JPS649616B2 - - Google Patents
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- JPS649616B2 JPS649616B2 JP1051880A JP1051880A JPS649616B2 JP S649616 B2 JPS649616 B2 JP S649616B2 JP 1051880 A JP1051880 A JP 1051880A JP 1051880 A JP1051880 A JP 1051880A JP S649616 B2 JPS649616 B2 JP S649616B2
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 16
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035936 sexual power Effects 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体、IC、LSI等の製造に用いら
れる電子線リソグラフイー技術に関するものであ
る。
れる電子線リソグラフイー技術に関するものであ
る。
半導体、LSI等の製造における回路パターンの
作製に於ては、極めて微細かつ精密な加工が必要
とされる。そのような微細加工技術として従来
は、紫外線を用いるフオトリソグラフイー技術が
実用されていた。最近、より微細な加工が可能な
電子線を用いる電子線リソグラフイーが実用化さ
れつつある。
作製に於ては、極めて微細かつ精密な加工が必要
とされる。そのような微細加工技術として従来
は、紫外線を用いるフオトリソグラフイー技術が
実用されていた。最近、より微細な加工が可能な
電子線を用いる電子線リソグラフイーが実用化さ
れつつある。
電子線リソグラフイーによるパターンの微細化
に伴ない、パターンに許容される欠陥等の大きさ
も益々微小化の傾向にある。
に伴ない、パターンに許容される欠陥等の大きさ
も益々微小化の傾向にある。
従来から使用されている有機高分子化合物を主
体とする有機レジストの場合、レジスト中にゴ
ミ、異物等が含まれる為、通常レジストをろ過し
た後使用することが行なわれているが、このよう
な方法には次のような欠点がある。
体とする有機レジストの場合、レジスト中にゴ
ミ、異物等が含まれる為、通常レジストをろ過し
た後使用することが行なわれているが、このよう
な方法には次のような欠点がある。
即ち、
欠陥の大きさはろ過器のフイルターの孔径に
よつて決まりこれ以下にすることは不可能であ
る。
よつて決まりこれ以下にすることは不可能であ
る。
被加工物に均一な塗膜を形成することが難し
い。
い。
レジスト膜自体が非常に損傷を受け易く、取
り扱いには注意を必要とする。
り扱いには注意を必要とする。
本質的に工程が煩雑であり欠陥を生じ易く、
厳密な工程管理が困難である。
厳密な工程管理が困難である。
基板との密着性を向上させるために現像後の
加熱処理を行うが、この際パターンのエツヂ部
にダレを生じ易い。
加熱処理を行うが、この際パターンのエツヂ部
にダレを生じ易い。
更にポジ型レジストの場合には、一般的に被
加工物との密着性が悪くサイドエツチが大きく
なり易い。
加工物との密着性が悪くサイドエツチが大きく
なり易い。
現像条件により寸法シフト等が大きいので現
像条件を極めて厳しく制御しなければならな
い。
像条件を極めて厳しく制御しなければならな
い。
ネガ型レジストの場合には、高真空中で電子
線照射するので照射後の経時変化により寸法差
を生ずるいわゆる後重合効果がある。
線照射するので照射後の経時変化により寸法差
を生ずるいわゆる後重合効果がある。
加熱処理後、プラズマによるクリーニング工
程が不可欠である。
程が不可欠である。
一方、電子線感応性無機レジストとしては非品
質カルコゲナイト系薄膜及び酸化鉄薄膜が知られ
ている。無機レジストはレジスト膜中の欠陥がほ
とんど皆無になり、欠陥については大巾に向上す
るものと期待できる。しかし、カルコゲナイド系
無機レジストはＳ、Se、Te、As、Sb等の有害物
質を含んでおり実用にはほど遠く、酸化鉄無機レ
ジストは、耐久性、耐薬品性及び感度に難点があ
り、やはり実用にはほど遠い現状である。
質カルコゲナイト系薄膜及び酸化鉄薄膜が知られ
ている。無機レジストはレジスト膜中の欠陥がほ
とんど皆無になり、欠陥については大巾に向上す
るものと期待できる。しかし、カルコゲナイド系
無機レジストはＳ、Se、Te、As、Sb等の有害物
質を含んでおり実用にはほど遠く、酸化鉄無機レ
ジストは、耐久性、耐薬品性及び感度に難点があ
り、やはり実用にはほど遠い現状である。
本発明者等は、シリコンとシリコン酸化物の混
合物が電子線に感応性を有し、且つ適当な薬品溶
液で化学的処理を行うと電子線照射部分と非照射
部分の薬品溶液に対する溶解性の差により、照射
部分が残存しネガ型のレジストとしてパターン形
成が可能であるという現象を既に見い出した。
（特願昭54−95220号） このシリコンとシリコン酸化物との混合物を主
成分とする無機レジストは無害であり、耐久性も
優れている。
合物が電子線に感応性を有し、且つ適当な薬品溶
液で化学的処理を行うと電子線照射部分と非照射
部分の薬品溶液に対する溶解性の差により、照射
部分が残存しネガ型のレジストとしてパターン形
成が可能であるという現象を既に見い出した。
（特願昭54−95220号） このシリコンとシリコン酸化物との混合物を主
成分とする無機レジストは無害であり、耐久性も
優れている。
本発明者等は上記シリコン系無機レジストの現
像方法につき研究の結果、上記シリコン系無機レ
ジストの電子線照射部と非照射部とでドライエツ
チング速度が異なり、この速度差を利用してネガ
型のレジストパターンの形成することが可能であ
ることを見い出し、かかる知見にもとづいて本発
明を完成したものである。
像方法につき研究の結果、上記シリコン系無機レ
ジストの電子線照射部と非照射部とでドライエツ
チング速度が異なり、この速度差を利用してネガ
型のレジストパターンの形成することが可能であ
ることを見い出し、かかる知見にもとづいて本発
明を完成したものである。
即ち、本発明の要旨はシリコンとシリコン酸化
物との混合物を主成分とする電子線感応性無機レ
ジストに電子線をパターン照射した後、該レジス
トをドライエツチング法により現像する無機レジ
ストの現像方法である。
物との混合物を主成分とする電子線感応性無機レ
ジストに電子線をパターン照射した後、該レジス
トをドライエツチング法により現像する無機レジ
ストの現像方法である。
本発明によれば、シリコンとシリコン酸化物と
の混合物を主成分とする電子線感応性無機レジス
トに電子線をパターン照射し、これをプラズマエ
ツチング、スパツクエツチング、イオンエツチン
グ、ガスエツチング、反応性スパツタエツチン
グ、反応性イオンエツチング等のドライエツチン
グ技術を利用したドライプロセスで該無機レジス
トの電子線潜像を現像することが出来る。上記無
機レジストはウエツト現像でも現像可能であるが
パターンの微細化に伴いウエツト現像は線巾寸
法、パターンのエツヂ形状等の制御及び現像液中
のゴミ等による欠陥の増加を防ぐことが非常に困
難であつたが、本発明のドライプロセスによる現
像によればこれ等の欠点を解消し、より欠陥の少
い微細なパターンを提供することが可能である。
の混合物を主成分とする電子線感応性無機レジス
トに電子線をパターン照射し、これをプラズマエ
ツチング、スパツクエツチング、イオンエツチン
グ、ガスエツチング、反応性スパツタエツチン
グ、反応性イオンエツチング等のドライエツチン
グ技術を利用したドライプロセスで該無機レジス
トの電子線潜像を現像することが出来る。上記無
機レジストはウエツト現像でも現像可能であるが
パターンの微細化に伴いウエツト現像は線巾寸
法、パターンのエツヂ形状等の制御及び現像液中
のゴミ等による欠陥の増加を防ぐことが非常に困
難であつたが、本発明のドライプロセスによる現
像によればこれ等の欠点を解消し、より欠陥の少
い微細なパターンを提供することが可能である。
本発明のドライプロセスによるパターン形成機
構の詳細は明らかでないが、本発明者らは、シリ
コンとシリコン酸化物との混合物よりなる薄膜に
電子線を照射すると該照射部と非照射部とで結晶
性度合が変化し、その結晶性の度合に応じてプラ
ズマエツチング、反応性イオンエツチング等のド
ライエツチングでエツチング速度の差が生じパタ
ーン形成が可能になるものと考えている。
構の詳細は明らかでないが、本発明者らは、シリ
コンとシリコン酸化物との混合物よりなる薄膜に
電子線を照射すると該照射部と非照射部とで結晶
性度合が変化し、その結晶性の度合に応じてプラ
ズマエツチング、反応性イオンエツチング等のド
ライエツチングでエツチング速度の差が生じパタ
ーン形成が可能になるものと考えている。
従つて、シリコンとシリコン酸化物との混合物
の結晶性度合を変化せしむるに足る充分なエネル
ギーを有するならばパターン照射方法として必ず
しも電子線エネルギーに限定されず、他の高エネ
ルギー線である放射線（例えばＸ線等）又はレー
ザー光線等によるパターン形成にも本発明を適用
することが出来る。又、ドライ現像方法としてイ
オンエツチング、反応性スパツタエツチング、プ
ラズマエツチング、ガスエツチング等のどのよう
なドライエツチングプロセスも本発明の現像プロ
セスとして使用可能である。
の結晶性度合を変化せしむるに足る充分なエネル
ギーを有するならばパターン照射方法として必ず
しも電子線エネルギーに限定されず、他の高エネ
ルギー線である放射線（例えばＸ線等）又はレー
ザー光線等によるパターン形成にも本発明を適用
することが出来る。又、ドライ現像方法としてイ
オンエツチング、反応性スパツタエツチング、プ
ラズマエツチング、ガスエツチング等のどのよう
なドライエツチングプロセスも本発明の現像プロ
セスとして使用可能である。
以上のようにシリコン系電子線感応性無機レジ
ストの現像プロセスをドライ化すると、該無機レ
ジストのコーテイングパターン描画及び現像の全
工程を全て真空装置内で処理することが出来るば
かりでなく、更に該無機レジストをレジストとし
て被加工物例えばガラス基板上のクロム薄膜をド
ライエツチングするとフオトマスク製造プロセス
全てをドライ化することが可能になる。ウエツト
プロセスとドライプロセスとを比較すると、ドラ
イプロセスは一般に、現像液の疲労がなく濃度、
組成等の管理が必要ないため熟練者を必要とせず
自動化及び省力化が可能であること、廃液処理の
問題がなく無公害性であること等の点からウエツ
トプロセスに比較すると非常に有利である。又プ
ロセスの全ドライ化は、完全無塵とすることが可
能で、前述したように無機レジストはレジスト膜
中に異物等を含まない為欠陥の観点でも非常に有
利であり、被加工物の信頼性を向上させるという
利点を有する。
ストの現像プロセスをドライ化すると、該無機レ
ジストのコーテイングパターン描画及び現像の全
工程を全て真空装置内で処理することが出来るば
かりでなく、更に該無機レジストをレジストとし
て被加工物例えばガラス基板上のクロム薄膜をド
ライエツチングするとフオトマスク製造プロセス
全てをドライ化することが可能になる。ウエツト
プロセスとドライプロセスとを比較すると、ドラ
イプロセスは一般に、現像液の疲労がなく濃度、
組成等の管理が必要ないため熟練者を必要とせず
自動化及び省力化が可能であること、廃液処理の
問題がなく無公害性であること等の点からウエツ
トプロセスに比較すると非常に有利である。又プ
ロセスの全ドライ化は、完全無塵とすることが可
能で、前述したように無機レジストはレジスト膜
中に異物等を含まない為欠陥の観点でも非常に有
利であり、被加工物の信頼性を向上させるという
利点を有する。
次に本発明を図を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明のプロセスを用いてフオトマ
スクを製造する方法を例示するものであり、まず
第１図ａの如く、例えば透明なガラスなどの基板
１上に設けた被加工物であるクロム薄膜層２の上
にシリコンとシリコン酸化物との混合物とを主成
分とする無機レジスト薄膜３を0.05〜1μｍの厚さ
に蒸着又はスパツタリング等の方法により形成す
る。次に第１図ｂに示す様に電子線照射装置によ
り上記無機レジスト薄膜３を電子線４でパターン
照射する。次に第１図ｃに示すように、パターン
照射した上記無機レジスト４をドライエツチング
装置を使用し、ドライプロセスにて現像する。
スクを製造する方法を例示するものであり、まず
第１図ａの如く、例えば透明なガラスなどの基板
１上に設けた被加工物であるクロム薄膜層２の上
にシリコンとシリコン酸化物との混合物とを主成
分とする無機レジスト薄膜３を0.05〜1μｍの厚さ
に蒸着又はスパツタリング等の方法により形成す
る。次に第１図ｂに示す様に電子線照射装置によ
り上記無機レジスト薄膜３を電子線４でパターン
照射する。次に第１図ｃに示すように、パターン
照射した上記無機レジスト４をドライエツチング
装置を使用し、ドライプロセスにて現像する。
ドライ現像に使用する装置としては、プラズマ
エツチング、反応性イオンエツチング等の装置が
使用可能である。
エツチング、反応性イオンエツチング等の装置が
使用可能である。
プラズマエツチング装置により現像する場合
は、シリコンのエツチングガスが全て使用可能で
あり、CF4、CCl2F2、CCl2FCClF2等のフレオン
ガス及び該フレオンガスとO2ガスを種々の組成
比で混合した混合ガスが特に有効である。
は、シリコンのエツチングガスが全て使用可能で
あり、CF4、CCl2F2、CCl2FCClF2等のフレオン
ガス及び該フレオンガスとO2ガスを種々の組成
比で混合した混合ガスが特に有効である。
プラズマエツチング装置は円筒型でも平行平板
型でも良く、ベルジヤー、ガス導入管、ベルジヤ
ー内でプラズマを発生させる為の高周波発生装
置、及び真空ポンプで構成されているものであ
る。
型でも良く、ベルジヤー、ガス導入管、ベルジヤ
ー内でプラズマを発生させる為の高周波発生装
置、及び真空ポンプで構成されているものであ
る。
本発明の現像方法による無機レジストの感度は
現像に使用するガスの種類及び組成比によつて若
干異なるが、１例として、CF4とO2ガスの混合ガ
スによるプラズマ現像ではCF4とO2の混合比が55
対30の時が最適であつた。反応性イオンエツチン
グ装置により現像する場合は、プラズマエツチン
グ装置で現像する場合と同じガスを用いて現像す
ることができる。
現像に使用するガスの種類及び組成比によつて若
干異なるが、１例として、CF4とO2ガスの混合ガ
スによるプラズマ現像ではCF4とO2の混合比が55
対30の時が最適であつた。反応性イオンエツチン
グ装置により現像する場合は、プラズマエツチン
グ装置で現像する場合と同じガスを用いて現像す
ることができる。
以上、詳記した通り、本発明の方法はシリコン
とシリコン酸化物との混合物を主成分とする無機
レジストに電子線をパターン照射した後、該レジ
ストをドライエツチング法により現像することを
特色とするもので、上記無機レジストのコーテイ
ング、パターン描画及び現像の全工程を真空装置
内で処理することが出来るのみならず、フオトマ
スク製造プロセス全体をドライプロセス化するこ
とが可能であり、それ故自動化及び省力化が可能
であり、廃液処理の問題がないなどの利点を有す
る。又、上記無機レジストは異物を含まないもの
である故、加工精度が高い利点を有する。
とシリコン酸化物との混合物を主成分とする無機
レジストに電子線をパターン照射した後、該レジ
ストをドライエツチング法により現像することを
特色とするもので、上記無機レジストのコーテイ
ング、パターン描画及び現像の全工程を真空装置
内で処理することが出来るのみならず、フオトマ
スク製造プロセス全体をドライプロセス化するこ
とが可能であり、それ故自動化及び省力化が可能
であり、廃液処理の問題がないなどの利点を有す
る。又、上記無機レジストは異物を含まないもの
である故、加工精度が高い利点を有する。
次に実施例をあげて本発明につき、具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
充分研磨された透明なソーダライム基板上にク
ロムを1000Å蒸着したクロムブランク基板上に、
電子ビーム蒸着法により、シリコンとシリコン酸
化物との混合物を主成分とする無機レジスト薄膜
を5000Åの厚さに設けた。電子ビーム蒸着時の真
空度は、１×10-4torrであり、蒸発源と基板との
距離は50cm、蒸着速度は1000Å／hrであつた。
ロムを1000Å蒸着したクロムブランク基板上に、
電子ビーム蒸着法により、シリコンとシリコン酸
化物との混合物を主成分とする無機レジスト薄膜
を5000Åの厚さに設けた。電子ビーム蒸着時の真
空度は、１×10-4torrであり、蒸発源と基板との
距離は50cm、蒸着速度は1000Å／hrであつた。
次に電子線照射装置を用いて、無機レジスト薄
膜を加速電圧10KV、照射量１×10-3クーロン／
cm2、電子線径0.25μｍでパターン照射した後反応
性イオンエツチング装置によりドライ現像を行つ
た。使用したガスはCF4とO2の55対30の混合ガス
で圧力300ｍtorrである。13.56MHの高周波を電
力200Wで用い10分間現像を行い、レジスト残膜
厚2000Å、パターン最小線巾1μｍの平行線パタ
ーンを歪みなく得た。次にパターン化した無機レ
ジスト薄膜をエツチングマスクとしてCCl4対O2
が７対３の混合ガスをエツチングガスに用い、圧
力1torr、高周波電力200Wの条件でクロムを10分
間プラズマエツチングし、最小線巾1μｍのクロ
ムパターンを歪みなく得た。
膜を加速電圧10KV、照射量１×10-3クーロン／
cm2、電子線径0.25μｍでパターン照射した後反応
性イオンエツチング装置によりドライ現像を行つ
た。使用したガスはCF4とO2の55対30の混合ガス
で圧力300ｍtorrである。13.56MHの高周波を電
力200Wで用い10分間現像を行い、レジスト残膜
厚2000Å、パターン最小線巾1μｍの平行線パタ
ーンを歪みなく得た。次にパターン化した無機レ
ジスト薄膜をエツチングマスクとしてCCl4対O2
が７対３の混合ガスをエツチングガスに用い、圧
力1torr、高周波電力200Wの条件でクロムを10分
間プラズマエツチングし、最小線巾1μｍのクロ
ムパターンを歪みなく得た。
実施例 ２
充分研磨された透明な石英ガラス基板上にクロ
ムを1000Å真空蒸着したクロムブランク基板に高
周波スパツタリング法によりシリコンとシリコン
の酸化物との混合物を主成分とする無機レジスト
薄膜を4000Åの厚さに設けた。スパツタリングガ
スはアルゴンガスを使用し、スパツタリング時の
ガス圧は、７×10-2torr基板とターゲツト電極間
距離は５cm、高周波電力600W、スパツタリング
速度は2000Å／hrであつた。
ムを1000Å真空蒸着したクロムブランク基板に高
周波スパツタリング法によりシリコンとシリコン
の酸化物との混合物を主成分とする無機レジスト
薄膜を4000Åの厚さに設けた。スパツタリングガ
スはアルゴンガスを使用し、スパツタリング時の
ガス圧は、７×10-2torr基板とターゲツト電極間
距離は５cm、高周波電力600W、スパツタリング
速度は2000Å／hrであつた。
この方法で作成した無機レジスト薄膜を電子線
照射装置を用いて加速電圧10KV、照射量１×
10-3クーロン／cm2、電子線径0.25μｍでパターン
照射した。次に電子線を照射した無機レジスト薄
膜をプラズマエツチング装置を用いて、エツチン
グガスにCCl2F2とO2の比が３対１の混合ガスを
使用して、ガス圧力500ｍtorr、高周波電力300W
で20分間ドライ現像を行い、レジスト残膜厚2000
Å、パターン最小線巾1μｍの平行線パターンを
歪みなく得た。
照射装置を用いて加速電圧10KV、照射量１×
10-3クーロン／cm2、電子線径0.25μｍでパターン
照射した。次に電子線を照射した無機レジスト薄
膜をプラズマエツチング装置を用いて、エツチン
グガスにCCl2F2とO2の比が３対１の混合ガスを
使用して、ガス圧力500ｍtorr、高周波電力300W
で20分間ドライ現像を行い、レジスト残膜厚2000
Å、パターン最小線巾1μｍの平行線パターンを
歪みなく得た。
次にパターン化した無機レジスト薄膜をエツチ
ングマスクとして硝酸第２セリウムアンモニウム
とクロム酸を含むクロムエツチング液に浸漬する
とガラス基板上のクロムがエツチングされ、最小
線巾1μのクロムパターンが得られた。
ングマスクとして硝酸第２セリウムアンモニウム
とクロム酸を含むクロムエツチング液に浸漬する
とガラス基板上のクロムがエツチングされ、最小
線巾1μのクロムパターンが得られた。
第１図ａないしｄは本発明をフオトマスク製造
プロセスに適応した場合の各工程の断面模式図で
ある。 １……基板、２……クロム遮光膜層、３……電
子線感応性無機レジスト層、４……電子線、５…
…ドライ現像した無機レジスト薄膜層、６……ド
ライエツチングしたクロム遮光膜層。
プロセスに適応した場合の各工程の断面模式図で
ある。 １……基板、２……クロム遮光膜層、３……電
子線感応性無機レジスト層、４……電子線、５…
…ドライ現像した無機レジスト薄膜層、６……ド
ライエツチングしたクロム遮光膜層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコンとシリコン酸化物との混合物を主成
分とする電子線感応性無機レジストに電子線をパ
ターン照射した後該レジストをドライエツチング
法により現像する無機レジストの現像方法。 ２ 前記ドライエツチング法をハロゲン化炭素を
１種類以上含むガス、又はハロゲン化炭素を１種
類以上と酸素を含むガスを使用するイオンエツチ
ング、反応性イオンエツチング、スパツタエツチ
ング、反応性スパツタエツチング、プラズマエツ
チング、ガスエツチング等により行なうことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の無機レジス
トの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051880A JPS56107243A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Developing method for inorganic resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051880A JPS56107243A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Developing method for inorganic resist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56107243A JPS56107243A (en) | 1981-08-26 |
| JPS649616B2 true JPS649616B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=11752442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051880A Granted JPS56107243A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Developing method for inorganic resist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56107243A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195940A (ja) * | 1984-03-17 | 1985-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| WO2024024373A1 (ja) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
-
1980
- 1980-01-31 JP JP1051880A patent/JPS56107243A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56107243A (en) | 1981-08-26 |
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