JPS61173250A - フオトマスク材料 - Google Patents

フオトマスク材料

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JPS61173250A
JPS61173250A JP60016206A JP1620685A JPS61173250A JP S61173250 A JPS61173250 A JP S61173250A JP 60016206 A JP60016206 A JP 60016206A JP 1620685 A JP1620685 A JP 1620685A JP S61173250 A JPS61173250 A JP S61173250A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
silicon
glass substrate
transparent glass
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP60016206A
Other languages
English (en)
Inventor
Yaichiro Watakabe
渡壁　弥一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Priority to US06/819,104 priority patent/US4678714A/en
Publication of JPS61173250A publication Critical patent/JPS61173250A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12611—Oxide-containing component

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造工程において使用される
フォトマスク形成のためのフォトマスク材料に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置の製造工程において使用されるフォト
マスク材料としては、第３図および第４図ニ示すものが
あった。
第３図において、１は透明ガラス基板、２はクロム（Ｃ
ｒ）、タンタル（Ｔａ）等の金属膜で、蒸着またはスパ
ッタ法により約１０００Ｘ程度の膜厚に形成されている
。また、第４図において、３はモリブデン（Ｍｏ）、チ
タン（Ｔｉ）等の金属をシリサイド化した金属シリサイ
ド膜で、透明ガラス基板１上にスパッタ法等により約１
ｏｏｏＸの膜厚忙形成したフォトマスク材料である。
一般に半導体装置用のハードマスク材料として用いられ
ているのは、透明ガラス基板上ＫＣｒをスパッタ法等で
約１０００Ａ程度に形成したクロム膜である。これは近
年の高集積デバイス用マスクとして微細化が可能で、ハ
ードな高信頼性マスクとして従来のエマルジョンマスク
に比べて有利であるためである。
しかしながら、Ｃｒは基板ガラスとの接着性が必ずしも
よくはなく、特に石英との接着性は悪く、例えばＣｒパ
ターン形成後、マスク洗浄等によりＣｒハガンが生じる
場合がある。モリブデン（Ｍｏ）。
タンタル（Ｔａ、）、チタン（Ｔｉ）等を用いた金属シ
リサイド膜は、透明ガラス基板１との接着性を向上させ
乞働きがある。これは金属ソリサイド中のシリコンのボ
ンド（結合子）が基板ガラス（ＳｉＯ□。
Ａ　１２０ｓ　’に含む）のシリコンと強く結びつくた
めである。また、パターンの微細化と共に要求されるド
ライエツチングに対しても金属シリサイド膜はＣｒ　Ｋ
比べてエツチング速度も速く有利である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来ノ透明ガラス基板１上のフォトマスク材料は、前記
したＣ、ｒ’！たけ基板ガラスとの接着性のよい金属シ
リサイド膜３を用いている。しかしながら、特に金属シ
リサイド膜３を用いたマスクでは、スパッタ法等の膜形
成後、非晶質な金属シリサイド膜が形成されているため
、膜質に不均一さがあり、マスク洗浄等で部分的に微小
欠陥（ピンホールの発生ンが生じる場合がある。
’Ｊ　７．：、透明ガラス基板１との界面での応力でマ
スクの平面度が損われるなどの欠点があった。
この発明は、上記のような従来の欠点を除去するために
なされたもので、基板ガラスとの接着性を増し、かつ界
面での応力が少ないフォトマスク材料を提供することを
目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るフォトマスク材料は、石英等の透明ガラ
ス基板上に、この透明ガラス基板表面はシリコンを多く
、上層に向うに従って金属を多くし、これらシリコンと
金属の比率を連続的に変えて金属シリサイド膜を形成し
、フォトマスク材料としたものである。
〔作用〕
この発明においては、透明ガラス基板の基板ガラスとの
接着性を増し、かつ界面での応力が少なく、膜質の均一
なフォトマスク材料となる。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示すフォトマスク材料の
断面図で、石英等の透明ガラス基板１上に基板表面はシ
リコンを多く、上ｊ―に向うに従って金属を多くし、シ
リコンと金属の比率を連続的に変えて金属シリサイド膜
４を形成したものである。
第２図は第１図のフォトマスク材料、すなわち金属シリ
サイド膜４を形成するためのスパッタ装置の概略構成図
、である。
第２図において、１は透明ガラス基板、５はターゲット
で、一定面積のシリコン６および面積が徐々に大きくな
る金属７からなる。１０．１１はそれぞれカソードおよ
び７ノード電掻である。１２は高周波電源で、通常１３
．５６ＭＨｚを用いている。
カソード電極１０上の透明ガラス基板１は一定速度で矢
印Ａ方向に移動するよう妊なっている。
金属シリサイド膜４の膜厚およびシリコンと金属との比
率はターゲット５のシリコン６および金属７の量、カソ
ード電極１０上の透明ガラス基板１の移動速度を変える
ことで得られる。
透明ガラス基板１上にシリコン６と金属７の比率を変、
えて金属シリサイド膜４を形成するために、ターゲット
５．とじてシリコン６の面積を一定にして金属７の面積
を徐々に犬きくシタものを使用する。Ａｒ　イオンによ
りスパッタされたシリコンと金属が透明ガラス基板１上
に形成される。この時、透明ガラス基板１を一定速度で
矢印Ａ方向に移動することにより、シリコンと金属の比
率を連続的に変えることができる。
以上の工程を経ることで透明ガラス基板表面はシリコン
過剰の金属シリサイド膜４で構成され、上層に向うに従
って金属の比率が増加して金属シリサイド膜４が形成さ
れる。これにより、透明ガラス基板１中のＳｔ　Ｏ，と
シリコンが強く結びつくことにより接着強度の強いマス
クが完成する。金属の量は、マスクパターン形成後の検
査（寸法。
欠陥検査）ができる程度の光学濃度（ＯｐｔｉｃａｌＤ
ｅｎｓｉｔｙ）が、例えば３．０程度得られるように制
御すればよい。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、透明ガラス基板上に、
この透明ガラス基板表面にシリコンを多くし、上層に向
う匠従って金属な徐々に増加させるようにシリコンと金
属の比率を連続的に変えて金属シリサイド膜を形成する
ようＫしたので、透ψ」ガラス基板との接着強度の大き
い高信頼性のフォトマスク材料が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示すフォトマスク材料の
断面図、第２図はこの発明のフォトマスク材料を形成す
るためのスパック装置の概略構成図、第３図、第４図は
従来のフォトマスク材料を示す断面図である。 図において、１は透明ガラス基板、４は金属シリサイド
膜である。 なお、各図中の同一符号は同一’ｌニア、：は相当部分
を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 １：透明ガラス基板 ４：金属シリサイド膜 第２図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明ガラス基板上にこの透明ガラス基板表面にシ
    リコンを多く、上層に向うに従つて金属を増加させるよ
    うに前記シリコンと金属の比率を連続的に変えた金属シ
    リサイド膜を形成したことを特徴とするフォトマスク材
    料。
  2. （２）透明ガラス基板は、石英ガラス基板であることを
    特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のフォトマス
    ク材料。
JP60016206A 1985-01-28 1985-01-28 フオトマスク材料 Pending JPS61173250A (ja)

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JP60016206A JPS61173250A (ja) 1985-01-28 1985-01-28 フオトマスク材料
US06/819,104 US4678714A (en) 1985-01-28 1986-01-15 Photomask material

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US4678714A (en) 1987-07-07

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