じた不、９Ｍパターン部を水滴で桟い、この水滴を通
して超音波振動付与処理を加えた後レーザ光を照射して
不要パターンを蒸発飛散せしめることにより１？成する
ことがで点る。
（ｆ） 発明／７）実施例
本発明ｕ：ｃｒなど石英、ガラスなどの基板と接着性の
よい蒸着膜を剥離−する方法として超音波セ、（劇と水
の藝透力とを用いるものである。
よい蒸着膜を剥離−する方法として超音波セ、（劇と水
の藝透力とを用いるものである。
その方法として第２図に）Ｊテすように不要パターン２
に水滴５を垂らして（分った状知で超音波振動子６に」
：すｌイイ−Ｉ′ｆ波振動を対ｌｉｌ々ＩＬＩＩ刀Ｈえ
る。
に水滴５を垂らして（分った状知で超音波振動子６に」
：すｌイイ−Ｉ′ｆ波振動を対ｌｉｌ々ＩＬＩＩ刀Ｈえ
る。
例えは本実施例の場合にｊ先端に「−１径１０〔μｍ〕
オフ、度の金２σ針を備えており、これに１００〜２５
０１Ｘ［１ＺＴｌの高周波振＋ｊＪ）を起さぜだものを
使用し、各不要パターン２に約５〔抄〕つつ超７′）波
振！＋ｉ１．：を与えている。
オフ、度の金２σ針を備えており、これに１００〜２５
０１Ｘ［１ＺＴｌの高周波振＋ｊＪ）を起さぜだものを
使用し、各不要パターン２に約５〔抄〕つつ超７′）波
振！＋ｉ１．：を与えている。
こ＼で超音波は水中で＆′：ｌ： ／１．！＜浪が少く
旧つ均一に拡がり、１ノこ基板４と不捉パターン２との
境界部に沿って水の６−１透が促■さｉするために不要
パターン２が基４．′：ｊ ４ノ）・ら＜／：ｌｉｉ″
１つ−２いせ、Ｑ・−とすることができる。
旧つ均一に拡がり、１ノこ基板４と不捉パターン２との
境界部に沿って水の６−１透が促■さｉするために不要
パターン２が基４．′：ｊ ４ノ）・ら＜／：ｌｉｉ″
１つ−２いせ、Ｑ・−とすることができる。
このようなニオ７を１げた後第３図に示すように従来の
方法でレーザ光３を照射すると基板４を損傷することな
く容易に不要パターン２を除去することができる。
方法でレーザ光３を照射すると基板４を損傷することな
く容易に不要パターン２を除去することができる。
（，９） 発明の効果
本発明はレティクルｊ＋ＫＩｉホトマスク表しで使Ｌ１
ｊされているクロームマスクのイｌコ正作業においてＣ
ｒの沸点が高く寸たりＮ； Ｕｌとの密危性がｆシミ１
ているために、この除去が容易でなく基板にＪ’ｉ’ｌ
イしをＪうえ易い点を改良するために外されたもので、
；・・って本う１（＋Ｊ４の実施によりマスク４Ｂ正か
ｄ８・とな１）作案効率を高めるととができる。
ｊされているクロームマスクのイｌコ正作業においてＣ
ｒの沸点が高く寸たりＮ； Ｕｌとの密危性がｆシミ１
ているために、この除去が容易でなく基板にＪ’ｉ’ｌ
イしをＪうえ易い点を改良するために外されたもので、
；・・って本う１（＋Ｊ４の実施によりマスク４Ｂ正か
ｄ８・とな１）作案効率を高めるととができる。
４ 図面のｆ７ｒｉ単な設、 １ｊ１１第１図は基板上
に形成さＪ１／ζマスクパターンと不凋パターンを示す
１１′１１（イ）ｉ［５弘２１λ２［ネ１（・Ｌ本発明
１そイ１１ミる超音波振動を加える状卯を示す１ｔｌｉ
ｒ而図、寸だ第３山はこれにレー→Ｊ′光を照射する状
態を示すｉａｉ曲図である。
に形成さＪ１／ζマスクパターンと不凋パターンを示す
１１′１１（イ）ｉ［５弘２１λ２［ネ１（・Ｌ本発明
１そイ１１ミる超音波振動を加える状卯を示す１ｔｌｉ
ｒ而図、寸だ第３山はこれにレー→Ｊ′光を照射する状
態を示すｉａｉ曲図である。
図に丸・いて、
１はマスクパターン、２ ハネ％ ハタ７．３ ｆ’：
ル−ザ光、４は基板、５は水滴、６（、・−１超音波振
・動子。
ル−ザ光、４は基板、５は水滴、６（、・−１超音波振
・動子。
Claims (1)
- 石莢もしくはガラス基４１／上にパターン形成し７てホ
トマスクをｍ）ｉｌｊする際、ホトマスクパターン以外
に生じた不要パターンを除去しくＩＺ正を施こす方２法
として該不髪パターン部を水滴で稙い超音波振動伺力処
理を加えだる後レーザを照射して蒸発痕Ｎｊせしめるこ
とをＩｉｆ徴とするマスク修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113231A JPS605523A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113231A JPS605523A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605523A true JPS605523A (ja) | 1985-01-12 |
| JPH0363734B2 JPH0363734B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=14606884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113231A Granted JPS605523A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158106A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ＳｉＣ被覆用黒鉛材の製造法 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113231A patent/JPS605523A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158106A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ＳｉＣ被覆用黒鉛材の製造法 |
| JPH0580405B2 (ja) * | 1985-12-30 | 1993-11-09 | Hitachi Chemical Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0363734B2 (ja) | 1991-10-02 |
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