JPH10186389A - 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子 - Google Patents
配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子Info
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- JPH10186389A JPH10186389A JP34415796A JP34415796A JPH10186389A JP H10186389 A JPH10186389 A JP H10186389A JP 34415796 A JP34415796 A JP 34415796A JP 34415796 A JP34415796 A JP 34415796A JP H10186389 A JPH10186389 A JP H10186389A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １回のエッチングで配線パターンを形成で
き、かつガラス基板と銅との良好な密着力を得ることの
できる配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を
用いた液晶素子を提供する。 【解決手段】 補助電極１０の主導電部１０ｃを銅にて
形成すると共に透光性基材６の表面と主導電部１０ｃと
の間に、高分子系樹脂膜１０ａと、この高分子系樹脂膜
１０ａの表面にニッケル又はニッケル合金からなる金属
製密着膜１０ｂとを形成することにより、１回のエッチ
ングで配線パターンを形成できると共に、銅と透光性基
材６との密着力を増加させることができるようにする。
また、銅の表面に、ニッケル又はニッケル合金からなる
金属製保護層１０ｄを形成することにより、銅の耐食性
を向上させることができるようにする。
き、かつガラス基板と銅との良好な密着力を得ることの
できる配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を
用いた液晶素子を提供する。 【解決手段】 補助電極１０の主導電部１０ｃを銅にて
形成すると共に透光性基材６の表面と主導電部１０ｃと
の間に、高分子系樹脂膜１０ａと、この高分子系樹脂膜
１０ａの表面にニッケル又はニッケル合金からなる金属
製密着膜１０ｂとを形成することにより、１回のエッチ
ングで配線パターンを形成できると共に、銅と透光性基
材６との密着力を増加させることができるようにする。
また、銅の表面に、ニッケル又はニッケル合金からなる
金属製保護層１０ｄを形成することにより、銅の耐食性
を向上させることができるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板、配線基
板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子に関し、
特に配線基板の補助電極の形成方法に関する。
板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子に関し、
特に配線基板の補助電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶素子に用いられている配線基
板は、例えば透光性基材の一例であるガラス基板上にＩ
ＴＯ等の透明電極を形成していた。しかし、このような
透明電極は抵抗率が高いため、表示面積の大型化、高精
細化に伴い液晶素子内における電圧波形の遅延や鈍りが
問題となつていた。ここで、抵抗率を下げるため、例え
ば透明電極を厚く形成することも考えられるが、このよ
うにした場合は、成膜に時間・コストがかかるばかりで
なく、透明性が悪くなる等の欠点があった。
板は、例えば透光性基材の一例であるガラス基板上にＩ
ＴＯ等の透明電極を形成していた。しかし、このような
透明電極は抵抗率が高いため、表示面積の大型化、高精
細化に伴い液晶素子内における電圧波形の遅延や鈍りが
問題となつていた。ここで、抵抗率を下げるため、例え
ば透明電極を厚く形成することも考えられるが、このよ
うにした場合は、成膜に時間・コストがかかるばかりで
なく、透明性が悪くなる等の欠点があった。
【０００３】そこで、このような問題を解決するため
に、例えばＩＴＯ等の透明電極より低抵抗である金属製
のアルミにシリコン・銅を添加した合金からなる補助電
極（以下、金属電極という）を主電極である透明電極に
並設して形成することが行われていた（電子ディスプレ
イフォーラム９５，講演集Ｐ７４）。しかし、高開口率
化や高速応答性等の要求を満たすためには、更に金属電
極を低抵抗化する必要があり、このため最も低い抵抗率
を持つ銅により金属電極を形成するようにしたものがあ
る。
に、例えばＩＴＯ等の透明電極より低抵抗である金属製
のアルミにシリコン・銅を添加した合金からなる補助電
極（以下、金属電極という）を主電極である透明電極に
並設して形成することが行われていた（電子ディスプレ
イフォーラム９５，講演集Ｐ７４）。しかし、高開口率
化や高速応答性等の要求を満たすためには、更に金属電
極を低抵抗化する必要があり、このため最も低い抵抗率
を持つ銅により金属電極を形成するようにしたものがあ
る。
【０００４】ところが、このように銅により金属電極を
形成する場合、銅のガラス基板との密着力及び耐食性が
問題となる。そこで、その解決策として、例えば特開平
３−８２１８８号公報に示されるように、ガラス基板と
の密着力を強化するために、クロム、モリブデン、チタ
ン等の密着層をガラス基板と銅の間に挟むことが提案さ
れている。具体的には、基板上にクロムー銅の順で膜を
形成し、その後還元雰囲気中でアニールしてクロム・銅
合金層を生じさせ、基板と銅の密着力を向上させるもの
である。
形成する場合、銅のガラス基板との密着力及び耐食性が
問題となる。そこで、その解決策として、例えば特開平
３−８２１８８号公報に示されるように、ガラス基板と
の密着力を強化するために、クロム、モリブデン、チタ
ン等の密着層をガラス基板と銅の間に挟むことが提案さ
れている。具体的には、基板上にクロムー銅の順で膜を
形成し、その後還元雰囲気中でアニールしてクロム・銅
合金層を生じさせ、基板と銅の密着力を向上させるもの
である。
【０００５】また、耐食性を強化するためには、例えば
特開平４−３５０９３８号公報に示されるように銅表面
をチタン層で被うことが提案されている。具体的には、
銅配線形成後、チタンを銅配線全面に成膜し、高温でア
ニールすることで銅配線表面に銅一チタンの合金層を形
成するものである。
特開平４−３５０９３８号公報に示されるように銅表面
をチタン層で被うことが提案されている。具体的には、
銅配線形成後、チタンを銅配線全面に成膜し、高温でア
ニールすることで銅配線表面に銅一チタンの合金層を形
成するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
金属電極を備えた従来の配線基板において、ガラス基板
上に密着層、銅の順番で配線材を形成し、その後配線パ
ターン状にエッチングする際に、実用化には１回のエッ
チングで密着層と銅の両方を同時にエッチングする必要
がある。
金属電極を備えた従来の配線基板において、ガラス基板
上に密着層、銅の順番で配線材を形成し、その後配線パ
ターン状にエッチングする際に、実用化には１回のエッ
チングで密着層と銅の両方を同時にエッチングする必要
がある。
【０００７】しかし、密着層としてクロム、モリブデ
ン、チタン等を用いるとガラス基板との強い密着性が得
られるが、銅と同時にエッチングすることは不可能であ
る。また、密着層としてニッケル、ニッケル合金を使用
する場合、塩化第２鉄溶液等のエッチャントを用いてエ
ッチングすることにより、配線パターンを形成すること
ができるが、クロム、モリブデン、チタン等ほどの密着
力は得られない、という問題点がある。
ン、チタン等を用いるとガラス基板との強い密着性が得
られるが、銅と同時にエッチングすることは不可能であ
る。また、密着層としてニッケル、ニッケル合金を使用
する場合、塩化第２鉄溶液等のエッチャントを用いてエ
ッチングすることにより、配線パターンを形成すること
ができるが、クロム、モリブデン、チタン等ほどの密着
力は得られない、という問題点がある。
【０００８】そこで、本発明はこのような従来の問題点
を解決するためになされたものであり、１回のエッチン
グで配線パターンを形成でき、かつガラス基板と銅との
良好な密着力を得ることのできる配線基板、配線基板の
製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子を提供するこ
とを目的とするものである。
を解決するためになされたものであり、１回のエッチン
グで配線パターンを形成でき、かつガラス基板と銅との
良好な密着力を得ることのできる配線基板、配線基板の
製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、透光性基材の
表面に形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形
成された主電極とを有する配線基板において、前記補助
電極の主導電部は銅から成り、前記透光性基材の表面と
前記主導電部との間に高分子系樹脂膜及び該高分子系樹
脂膜と前記主導電部との間に設けられたニッケル又はニ
ッケル合金からなる膜とを有することを特徴とするもの
である。
表面に形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形
成された主電極とを有する配線基板において、前記補助
電極の主導電部は銅から成り、前記透光性基材の表面と
前記主導電部との間に高分子系樹脂膜及び該高分子系樹
脂膜と前記主導電部との間に設けられたニッケル又はニ
ッケル合金からなる膜とを有することを特徴とするもの
である。
【００１０】また本発明は、前記高分子系樹脂は、アク
リル系樹脂であることを特徴とするものである。
リル系樹脂であることを特徴とするものである。
【００１１】また本発明は、前記ニッケル合金の飽和磁
束密度が１０００Ｇ以下であることを特徴とするもので
ある。
束密度が１０００Ｇ以下であることを特徴とするもので
ある。
【００１２】また本発明は、前記ニッケル合金が、モリ
ブデン、アルミニウム、シリコン、スズのうちの少なく
とも１つを含有することを特徴とするものである。
ブデン、アルミニウム、シリコン、スズのうちの少なく
とも１つを含有することを特徴とするものである。
【００１３】また本発明は、前記主導電部の表面にニッ
ケル又はニッケル合金からなる層を形成したことを特徴
とするものである。
ケル又はニッケル合金からなる層を形成したことを特徴
とするものである。
【００１４】また本発明は、透光性基材の表面に形成さ
れた補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電
極とを有する配線基板の製造方法において、前記補助電
極の主導電部を銅にて形成する前の工程として、前記透
光性基材の表面に高分子系樹脂膜を形成する工程と、前
記高分子系樹脂膜の表面にニッケル又はニッケル合金か
らなる膜を形成する工程とを有することを特徴とするも
のである。
れた補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電
極とを有する配線基板の製造方法において、前記補助電
極の主導電部を銅にて形成する前の工程として、前記透
光性基材の表面に高分子系樹脂膜を形成する工程と、前
記高分子系樹脂膜の表面にニッケル又はニッケル合金か
らなる膜を形成する工程とを有することを特徴とするも
のである。
【００１５】また本発明は、前記補助電極の主導電部を
形成した後の工程として、前記主導電部の表面に前記ニ
ッケル又はニッケル合金からなる層を形成する工程を有
することを特徴とするものである。
形成した後の工程として、前記主導電部の表面に前記ニ
ッケル又はニッケル合金からなる層を形成する工程を有
することを特徴とするものである。
【００１６】また本発明は、一対の基板間に液晶を挟持
した液晶装置であって、前記一対の基板の少なくとも一
方は、透光性基材の表面に形成された補助電極と、前記
補助電極の表面に形成された主電極とを有する配線基板
であり、該配線基板の補助電極の主導電部は銅から成
り、前記透光性基材の表面と前記主導電部との間に高分
子系樹脂膜及び該高分子系樹脂膜と前記主導電部との間
に設けられたニッケル又はニッケル合金からなる膜とを
有することを特徴とするものである。
した液晶装置であって、前記一対の基板の少なくとも一
方は、透光性基材の表面に形成された補助電極と、前記
補助電極の表面に形成された主電極とを有する配線基板
であり、該配線基板の補助電極の主導電部は銅から成
り、前記透光性基材の表面と前記主導電部との間に高分
子系樹脂膜及び該高分子系樹脂膜と前記主導電部との間
に設けられたニッケル又はニッケル合金からなる膜とを
有することを特徴とするものである。
【００１７】また本発明は、前記主導電部の表面にニッ
ケル又はニッケル合金からなる層を形成したことを特徴
とするものである。
ケル又はニッケル合金からなる層を形成したことを特徴
とするものである。
【００１８】また本発明のように、補助電極の主導電部
を銅にて形成すると共に透光性基材の表面と主導電部と
の間に、高分子系樹脂膜と、この高分子系樹脂膜の表面
にニッケル又はニッケル合金からなる膜とを形成するこ
とにより、１回のエッチングで配線パターンを形成でき
ると共に、銅と透光性基材との密着力を増加させること
ができるようにする。
を銅にて形成すると共に透光性基材の表面と主導電部と
の間に、高分子系樹脂膜と、この高分子系樹脂膜の表面
にニッケル又はニッケル合金からなる膜とを形成するこ
とにより、１回のエッチングで配線パターンを形成でき
ると共に、銅と透光性基材との密着力を増加させること
ができるようにする。
【００１９】また本発明のように、銅の表面に、ニッケ
ル又はニッケル合金からなる金属製保護層を形成するこ
とにより、銅の耐食性を向上させることができるように
する。
ル又はニッケル合金からなる金属製保護層を形成するこ
とにより、銅の耐食性を向上させることができるように
する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００２１】図１は、本発明の実施の形態に係る配線基
板を用いた液晶素子の構造を示す断面図であり、同図に
おいて、１は液晶素子、２は配線基板、３は液晶、４は
シール材、５はスペーサである。ここで、この配線基板
２は、透光性基材であるガラス基板６と、主電極である
透明電極７と、補助電極である金属電極１０と、高分子
材料である紫外線硬化型樹脂で形成され、金属電極１０
間を絶縁する絶縁層１１とを有したものである。なお、
この配線基板２には絶縁膜８及び配向膜９が形成されて
いる。また、絶縁層１１は、紫外線硬化型樹脂等の高分
子材料からなる。
板を用いた液晶素子の構造を示す断面図であり、同図に
おいて、１は液晶素子、２は配線基板、３は液晶、４は
シール材、５はスペーサである。ここで、この配線基板
２は、透光性基材であるガラス基板６と、主電極である
透明電極７と、補助電極である金属電極１０と、高分子
材料である紫外線硬化型樹脂で形成され、金属電極１０
間を絶縁する絶縁層１１とを有したものである。なお、
この配線基板２には絶縁膜８及び配向膜９が形成されて
いる。また、絶縁層１１は、紫外線硬化型樹脂等の高分
子材料からなる。
【００２２】ここで、この配線基板２の金属電極１０
は、図２に示すようにガラス基板６の表面に塗布して形
成された高分子系樹脂膜１０ａと、この高分子系樹脂膜
１０ａの表面に形成された金属製密着膜である第１のニ
ッケル合金膜１０ｂと、この第１ニッケル合金膜１０ｂ
の表面に形成され、主導電部を形成する銅よりなる銅膜
１０ｃと、この銅膜１０ｃの表面に形成された金属製保
護膜である第２のニッケル合金膜１０ｄとからなるもの
である。
は、図２に示すようにガラス基板６の表面に塗布して形
成された高分子系樹脂膜１０ａと、この高分子系樹脂膜
１０ａの表面に形成された金属製密着膜である第１のニ
ッケル合金膜１０ｂと、この第１ニッケル合金膜１０ｂ
の表面に形成され、主導電部を形成する銅よりなる銅膜
１０ｃと、この銅膜１０ｃの表面に形成された金属製保
護膜である第２のニッケル合金膜１０ｄとからなるもの
である。
【００２３】なお、この高分子系樹脂膜１０ａ及び第１
のニッケル合金膜１０ｂは、銅膜１０ｃとガラス基板６
との密着力を増加させるためのものであり、第２のニッ
ケル合金膜１０ｄは銅膜１０ｃの耐食性を向上させるた
めのものである。
のニッケル合金膜１０ｂは、銅膜１０ｃとガラス基板６
との密着力を増加させるためのものであり、第２のニッ
ケル合金膜１０ｄは銅膜１０ｃの耐食性を向上させるた
めのものである。
【００２４】ところで、これら２つのニッケル合金膜１
０ｂ，１０ｄはニッケル又はニッケル主成分中にモリブ
デン、アルミニウム、シリコン、スズのうち少なくとも
１種類以上を混入したものであり、このようにモリブデ
ン等を混入することによりニッケル合金を非磁性体に近
い磁性、即ち飽和磁束密度が１０００Ｇ以下となるよう
している。
０ｂ，１０ｄはニッケル又はニッケル主成分中にモリブ
デン、アルミニウム、シリコン、スズのうち少なくとも
１種類以上を混入したものであり、このようにモリブデ
ン等を混入することによりニッケル合金を非磁性体に近
い磁性、即ち飽和磁束密度が１０００Ｇ以下となるよう
している。
【００２５】そして、このようにニッケル合金を非磁性
体に近い磁性にすることにより、マグネトロン放電が可
能となるため、後述する成膜時においてＤＣマグネトロ
ンスパッタ法を用いることができるようになり、合金膜
１０ｂ，１０ｄの形成速度を著しく速めることができる
ようになる。なお、マグネトロン放電を用いないスパッ
タ法を用いる場合においては、ニッケル単体で金属製密
着膜及び金属製保護膜を形成することもできる。
体に近い磁性にすることにより、マグネトロン放電が可
能となるため、後述する成膜時においてＤＣマグネトロ
ンスパッタ法を用いることができるようになり、合金膜
１０ｂ，１０ｄの形成速度を著しく速めることができる
ようになる。なお、マグネトロン放電を用いないスパッ
タ法を用いる場合においては、ニッケル単体で金属製密
着膜及び金属製保護膜を形成することもできる。
【００２６】次に、このような構成の金属電極１０の形
成法の第１実施例について説明する。
成法の第１実施例について説明する。
【００２７】本実施例においては、まず３００×３４０
ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの青板硝子を酸化セリウムで研磨
処理してガラス基板６を形成し、この後、主導電部を形
成する前に、このガラス基板６の表面に、図３の（ａ）
に示すように高分子系樹脂の一例であるアクリル系樹脂
ＬＣ２０４０（日本化薬（株）製）をスピンコートで塗
布し、膜厚１μｍの高分子系樹脂膜１０ａを成膜した。
ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの青板硝子を酸化セリウムで研磨
処理してガラス基板６を形成し、この後、主導電部を形
成する前に、このガラス基板６の表面に、図３の（ａ）
に示すように高分子系樹脂の一例であるアクリル系樹脂
ＬＣ２０４０（日本化薬（株）製）をスピンコートで塗
布し、膜厚１μｍの高分子系樹脂膜１０ａを成膜した。
【００２８】そして、この高分子系樹脂膜形成工程の
後、ガラス基板６をオーブンで１２０℃で２時間ベーキ
ングし、この後、図３の（ｂ）に示すようにＤＣスパッ
タ法にて高分子系樹脂膜１０ａの表面にニッケル−モリ
ブデン合金（モリブデン１０％）によりなる膜厚３０ｎ
ｍの第１のニッケル合金膜１０ｂを成膜した。
後、ガラス基板６をオーブンで１２０℃で２時間ベーキ
ングし、この後、図３の（ｂ）に示すようにＤＣスパッ
タ法にて高分子系樹脂膜１０ａの表面にニッケル−モリ
ブデン合金（モリブデン１０％）によりなる膜厚３０ｎ
ｍの第１のニッケル合金膜１０ｂを成膜した。
【００２９】続いて、この金属製密着膜形成工程の後、
図３の（ｃ）に示すように主導電部である膜厚２μｍの
銅層１０ｂを成膜した。そして、この主導電部形成工程
の後、最後に金属製保護層形成工程においてＤＣスパッ
タ法にてニッケルーモリブデン合金層（モリブデン１０
％）によりなる膜厚１５ｎｍの第２のニッケル合金膜１
０ｄを成膜した（図２参照）。
図３の（ｃ）に示すように主導電部である膜厚２μｍの
銅層１０ｂを成膜した。そして、この主導電部形成工程
の後、最後に金属製保護層形成工程においてＤＣスパッ
タ法にてニッケルーモリブデン合金層（モリブデン１０
％）によりなる膜厚１５ｎｍの第２のニッケル合金膜１
０ｄを成膜した（図２参照）。
【００３０】次に、各膜の成膜時の条件を以下に示す。
なお、本実施例において、スパッタ装置は（株）シンク
ロン製ＢＳＣ−７００を用いた。 （１） 第１のニッケル合金膜（モリブデン１０％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ６０ｓｅｃ （２） 銅膜 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２８ｗ／ｃｍ2 成膜時間 １５００ｓｅｃ （３） 第２のニッケル合金膜（モリブデン１０％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパヮー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ３０ｓｅｃ 一方、こうして金属電極１０を形成した後、金属電極１
０の被加工面にフォトリソ、エッチングにより配線パタ
ーンを形成し、この後、９．５％塩化第２鉄溶液でエッ
チングを行った。ここで、金属電極１０は、既述したよ
うにニッケル合金（又はニッケル）を使用しているの
で、１回のエッチングで配線パターンを形成することが
できる。なお、このエッチングは、被加工基板を４００
ｒｐｍ以上の回転速度で回転させながら被加工面にエッ
チャントを噴霧するスピンエッチング法で行った。これ
により、２０ｓｅｃ程度で１０μｍの配線パターンをガ
ラス基板６上に形成した。
なお、本実施例において、スパッタ装置は（株）シンク
ロン製ＢＳＣ−７００を用いた。 （１） 第１のニッケル合金膜（モリブデン１０％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ６０ｓｅｃ （２） 銅膜 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２８ｗ／ｃｍ2 成膜時間 １５００ｓｅｃ （３） 第２のニッケル合金膜（モリブデン１０％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパヮー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ３０ｓｅｃ 一方、こうして金属電極１０を形成した後、金属電極１
０の被加工面にフォトリソ、エッチングにより配線パタ
ーンを形成し、この後、９．５％塩化第２鉄溶液でエッ
チングを行った。ここで、金属電極１０は、既述したよ
うにニッケル合金（又はニッケル）を使用しているの
で、１回のエッチングで配線パターンを形成することが
できる。なお、このエッチングは、被加工基板を４００
ｒｐｍ以上の回転速度で回転させながら被加工面にエッ
チャントを噴霧するスピンエッチング法で行った。これ
により、２０ｓｅｃ程度で１０μｍの配線パターンをガ
ラス基板６上に形成した。
【００３１】ところで、このように形成された配線パタ
ーン（金属電極１０）におけるＣｕ配線の密着性を調べ
るため、配線パターンが形成されたガラス基板６からレ
ジストを剥離した後、３００×３４０ｍｍ面内の配線全
域にわたってテープ剥離試験を行った。ここで、このテ
ープ剥離試験に使用したテープはセロテープ（ニチバン
社製）であり、試験内容は、同一位置において、毎回新
しいテープで１０回のテープ貼り、引き剥がしを繰り返
すものである。その結果、面内全域において、剥離は生
じなかった。
ーン（金属電極１０）におけるＣｕ配線の密着性を調べ
るため、配線パターンが形成されたガラス基板６からレ
ジストを剥離した後、３００×３４０ｍｍ面内の配線全
域にわたってテープ剥離試験を行った。ここで、このテ
ープ剥離試験に使用したテープはセロテープ（ニチバン
社製）であり、試験内容は、同一位置において、毎回新
しいテープで１０回のテープ貼り、引き剥がしを繰り返
すものである。その結果、面内全域において、剥離は生
じなかった。
【００３２】なお、比較例として、ガラス基板上に樹脂
を塗布していない基板上にも前記と同様の配線パターン
を形成してテープ剥離試験を行った。この試験の結果、
面内の４００本程度の配線の内、１９本の剥離が確認さ
れた。
を塗布していない基板上にも前記と同様の配線パターン
を形成してテープ剥離試験を行った。この試験の結果、
面内の４００本程度の配線の内、１９本の剥離が確認さ
れた。
【００３３】このように、第１のニッケル合金膜１０ｂ
とガラス基板６との間に高分子系樹脂膜１０ａを成膜す
ることにより、銅膜１０ｃとガラス基板６との密着力を
増加させることができる。
とガラス基板６との間に高分子系樹脂膜１０ａを成膜す
ることにより、銅膜１０ｃとガラス基板６との密着力を
増加させることができる。
【００３４】なお、このような金属電極１０をパターン
形成した後、この金属電極１０間に樹脂液を充填して図
１に示すような絶縁層１１を形成し、この後、この絶縁
層１１の表面に透明電極７を形成して配線基板２を得る
ようにする。さらに、この後、この配線基板２を対向さ
せると共に、この配線基板２間に液晶３を充填すること
により液晶素子１を得るようにしている。
形成した後、この金属電極１０間に樹脂液を充填して図
１に示すような絶縁層１１を形成し、この後、この絶縁
層１１の表面に透明電極７を形成して配線基板２を得る
ようにする。さらに、この後、この配線基板２を対向さ
せると共に、この配線基板２間に液晶３を充填すること
により液晶素子１を得るようにしている。
【００３５】次に、金属電極１０の形成法の第２実施例
について説明する。
について説明する。
【００３６】本実施例においては、高分子系樹脂として
ＣＡＮ−４６−１２（日本化薬（株）社製）を、また第
１及び第２のニッケル合金膜１０ｂ，１０ｄとしてニッ
ケルとアルミニウムの合金を用いるようにした。
ＣＡＮ−４６−１２（日本化薬（株）社製）を、また第
１及び第２のニッケル合金膜１０ｂ，１０ｄとしてニッ
ケルとアルミニウムの合金を用いるようにした。
【００３７】そして、使用基板、樹脂の成膜方法、成膜
及びエッチングの各プロセスは第１実施例と同様にして
膜厚が１μｍのＣＡＮ−４６−１２による高分子系樹脂
膜１０ａを成膜した後、ニッケルーアルミニウム合金に
よる膜厚が３０ｎｍの第１のニッケル合金膜１０ｂを成
膜し、この後膜厚が１μｍの銅膜１０ｃを成膜した。そ
して、最後にニッケルーアルミニウム合金による膜厚が
１５ｎｍの第２のニッケル合金膜１０ｂを成膜した。
及びエッチングの各プロセスは第１実施例と同様にして
膜厚が１μｍのＣＡＮ−４６−１２による高分子系樹脂
膜１０ａを成膜した後、ニッケルーアルミニウム合金に
よる膜厚が３０ｎｍの第１のニッケル合金膜１０ｂを成
膜し、この後膜厚が１μｍの銅膜１０ｃを成膜した。そ
して、最後にニッケルーアルミニウム合金による膜厚が
１５ｎｍの第２のニッケル合金膜１０ｂを成膜した。
【００３８】なお、次に第１実施例と異なる成膜条件を
示す。 （１） 第１のニッケル合金膜（アルミニュニム２０
％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ５０ｓｅｃ （２） 銅膜 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２８ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ７５０ｓｅｃ （３） 第２のニッケル合金膜（アルミニウム２０％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ２５ｓｅｃ そして、第１実施例と同様にレジスト塗布、露光、エッ
チング、レジスト剥離により配線パターンを形成し、テ
ープ剥離試験を行った。その結果、樹脂を塗布した基板
６に配線パターンを形成したものからは配線剥がれは確
認されなかったが、樹脂を塗布していない基板上に配線
を形成したものからは、４００本程度の配線中１５本の
配線剥がれが確認された。
示す。 （１） 第１のニッケル合金膜（アルミニュニム２０
％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ５０ｓｅｃ （２） 銅膜 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２８ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ７５０ｓｅｃ （３） 第２のニッケル合金膜（アルミニウム２０％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １３ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ２５ｓｅｃ そして、第１実施例と同様にレジスト塗布、露光、エッ
チング、レジスト剥離により配線パターンを形成し、テ
ープ剥離試験を行った。その結果、樹脂を塗布した基板
６に配線パターンを形成したものからは配線剥がれは確
認されなかったが、樹脂を塗布していない基板上に配線
を形成したものからは、４００本程度の配線中１５本の
配線剥がれが確認された。
【００３９】次に、金属電極１０の形成法の第３実施例
について説明する。
について説明する。
【００４０】本実施例においては、高分子系樹脂として
ＣＡＮ−４８−０１（日本化薬（株）社製）を、また第
１及び第２のニッケル合金膜１０ｂ，１０ｄとしてニッ
ケルとシリコンの合金を用いるようにした。
ＣＡＮ−４８−０１（日本化薬（株）社製）を、また第
１及び第２のニッケル合金膜１０ｂ，１０ｄとしてニッ
ケルとシリコンの合金を用いるようにした。
【００４１】また、使用基板、樹脂の成膜方法、成膜及
びエッチングの各プロセスを第１実施例１と同様にして
膜厚が１μｍのＣＡＮ−４８−０１による高分子系樹脂
膜１０ａを成膜した後、ニッケル−シリコン合金による
膜厚が３０ｎｍの第１のニッケル合金膜１０ｂを成膜
し、この後膜厚が１０００Åの銅膜１０ｃを成膜した。
そして、最後にニッケル−シリコン合金による膜厚が１
５ｎｍの第２のニッケル合金膜１０ｂを成膜した。
びエッチングの各プロセスを第１実施例１と同様にして
膜厚が１μｍのＣＡＮ−４８−０１による高分子系樹脂
膜１０ａを成膜した後、ニッケル−シリコン合金による
膜厚が３０ｎｍの第１のニッケル合金膜１０ｂを成膜
し、この後膜厚が１０００Åの銅膜１０ｃを成膜した。
そして、最後にニッケル−シリコン合金による膜厚が１
５ｎｍの第２のニッケル合金膜１０ｂを成膜した。
【００４２】なお、次に第１実施例と異なる成膜条件を
示す。 （１） 第１のニッケル合金膜（シリコン１５％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２０ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ６０ｓｅｃ （２） 銅膜 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １４ｗ／ｃｍ2 成膜時間 １５００ｓｅｃ （３） 第２のニッケル合金膜（シリコン１５％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前碁板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２０ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ３０ｓｅｃ そして、第１実施例と同様にレジスト塗布、露光、エッ
チング、レジスト剥離により配線パターンを形成し、テ
ープ剥離試験を行った。その結果、樹脂を塗布した基板
６に配線パターンを形成したものからは配線剥がれは確
認されなかったが、樹脂を塗布していない基板上に配線
を成膜したものからは、４００本程度の配線中１２本の
配線剥がれが確認された。
示す。 （１） 第１のニッケル合金膜（シリコン１５％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２０ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ６０ｓｅｃ （２） 銅膜 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー １４ｗ／ｃｍ2 成膜時間 １５００ｓｅｃ （３） 第２のニッケル合金膜（シリコン１５％） 成膜圧力 ３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前碁板温度 ２００℃ Ａｒ流量 １００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ２０ｗ／ｃｍ2 成膜時間 ３０ｓｅｃ そして、第１実施例と同様にレジスト塗布、露光、エッ
チング、レジスト剥離により配線パターンを形成し、テ
ープ剥離試験を行った。その結果、樹脂を塗布した基板
６に配線パターンを形成したものからは配線剥がれは確
認されなかったが、樹脂を塗布していない基板上に配線
を成膜したものからは、４００本程度の配線中１２本の
配線剥がれが確認された。
【００４３】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、透光性基材の表面と主導電部との間に、高分子系樹
脂膜と、この高分子系樹脂膜の表面にニッケル又はニッ
ケル合金からなる金属製密着膜とを形成することによ
り、１回のエッチングで配線パターンを形成でき、かつ
ガラス基板と銅との良好な密着力を得ることができる。
また、銅の表面に、ニッケル又はニッケル合金からなる
金属製保護層を形成することにより、銅の耐食性を向上
させることができる。
ば、透光性基材の表面と主導電部との間に、高分子系樹
脂膜と、この高分子系樹脂膜の表面にニッケル又はニッ
ケル合金からなる金属製密着膜とを形成することによ
り、１回のエッチングで配線パターンを形成でき、かつ
ガラス基板と銅との良好な密着力を得ることができる。
また、銅の表面に、ニッケル又はニッケル合金からなる
金属製保護層を形成することにより、銅の耐食性を向上
させることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板を用いた液
晶素子の構造を示す断面図。
晶素子の構造を示す断面図。
【図２】上記液晶素子の配線基板の金属電極の断面図。
【図３】上記配線基板の金属電極の製造方法を説明する
図。
図。
１ 液晶素子 ２ 配線基板 ３ 液晶 ６ ガラス基板 ７ 透明電極 １０ 金属電極 １０ａ 高分子系樹脂膜 １０ｂ 第１のニッケル合金膜 １０ｃ 銅膜 １０ｄ 第２のニッケル合金膜
Claims (9)
- 【請求項１】 透光性基材の表面に形成された補助電極
と、前記補助電極の表面に形成された主電極とを有する
配線基板において、 前記補助電極の主導電部は銅から成り、前記透光性基材
の表面と前記主導電部との間に高分子系樹脂膜及び該高
分子系樹脂膜と前記主導電部との間に設けられたニッケ
ル又はニッケル合金からなる膜とを有することを特徴と
する配線基板。 - 【請求項２】 前記高分子系樹脂は、アクリル系樹脂で
あることを特徴とする請求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】 前記ニッケル合金の飽和磁束密度が１０
００Ｇ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線
基板。 - 【請求項４】 前記ニッケル合金が、モリブデン、アル
ミニウム、シリコン、スズのうちの少なくとも１つを含
有することを特徴とする請求項１又は３記載の配線基
板。 - 【請求項５】 前記主導電部の表面にニッケル又はニッ
ケル合金からなる層を形成したことを特徴とする請求項
１、３又は４記載の配線基板。 - 【請求項６】 透光性基材の表面に形成された補助電極
と、前記補助電極の表面に形成された主電極とを有する
配線基板の製造方法において、 前記補助電極の主導電部を銅にて形成する前の工程とし
て、前記透光性基材の表面に高分子系樹脂膜を形成する
工程と、前記高分子系樹脂膜の表面にニッケル又はニッ
ケル合金からなる膜を形成する工程とを有することを特
徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記補助電極の主導電部を形成した後の
工程として、前記主導電部の表面に前記ニッケル又はニ
ッケル合金からなる層を形成する工程を有することを特
徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項８】 一対の基板間に液晶を挟持した液晶装置
であって、 前記一対の基板の少なくとも一方は、透光性基材の表面
に形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成さ
れた主電極とを有する配線基板であり、該配線基板の補
助電極の主導電部は銅から成り、前記透光性基材の表面
と前記主導電部との間に高分子系樹脂膜及び該高分子系
樹脂膜と前記主導電部との間に設けられたニッケル又は
ニッケル合金からなる膜とを有することを特徴とする液
晶素子。 - 【請求項９】 前記主導電部の表面にニッケル又はニッ
ケル合金からなる層を形成したことを特徴とする請求項
８記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34415796A JPH10186389A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34415796A JPH10186389A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186389A true JPH10186389A (ja) | 1998-07-14 |
Family
ID=18367080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34415796A Pending JPH10186389A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10186389A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310814A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜配線層 |
| CN100466880C (zh) * | 2005-08-24 | 2009-03-04 | 铼宝科技股份有限公司 | 平面显示器的电极基板 |
| US7994503B2 (en) | 2006-12-04 | 2011-08-09 | Kobe Steel, Ltd. | Cu alloy wiring film, TFT element for flat-panel display using the Cu alloy wiring film, and Cu alloy sputtering target for depositing the Cu alloy wiring film |
| US8482189B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-07-09 | Kobe Steel, Ltd. | Display device |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP34415796A patent/JPH10186389A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310814A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜配線層 |
| CN100466880C (zh) * | 2005-08-24 | 2009-03-04 | 铼宝科技股份有限公司 | 平面显示器的电极基板 |
| US7994503B2 (en) | 2006-12-04 | 2011-08-09 | Kobe Steel, Ltd. | Cu alloy wiring film, TFT element for flat-panel display using the Cu alloy wiring film, and Cu alloy sputtering target for depositing the Cu alloy wiring film |
| US8482189B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-07-09 | Kobe Steel, Ltd. | Display device |
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