JPH0394100A - 電解研磨液及び電解研磨方法 - Google Patents
電解研磨液及び電解研磨方法Info
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- JPH0394100A JPH0394100A JP1227603A JP22760389A JPH0394100A JP H0394100 A JPH0394100 A JP H0394100A JP 1227603 A JP1227603 A JP 1227603A JP 22760389 A JP22760389 A JP 22760389A JP H0394100 A JPH0394100 A JP H0394100A
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Landscapes
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電解研磨液及び電解研磨方法に関し、更に詳し
くは、Ｘ線光学及びＸ線リソグラフィー等に用いられる
マスク（メンプラン）の作成に有用である電解研磨液及
び電解研磨方法に関する。
くは、Ｘ線光学及びＸ線リソグラフィー等に用いられる
マスク（メンプラン）の作成に有用である電解研磨液及
び電解研磨方法に関する。
（従来の技術及びその問題点）
従来、Ｘ線マスクを製造する方法としては、シリコン等
の基板上に有機又は無機のＸ線透過膜を形成し、この透
過膜上にＸ線吸収体パターンを作成し、しかる後シリコ
ン基板を、周囲を残して中央部を裏面からバックエッチ
ングしてマスクメンプランを作成する方法が行われてい
る。
の基板上に有機又は無機のＸ線透過膜を形成し、この透
過膜上にＸ線吸収体パターンを作成し、しかる後シリコ
ン基板を、周囲を残して中央部を裏面からバックエッチ
ングしてマスクメンプランを作成する方法が行われてい
る。
上記方法で使用するエッチング方法即ち電解研磨方法は
、例えば、苛性ソーダ、苛性カリ等の４０乃至６０重量
％溶液を使用し、処理温度８０乃至１２０℃で行ってお
り、作業者にとって非常に危険であるという問題がある
。又、この様な従来技術では、０．０５７ｚｍ乃至１μ
ｍ程度の薄膜の形成が困難であるという問題がある。
、例えば、苛性ソーダ、苛性カリ等の４０乃至６０重量
％溶液を使用し、処理温度８０乃至１２０℃で行ってお
り、作業者にとって非常に危険であるという問題がある
。又、この様な従来技術では、０．０５７ｚｍ乃至１μ
ｍ程度の薄膜の形成が困難であるという問題がある。
従って本発明の目的は、作業者に危険がなく、且つ簡便
な装置で薄膜のＸ線マスクの提供が可能な電解研磨液及
び電解研磨方法を提供することである。
な装置で薄膜のＸ線マスクの提供が可能な電解研磨液及
び電解研磨方法を提供することである。
（問題点を解決する為の手段）
上記目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明は、弗化水素アンモニウムを主体とする電
解研磨液に、ｐＨ調整剤として弗化アンモニウム或いは
弗化水素酸を添加することによりＩ）Ｈを２乃至６の間
に調整したことを特徴とする電解研磨液及びこれを用い
るシリコン基板の電解研磨方法である。
解研磨液に、ｐＨ調整剤として弗化アンモニウム或いは
弗化水素酸を添加することによりＩ）Ｈを２乃至６の間
に調整したことを特徴とする電解研磨液及びこれを用い
るシリコン基板の電解研磨方法である。
（作 用）
本発明では、電解研磨液の水素イオン濃度をマスク材の
種類に従って容易に適合させることが出来るので、特に
これまでバックエッチング法で形成不可能であった有機
メンプラン膜（ポリイミドやポリエステル等）の作成が
可能になり、又、高アルカリ、強酸に対して耐性の無い
無機のメンプラン膜も作成が可能となる。
種類に従って容易に適合させることが出来るので、特に
これまでバックエッチング法で形成不可能であった有機
メンプラン膜（ポリイミドやポリエステル等）の作成が
可能になり、又、高アルカリ、強酸に対して耐性の無い
無機のメンプラン膜も作成が可能となる。
（好ましい実施態様）
次に好ましい実施態様を挙げて本発明を更に詳しく説明
する。
する。
本発明の電解研磨液は弗化水素アンモニウムを主体とす
るが、その他メタノール、エタノール、プロバノール、
ブタノール等のアルコール類、界面活性剤等の添加剤を
必要に応じて含むことが出来る。
るが、その他メタノール、エタノール、プロバノール、
ブタノール等のアルコール類、界面活性剤等の添加剤を
必要に応じて含むことが出来る。
又、この弗化水素アンモニウム／８液は通常は約０．５
乃至２Ｏｆｆｉ量％の濃度が好ましい。この溶液の１０
％液のｐＨは４．３程度であり、本発明においては、こ
の弗化水素アンモニウム溶液に、基板の上に設けられた
マスク刊の種類に応じて、弗化アンモニウム（１０％溶
液でｐＨ６．８程度）或は弗化水素酸（１０％溶液でｐ
Ｈは１．０程度）を添加して全体のｐＨを２乃至６の範
囲に調整する。
乃至２Ｏｆｆｉ量％の濃度が好ましい。この溶液の１０
％液のｐＨは４．３程度であり、本発明においては、こ
の弗化水素アンモニウム溶液に、基板の上に設けられた
マスク刊の種類に応じて、弗化アンモニウム（１０％溶
液でｐＨ６．８程度）或は弗化水素酸（１０％溶液でｐ
Ｈは１．０程度）を添加して全体のｐＨを２乃至６の範
囲に調整する。
例えば、マスク利と上記本発明の電解研磨液ととの関係
において、好ましい電解研磨液のｐＨ及び電解研磨条件
は以下の通りである。
において、好ましい電解研磨液のｐＨ及び電解研磨条件
は以下の通りである。
ポリイミド 、ポリエステル の ・弗化水素ア
ンモニウム濃度１０〜１００ｇ／１２弗化アンモニウム
濃度１０〜１００ｇ／ｊ２弗化水素酸 濃
度 Ｏ〜 ５０ｇ／ｇ他の成分 必要に応じ
て界面活性剤ｐＨ ４〜６ 電解研磨条件； 電流密度１ ０ｍＡ〜１ ００ｍＡ／ｃｒｒｒ弗化水素
アンモニウム濃度２０〜２ ０ ０ ｇ／Ｉ２．弗化ア
ンモニウム ｔｌ度２０〜２００ｇ／ｆｆ弗化水素酸
濃度０．１〜１ ０ ０ ｇ／Ａ他の成分
必要に応じてアルコールや界面活性剤 ｐＨ ２〜４ 電解研磨条件； 電流密度１ ０ｍＡ 〜２ ０ ０ｍＡ／ ｃｒｔｒＬ
之２牒笠曵童逼鳳； 弗化水素アンモニウム濃度 ５〜１００ｇ／β弗化アン
モニウム 濃度１０〜１００ｇ／．Ｃ弗化水素酸
濃度 Ｏ〜 ２０ｇ／ｆ２他の成分
必要に応じてアルコールや界面活性剤 ｐＨ ４〜６ 電解研磨条件； 電流密度１ ０ｍＡ−１ ００ｍＡ／ｃｔｒｒ本発明は
Ｘ線マスクの作成以外にも、例えば、Ｘ線の光学レンズ
として用いられるフレネルゾーンプレートの作成にも有
用である。Ｘ線顕微鏡等の目的で開発が進められている
Ｘ線顕微鏡のレンズはＸＡＩの干渉を利用するもので、
例えば、対物レンズの場合λ（波長）４０入、焦点距離
１ｍｍ、最小輪帯巾６μｍ．最大輪帯巾１５０μｍ、輪
帯数６２５本の時最外周輪帯巾０．１２μｍとなる。
ンモニウム濃度１０〜１００ｇ／１２弗化アンモニウム
濃度１０〜１００ｇ／ｊ２弗化水素酸 濃
度 Ｏ〜 ５０ｇ／ｇ他の成分 必要に応じ
て界面活性剤ｐＨ ４〜６ 電解研磨条件； 電流密度１ ０ｍＡ〜１ ００ｍＡ／ｃｒｒｒ弗化水素
アンモニウム濃度２０〜２ ０ ０ ｇ／Ｉ２．弗化ア
ンモニウム ｔｌ度２０〜２００ｇ／ｆｆ弗化水素酸
濃度０．１〜１ ０ ０ ｇ／Ａ他の成分
必要に応じてアルコールや界面活性剤 ｐＨ ２〜４ 電解研磨条件； 電流密度１ ０ｍＡ 〜２ ０ ０ｍＡ／ ｃｒｔｒＬ
之２牒笠曵童逼鳳； 弗化水素アンモニウム濃度 ５〜１００ｇ／β弗化アン
モニウム 濃度１０〜１００ｇ／．Ｃ弗化水素酸
濃度 Ｏ〜 ２０ｇ／ｆ２他の成分
必要に応じてアルコールや界面活性剤 ｐＨ ４〜６ 電解研磨条件； 電流密度１ ０ｍＡ−１ ００ｍＡ／ｃｔｒｒ本発明は
Ｘ線マスクの作成以外にも、例えば、Ｘ線の光学レンズ
として用いられるフレネルゾーンプレートの作成にも有
用である。Ｘ線顕微鏡等の目的で開発が進められている
Ｘ線顕微鏡のレンズはＸＡＩの干渉を利用するもので、
例えば、対物レンズの場合λ（波長）４０入、焦点距離
１ｍｍ、最小輪帯巾６μｍ．最大輪帯巾１５０μｍ、輪
帯数６２５本の時最外周輪帯巾０．１２μｍとなる。
この様な微細なパターン（Ａｕの０．１μｍ厚）を保持
する膜としては、使用Ｘ線の吸収係数との関連からして
も出来るだけ薄い膜であることが望ましい。この条件が
満足出来るものとしてポリイミドの０．０５μｍ乃至２
μｍの膜がある。
する膜としては、使用Ｘ線の吸収係数との関連からして
も出来るだけ薄い膜であることが望ましい。この条件が
満足出来るものとしてポリイミドの０．０５μｍ乃至２
μｍの膜がある。
本発明では、ポリイミド系膜をシリコン基板上に形成し
て後、Ａｕ（金）のフレネルゾーンブレーｌ・を形成、
しかる後シリコン基板を裏面からエッチングしてフレネ
ルゾーンプレートメンブランを作成することを試みた。
て後、Ａｕ（金）のフレネルゾーンブレーｌ・を形成、
しかる後シリコン基板を裏面からエッチングしてフレネ
ルゾーンプレートメンブランを作成することを試みた。
しかし、従来のアルカリを利用したバックエッチング法
や弗硝酸を利用したバックエッチング法は何れも膜の剥
離が起きて当初の目的であるメンプランの作成が出来な
かった。又、同様な方法でのＸ線リソグラフィー用のマ
スクメンプランも作成出来なかった。
や弗硝酸を利用したバックエッチング法は何れも膜の剥
離が起きて当初の目的であるメンプランの作成が出来な
かった。又、同様な方法でのＸ線リソグラフィー用のマ
スクメンプランも作成出来なかった。
これに対して、上記の弗化水素アンモニウム、弗化アン
モニウム及び／又は弗化水素酸からなる本発明の電解研
磨液で、電流密度１０乃至１，０００ｍＡ／ｃｒ＆の条
件で、０．０５μｍから２μｍ程度のポリイミドのメン
プラン、そして１乃至３μｍの無機膜の（ＳｉＮ ．
ＳｉＣ ． ＡＩＮ等）マスクメンプランを極めて簡便
に作成することが出来た。
モニウム及び／又は弗化水素酸からなる本発明の電解研
磨液で、電流密度１０乃至１，０００ｍＡ／ｃｒ＆の条
件で、０．０５μｍから２μｍ程度のポリイミドのメン
プラン、そして１乃至３μｍの無機膜の（ＳｉＮ ．
ＳｉＣ ． ＡＩＮ等）マスクメンプランを極めて簡便
に作成することが出来た。
（実施例）
次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
４℃のテフロン容器に３１２の５重量％の弗化水素アン
モニウムと５重量％の弗化アンモニウムど昆合溶液を調
製し、マグネティックスターラー上に設置した。
モニウムと５重量％の弗化アンモニウムど昆合溶液を調
製し、マグネティックスターラー上に設置した。
白金のメッシュ電極（５０Ｘ ５０ｍ ｍ ）を正極に
、１０ｃｍの間隔を置いて対極の負極にエッチングザン
プルをセットした。電源は定電流直流電源を使用した。
、１０ｃｍの間隔を置いて対極の負極にエッチングザン
プルをセットした。電源は定電流直流電源を使用した。
シリコンウエハー３５０ｊＬｍ厚（抵抗率ｏ． ｏｏｉ
Ω）上にＰＩＱ （ポリイミド前駆体溶戚、日立化成製
）を約０．５μｍ厚にスビンコ−１・で塗工の後、５０
’Ｃ乃至４００″Ｃのキュアーを約４時間行った。
Ω）上にＰＩＱ （ポリイミド前駆体溶戚、日立化成製
）を約０．５μｍ厚にスビンコ−１・で塗工の後、５０
’Ｃ乃至４００″Ｃのキュアーを約４時間行った。
次にＣｒ（クロム）１００人及びＡｕ３００人を抵抗加
熱蒸着法で成膜した。その上にポリメヂルメタクリレー
ト系レジスト（ＯＥＢＲ−１０００）をスビンコート法
で０．５μｍの厚みに塗工の後、エレクトロンビーム描
画装置で前記フレネルゾーンプレートパターンを描画し
、指定のレジスト現像処理の後レジストパターンを形成
した。
熱蒸着法で成膜した。その上にポリメヂルメタクリレー
ト系レジスト（ＯＥＢＲ−１０００）をスビンコート法
で０．５μｍの厚みに塗工の後、エレクトロンビーム描
画装置で前記フレネルゾーンプレートパターンを描画し
、指定のレジスト現像処理の後レジストパターンを形成
した。
次にメッキ装置を用いて３００人のＡｕを電極にメッキ
を行い、約０．２μｍの厚さのＡｕフレネルゾーンプレ
ートパターンを形成した。リアクティブイオンエッチン
グ装置を用いてＡｒ（アルゴン）で電極のＡｕ及びＣｒ
を除去して後、フレネルゾーンプレート面に対応した裏
面５ｍｍφを残してポリイミド（膜）フイルム（カプト
ン２５μｍ厚）でカバーし、接着はエボキシ系接着剤で
電解部をマスキングした。
を行い、約０．２μｍの厚さのＡｕフレネルゾーンプレ
ートパターンを形成した。リアクティブイオンエッチン
グ装置を用いてＡｒ（アルゴン）で電極のＡｕ及びＣｒ
を除去して後、フレネルゾーンプレート面に対応した裏
面５ｍｍφを残してポリイミド（膜）フイルム（カプト
ン２５μｍ厚）でカバーし、接着はエボキシ系接着剤で
電解部をマスキングした。
負電極と結線した後白金メッシュ電極と対極させ、スタ
ーラー撹拌をしながら４０ｍＡの電流を流しエッチング
を行った。約１．５時間の後マスクに対応した５ｍｍφ
のバックエッチングが終了し、５ｍｍφの穴を通してシ
リコンウエハー基板に支持されたフレネルゾーンプレー
トレンズが出来た。
ーラー撹拌をしながら４０ｍＡの電流を流しエッチング
を行った。約１．５時間の後マスクに対応した５ｍｍφ
のバックエッチングが終了し、５ｍｍφの穴を通してシ
リコンウエハー基板に支持されたフレネルゾーンプレー
トレンズが出来た。
実施例２
実施例１において弗化水素アンモニウム３重量％、弗化
水素酸１重量％及び弗化アンモニウム５重量％の混合液
を用いて同様な条件で処理を行い、フレネルゾーンプレ
ートを作成した。極めて良好な結果を得た。
水素酸１重量％及び弗化アンモニウム５重量％の混合液
を用いて同様な条件で処理を行い、フレネルゾーンプレ
ートを作成した。極めて良好な結果を得た。
実施例３
実施例１と同様にして弗化水素アンモニウム５重量％と
弗化水素酸２重量％とからなる電解研磨液を作成した。
弗化水素酸２重量％とからなる電解研磨液を作成した。
又、Ｓｉ（シリコン）３インチφ１ｍｍ厚基板上にＳｉ
Ｃの２μｍ膜を、そしてその上にＸ線吸収体パターン（
Ａｕの８μｍ厚）を形成した。
Ｃの２μｍ膜を、そしてその上にＸ線吸収体パターン（
Ａｕの８μｍ厚）を形成した。
裏面のマスク窓部に対応した中心から半径２０ｍｍφの
円形要エッチング部を残してポリエチレン袋で覆い、必
要部分をエボキシ系接着剤でシールした。通？［ｌ２Ａ
で上記？［！ ／竹研磨液でエッチングを行い、約５時
間で目的としたＸ線マスクが作成出来た。
円形要エッチング部を残してポリエチレン袋で覆い、必
要部分をエボキシ系接着剤でシールした。通？［ｌ２Ａ
で上記？［！ ／竹研磨液でエッチングを行い、約５時
間で目的としたＸ線マスクが作成出来た。
Claims (3)
- （１）弗化水素アンモニウムを主体とする電解研磨液に
、ｐＨ調整剤として弗化アンモニウム或いは弗化水素酸
を添加することによりｐＨを２乃至６の間に調整したこ
とを特徴とする電解研磨液。 - （２）弗化水素アンモニウムを主体とする電解研磨液に
、ｐＨ調整剤として弗化アンモニウム或いは弗化水素酸
を添加することによりｐＨを２乃至６の間に調整し、シ
リコン基板を研磨することを特徴とする電解研磨方法。 - （３）シリコン基板がＸ線マスク基板又はフレネルゾー
ンプレート基板である請求項２に記載の電解研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227603A JPH0394100A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 電解研磨液及び電解研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227603A JPH0394100A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 電解研磨液及び電解研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394100A true JPH0394100A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16863527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1227603A Pending JPH0394100A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 電解研磨液及び電解研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0394100A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526071A (ja) * | 2003-05-09 | 2006-11-16 | ポリグラト−ホールディング ゲーエムベーハー | 金属表面を電気化学的に研磨するための電解質 |
| US11230290B2 (en) | 2016-12-27 | 2022-01-25 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicle control device, vehicle control method, and program |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP1227603A patent/JPH0394100A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526071A (ja) * | 2003-05-09 | 2006-11-16 | ポリグラト−ホールディング ゲーエムベーハー | 金属表面を電気化学的に研磨するための電解質 |
| US11230290B2 (en) | 2016-12-27 | 2022-01-25 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicle control device, vehicle control method, and program |
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