JPS58207047A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS58207047A JPS58207047A JP57090285A JP9028582A JPS58207047A JP S58207047 A JPS58207047 A JP S58207047A JP 57090285 A JP57090285 A JP 57090285A JP 9028582 A JP9028582 A JP 9028582A JP S58207047 A JPS58207047 A JP S58207047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- mask
- platinum
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910007156 Si(OH)4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 108090001008 Avidin Proteins 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路製作用マスクに関し、とりわけＸ線露
光用マスクに関する。
光用マスクに関する。
従来、Ｘ線露光用マスクとしては、シリコン基板表面か
らボロン不純物を２μｍ程度の深さに拡散した後、表面
にＡｕのパターンを形成し、該ボロン拡散シリコン基板
裏面から周辺の枠となるシリコンを残してエツチングし
、裏面からのボロン拡散層へのエツチング到達時にエツ
チング速度が低下するのを利用して、薄いシリコンのメ
ングラン膜となす方法が代表的な製法としてあった。
らボロン不純物を２μｍ程度の深さに拡散した後、表面
にＡｕのパターンを形成し、該ボロン拡散シリコン基板
裏面から周辺の枠となるシリコンを残してエツチングし
、裏面からのボロン拡散層へのエツチング到達時にエツ
チング速度が低下するのを利用して、薄いシリコンのメ
ングラン膜となす方法が代表的な製法としてあった。
しかし、上記従来技術では、シリコンマスクの熱膨張率
が大きく、マスク温度がＸ線照射時等に上昇して、マス
ク自体が彬張して、パターンのずれを発生するという欠
点があった。
が大きく、マスク温度がＸ線照射時等に上昇して、マス
ク自体が彬張して、パターンのずれを発生するという欠
点があった。
上記欠点の改良として、熱膨張率の小さなｓｈｏ。
全基体とした枠とメンプラン膜をもったマスクが理想的
であるが、石英枠とｓｈｏ、膜をマスクとして構成する
上での良い製作方法がなかった。
であるが、石英枠とｓｈｏ、膜をマスクとして構成する
上での良い製作方法がなかった。
本発明はかかる従来の欠点をなくシ、熱膨張によるパタ
ーンずれの少ないＸ線露光用マスクを容易に製作できる
方法を提供することを目的とする。
ーンずれの少ないＸ線露光用マスクを容易に製作できる
方法を提供することを目的とする。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるＸ線マスクの製造工程を７Ｊテす
マスクの断面図である。まず、ｆｃ１４００μｍ厚のシ
リコン・ウェーハ基板１ｔｌ”１２００℃の水蒸気中で
酸化して２μｍ厚のｂｏｏ、膜２を得る。ｓｈｏ、膜は
シリコン・ウェーハ基板１の裏面迄成長するが、この場
合は、表面にアビシン・ワックスを塗り、裏面ｓｉｏ、
膜を弗酸で除去後、アビシン・ワックスはトリクロロン
チレンで除去する。ｂｉｏ、膜の育成を化学蒸着法ある
いはスパッタリング輝の真空蒸着法で形成する場合には
裏面への５ｉｏｘｋの成長はないので、そのままで良い
。次で、白金を数１０ＣＪＡ岸にスパッタリングで表面
に形成後、通常のホトリゾグラフィー技術によりレジス
ト書パターンを形成し、レジストのないパターン領域に
、前記白金膜を電極にして金メッキして、パターン状に
金属４を形成し、レジストを酸素プラズマ雰囲気に晒し
て除去後、Ａｒイオンビーム・エツチングにより、白金
層の一部を除去し、Ａｓパターン下の白金層３を残した
状態とする。
マスクの断面図である。まず、ｆｃ１４００μｍ厚のシ
リコン・ウェーハ基板１ｔｌ”１２００℃の水蒸気中で
酸化して２μｍ厚のｂｏｏ、膜２を得る。ｓｈｏ、膜は
シリコン・ウェーハ基板１の裏面迄成長するが、この場
合は、表面にアビシン・ワックスを塗り、裏面ｓｉｏ、
膜を弗酸で除去後、アビシン・ワックスはトリクロロン
チレンで除去する。ｂｉｏ、膜の育成を化学蒸着法ある
いはスパッタリング輝の真空蒸着法で形成する場合には
裏面への５ｉｏｘｋの成長はないので、そのままで良い
。次で、白金を数１０ＣＪＡ岸にスパッタリングで表面
に形成後、通常のホトリゾグラフィー技術によりレジス
ト書パターンを形成し、レジストのないパターン領域に
、前記白金膜を電極にして金メッキして、パターン状に
金属４を形成し、レジストを酸素プラズマ雰囲気に晒し
て除去後、Ａｒイオンビーム・エツチングにより、白金
層の一部を除去し、Ａｓパターン下の白金層３を残した
状態とする。
次で、＋６１厚さ１ｕ程度の石英の中空板（中空同板ま
たは中空円の角形板）５上にＢｉ （ＣＪＨ）４の液６
を糊として、前記金パターンをむ０３膜上に形成したシ
リコン・ウェーハ表面を（資）℃〜１００℃に加熱して
糊付けする。ｄｉ （（ＪＨ） ４液は３００℃程度に
加熱することにより、ＳｉＯ２となる性質をもっている
。この鴫はｓｈｏ、と熱膨張率に近い低膨張率材料にな
るものであれば、他の羽村であっても良い。
たは中空円の角形板）５上にＢｉ （ＣＪＨ）４の液６
を糊として、前記金パターンをむ０３膜上に形成したシ
リコン・ウェーハ表面を（資）℃〜１００℃に加熱して
糊付けする。ｄｉ （（ＪＨ） ４液は３００℃程度に
加熱することにより、ＳｉＯ２となる性質をもっている
。この鴫はｓｈｏ、と熱膨張率に近い低膨張率材料にな
るものであれば、他の羽村であっても良い。
当工桟での糊付は時に温度を一層げろことは、／リコン
基板の膨張を促し、糊付は後にｓｈｏ、膜と石英枠との
間に引張り応力を与える作用を与えるために必委な処理
である。その後、３００℃で加分程度のベーキングを行
ない、糊付作用を一層しっかりと固着した状態とする。
基板の膨張を促し、糊付は後にｓｈｏ、膜と石英枠との
間に引張り応力を与える作用を与えるために必委な処理
である。その後、３００℃で加分程度のベーキングを行
ない、糊付作用を一層しっかりと固着した状態とする。
次で、（Ｃ１シリコンのエツチングをフレオン（Ｃ１１
′ｎ）ガスのプラズマ中で行ない、Ｘ線用メンプラノ・
マスクを得、Ｘ＆！７による露光はフレームのＳｊ’ｚ
ｍのない方向から行なう。
′ｎ）ガスのプラズマ中で行ない、Ｘ線用メンプラノ・
マスクを得、Ｘ＆！７による露光はフレームのＳｊ’ｚ
ｍのない方向から行なう。
このマスクはＸ線露光のみならず光露光にも用いること
ができ、Ｘ６ｇ光と光露光を組み合わせて使用する場合
にも都合が艮い。
ができ、Ｘ６ｇ光と光露光を組み合わせて使用する場合
にも都合が艮い。
史に、本発明によるマスクは熱膨張が殆んどなく、パタ
ーンの温度変化によるズレのないｔｇ元が口」能となる
効果がある。
ーンの温度変化によるズレのないｔｇ元が口」能となる
効果がある。
第１図（αｌ １６１ ｆｃｌは本発明によるＸ線マス
クの製造工程を示すマスクの断面図である。 １・・・シリコン・ウェーハ基板 ２・・・ｓｈｏ、膜 ３・・・白金膜 ４・・・金パターン ５・・・石英枠 ６・・・接着剤 ７・・・Ｘ線 以 上 出願人 株式会社鷹訪梢工合 代理人 弁理士最 上 務 第１図
クの製造工程を示すマスクの断面図である。 １・・・シリコン・ウェーハ基板 ２・・・ｓｈｏ、膜 ３・・・白金膜 ４・・・金パターン ５・・・石英枠 ６・・・接着剤 ７・・・Ｘ線 以 上 出願人 株式会社鷹訪梢工合 代理人 弁理士最 上 務 第１図
Claims (1)
- シリコン基板表面にはｓｈｏ 、 膜が形成され、該
ｓｈｏ！膜表面には金パターンが形成されたマスク用メ
ンプラン基体を製作し、該メンプラン基体表１・を石英
で製作された石英枠にＢｉ（ＯＨ）４等の液状あるいは
ゲル状糊で接着し、前記メンプラン基体のシリコン基板
をエツチング除去する事を特徴とするマスクの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090285A JPS58207047A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090285A JPS58207047A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207047A true JPS58207047A (ja) | 1983-12-02 |
Family
ID=13994244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57090285A Pending JPS58207047A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207047A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3524196A1 (de) * | 1984-07-06 | 1986-02-06 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Lithografisches maskengebilde und verfahren zu dessen herstellung |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP57090285A patent/JPS58207047A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3524196A1 (de) * | 1984-07-06 | 1986-02-06 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Lithografisches maskengebilde und verfahren zu dessen herstellung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59208743A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4708919A (en) | Process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography using a monolithic support and resulting structure | |
| JPH0963912A (ja) | 貼り合わせ基板製造方法 | |
| JP3210143B2 (ja) | Ｘ線マスク構造体とその作製方法、及び、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法と、該ｘ線マスク構造体を用いて作成するデバイス製造方法 | |
| JPS58207047A (ja) | マスクの製造方法 | |
| US5104481A (en) | Method for fabricating laser generated I.C. masks | |
| JPS6351641A (ja) | 単結晶または多結晶Ｓｉ膜の微細パタ−ン形成方法 | |
| US4102732A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| JPS5923104B2 (ja) | 軟ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0562888A (ja) | Ｘ線マスクおよびそれを用いたパターン転写方法 | |
| KR940005704B1 (ko) | 규소기판 직접 접착방법을 이용한 규소박막 제조방법 | |
| JPS59163825A (ja) | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 | |
| JP2000150364A (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法、並びにｘ線マスク及びその製造方法 | |
| JPS5931027A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS6127900B2 (ja) | ||
| JPH0322686B2 (ja) | ||
| JPS5931026A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0794386A (ja) | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 | |
| JPS6169133A (ja) | 軟ｘ線露光方法 | |
| JP3451431B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS631740B2 (ja) | ||
| JP2000003844A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JP3255372B2 (ja) | Ｘ線マスク材料およびその製造方法 | |
| KR0135002B1 (ko) | X-ray 리소그라피용 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPS63133524A (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |