JPS60117723A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
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- JPS60117723A JPS60117723A JP58225681A JP22568183A JPS60117723A JP S60117723 A JPS60117723 A JP S60117723A JP 58225681 A JP58225681 A JP 58225681A JP 22568183 A JP22568183 A JP 22568183A JP S60117723 A JPS60117723 A JP S60117723A
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- JP
- Japan
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- film
- carbon film
- photoresist
- pattern
- etched
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａ＋ 発明の技術分野
本発す」はドライエツチングを用いる微細パターンの形
成方法に関する。
成方法に関する。
（ｂｌ 技術の背景
近来牛導体′Ｉｅ、Ｌｓｉなとの牛導体素子、磁気バブ
ルメモリ素子２表面弾性波素子など電子回路素子は小形
化と高密度化が益々進んでおり、単位素子寸法およびパ
ターン幅は極度に微細化している。
ルメモリ素子２表面弾性波素子など電子回路素子は小形
化と高密度化が益々進んでおり、単位素子寸法およびパ
ターン幅は極度に微細化している。
こ＼でこれら回路素子の形成には薄膜形成技術と写真蝕
刻技術（ホトリックラフイノが用いられている。
刻技術（ホトリックラフイノが用いられている。
すなイ〕ち牛導体、ａｔ性体、誘電体などの結晶基板上
にエピタキシャル成長域はへテロエビｒキシヤル成長を
行うか或は真空蒸着、スパッタなどの方法により金属や
絶縁物からなる薄層を形成しホトレジストとエンチング
とを用いる写ＩＧ ｕＢ＋刻技術により基板或は基板上
の薄層を選択エツチングして微細パターンを形成してい
る。
にエピタキシャル成長域はへテロエビｒキシヤル成長を
行うか或は真空蒸着、スパッタなどの方法により金属や
絶縁物からなる薄層を形成しホトレジストとエンチング
とを用いる写ＩＧ ｕＢ＋刻技術により基板或は基板上
の薄層を選択エツチングして微細パターンを形成してい
る。
こ＼でホトレジストは光照射によっＣｈａ合１分解など
が行われ、現像液に対して浴ＩＱ’（度の差異を生ずる
のを利用してマスクパターンを形成するものであり、元
照射部が現像液に不溶となるネガ型と元照射部が可溶と
なるポジタイプがある。
が行われ、現像液に対して浴ＩＱ’（度の差異を生ずる
のを利用してマスクパターンを形成するものであり、元
照射部が現像液に不溶となるネガ型と元照射部が可溶と
なるポジタイプがある。
次にホトレジストにより形成されたマスクパターンを用
いて基板或は基板上の薄層を選択エツチングする方法と
しては当初はエツチング液を使用する化学エツチングが
用いられていたがザイドエノチング現像を伴うため微細
パターンの形成には不適当であり、これに代ってイオン
１ノチングなど方向性を備えたドライエツチングが使用
されるようｌこなった。
いて基板或は基板上の薄層を選択エツチングする方法と
しては当初はエツチング液を使用する化学エツチングが
用いられていたがザイドエノチング現像を伴うため微細
パターンの形成には不適当であり、これに代ってイオン
１ノチングなど方向性を備えたドライエツチングが使用
されるようｌこなった。
本発明はホトレジストとドライエツチングとを用いる微
細パターン形成法に関するものである。
細パターン形成法に関するものである。
（Ｃ１従来技術と問題点
現在半導体ＩＣや磁気バブルメモリ素子は高密度化が飲
水されている結果としてパターン幅が１μ扉以下の導体
パターン或は駆動パターンの形成が必要である。
水されている結果としてパターン幅が１μ扉以下の導体
パターン或は駆動パターンの形成が必要である。
従来のパターン形成方法は被処理基板上に塗布するレジ
ス］・としてＡＺマイクロポジット（Ｓｈｉｐｌｅｙ社
）や（Ｊ ｌｉ’ Ｐ Ｒ（東京応化）のような高解像
ポジ型レジストを用いると共にイオンエツチングを行っ
て所望のパターンを形成していた。
ス］・としてＡＺマイクロポジット（Ｓｈｉｐｌｅｙ社
）や（Ｊ ｌｉ’ Ｐ Ｒ（東京応化）のような高解像
ポジ型レジストを用いると共にイオンエツチングを行っ
て所望のパターンを形成していた。
しかしパターンｌ１％が１μｍ以下の所副サブミクロン
パターンの形成はそれ自体国難であるうえ、さらに、こ
れらの導体パターン或は駆動パターンは１！流密度或は
駆動力を維持する面から膜厚を薄くすることは許されず
数千Ｘの膜厚を保持する必要があるため塗イ１１するレ
ジストの厚さを大きくしなけれはならすパターン形成が
困難になる。
パターンの形成はそれ自体国難であるうえ、さらに、こ
れらの導体パターン或は駆動パターンは１！流密度或は
駆動力を維持する面から膜厚を薄くすることは許されず
数千Ｘの膜厚を保持する必要があるため塗イ１１するレ
ジストの厚さを大きくしなけれはならすパターン形成が
困難になる。
以下磁気バブルメモリ（以下バフルメモリラの素７形成
に当ってカーネット基板上にパーマロイ駆動パターンを
形成する場合ｌこついて説明する１゜−例としてＪ９さ
が４５ｏｏＡのパーマロイ薄膜土間こホトレジストを塗
布し、ドライエツチングｊこよって微細パターンを形成
するにはその上にホトレジストを厚さ約９００ＯＡと非
常に厚く形成１′る必要がある。
に当ってカーネット基板上にパーマロイ駆動パターンを
形成する場合ｌこついて説明する１゜−例としてＪ９さ
が４５ｏｏＡのパーマロイ薄膜土間こホトレジストを塗
布し、ドライエツチングｊこよって微細パターンを形成
するにはその上にホトレジストを厚さ約９００ＯＡと非
常に厚く形成１′る必要がある。
その理由はイオンエツチングレートから３１．出したレ
ジストの必要膜厚をパーマロイの非エツチング部門こ形
成しなければならぬ以外にυｊ、＋ｖｒ後のレジストパ
ターンの両側に生ずる届の部分が゛Ｖ−面部分よりも１
１．１１しくイオンエツチングされるためパーマロイパ
ターンが侵されテーパー状と７ｔｌ’り易い。
ジストの必要膜厚をパーマロイの非エツチング部門こ形
成しなければならぬ以外にυｊ、＋ｖｒ後のレジストパ
ターンの両側に生ずる届の部分が゛Ｖ−面部分よりも１
１．１１しくイオンエツチングされるためパーマロイパ
ターンが侵されテーパー状と７ｔｌ’り易い。
それ故このようなパターンの変形な避けるためホトレジ
ストを厚めに塗布する必ｐがある。
ストを厚めに塗布する必ｐがある。
さてホトレジスト膜の解像度は膜厚に反比例するのでこ
のように厚いホトレジスト膜を用いてサブミクロンパタ
ーンを形成することは困難である。
のように厚いホトレジスト膜を用いてサブミクロンパタ
ーンを形成することは困難である。
そこでホトレジスト膜を薄くする方法としてはイオンエ
ツチングレートの小さい戴属チタン（Ｔり膜をパーマロ
イ層の上に設けることが考えられている。
ツチングレートの小さい戴属チタン（Ｔり膜をパーマロ
イ層の上に設けることが考えられている。
すなわぢ現像処理により薄いレジストパターンな形成後
フレオン（ＣＦ、）系のカスを用いて１゛１１１１：Ｌ
’＋：ブシスマエッチングし、次に′１゛ｌ膜をマス
クにシ又パーマロイ層をイオンエツチングする方法をと
ることによりホトレジストを薄くできる。
フレオン（ＣＦ、）系のカスを用いて１゛１１１１：Ｌ
’＋：ブシスマエッチングし、次に′１゛ｌ膜をマス
クにシ又パーマロイ層をイオンエツチングする方法をと
ることによりホトレジストを薄くできる。
然し′１゛Ｉは比較的反射率が商い拐料であるためｆこ
、この上４こ直接ホトレジストを塗布すると解像１１Ｌ
カ低−’Ｆ −４−６’） テ酸化チタ７ （Ｔ ｒ
Ｏｘ ） 、 酸化クローム（’−’Ｉ’ｚＵＢ）など
の反射防止膜を形成しなければならぬとドう煩わしさが
ある。
、この上４こ直接ホトレジストを塗布すると解像１１Ｌ
カ低−’Ｆ −４−６’） テ酸化チタ７ （Ｔ ｒ
Ｏｘ ） 、 酸化クローム（’−’Ｉ’ｚＵＢ）など
の反射防止膜を形成しなければならぬとドう煩わしさが
ある。
（ｔｌｌ 発明のｌＪ的
不発１ｙ抹↓Ｊ’Ｆさが厚く且つパターン幅が狭い微細
パターンを精度よく形成″３″る方法乞提供することを
目的とする。
パターンを精度よく形成″３″る方法乞提供することを
目的とする。
ｔｅｌ 発明の構成
本発明の目的は基板上の被処理膜の上に形成されたレジ
スト膜を露光ｌ＋現像して所望のレジストパターンを形
成し、該レジストパターンをマスクどじで被処理膜なド
ライエツチングを行うパターン形成刃θＪこおいて、被
処理膜とレジスト膜との間に炭素膜を介在させることを
特徴とする微細パターンの形成方法を用いることをこよ
り達成することができる。
スト膜を露光ｌ＋現像して所望のレジストパターンを形
成し、該レジストパターンをマスクどじで被処理膜なド
ライエツチングを行うパターン形成刃θＪこおいて、被
処理膜とレジスト膜との間に炭素膜を介在させることを
特徴とする微細パターンの形成方法を用いることをこよ
り達成することができる。
（ｆン 発明の災施例
本発明の炭素膜のイオンエッチ・レートが極めて小さく
然も酸素プラズマにより容易にエツチングされることを
利用して炭素膜なマスク羽としてパーマロイ層のエツチ
ングを行うものであり、これによりホトレジストの膜厚
ヲ薄くすることができる。
然も酸素プラズマにより容易にエツチングされることを
利用して炭素膜なマスク羽としてパーマロイ層のエツチ
ングを行うものであり、これによりホトレジストの膜厚
ヲ薄くすることができる。
第１衣は炭素（Ｃ）のイオンエッチ・レートをＩｌｌ
ｉおよびパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）と比較したものであ
る。
ｉおよびパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）と比較したものであ
る。
第１表
但しＡｒ圧・・・・・・・・・・・・・２ＸＩＯ’ Ｔ
ｏｒｒ加速電圧・・・・・・・・・・６５０ Ｖこのよ
、うに炭素膜のイオンエッチ中レートは従来のＴｌ膜と
比べても蓬かに少い。
ｏｒｒ加速電圧・・・・・・・・・・６５０ Ｖこのよ
、うに炭素膜のイオンエッチ中レートは従来のＴｌ膜と
比べても蓬かに少い。
また炭素膜の反射率はＩｌｌ ｉ膜と比べて遥かに低い
ため反射防止膜を設ける必要がない。
ため反射防止膜を設ける必要がない。
第２表はパーマロイ膜上ζこ炭素膜とＩｌｌ ｉ膜を設
ＶＪ１ この上に置感度ホトレジスト（曲品名ＡＺマイ
クロポジット）を９０００Ａの厚さに塗布し１０：１の
縮少投影露光装置を用いて０８μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成される焦点距離（ツメ−カス）の余
裕度を示している。
ＶＪ１ この上に置感度ホトレジスト（曲品名ＡＺマイ
クロポジット）を９０００Ａの厚さに塗布し１０：１の
縮少投影露光装置を用いて０８μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成される焦点距離（ツメ−カス）の余
裕度を示している。
第２表
これから炭素膜は従来の′■゛１膜など薯こ較べ遥かに
余裕があることが判る。
余裕があることが判る。
以下磁気バブルメモリ素子の形成に際し二酸化硅素（Ｓ
ｉｎ、、）で、ＩＢ縁された磁性カー矛ットからなる基
板上にパーマロイの微細パターンを形成する実施例につ
いて説明する。
ｉｎ、、）で、ＩＢ縁された磁性カー矛ットからなる基
板上にパーマロイの微細パターンを形成する実施例につ
いて説明する。
第１図（２）は磁性ガーネットからなる基板１の上に厚
さ約４５０ＯＡのパーマロイ１曽２を′電子ヒーム蒸着
法などで形成し、この上に炭素１１１４３を電子ビーム
＃着、カーボン′醒極相互間の）′−り放電、炭化水素
の放′１分解などで形成した。−合の断面形状を示して
いる。
さ約４５０ＯＡのパーマロイ１曽２を′電子ヒーム蒸着
法などで形成し、この上に炭素１１１４３を電子ビーム
＃着、カーボン′醒極相互間の）′−り放電、炭化水素
の放′１分解などで形成した。−合の断面形状を示して
いる。
こ＼で炭素膜３の膜厚は第１表のエッチ・レート比から
膜厚４５００Ｘのパーマロイ層２を保護するにはｌ１０
０Ａもあれば足りる。
膜厚４５００Ｘのパーマロイ層２を保護するにはｌ１０
０Ａもあれば足りる。
次に炭素膜３の上にホトレジスト４を被覆する第１図（
１３１こ＼で酸素プラズマによるエッチ・レートはホト
レジストと炭素膜ではゾ同じ大きさであり、この例の場
合、厚さｌ１００Ａの炭素膜３を保護するホトレジスト
４の厚さは安全を見て約３０００Ａとしておく。
１３１こ＼で酸素プラズマによるエッチ・レートはホト
レジストと炭素膜ではゾ同じ大きさであり、この例の場
合、厚さｌ１００Ａの炭素膜３を保護するホトレジスト
４の厚さは安全を見て約３０００Ａとしておく。
次にホトマスクを通して露光しｆＡ像づ°ることにより
ホトレジスト４が選択的にエツチングされる第１図（Ｑ
。
ホトレジスト４が選択的にエツチングされる第１図（Ｑ
。
ｉＧこタイオードタイプのプラズマエツチング装置を用
い酸素プラズマでエツチングすることによリパターン形
成されたホトレジストがマスクとなり炭素膜３が選択エ
ツチングされる第１図（１才。
い酸素プラズマでエツチングすることによリパターン形
成されたホトレジストがマスクとなり炭素膜３が選択エ
ツチングされる第１図（１才。
この場合マスクとして用いるホトレジスト４もコーツチ
ングされて薄くなるが１９めに形成し又あるので残存し
ている。
ングされて薄くなるが１９めに形成し又あるので残存し
ている。
このプラズマエツチングにおいては炭素膜３１こサイド
エツチングが生じないように酸素カスの圧力およびプラ
ズマエツチング装置の電力を調整する必要がある。
エツチングが生じないように酸素カスの圧力およびプラ
ズマエツチング装置の電力を調整する必要がある。
次に残存しているホトレジスト４および炭素膜３をマス
クとしＡｒガスを用いてパーマロイ＃２のイオンエラチ
ングラ行いパーマロイパターンを形成する。記１図（匂
。
クとしＡｒガスを用いてパーマロイ＃２のイオンエラチ
ングラ行いパーマロイパターンを形成する。記１図（匂
。
この状態“θはパーマロイ層２からなるパターン上には
炭素膜３が残存しているので不戦な場合は［％プラズマ
エツチングで取り除く第１図（Ｐ）。
炭素膜３が残存しているので不戦な場合は［％プラズマ
エツチングで取り除く第１図（Ｐ）。
このようにパーマロイ層２の上に炭素膜３を設ければイ
オンエッチングに当ってホトレジストに比べ耐蝕性が尚
いのでホトレジストの膜厚を薄くすることができ、従っ
てＭ像度を上げることができる。
オンエッチングに当ってホトレジストに比べ耐蝕性が尚
いのでホトレジストの膜厚を薄くすることができ、従っ
てＭ像度を上げることができる。
次に史にホトレジストリ瞑厚を助＜−ツる方法とし−Ｃ
は炭素膜３の上に酸素プラズマではエツチングされずイ
オンエツチングざｎ易いもの或はフレオン糸のカスによ
るプラズマエツチングで」ツリ除ｅｊ°る材料を被覆ｔ
ｒ＋、はよい。
は炭素膜３の上に酸素プラズマではエツチングされずイ
オンエツチングざｎ易いもの或はフレオン糸のカスによ
るプラズマエツチングで」ツリ除ｅｊ°る材料を被覆ｔ
ｒ＋、はよい。
とＳで酸素プラズマで番：ｒエツチングされず一方へ［
のイオンエッチ・レートの大きな物質としてはｍ（Ａす
、 銀（ＡｇＪ 、 銅＜Ｃｕ）、白’ｓ１２ （Ｐ’
） ＋釦（Ｐｌ））などがある。
のイオンエッチ・レートの大きな物質としてはｍ（Ａす
、 銀（ＡｇＪ 、 銅＜Ｃｕ）、白’ｓ１２ （Ｐ’
） ＋釦（Ｐｌ））などがある。
一万Ｗｍブラスマではエツチングされずフレオン（ＣＦ
ｃ）糸のカスによるプラズマエツチングで除去できる物
質としＣは二酸化硅素（Ｓ１υ、）、酸化硅素（ＳｉＱ
）、窒化硅素（８’ａＮ４八シリコン系樹脂＋ ｐンタ
ル（Ｔａ）ｌ［化夕ｙ タル（’ｌ’ａ２（Ｊ、 ）
。
ｃ）糸のカスによるプラズマエツチングで除去できる物
質としＣは二酸化硅素（Ｓ１υ、）、酸化硅素（ＳｉＱ
）、窒化硅素（８’ａＮ４八シリコン系樹脂＋ ｐンタ
ル（Ｔａ）ｌ［化夕ｙ タル（’ｌ’ａ２（Ｊ、 ）
。
チタン（Ｔｉ）、酸化チタン（Ｔｉ（，１２〕、タンク
ステア（ｗＪ、クローム（いりなどがある。
ステア（ｗＪ、クローム（いりなどがある。
このような材料膜を炭水膜上に設け４）とこの上に設け
るホトレジストのＰＩＡ厚を１００ＯＡ以下に址で秋少
することができる。
るホトレジストのＰＩＡ厚を１００ＯＡ以下に址で秋少
することができる。
次ｌこ金（Ａ、ｕ）或は二酸化硅素（Ｓｉｎ２）を用い
た実施例について説明する。
た実施例について説明する。
第２図（〜は磁性カーネットからなる基板工の上に）ψ
、さ４５０ＯＡのパーマロイ層２を形成し、この上に炭
素膜３を形成した状態を示しこれは先に説明したｍＮｌ
１図（１１）の状態と変らない。
、さ４５０ＯＡのパーマロイ層２を形成し、この上に炭
素膜３を形成した状態を示しこれは先に説明したｍＮｌ
１図（１１）の状態と変らない。
次に仁の上にＡｕ又は１ｉｉ０２からなる補助膜５を２
００〜コ１００Ａの厚さに形成でる。第２図（ｔ３）。
００〜コ１００Ａの厚さに形成でる。第２図（ｔ３）。
こ＼でＡ１１は真空蒸着などの方法で猿た８ｉＵ２ｉ；
ｔ ？＃＋ Ｉ／ｉｆ ６Ｌスパツタなどの方法で形成
が可能である。
ｔ ？＃＋ Ｉ／ｉｆ ６Ｌスパツタなどの方法で形成
が可能である。
次にとの上にホトレジスト４を塗布するが、この場合の
膜厚は５００〜１００ＯＡでよく、これに露光と現像処
理を行ってレジストパターンを形成する。第２図（Ｑ
。
膜厚は５００〜１００ＯＡでよく、これに露光と現像処
理を行ってレジストパターンを形成する。第２図（Ｑ
。
次に補助膜５の組成がＡｕである場合はイオンエツチン
グ法でまた８ＩＯ１である場合はフレオン糸のガスζこ
よるプラズマエツチングで取り除く。
グ法でまた８ＩＯ１である場合はフレオン糸のガスζこ
よるプラズマエツチングで取り除く。
ｆ！ＩＣ２図（１す。
次に夕・イオードタイプのプラズマエツチング装置を用
い酸素ガスプラズマで炭素膜３をエンチングする。第２
図Ｆｋｌ。
い酸素ガスプラズマで炭素膜３をエンチングする。第２
図Ｆｋｌ。
この場合Ａｕ或はＳ ＩＯ２力）すする補助膜５は酸素
プラズマではエツチングされないのでマスク材として慟
らく。
プラズマではエツチングされないのでマスク材として慟
らく。
びにｌＬｒカスによるイオンエツチングを行うと炭素膜
３がマスクとして働いてパーマロイ層２がエツチングさ
れて微細パターンが作られる。第２図（Ｆｃ 。
３がマスクとして働いてパーマロイ層２がエツチングさ
れて微細パターンが作られる。第２図（Ｆｃ 。
このように炭素膜３の上に補助膜５を設けるとホトレジ
スト４の膜〜を更に薄くすることができ従ってＮ塚度を
上げることができる。
スト４の膜〜を更に薄くすることができ従ってＮ塚度を
上げることができる。
次４こホトレジスト４および補助膜５を設ける方法以外
に無機レジストヲ用いて微細パターンを形成する方法が
ある。
に無機レジストヲ用いて微細パターンを形成する方法が
ある。
この方法は本発明ζこ係る炭素膜の一ヒに酸素プラズマ
によってはエツチングされない誠化砒累（Δ５２Ｓ３）
４４化％Ｍ（Ａｇ（、：ｔ〕と硫化砒ｘ （Ａｓｔ ８
ｓ）或はセレン化銀（Ａｇ２Ｓ リとセレン化ゲルマ
ニウム（ＧｅＳｅ）などの単層或は２層構成の無機レジ
ストを用いるものでこの場合は有機のホトレジストを用
いることなく微細パターンを形成することができる。
によってはエツチングされない誠化砒累（Δ５２Ｓ３）
４４化％Ｍ（Ａｇ（、：ｔ〕と硫化砒ｘ （Ａｓｔ ８
ｓ）或はセレン化銀（Ａｇ２Ｓ リとセレン化ゲルマ
ニウム（ＧｅＳｅ）などの単層或は２層構成の無機レジ
ストを用いるものでこの場合は有機のホトレジストを用
いることなく微細パターンを形成することができる。
こ−で無機レジストは余外紛照射により反応が進行して
浴剤に対し不溶となることを利用して子方型のレジスト
を構成するものでＡｓ２Ｊ の例について説明−４−る
と次のようになる。魚屑法で形成したＡ、ｓ ２ ：ｉ
δ膜に紫外線を照射すると４１１１造変化が生じ露光部
は苛性ソーダ（ｌＮａｏｌ（）＃１．像液（濃度０．０
３規定シに不溶となり、ま１こフレオン（（うＦ４Ｊ火
用いるプラズマエツチングにおいてもエッチレートが非
露光部の１／２に減少するのでホトレジストとして使用
できる。
浴剤に対し不溶となることを利用して子方型のレジスト
を構成するものでＡｓ２Ｊ の例について説明−４−る
と次のようになる。魚屑法で形成したＡ、ｓ ２ ：ｉ
δ膜に紫外線を照射すると４１１１造変化が生じ露光部
は苛性ソーダ（ｌＮａｏｌ（）＃１．像液（濃度０．０
３規定シに不溶となり、ま１こフレオン（（うＦ４Ｊ火
用いるプラズマエツチングにおいてもエッチレートが非
露光部の１／２に減少するのでホトレジストとして使用
できる。
また２層構成をとる場合Ａｓ２８３膜の上に形成される
ｈｇｃｔの薄膜は露光により分解析出し、露光部のエッ
チレートを更に減少させる効果がある。
ｈｇｃｔの薄膜は露光により分解析出し、露光部のエッ
チレートを更に減少させる効果がある。
以−ト本発明に係る炭素膜の上に無機レジスト膜を設け
て微細パターンを形成する実施例について説明する。
て微細パターンを形成する実施例について説明する。
第３図はこの工程を示すもので第１図および第２図の実
施例と同様に基板ｌの上にｊ早さ４５００Ａのパーマロ
イ膜２をまたこの上に犀さｌ１００Ａの炭素膜３を形成
する。第３図（Ａｌ。
施例と同様に基板ｌの上にｊ早さ４５００Ａのパーマロ
イ膜２をまたこの上に犀さｌ１００Ａの炭素膜３を形成
する。第３図（Ａｌ。
次に炭素膜２の上に熱着法によりＡｓ２Ｓ３よりな形成
する。第３図＋１３１゜ 次にホトマスクを泄して露光したる俊ルオン（ＣＦ４Ｊ
ガスを用いてプラズマエツチングを行いレジストパター
ンを形成１−る。第３図（Ｃ）。
する。第３図＋１３１゜ 次にホトマスクを泄して露光したる俊ルオン（ＣＦ４Ｊ
ガスを用いてプラズマエツチングを行いレジストパター
ンを形成１−る。第３図（Ｃ）。
次にタイオードタイプのプラズマエツチング装置を用い
［８カスのプラズマエツチングを行うことｌこより炭素
膜３乞エツチングする。弗３図（ロ）。
［８カスのプラズマエツチングを行うことｌこより炭素
膜３乞エツチングする。弗３図（ロ）。
次にＡｒカスによるイオンエツチングを行うこトニヨリ
パーマロイ）ｔｉ２がエツチングされて微細パターンが
形成される。第３図（ＷＪ。
パーマロイ）ｔｉ２がエツチングされて微細パターンが
形成される。第３図（ＷＪ。
次にパーマロイ層２の上憂こＩＡ存している炭素膜３を
酸素プラズマエツチングで除く。第３図（ｌ！１゜この
ように無機レジスト６を炭素膜３と組合わせて用いると
無機レジスト６の膜〕１ｙ乞５００〜１０００Ｘと薄く
できるので解像度の向上刃＜ ＋ｉＪ １ｉ１４となる
。
酸素プラズマエツチングで除く。第３図（ｌ！１゜この
ように無機レジスト６を炭素膜３と組合わせて用いると
無機レジスト６の膜〕１ｙ乞５００〜１０００Ｘと薄く
できるので解像度の向上刃＜ ＋ｉＪ １ｉ１４となる
。
なお本発明の実施においてはタイメートタイプのプラズ
マエツチングとＡｒを用いたイオンエツチングの使用が
必要となるがこれについて発明者はプラズマエツチング
が可能なイオンエツチング装置６，０１史用により同一
装置でカス昼囲気を変えるだけで行うことが可能な処理
方法を提案している。
マエツチングとＡｒを用いたイオンエツチングの使用が
必要となるがこれについて発明者はプラズマエツチング
が可能なイオンエツチング装置６，０１史用により同一
装置でカス昼囲気を変えるだけで行うことが可能な処理
方法を提案している。
すなわち提案中のイオンエンチング装置は装置内に試料
台と平行に対向曳極板を設け、試料台と対向′成極との
間にＲＦ周ｆＬ数の′成力な加える構造をとることによ
りプラズマエツチングとの併用を可能とするものである
。
台と平行に対向曳極板を設け、試料台と対向′成極との
間にＲＦ周ｆＬ数の′成力な加える構造をとることによ
りプラズマエツチングとの併用を可能とするものである
。
（ｇｌ 発明の効果
本発明は磁気バブルメモリや牛褥体ＩＣで必要な厚さが
厚く且つ極めて微細なパターンを高い解像度で形成する
方法ケ提供するもので炭素膜を使用しこれに１吸素ブラ
スマではエツチングされずイオンエツチング或はフレオ
ン糸のガスプラズマでエツチングされる補助膜ン設ける
か或は無機レジストな用いることによりレジストの厚さ
を薄くすることブｌでき、これにより商い１９’Ｎ１家
度で微細パターンの形成が５Ｊ能となる。
厚く且つ極めて微細なパターンを高い解像度で形成する
方法ケ提供するもので炭素膜を使用しこれに１吸素ブラ
スマではエツチングされずイオンエツチング或はフレオ
ン糸のガスプラズマでエツチングされる補助膜ン設ける
か或は無機レジストな用いることによりレジストの厚さ
を薄くすることブｌでき、これにより商い１９’Ｎ１家
度で微細パターンの形成が５Ｊ能となる。
第１図、第２図、第３図の（５）〜（１！’）は（ＩＩ
ｊれも本発明に保る彼細バクーン形成工程を直切−」る
断１ｈ１図である。 図においてｌは基板、２はパーマロイＪｍ、３Ｌｔ炭素
膜、４はホトレジスト、５は補助膜、６＆ま無機レジス
ト。
ｊれも本発明に保る彼細バクーン形成工程を直切−」る
断１ｈ１図である。 図においてｌは基板、２はパーマロイＪｍ、３Ｌｔ炭素
膜、４はホトレジスト、５は補助膜、６＆ま無機レジス
ト。
Claims (4)
- （１） 基板上の被処理膜の上に形成されたレジスト膜
を露光・現像して所望のレジストパターンを形影し、該
レジストパターンをマスクとして被処理膜のドライエツ
チングを行うパターン形成方法において、被処理膜とレ
ジスト膜との間に炭素膜を介在させることを％徴とする
微細パターンの形成方法。 - （２）被処理膜上に設けた炭素膜の上に更ζこ酸素プラ
ズマではエツチングされず、然もイオンエツチングレー
トの大きな材料膜を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の微細パターンの形成方法。 - （３）被処理膜上に設けた炭素膜の上ｊこ更に酸素プラ
ズマではエツチングされず、フレぢン系のガスで容易に
エツチング可能な材料膜な設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の微細パターンの形成方法。 - （４）被処理膜上に設けた炭素膜の上に付着するレジス
ト膜として無機レジスト膜を用いることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225681A JPS60117723A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225681A JPS60117723A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117723A true JPS60117723A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0473291B2 JPH0473291B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=16833115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58225681A Granted JPS60117723A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117723A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196828A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜の形成された半導体装置の作製方法 |
| JPH01198489A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜のエッチング方法 |
| JPH0258221A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とするマスクを用いたエッチング方法 |
| DE4138999A1 (de) * | 1990-11-27 | 1992-06-04 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
| US5445710A (en) * | 1991-01-22 | 1995-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| US5656128A (en) * | 1993-03-26 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Reduction of reflection by amorphous carbon |
| US5707487A (en) * | 1991-01-22 | 1998-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| US6007732A (en) * | 1993-03-26 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Reduction of reflection by amorphous carbon |
| US6376388B1 (en) | 1993-07-16 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Dry etching with reduced damage to MOS device |
| KR100457124B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2004-11-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상변환 마스크 및 그 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52125430A (en) * | 1976-04-15 | 1977-10-21 | Fujitsu Ltd | Ion etching method |
| JPS57122530A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoetching method |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58225681A patent/JPS60117723A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| US6884670B2 (en) | 1993-07-16 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Dry etching with reduced damage to MOS device |
| KR100457124B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2004-11-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상변환 마스크 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473291B2 (ja) | 1992-11-20 |
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