JPS62158324A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS62158324A JPS62158324A JP60298863A JP29886385A JPS62158324A JP S62158324 A JPS62158324 A JP S62158324A JP 60298863 A JP60298863 A JP 60298863A JP 29886385 A JP29886385 A JP 29886385A JP S62158324 A JPS62158324 A JP S62158324A
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- JP
- Japan
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- ray
- pattern
- main layer
- layer
- wafer substrate
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微細パターンを高精度に転写するＸ線露光装
置用のＸ線露光用マスクの製造方法に係り、更に詳しく
はＸ？Ｎ露光域を高精度Ｃ二規定するＸ＠露光用マスク
の製造方法ζ−関する。
置用のＸ線露光用マスクの製造方法に係り、更に詳しく
はＸ？Ｎ露光域を高精度Ｃ二規定するＸ＠露光用マスク
の製造方法ζ−関する。
回折による微細化の限界を克服するため、より短波長の
電磁波を応用した露光方法としてＸ線露光がある。
電磁波を応用した露光方法としてＸ線露光がある。
Ｘ線露光にはＸ線透過率のコントラストが十分大きい露
光用マスクが必要であり、その基板１、− ｋ−！、
Ｘ線透過性の侵れた材料が選択使用され、基板上にはＸ
線吸収材料薄膜よりなるＸ線吸収性パターンが設けられ
、又、一般Ｃ二波長ダ〜数ＩＯＡの軟Ｘ縁が使用される
。
光用マスクが必要であり、その基板１、− ｋ−！、
Ｘ線透過性の侵れた材料が選択使用され、基板上にはＸ
線吸収材料薄膜よりなるＸ線吸収性パターンが設けられ
、又、一般Ｃ二波長ダ〜数ＩＯＡの軟Ｘ縁が使用される
。
このＸＭ露光方法（：は大別して一括転写方式とステッ
プアンドリピート方式のλ方式がある。
プアンドリピート方式のλ方式がある。
前者は大面積を一括して転写するため、７μｍ以下のパ
ターン転写では転写精度が低下する。
ターン転写では転写精度が低下する。
それ故１μｍ以下ではステップアンドリピート方式が主
に採用されている。
に採用されている。
而して７μｍ以下のパターン転写をステップアンドリピ
ート方式によって行なう場合、なるべく転写間隔なせは
めて次々と隣の位置にパターンを転写することが要求さ
れる。その際二重露光により、被転写基板上のレジスト
にかぶりを生ぜしめてしまうことを防止するため、Ｘ線
露光用マスクにはＸ線吸収性パターンを包囲して、マス
ク周辺部にＸ＠露光域を規定するＸ線遮光枠パターンが
設けられている。
ート方式によって行なう場合、なるべく転写間隔なせは
めて次々と隣の位置にパターンを転写することが要求さ
れる。その際二重露光により、被転写基板上のレジスト
にかぶりを生ぜしめてしまうことを防止するため、Ｘ線
露光用マスクにはＸ線吸収性パターンを包囲して、マス
ク周辺部にＸ＠露光域を規定するＸ線遮光枠パターンが
設けられている。
しかしながら、従来のＸ１Ｍ露光枠パターンを有する、
Ｘ線露光用マスクは、基板として０．３〜３ｕ厚のＳ１
ウエハ基板を用い、Ｓｉウウェ基板上の上面にａ２〜Ｑ
μｍの８１．Ｎ、、 ８１０．、ＳＩＣ，ＳＩＮ％ＢＮ
等の無機材料によりＸ線透過性薄膜を形成し、−万Ｓｉ
クエへ基板の下面には同じ（Ｓｉ、Ｎ４、ＳｉＯ，、Ｓ
ｉＣ％ＳＩＮ、ＢＮ等の無機材料よりなる、保ｓｇを形
成し、次いでＸ＠透透過性膜膜上Ｘ線吸収性材料層をＡ
ｕなどの重金属を蒸着するか、またはスパッタリングす
ることにより形成し、次いでドライエツチングするか、
あるいはまずメッキ下地層を設け、次いでメッキ下地層
をＸ線吸収性パターンに対窓する部分が開口したレジス
トパターンで被覆してからＡｕメッキし、しかるのち前
記レジストパターンを除去することにより製造されるも
のであるが、Ｘ線遮光枠パターンによるＸ練達へいが十
分になされず、ステップアンドリピートで重なりて配置
されるＸＭＩＩ光枠パターン部分：二おいて多重露光さ
れ、結果レジストのかぶりが生じてしまう。
Ｘ線露光用マスクは、基板として０．３〜３ｕ厚のＳ１
ウエハ基板を用い、Ｓｉウウェ基板上の上面にａ２〜Ｑ
μｍの８１．Ｎ、、 ８１０．、ＳＩＣ，ＳＩＮ％ＢＮ
等の無機材料によりＸ線透過性薄膜を形成し、−万Ｓｉ
クエへ基板の下面には同じ（Ｓｉ、Ｎ４、ＳｉＯ，、Ｓ
ｉＣ％ＳＩＮ、ＢＮ等の無機材料よりなる、保ｓｇを形
成し、次いでＸ＠透透過性膜膜上Ｘ線吸収性材料層をＡ
ｕなどの重金属を蒸着するか、またはスパッタリングす
ることにより形成し、次いでドライエツチングするか、
あるいはまずメッキ下地層を設け、次いでメッキ下地層
をＸ線吸収性パターンに対窓する部分が開口したレジス
トパターンで被覆してからＡｕメッキし、しかるのち前
記レジストパターンを除去することにより製造されるも
のであるが、Ｘ線遮光枠パターンによるＸ練達へいが十
分になされず、ステップアンドリピートで重なりて配置
されるＸＭＩＩ光枠パターン部分：二おいて多重露光さ
れ、結果レジストのかぶりが生じてしまう。
そこで本発明が痛快しようとする問題点はＸ＆１遮光遮
光枠−ターフ部分しての多重露光）二よるレジストのか
ぶりを解消したＸ＃ｉｌ露光用マスクの製造方法を提供
することにある。
光枠−ターフ部分しての多重露光）二よるレジストのか
ぶりを解消したＸ＃ｉｌ露光用マスクの製造方法を提供
することにある。
本発明者は上記問題点を解決すべく研究の結果、Ｘ線遮
光枠パターンをさら：二連膜化すれば多重露光によるレ
ジストのかぶりを解消し得ること、Ｘ線吸収性パターン
は厚膜化せず、Ｘ線遮光枠パターンのみを厚膜（；形成
することによりＸ線吸収性パターンのパターン精度は保
持されること、Ｘ線遮光枠パターンのみの厚膜化はＸ線
吸収性材料を用いてＸ線吸収性パターンを形成すると共
にＸ線遮光枠パターンの主要部を構成するＸ線遮光枠主
体層をＸ線露光用マスクの外周部に沿って形成し、次い
で、ｘ１１１ｓ光枠主体光枠上Ｘ線吸収性パターン間を
電気的に絶縁した状態でＸ線遮光枠主体層をめりき電極
（：接続し、Ｘ線遮光枠主体層上）：！気めっきしてＸ
線遮光枠補足層を形成することにより繁雑なＬ／シスト
製版工程を経ることなく、めっき工程のみで簡単に行な
うことができることを見いだし、かかる知見にもとづい
て本発明を完成したものである。
光枠パターンをさら：二連膜化すれば多重露光によるレ
ジストのかぶりを解消し得ること、Ｘ線吸収性パターン
は厚膜化せず、Ｘ線遮光枠パターンのみを厚膜（；形成
することによりＸ線吸収性パターンのパターン精度は保
持されること、Ｘ線遮光枠パターンのみの厚膜化はＸ線
吸収性材料を用いてＸ線吸収性パターンを形成すると共
にＸ線遮光枠パターンの主要部を構成するＸ線遮光枠主
体層をＸ線露光用マスクの外周部に沿って形成し、次い
で、ｘ１１１ｓ光枠主体光枠上Ｘ線吸収性パターン間を
電気的に絶縁した状態でＸ線遮光枠主体層をめりき電極
（：接続し、Ｘ線遮光枠主体層上）：！気めっきしてＸ
線遮光枠補足層を形成することにより繁雑なＬ／シスト
製版工程を経ることなく、めっき工程のみで簡単に行な
うことができることを見いだし、かかる知見にもとづい
て本発明を完成したものである。
本発明のｘ５露光用マスクの製造方法はＳ１クエ八基板
の一面側）二Ｘ線透過性博映を積層する工程と、Ｓｉウ
ェハ基板の他面側の支持枠下面に相当するＳ１ウエハ基
板面領域に保護膜を設ける工程と、Ｘ線吸収性材料を用
いてＸ線吸収性パターンを形成すると共にＸ線遮光枠パ
ターンの主要部を構成するＸｉ遮光枠主体層をＸ線露光
用マスクの外周部Ｃ二重りて形成する工程と、Ｘ線遮光
枠主体層とＸ線吸収性パターン間を電気的に絶縁した状
態でｘａｎ光棒主棒主体層りき電極；：接続し、Ｘ線遮
光枠主体層上）二電気めりきしてＸＳ遁光枠補足層を形
成する工程と８１ウニ八基板の一部を保護膜が設けられ
た面側からエツチングして除去し、窓を形成する工程と
からなる。
の一面側）二Ｘ線透過性博映を積層する工程と、Ｓｉウ
ェハ基板の他面側の支持枠下面に相当するＳ１ウエハ基
板面領域に保護膜を設ける工程と、Ｘ線吸収性材料を用
いてＸ線吸収性パターンを形成すると共にＸ線遮光枠パ
ターンの主要部を構成するＸｉ遮光枠主体層をＸ線露光
用マスクの外周部Ｃ二重りて形成する工程と、Ｘ線遮光
枠主体層とＸ線吸収性パターン間を電気的に絶縁した状
態でｘａｎ光棒主棒主体層りき電極；：接続し、Ｘ線遮
光枠主体層上）二電気めりきしてＸＳ遁光枠補足層を形
成する工程と８１ウニ八基板の一部を保護膜が設けられ
た面側からエツチングして除去し、窓を形成する工程と
からなる。
以下、本発明の製造方法について図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第１図ａ図示のようなＱ３〜３薦冨厚のＳｉウェハ／を
基板とし、第１図す図示の如＜Ｓｉウウェｌの両面にｏ
、 ２〜＊ ｐ ｍ厚の５ＩＮ４、Ｓｉｏ、、ＳｉＣ，
ＳＩＮ、ＢＮなどの無機材料をスパッタリングまたはＣ
Ｖ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏＳ
ｉｔｉｏｎ ）法によりＸ線透過性博ａ！１２、コ′を
形成し、次いで第１図Ｃ図示の如く、プラズマエツチン
グまたはＲＩ Ｅ （ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ ｅｔ
ｃｈｉｎｇ ） などの方法ζ二より下側のＸ線透過
性材料層二′のＸ線透過窓に相当する部分を除去して枠
状の保護膜３を形成する。次いで第１図ｄに示す如く、
上側のＸ線透過性薄膜コの上に厚さ０２〜７２μｍのＡ
ｕ、Ｔａ、Ｗなどの重金属を蒸着またはスパッタリング
した後ドライエツチングしてパターニングするか、或い
はＸ線透過性薄＃、面上にのＡｕを連続して蒸着もしく
はスパッタリングしてメッキ下地層を形成した後、メッ
キ下地層面をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口
したレジストパターンで被榎してから金メッキし、しか
るのち前記レジストパターンを除去する方法ζ＝よりＸ
Ｍ吸収性パターン６及びＸ練達光枠主体層！を形成する
。
基板とし、第１図す図示の如＜Ｓｉウウェｌの両面にｏ
、 ２〜＊ ｐ ｍ厚の５ＩＮ４、Ｓｉｏ、、ＳｉＣ，
ＳＩＮ、ＢＮなどの無機材料をスパッタリングまたはＣ
Ｖ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏＳ
ｉｔｉｏｎ ）法によりＸ線透過性博ａ！１２、コ′を
形成し、次いで第１図Ｃ図示の如く、プラズマエツチン
グまたはＲＩ Ｅ （ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ ｅｔ
ｃｈｉｎｇ ） などの方法ζ二より下側のＸ線透過
性材料層二′のＸ線透過窓に相当する部分を除去して枠
状の保護膜３を形成する。次いで第１図ｄに示す如く、
上側のＸ線透過性薄膜コの上に厚さ０２〜７２μｍのＡ
ｕ、Ｔａ、Ｗなどの重金属を蒸着またはスパッタリング
した後ドライエツチングしてパターニングするか、或い
はＸ線透過性薄＃、面上にのＡｕを連続して蒸着もしく
はスパッタリングしてメッキ下地層を形成した後、メッ
キ下地層面をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口
したレジストパターンで被榎してから金メッキし、しか
るのち前記レジストパターンを除去する方法ζ＝よりＸ
Ｍ吸収性パターン６及びＸ練達光枠主体層！を形成する
。
次いでめりき法によりＸ線吸収性パターンのパターン形
成を行なった場合はＸ線吸収性パターンふとＸ線辿光枠
主体層３間を接続するメッキ下地層を除去し、蒸着法ま
たはスパッタリング法による場合はパターン形成後、Ｘ
＠吸収材料とＸ線透過性薄膜との接着層を除去し、Ｘ線
遮光枠主体層よとＸ線吸収性パターン６間を電気的に絶
縁した状態でＸ＊ａ光枠主体層！をめりき電極に接続し
、電気めっきして、第１図・図示の如＜ｘｉｔａ、遮光
枠主体層よ上：二〇よ〜３μｍの膜厚にＡｕ％ｐｔ、ｐ
ｂ等の金属またはＷ合金をめっきし′Ｃｘｍｎ光枠補足
層７を形成し、Ｘ練達光枠主体層ｊとＸ＠遍光枠補足層
７の積層物よりなる、Ｘ線吸収性パターン６よりも厚膜
のｘ１！ｉ光枠パターンｔを形成する。
成を行なった場合はＸ線吸収性パターンふとＸ線辿光枠
主体層３間を接続するメッキ下地層を除去し、蒸着法ま
たはスパッタリング法による場合はパターン形成後、Ｘ
＠吸収材料とＸ線透過性薄膜との接着層を除去し、Ｘ線
遮光枠主体層よとＸ線吸収性パターン６間を電気的に絶
縁した状態でＸ＊ａ光枠主体層！をめりき電極に接続し
、電気めっきして、第１図・図示の如＜ｘｉｔａ、遮光
枠主体層よ上：二〇よ〜３μｍの膜厚にＡｕ％ｐｔ、ｐ
ｂ等の金属またはＷ合金をめっきし′Ｃｘｍｎ光枠補足
層７を形成し、Ｘ練達光枠主体層ｊとＸ＠遍光枠補足層
７の積層物よりなる、Ｘ線吸収性パターン６よりも厚膜
のｘ１！ｉ光枠パターンｔを形成する。
鮫後に第１図ｆ図示の如く、保護膜３で保護されていな
いクエへ基板の１部分を長面からエツチング除去して窓
９を形成すること：二よりＸ線露光用マスクを作製する
ことができる。
いクエへ基板の１部分を長面からエツチング除去して窓
９を形成すること：二よりＸ線露光用マスクを作製する
ことができる。
Ｓｉウェハのエツチングの際、Ｘ線透過性薄膜、Ｘ線吸
収性パターン、及びＸＳＳ先光枠パターン保護するため
に、テフロン、Ｏリングなどよりなる治具を使用し、又
、エツチング液としては例えば２０〜３０％のＫＯＨ水
溶液やＨＦ ： ＨＮＯ，： ＣＨ，Ｃ０ＯＨ＝／ ：
、７ ： ／のＨＦ系、混合液を使用することく二よ
り良好にＳｉウニへの一部をエツチング除去できる。
収性パターン、及びＸＳＳ先光枠パターン保護するため
に、テフロン、Ｏリングなどよりなる治具を使用し、又
、エツチング液としては例えば２０〜３０％のＫＯＨ水
溶液やＨＦ ： ＨＮＯ，： ＣＨ，Ｃ０ＯＨ＝／ ：
、７ ： ／のＨＦ系、混合液を使用することく二よ
り良好にＳｉウニへの一部をエツチング除去できる。
次にネガ型のＸ線レジストに転写するＸＷａ露光用マス
クの場合ｘｗｓｍ光枠としての部分とＸ線吸収性パター
ンが連続しており、Ｘ線吸収性パターン上にもめりきが
成長してしまうので第、゛コ；図１１り示すようシニＸ
組吸収性パターン形成のパＩパＩ 際に、Ｘ線露光域を規定する１０−５０μｍの幅程度の
溝ＩＯを設け、その後、前述した方法で電気めっきを行
ない、第２図すの如＜Ｘ１ｍマスクを作製する。
クの場合ｘｗｓｍ光枠としての部分とＸ線吸収性パター
ンが連続しており、Ｘ線吸収性パターン上にもめりきが
成長してしまうので第、゛コ；図１１り示すようシニＸ
組吸収性パターン形成のパＩパＩ 際に、Ｘ線露光域を規定する１０−５０μｍの幅程度の
溝ＩＯを設け、その後、前述した方法で電気めっきを行
ない、第２図すの如＜Ｘ１ｍマスクを作製する。
実施例１
コ’５ｆｌＳｌウェハを基板としたＸ線露光用マスクの
作製を以下の手順で行なった。Ｓｉウエノ〜上−二成膜
した１μｍ厚のＳｉＮ［の上のめつき下地である金瞑上
にパターン形成した厚さ１５μｍのフォトレジストｈｚ
−ｉ３ｓｏ＜ヘキス）［）をめっきスペーサとして金を
０．１μｍ成長させた。その後、アセトンによりＡＺ−
１３３０を溶解除去し、金のめりき下地をアルゴンガス
プラズマにより、スパッタエツチング除去後、Ｘ線露光
域の外周部にめっき電極を接続し、金めつきを／、−μ
ｍ成長させ、コμｍ厚の金のＸ線遮光枠パターンを形成
した。
作製を以下の手順で行なった。Ｓｉウエノ〜上−二成膜
した１μｍ厚のＳｉＮ［の上のめつき下地である金瞑上
にパターン形成した厚さ１５μｍのフォトレジストｈｚ
−ｉ３ｓｏ＜ヘキス）［）をめっきスペーサとして金を
０．１μｍ成長させた。その後、アセトンによりＡＺ−
１３３０を溶解除去し、金のめりき下地をアルゴンガス
プラズマにより、スパッタエツチング除去後、Ｘ線露光
域の外周部にめっき電極を接続し、金めつきを／、−μ
ｍ成長させ、コμｍ厚の金のＸ線遮光枠パターンを形成
した。
定ｘｉ密度／ ｍＡ／ｃｉｔ、 ＊＠ ｋ ０℃、メッ
キ時間ン７３分間によりｌｊμｍの厚さを有するＡｕ１
Ｊ粉形成した。
キ時間ン７３分間によりｌｊμｍの厚さを有するＡｕ１
Ｊ粉形成した。
最後に２０％ＫＯＨ水溶液でＳｌ＆ｌ工面チングを行な
いＸ４８ｍ光用マスクを作製した。
いＸ４８ｍ光用マスクを作製した。
実施例ユ
コ’５ｚｒｓｔクエハな基板としたＸ線露光用マスクの
作製を以下の手順で行なった。Ｓ１ウニ／％に成膜した
コμｍ厚のＢＮ換の上にスパッタリング法により０．６
μｍ厚のタングステン暎を成膜後、電子ビームでパター
ン形成したレジストＣＭＳ −ＥＸ （東洋曹達社製）
をマスクとして、ＣＣＩ、ガスによるＲＩＫ法を用いて
タングステンのＸ縁吸収体パターンを形成した。次いで
Ｘ線露光域の外周部にめっき電極を接続し、タングステ
ン膜の上に金めりきをコμｍ成長させ、Ｗ厚０．６μｍ
、とＡｕ厚コμｍの槓ノー物よりなるＸ線遮光枠パター
ンを形成した。
作製を以下の手順で行なった。Ｓ１ウニ／％に成膜した
コμｍ厚のＢＮ換の上にスパッタリング法により０．６
μｍ厚のタングステン暎を成膜後、電子ビームでパター
ン形成したレジストＣＭＳ −ＥＸ （東洋曹達社製）
をマスクとして、ＣＣＩ、ガスによるＲＩＫ法を用いて
タングステンのＸ縁吸収体パターンを形成した。次いで
Ｘ線露光域の外周部にめっき電極を接続し、タングステ
ン膜の上に金めりきをコμｍ成長させ、Ｗ厚０．６μｍ
、とＡｕ厚コμｍの槓ノー物よりなるＸ線遮光枠パター
ンを形成した。
尚、金めつきの条件は下記の通りであった。
、即ち、メッキ液としてｐＨ７０オウロ一ルー９コＭ（
ジャパンロナール社製）を用いて設定電流密度Ｊ７ＦＬ
Ａ／（ｉ、液温５０℃、メッキ時間′ｌＯ分間によりコ
μｍの厚さを有する金膜を形成した。
ジャパンロナール社製）を用いて設定電流密度Ｊ７ＦＬ
Ａ／（ｉ、液温５０℃、メッキ時間′ｌＯ分間によりコ
μｍの厚さを有する金膜を形成した。
最後に３０％ＫＯＨ水溶液でＳｉ長面エツチングを行な
いＸ１ｂｌ露光用マスクを製作した。
いＸ１ｂｌ露光用マスクを製作した。
本発明の製造方法（−よれば繁雑なレジスト製版工程を
経ることなく、めっき工程のみで簡単１：Ｘ醐ｆｉ光枠
パターン部分を厚膜化して、Ｘ線遮光枠パターン部分を
通しての多重露光によるレジストのかぶりを解消したＸ
線露光マスクを生産性良く製造することができる。
経ることなく、めっき工程のみで簡単１：Ｘ醐ｆｉ光枠
パターン部分を厚膜化して、Ｘ線遮光枠パターン部分を
通しての多重露光によるレジストのかぶりを解消したＸ
線露光マスクを生産性良く製造することができる。
又、Ｘ線遮光枠パターン部分のみを厚膜化し、Ｘ＠吸収
性パターンは厚膜化しないのでＸｆＭ吸収性パターンの
加工精度を従来のＸ側露光用マスクのＸ線吸収性パター
ンの加工精度と同程度く；維持したまま製造することが
できる。
性パターンは厚膜化しないのでＸｆＭ吸収性パターンの
加工精度を従来のＸ側露光用マスクのＸ線吸収性パター
ンの加工精度と同程度く；維持したまま製造することが
できる。
【図面の簡単な説明】
パ＼、第１図ａないしｆは本発明の製造方法の製造で
一過程を示す断面図、第一図ａ、及びｂはネガ型ｂＸ線
レジストに転写するＸ線露光用マスクを・／ °′示し、ａは平面図、ｂは断面図である。 ｌ・・・・１１＠・ｅΦ拳・Ｓｉ＋７ｚハコ、コ′・・
・・・・・・Ｘ線透過性薄膜５・・・・・・・・・・・
Ｘ線遮光枠主体層６・・・・・・・・・・・Ｘ線吸収性
パターン７・・・・・・・・・・・Ｘ線遮光枠補足層ざ
・・・・・・・・・・・ｘｉ遮光枠 １０ 働・＠φ・・・・・ 溝 第１図 １ ・・ Ｓｉウウェ ２．２′・・Ｘ線数ｂｌ生薄膜 ５ ・・ Ｘネ敞遮たオ卆主イ本〕警６ ・・
Ｘ！吸収Ｊシ（０グーン ７・・Ｘ練達を袢沸１ ８・Ｘ線遮尤枠
レジストに転写するＸ線露光用マスクを・／ °′示し、ａは平面図、ｂは断面図である。 ｌ・・・・１１＠・ｅΦ拳・Ｓｉ＋７ｚハコ、コ′・・
・・・・・・Ｘ線透過性薄膜５・・・・・・・・・・・
Ｘ線遮光枠主体層６・・・・・・・・・・・Ｘ線吸収性
パターン７・・・・・・・・・・・Ｘ線遮光枠補足層ざ
・・・・・・・・・・・ｘｉ遮光枠 １０ 働・＠φ・・・・・ 溝 第１図 １ ・・ Ｓｉウウェ ２．２′・・Ｘ線数ｂｌ生薄膜 ５ ・・ Ｘネ敞遮たオ卆主イ本〕警６ ・・
Ｘ！吸収Ｊシ（０グーン ７・・Ｘ練達を袢沸１ ８・Ｘ線遮尤枠
Claims (1)
- Ｓｉウェハ基板の一面側にＸ線透過性薄膜を積層する工
程と、Ｓｉウェハ基板の他面側の支持枠下面に相当する
Ｓｉウェハ基板面領域に保護膜を設ける工程と、Ｘ線吸
収性材料を用いてＸ線吸収性パターンを形成すると共に
Ｘ線遮光枠パターンの主要部を構成するＸ線遮光枠主体
層をＸ線露光用マスクの外周部に沿って形成する工程と
、Ｘ線遮光枠主体層とＸ線吸収性パターン間を電気的に
絶縁した状態でＸ線遮光枠主体層をめっき電極に接続し
、Ｘ線遮光枠主体層上に電気めっきして、Ｘ線遮光枠補
足層を形成する工程とＳｉウェハ基板の一部を保護膜が
設けられた面側からエッチングして除去し、窓を形成す
る工程とからなることを特徴とするＸ線露光用マスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29886385A JPH0758679B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29886385A JPH0758679B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158324A true JPS62158324A (ja) | 1987-07-14 |
| JPH0758679B2 JPH0758679B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17865165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29886385A Expired - Lifetime JPH0758679B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758679B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104327A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスク、およびその製造方法 |
| JPH0590137A (ja) * | 1991-04-04 | 1993-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 露出マスク |
| JP2011151202A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 遮光枠を有する反射型マスクおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5962855A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP29886385A patent/JPH0758679B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5962855A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク |
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|---|---|---|---|---|
| JPS63104327A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスク、およびその製造方法 |
| JPH0590137A (ja) * | 1991-04-04 | 1993-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 露出マスク |
| JP2011151202A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 遮光枠を有する反射型マスクおよびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758679B2 (ja) | 1995-06-21 |
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