JPH0149937B2 - - Google Patents
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- JPH0149937B2 JPH0149937B2 JP1052080A JP1052080A JPH0149937B2 JP H0149937 B2 JPH0149937 B2 JP H0149937B2 JP 1052080 A JP1052080 A JP 1052080A JP 1052080 A JP1052080 A JP 1052080A JP H0149937 B2 JPH0149937 B2 JP H0149937B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体、IC，LSI等の製造に用いら
れるハードマスクの無機遮光膜層をドライエツチ
ングする際に、無機遮光膜層上にエツチング用マ
スク材を施すことを特徴とするドライエツチング
法に関するものである。
れるハードマスクの無機遮光膜層をドライエツチ
ングする際に、無機遮光膜層上にエツチング用マ
スク材を施すことを特徴とするドライエツチング
法に関するものである。
従来、半導体、IC，LSI等の製造工程において
用いられるクロムマスク、低反射クロムマスク、
両面低反射クロムマスク、酸化クロムマスク、酸
化鉄マスク等のハードマスクの製造において、ガ
ラス等の透明基板上の無機遮光膜層、例えばクロ
ム薄膜をエツチングする際には、フオトレジスト
又は電子線レジスト等の有機レジストでパターン
を形成した後に、化学薬品溶液例えば硝酸第２セ
リウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液等を
用いてエツチングを行つている。
用いられるクロムマスク、低反射クロムマスク、
両面低反射クロムマスク、酸化クロムマスク、酸
化鉄マスク等のハードマスクの製造において、ガ
ラス等の透明基板上の無機遮光膜層、例えばクロ
ム薄膜をエツチングする際には、フオトレジスト
又は電子線レジスト等の有機レジストでパターン
を形成した後に、化学薬品溶液例えば硝酸第２セ
リウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液等を
用いてエツチングを行つている。
しかしながら、上記の如きウエツトエツチング
法では、エツチング液に浸漬するため、有機レジ
ストと無機遮光膜との間にエツチング液が入つた
り、深さ方向のエツチングと同時に横方向にもエ
ツチングが進行しサイドエツチを生じ、微細な画
線を得にくいという欠点があつた。またエツチン
グの進行とともに液が疲労し、液の組成変化ある
いは液の汚染がすすみそれによつて欠陥ハードマ
スク製品が生じたり、エツチング液の管理が難し
く、使用後のエツチング液の廃水処理が必要であ
るという欠点があつた。
法では、エツチング液に浸漬するため、有機レジ
ストと無機遮光膜との間にエツチング液が入つた
り、深さ方向のエツチングと同時に横方向にもエ
ツチングが進行しサイドエツチを生じ、微細な画
線を得にくいという欠点があつた。またエツチン
グの進行とともに液が疲労し、液の組成変化ある
いは液の汚染がすすみそれによつて欠陥ハードマ
スク製品が生じたり、エツチング液の管理が難し
く、使用後のエツチング液の廃水処理が必要であ
るという欠点があつた。
一方、最近プラズマエツチング、スパツタエツ
チング、イオンエツチング等のドライエツチング
法が登場してきた。ドライエツチング法はレジス
トの画線幅を忠実に再現し加工精度が向上するこ
と、エツチング液を管理する必要がなく又熟練者
を必要としないため自動化及び省力化が可能であ
ること、廃液処理の問題がなく無公害性であるこ
と等の点からウエツトエツチング法に比べて非常
に有利であり、今後の微細画像のエツチング法の
主流となろうとしている。しかしながら、ドライ
エツチング法では有機レジストをマスクとして用
いると、無機遮光膜層のエツチングが進行すると
同時に、有機レジストも化学的又は／及び物理的
に損耗されるという欠点があり、特にスパツタエ
ツチング、イオンエツチングでは有機レジストの
損耗が大きい。このためドライエツチングでは無
機遮光膜層のエツチング速度が無機遮光膜層の材
質が限定されたり、エツチングに使用するガスの
組成が制約されたりする。また、有機レジストの
損耗率を考慮して、有機レジストの膜厚を厚くし
てエツチングする方法もあるが、この場合にはド
ライエツチングの本来の特性である画線精度が悪
くなるという欠点があつた。以上の如く、フオト
レジスト、遠紫外線レジスト及び電子線レジスト
として数多くの有機レジストが合成され、かつ実
用化されているが、いずれのレジストも耐ドライ
エツチング性が低いことがドライエツチング方法
を実用する上で大きな欠点となつている。
チング、イオンエツチング等のドライエツチング
法が登場してきた。ドライエツチング法はレジス
トの画線幅を忠実に再現し加工精度が向上するこ
と、エツチング液を管理する必要がなく又熟練者
を必要としないため自動化及び省力化が可能であ
ること、廃液処理の問題がなく無公害性であるこ
と等の点からウエツトエツチング法に比べて非常
に有利であり、今後の微細画像のエツチング法の
主流となろうとしている。しかしながら、ドライ
エツチング法では有機レジストをマスクとして用
いると、無機遮光膜層のエツチングが進行すると
同時に、有機レジストも化学的又は／及び物理的
に損耗されるという欠点があり、特にスパツタエ
ツチング、イオンエツチングでは有機レジストの
損耗が大きい。このためドライエツチングでは無
機遮光膜層のエツチング速度が無機遮光膜層の材
質が限定されたり、エツチングに使用するガスの
組成が制約されたりする。また、有機レジストの
損耗率を考慮して、有機レジストの膜厚を厚くし
てエツチングする方法もあるが、この場合にはド
ライエツチングの本来の特性である画線精度が悪
くなるという欠点があつた。以上の如く、フオト
レジスト、遠紫外線レジスト及び電子線レジスト
として数多くの有機レジストが合成され、かつ実
用化されているが、いずれのレジストも耐ドライ
エツチング性が低いことがドライエツチング方法
を実用する上で大きな欠点となつている。
本発明者等は叙上の欠点を解消したドライエツ
チング方法を開発すべく研究の結果、シリコンと
シリコン酸化物の混合物を主成分とする無機レジ
ストを用い、電子線をパターン照射した後、電子
線未照射部分を化学的に溶解除去するか、或いは
電子線未照射部分をドライエツチングして除去す
ることにより簡単に耐ドライエツチング性に優れ
たマスクを形成することができることを見い出
し、かかる知見にもとづいて本発明を完成したも
のである。
チング方法を開発すべく研究の結果、シリコンと
シリコン酸化物の混合物を主成分とする無機レジ
ストを用い、電子線をパターン照射した後、電子
線未照射部分を化学的に溶解除去するか、或いは
電子線未照射部分をドライエツチングして除去す
ることにより簡単に耐ドライエツチング性に優れ
たマスクを形成することができることを見い出
し、かかる知見にもとづいて本発明を完成したも
のである。
即ち本発明の要旨は被加工物上にドライエツチ
ング用マスクを形成したのち、被加工物の露出部
をドライエツチングするドライエツチング方法に
おいて被加工物上にシリコンとシリコン酸化物と
の混合物を主成分とする電子線感応性薄膜層を形
成する工程と、該薄膜層をパターン化してマスク
とする工程と被加工物の露出部をエツチングする
工程を含むことを特徴とするドライエツチング方
法である。
ング用マスクを形成したのち、被加工物の露出部
をドライエツチングするドライエツチング方法に
おいて被加工物上にシリコンとシリコン酸化物と
の混合物を主成分とする電子線感応性薄膜層を形
成する工程と、該薄膜層をパターン化してマスク
とする工程と被加工物の露出部をエツチングする
工程を含むことを特徴とするドライエツチング方
法である。
以下本発明のドライエツチング方法について図
面を参照しつつ該細に説明する。
面を参照しつつ該細に説明する。
第１図ａに示す如く、透明なガラス基板１上に
無機遮光膜層２を有するハードマスク・ブランク
板上にシリコンとシリコン酸化物との混合物を主
成分とする電子線感応性薄膜層３を設ける。
無機遮光膜層２を有するハードマスク・ブランク
板上にシリコンとシリコン酸化物との混合物を主
成分とする電子線感応性薄膜層３を設ける。
本発明においてドライエツチングする無機遮光
膜層２としては、従来未公知の種々のハードマス
ク用材料が使用できる。例えば、クロム、低反射
クロム、両面低反射クロム、酸化クロム、酸化鉄
等を蒸着、スパツタリング等の方法によりガラス
基板上に500〜1500Åの厚さに設けた材料が使用
できる。
膜層２としては、従来未公知の種々のハードマス
ク用材料が使用できる。例えば、クロム、低反射
クロム、両面低反射クロム、酸化クロム、酸化鉄
等を蒸着、スパツタリング等の方法によりガラス
基板上に500〜1500Åの厚さに設けた材料が使用
できる。
次に本発明において上記電子線感応性薄膜層３
としては、前記無機遮光膜層２の上に、蒸着又は
スパツタリング又はイオンプレーテイング等通常
の方法により形成したシリコンとシリコン酸化物
との混合物を主成分とする薄膜が使用できるが、
このようにして形成した薄膜においては電子線に
対する感度は該薄膜層の作成条件により大きく異
なるのでドライエツチング法に適した上記薄膜層
の作成条件を見つける必要がある。一般的には未
照射部の薬品溶液に対する溶解速度が大きいもの
ほど感度は高く、電子線照射量10-2〜10-6クロー
ン／cm2の範囲で用いられ得る。又、上記電子線感
応性薄膜層３においてはシリコン１に対してシリ
コン酸化物（SiOx；ｘ＝０〜２）が重量比で５
以下であることが好ましく、膜厚500〜5000Åの
範囲で用いることが可能である。
としては、前記無機遮光膜層２の上に、蒸着又は
スパツタリング又はイオンプレーテイング等通常
の方法により形成したシリコンとシリコン酸化物
との混合物を主成分とする薄膜が使用できるが、
このようにして形成した薄膜においては電子線に
対する感度は該薄膜層の作成条件により大きく異
なるのでドライエツチング法に適した上記薄膜層
の作成条件を見つける必要がある。一般的には未
照射部の薬品溶液に対する溶解速度が大きいもの
ほど感度は高く、電子線照射量10-2〜10-6クロー
ン／cm2の範囲で用いられ得る。又、上記電子線感
応性薄膜層３においてはシリコン１に対してシリ
コン酸化物（SiOx；ｘ＝０〜２）が重量比で５
以下であることが好ましく、膜厚500〜5000Åの
範囲で用いることが可能である。
上記電子線感応性薄膜層３は通常はフオトレジ
ストを用いたフオトリソグラフイー方法でパター
ン化される。
ストを用いたフオトリソグラフイー方法でパター
ン化される。
しかしながら、本発明においては、上記電子線
感応性薄膜層３は電子線感応性を有し、電子線照
射部分が未照射部分に比べ酸性等の薬品に溶解し
にくくなるの特性を有するので第１図ｂの如く、
直接に電子線４でパターン照射する方法を用い
る。次にパターン照射した基板を薬品溶液中に浸
漬することにより、上記電子線感応性薄膜層３の
電子線未照射部分を化学的に溶解除去して、第１
図ｃに示す如く、パターン化した上記電子線感応
性薄膜層よりなるドライエツチング用マスク５を
形成する。
感応性薄膜層３は電子線感応性を有し、電子線照
射部分が未照射部分に比べ酸性等の薬品に溶解し
にくくなるの特性を有するので第１図ｂの如く、
直接に電子線４でパターン照射する方法を用い
る。次にパターン照射した基板を薬品溶液中に浸
漬することにより、上記電子線感応性薄膜層３の
電子線未照射部分を化学的に溶解除去して、第１
図ｃに示す如く、パターン化した上記電子線感応
性薄膜層よりなるドライエツチング用マスク５を
形成する。
本発明において上記電子線感応性薄膜層３をパ
ターン化してドライエツチング用マスク５を形成
するのに用いる薬品溶液としては電子線未照射部
の上記薄膜層を速やかに溶解し、照射部分は全く
溶解しないか又はほとんど溶解しないことが望ま
しく、シリコン・ウエハーの一般的なエツチング
液が使用可能である。すなわち、弗素イオンを含
む酸性溶液又はアルカリ性溶液の大別して２系統
の薬品溶液が使用し得る。弗素イオンを含む酸性
溶液としては、例えば弗酸又は弗化アンモニウ
ム、弗化アンチモン、弗化錫等の水溶性弗化物又
は弗化水素カリウムの如き重弗化物又は硼弗化物
等の水溶液が使用できる。また弗素イオンに銀イ
オン、水銀イオン、金イオン、白金イオン又はパ
ラジウムイオンの１種をパターン化作用成分とし
て共存させることも可能である。アルカリ性溶液
としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化バリウム等の如き無機アルカリ化合
物の水溶液が使用できる。
ターン化してドライエツチング用マスク５を形成
するのに用いる薬品溶液としては電子線未照射部
の上記薄膜層を速やかに溶解し、照射部分は全く
溶解しないか又はほとんど溶解しないことが望ま
しく、シリコン・ウエハーの一般的なエツチング
液が使用可能である。すなわち、弗素イオンを含
む酸性溶液又はアルカリ性溶液の大別して２系統
の薬品溶液が使用し得る。弗素イオンを含む酸性
溶液としては、例えば弗酸又は弗化アンモニウ
ム、弗化アンチモン、弗化錫等の水溶性弗化物又
は弗化水素カリウムの如き重弗化物又は硼弗化物
等の水溶液が使用できる。また弗素イオンに銀イ
オン、水銀イオン、金イオン、白金イオン又はパ
ラジウムイオンの１種をパターン化作用成分とし
て共存させることも可能である。アルカリ性溶液
としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化バリウム等の如き無機アルカリ化合
物の水溶液が使用できる。
次に無機遮光膜層２の露出部をドライエツチン
グすることにより、第１図ｄに示す如くパターン
化した無機遮光膜層６を形成する。
グすることにより、第１図ｄに示す如くパターン
化した無機遮光膜層６を形成する。
ドライエツチング方法としては、プラズマエツ
チング、スパツタエツチング、反応性スパツタエ
ツチング、イオンエツチング、反応性イオンエツ
チング等通常の方法が使用できる。
チング、スパツタエツチング、反応性スパツタエ
ツチング、イオンエツチング、反応性イオンエツ
チング等通常の方法が使用できる。
本発明においてシリコンとシリコン酸化物との
混合物を主成分とする薄膜よりなるドライエツチ
ング用マスク５はドライエツチングののち必ずし
も剥離することを必要とせず、必要に応じて無機
遮光膜層６より剥離すればよい。なぜならば、上
記ドライエツチング用マスク５は極めて大きい強
度を有するため、無機遮光膜層６の傷、欠陥等の
発生を防ぐ効果を奏し、かつ弗素イオンを含む酸
溶液以外の酸、及び全ての有機溶剤に対して化学
的に極めて安定であり、無機遮光膜層６の保護膜
としての機能をも果すからである。
混合物を主成分とする薄膜よりなるドライエツチ
ング用マスク５はドライエツチングののち必ずし
も剥離することを必要とせず、必要に応じて無機
遮光膜層６より剥離すればよい。なぜならば、上
記ドライエツチング用マスク５は極めて大きい強
度を有するため、無機遮光膜層６の傷、欠陥等の
発生を防ぐ効果を奏し、かつ弗素イオンを含む酸
溶液以外の酸、及び全ての有機溶剤に対して化学
的に極めて安定であり、無機遮光膜層６の保護膜
としての機能をも果すからである。
本発明は、シリコンとシリコン酸化物の混合物
とからなる薄膜層が、電子線に感ずること、
ドライエツチング用のマスクとして機能するの
で、所謂従来のレジストパターン薄膜一層分が省
略でき、製造工程の簡略化ができるという効果を
奏するものである。
とからなる薄膜層が、電子線に感ずること、
ドライエツチング用のマスクとして機能するの
で、所謂従来のレジストパターン薄膜一層分が省
略でき、製造工程の簡略化ができるという効果を
奏するものである。
また、本発明は無機化合物であるシリコンとシ
リコン酸化物を主成分とする薄膜をドライエツチ
ング用のマスクに使用するので従来の有機レジス
トのような膨潤変形によるパターン寸法の変動が
ないという効果も奏するものである。
リコン酸化物を主成分とする薄膜をドライエツチ
ング用のマスクに使用するので従来の有機レジス
トのような膨潤変形によるパターン寸法の変動が
ないという効果も奏するものである。
次に本発明においてドライエツチング用マスク
５はシリコンとシリコン酸化物との混合物を主成
分とする電子線感応性薄膜層に電子線をパターン
照射した後、電子線未照射部分をドライエツチン
グして除去する方法によつても作成することがで
きる。ここにおいてドライエツチング用マスクが
形成される機構は明らかではないが電子線エネル
ギーによつて照射部分のシリコンとシリコン酸化
物の混合物の結晶性度合が変化し、ドライエツチ
ングに対するエツチング速度の差が生じて部分的
にエツチングされパターン形成されるものと思料
される。
５はシリコンとシリコン酸化物との混合物を主成
分とする電子線感応性薄膜層に電子線をパターン
照射した後、電子線未照射部分をドライエツチン
グして除去する方法によつても作成することがで
きる。ここにおいてドライエツチング用マスクが
形成される機構は明らかではないが電子線エネル
ギーによつて照射部分のシリコンとシリコン酸化
物の混合物の結晶性度合が変化し、ドライエツチ
ングに対するエツチング速度の差が生じて部分的
にエツチングされパターン形成されるものと思料
される。
シリコンとシリコン酸化物との混合物を主成分
とする薄膜をエツチングする際のドライエツチン
グプロセスとしてはプラズマエツチング、反応性
イオンエツチング等が使用可能である。プラズマ
エツチングは、シリコンのエツチングガスが全て
使用可能であり、CF4，CHClF2，CCl2F2，
CCl2FCClF2等のフレオンガス及びフレオンガス
とO2ガスの混合ガスが特に有効である。
とする薄膜をエツチングする際のドライエツチン
グプロセスとしてはプラズマエツチング、反応性
イオンエツチング等が使用可能である。プラズマ
エツチングは、シリコンのエツチングガスが全て
使用可能であり、CF4，CHClF2，CCl2F2，
CCl2FCClF2等のフレオンガス及びフレオンガス
とO2ガスの混合ガスが特に有効である。
プラズマエツチングに用いる装置は、円筒型で
も平行平板型でも良く、ベルジヤー、ガス導入
管、ベルジヤー内でプラズマを発生させる為の高
周波発生装置及び真空ポンプからなつているもの
である。
も平行平板型でも良く、ベルジヤー、ガス導入
管、ベルジヤー内でプラズマを発生させる為の高
周波発生装置及び真空ポンプからなつているもの
である。
本発明によるパターニング方法を用いた時のシ
リコンとシリコン酸化物との混合物を主成分とす
る薄膜の感度は、ドライエツチング時のガスの種
類及び組成比によつて若干異なるが、１例とし
て、CF4とO2ガスの混合ガスによるプラズマエツ
チングを用いると、CF4とO2の混合比が55対30の
時が最も好ましい条件であつた。
リコンとシリコン酸化物との混合物を主成分とす
る薄膜の感度は、ドライエツチング時のガスの種
類及び組成比によつて若干異なるが、１例とし
て、CF4とO2ガスの混合ガスによるプラズマエツ
チングを用いると、CF4とO2の混合比が55対30の
時が最も好ましい条件であつた。
以下、実施例を示して本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
実施例 １
充分研磨された透明なソーダライムガラス基板
上にクロムを1000Å蒸着したクロムブランク板上
に、電子ビーム蒸着法によりシリコンとシリコン
酸化物との混合物（重量比で１：３）を主成分と
する薄膜層を4000Åの厚さに設けた。電子ビーム
蒸着時の真空度は１×10-4mmHgであり、蒸発源
と基板との距離は50cm、蒸着速度は1000Å／hrで
あつた。
上にクロムを1000Å蒸着したクロムブランク板上
に、電子ビーム蒸着法によりシリコンとシリコン
酸化物との混合物（重量比で１：３）を主成分と
する薄膜層を4000Åの厚さに設けた。電子ビーム
蒸着時の真空度は１×10-4mmHgであり、蒸発源
と基板との距離は50cm、蒸着速度は1000Å／hrで
あつた。
次に電子線照射装置を用いて、上記薄膜に対し
て加速電圧10kV、照射量７×10-5クローン／cm2、
電子線径0.5μmでパターン照射した後、弗化アン
モニウム0.5ｇ、硝酸銀1.0ｇ、濃硝酸70ml、脱イ
オン水100mlよりなる薬品溶液に１分間浸漬し、
最小2μmのパターンを歪みなく得た。
て加速電圧10kV、照射量７×10-5クローン／cm2、
電子線径0.5μmでパターン照射した後、弗化アン
モニウム0.5ｇ、硝酸銀1.0ｇ、濃硝酸70ml、脱イ
オン水100mlよりなる薬品溶液に１分間浸漬し、
最小2μmのパターンを歪みなく得た。
次にパターン化した上記薄膜層をドライエツチ
ング用マスクとして、露出したクロムを高周波ス
パツタリング装置によりArガスを使用し、ガス
圧４×10-2mmHg、高周波出力300Wで４分間スパ
ツタリングし、クロムをエツチングした。
ング用マスクとして、露出したクロムを高周波ス
パツタリング装置によりArガスを使用し、ガス
圧４×10-2mmHg、高周波出力300Wで４分間スパ
ツタリングし、クロムをエツチングした。
実施例 ２
透明なガラス基板上に高周波スパツタリングに
よりクロム薄膜を800Åの厚さに付着せしめ、次
に上記クロム薄膜上にシリコンとシリコン酸化物
を主成分とする薄膜（シリコン：シリコン酸化物
＝１：３（重量比））を3000Å付着せしめた。スパ
ツタリングにはいずれもArガスを用い、クロ
ム・スパツタリング時のガス圧は、、１×10-3mm
Hgで、シリコン・スパツタリング時は４×10-2
mmHgで、基板とターゲツト間の距離は５cmであ
り、スパツタ速度はクロム20Å／min、シリコン
1000Å／hrである。
よりクロム薄膜を800Åの厚さに付着せしめ、次
に上記クロム薄膜上にシリコンとシリコン酸化物
を主成分とする薄膜（シリコン：シリコン酸化物
＝１：３（重量比））を3000Å付着せしめた。スパ
ツタリングにはいずれもArガスを用い、クロ
ム・スパツタリング時のガス圧は、、１×10-3mm
Hgで、シリコン・スパツタリング時は４×10-2
mmHgで、基板とターゲツト間の距離は５cmであ
り、スパツタ速度はクロム20Å／min、シリコン
1000Å／hrである。
次に上記薄膜に対して電子線照射装置にて、加
速電圧20kV、電子線径0.25μm、照射電荷量８×
10-5クローン／cm2にてパターン照射した。
速電圧20kV、電子線径0.25μm、照射電荷量８×
10-5クローン／cm2にてパターン照射した。
次に上記基板を、弗化アンモニウム0.5ｇ、硝
酸銀1.0ｇ、濃硝酸70ml、脱イオン水100mlよりな
る薬品溶液に45秒間浸漬した後、水洗し、乾燥し
て最小線幅1μmのパターンを得た。
酸銀1.0ｇ、濃硝酸70ml、脱イオン水100mlよりな
る薬品溶液に45秒間浸漬した後、水洗し、乾燥し
て最小線幅1μmのパターンを得た。
次にパターン化した上記薄膜層をエツチング用
マスクとして、露出したクロムを平行平板型プラ
ズマエツチング装置により、四塩化炭素と空気の
混合ガス（容積比で１：５）を用いて、高周波出
力300W、混合ガス圧力0.3torrでプラズマエツチ
ングし、８分でクロムをエツチングした。
マスクとして、露出したクロムを平行平板型プラ
ズマエツチング装置により、四塩化炭素と空気の
混合ガス（容積比で１：５）を用いて、高周波出
力300W、混合ガス圧力0.3torrでプラズマエツチ
ングし、８分でクロムをエツチングした。
実施例 ３
実施例１と同様の方法によつて得たクロム上
に、シリコン薄膜を設けた基板上に、フオトレジ
ストAZ−1350（シツプレー社製）を5000Åの厚さ
にスピンナーで塗布する。次に90℃で30分乾燥
後、紫外線でパターン露光し、専用の現像液で現
像した後、120℃で30分乾燥する。次に上記基板
を、弗化アンモニウム0.5ｇ、硝酸銀1.0ｇ、濃硝
酸60ml、脱イオン水100mlよりなる薬品溶液に１
分間浸漬した後、水洗し、乾燥し、専用の剥膜液
でフオトレジストを基板から剥離し、再度水洗、
乾燥する。
に、シリコン薄膜を設けた基板上に、フオトレジ
ストAZ−1350（シツプレー社製）を5000Åの厚さ
にスピンナーで塗布する。次に90℃で30分乾燥
後、紫外線でパターン露光し、専用の現像液で現
像した後、120℃で30分乾燥する。次に上記基板
を、弗化アンモニウム0.5ｇ、硝酸銀1.0ｇ、濃硝
酸60ml、脱イオン水100mlよりなる薬品溶液に１
分間浸漬した後、水洗し、乾燥し、専用の剥膜液
でフオトレジストを基板から剥離し、再度水洗、
乾燥する。
次に、実施例１と同様にしてパターン化したシ
リコン薄膜層をエツチング用マスクとしてクロム
をプラズマ・エツチングし、パターン化したクロ
ムを得た。
リコン薄膜層をエツチング用マスクとしてクロム
をプラズマ・エツチングし、パターン化したクロ
ムを得た。
実施例 ４
実施例１と同様の方法でクロム基板上に得たシ
リコンとシリコン酸化物を主成分とする薄膜を作
製し、次に上記薄膜に対して電子線照射装置に
て、加速電圧20kV、電子線径0.25μm、照射電荷
量１×10-4C／cm2にてパターン照射した。
リコンとシリコン酸化物を主成分とする薄膜を作
製し、次に上記薄膜に対して電子線照射装置に
て、加速電圧20kV、電子線径0.25μm、照射電荷
量１×10-4C／cm2にてパターン照射した。
次に上記基板をプラズマエツチング装置により
シリコンとシリコン酸化物を主成分とする薄膜層
をドライエツチングした。ドライエツチングは
CCl2F2とO2を３：１の混合ガスを使用し、圧力
50mtorv、高周波電力1356MHz300Wで電子線非
照射部を除去して最小線巾1μmのパターンを得
た。
シリコンとシリコン酸化物を主成分とする薄膜層
をドライエツチングした。ドライエツチングは
CCl2F2とO2を３：１の混合ガスを使用し、圧力
50mtorv、高周波電力1356MHz300Wで電子線非
照射部を除去して最小線巾1μmのパターンを得
た。
次にパターン化した上記薄膜層をドライエツチ
ング用マスクとして露出したクロムを高周波スパ
ツタリング装置により、Arガスを使用し、ガス
圧４×10-2mmHg、高周波出力300W、で４分間ス
パツタリングしてクロムをエツチングした。
ング用マスクとして露出したクロムを高周波スパ
ツタリング装置により、Arガスを使用し、ガス
圧４×10-2mmHg、高周波出力300W、で４分間ス
パツタリングしてクロムをエツチングした。
第１図ａないしｄは本発明のドライエツチング
方法を工程順に示す断面模式図である。 １……基板、２……無機遮光膜層、３……シリ
コンとシリコン酸化物との混合物を主成分とする
薄膜層、４……電子線、５……パターン化した上
記薄膜（ドライエツチング用マスク）、６……ド
ライエツチングした無機遮光膜。
方法を工程順に示す断面模式図である。 １……基板、２……無機遮光膜層、３……シリ
コンとシリコン酸化物との混合物を主成分とする
薄膜層、４……電子線、５……パターン化した上
記薄膜（ドライエツチング用マスク）、６……ド
ライエツチングした無機遮光膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被加工物上にドライエツチング用マスクを形
成したのち、被加工物の露出部をドライエツチン
グするドライエツチング方法において、 被加工物上にシリコンとシリコン酸化物との混
合物を主成分とする電子線感応性薄膜層を形成す
る工程と、 前記薄膜層に電子線をパターン照射する工程
と、 前記薄膜層の電子線未照射部分を、化学的手段
またはドライエツチングにより除去して現像する
工程と、 前記現像された薄膜層をドライエツチング用マ
スクとして被加工物の露出部をドライエツチング
する工程と、 からなることを特徴とするドライエツチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052080A JPS56107241A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052080A JPS56107241A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Dry etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56107241A JPS56107241A (en) | 1981-08-26 |
| JPH0149937B2 true JPH0149937B2 (ja) | 1989-10-26 |
Family
ID=11752503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052080A Granted JPS56107241A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56107241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8692997B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-04-08 | Bah Holdings Llc | Optical gas and/or particulate sensors |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2589593A1 (fr) * | 1985-08-09 | 1987-05-07 | Pichot Michel | Masque de lithographie, procede de fabrication de ce masque et procede de fabrication d'un circuit integre a l'aide dudit masque |
| JPS63166231A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Hoya Corp | フオトマスクの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923738A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-02 |
-
1980
- 1980-01-31 JP JP1052080A patent/JPS56107241A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923738A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-02 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8692997B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-04-08 | Bah Holdings Llc | Optical gas and/or particulate sensors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56107241A (en) | 1981-08-26 |
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