JPS5931027A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPS5931027A JPS5931027A JP57141357A JP14135782A JPS5931027A JP S5931027 A JPS5931027 A JP S5931027A JP 57141357 A JP57141357 A JP 57141357A JP 14135782 A JP14135782 A JP 14135782A JP S5931027 A JPS5931027 A JP S5931027A
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- Japan
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- quartz substrate
- silicon oxide
- substrate
- oxide film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法に関する。
従来、Ｘ線マスクの製造方法として、第１図に示すごと
に方法が用いられていた。すなわち、（ｃＬ）（１） シリコン基板１の一主表面に熱酸化により酸化硅素膜２
を形成し、該酸化硅素膜２の表面に化学蒸着法により窒
化硅素膜６を形成後、Ｘ線阻止能を有する金等の膜４を
蒸着技術およびホトリゾグラフィー技術を用いて図形状
に形成する。次で、（ｂ）シリコン基板裏面をシリコン
枠５を残してエツチング除去してＸｍマスクとなす。
に方法が用いられていた。すなわち、（ｃＬ）（１） シリコン基板１の一主表面に熱酸化により酸化硅素膜２
を形成し、該酸化硅素膜２の表面に化学蒸着法により窒
化硅素膜６を形成後、Ｘ線阻止能を有する金等の膜４を
蒸着技術およびホトリゾグラフィー技術を用いて図形状
に形成する。次で、（ｂ）シリコン基板裏面をシリコン
枠５を残してエツチング除去してＸｍマスクとなす。
上記従来技術によるＸ線マスクの製造方法では、マスク
製造工程中の温度変化による図形歪やマスク自体の製造
後の温度変化による図形歪が発生するという欠点があっ
た。
製造工程中の温度変化による図形歪やマスク自体の製造
後の温度変化による図形歪が発生するという欠点があっ
た。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、Ｘ線マスクの
製造工程中および製造後の温度変化による図形歪のない
ＸＳマスクの製造方法を提供することを目的とする。
製造工程中および製造後の温度変化による図形歪のない
ＸＳマスクの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、Ｘ
線マスクの製造方法において、第１の石英基板の一主表
面には合成樹脂膜が形成され、該合成樹脂膜表面には酸
化硅素膜が形成され、該酸化硅素膜表面にはＸ線阻止能
を有する金等の図形（２） 状膜が形成され、前記酸化硅素膜表面の前記第１の石英
基板周辺端部に於て、中空状に加工された第２の石英基
板の一生表面が接着剤により接着された後、前記第１の
石英基板を前記合成樹脂膜をエツチングすることにより
除去する事を特徴とする。
線マスクの製造方法において、第１の石英基板の一主表
面には合成樹脂膜が形成され、該合成樹脂膜表面には酸
化硅素膜が形成され、該酸化硅素膜表面にはＸ線阻止能
を有する金等の図形（２） 状膜が形成され、前記酸化硅素膜表面の前記第１の石英
基板周辺端部に於て、中空状に加工された第２の石英基
板の一生表面が接着剤により接着された後、前記第１の
石英基板を前記合成樹脂膜をエツチングすることにより
除去する事を特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明によるｘｌＪマスクの製造方法を示す工
程毎の断面図である。まず、（α）石英基板１１の一生
表面に、（ｂ）ホトレジスト膜等の合成樹脂膜１２を塗
布し、（ｃ）その表面にスパッタ蒸着により酸化硅素膜
１３を形成後、（ｄ）その表面に蒸着技術とホトリゾグ
ラフィー技術を用いて金等のＸ線阻止能を有する図形状
膜１４を形成した基板を作成し、（１）該基板の周辺端
部の酸化硅素膜表面に接して、第２の中空状石英基板１
５を接着剤１６にて貼付けた後、（１）合成樹脂膜１２
を硫酸煮沸により除去して、同時に第１の石英基板１１
を除去してＸ線マスクとなす。
程毎の断面図である。まず、（α）石英基板１１の一生
表面に、（ｂ）ホトレジスト膜等の合成樹脂膜１２を塗
布し、（ｃ）その表面にスパッタ蒸着により酸化硅素膜
１３を形成後、（ｄ）その表面に蒸着技術とホトリゾグ
ラフィー技術を用いて金等のＸ線阻止能を有する図形状
膜１４を形成した基板を作成し、（１）該基板の周辺端
部の酸化硅素膜表面に接して、第２の中空状石英基板１
５を接着剤１６にて貼付けた後、（１）合成樹脂膜１２
を硫酸煮沸により除去して、同時に第１の石英基板１１
を除去してＸ線マスクとなす。
本発明によるＸ線マスクの製造方法では、第１（３）
の石英基板が、Ｘ線マスクの製造工程中で高温に晒され
ても殆んど熱変形せず、且つＸ線マスク製作後も石英枠
やメンプラン膜が熱膨張率の小さな酸化硅素で構成され
ているため温度変化による図形歪のないＸ線マスクが製
作できる効果がある。
ても殆んど熱変形せず、且つＸ線マスク製作後も石英枠
やメンプラン膜が熱膨張率の小さな酸化硅素で構成され
ているため温度変化による図形歪のないＸ線マスクが製
作できる効果がある。
第１図は従来技術によるＸ線マスクの製造方法を、第２
図は本発明によるＸｆｓマスクの製造方法を示す工程毎
の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板 ２．１３・・・・・・酸化硅素膜 ６・・・・・・窒化硅素膜 ４．１４・・・・・・図形吠Ｘ線阻止膜５・・・・・・
シリコン枠 １５・・・・・・石英枠 １６・・・・・・接着剤 以 上 出願人 株式会社諏訪精工★ １、事件の表示 昭和５７年 特許願第１４１３５７号２、発明の名称 Ｘ線マスクの製造方法 ３、補正をする者 ４、代理人 （ｆ＞ ｆワ１１嶽
図は本発明によるＸｆｓマスクの製造方法を示す工程毎
の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板 ２．１３・・・・・・酸化硅素膜 ６・・・・・・窒化硅素膜 ４．１４・・・・・・図形吠Ｘ線阻止膜５・・・・・・
シリコン枠 １５・・・・・・石英枠 １６・・・・・・接着剤 以 上 出願人 株式会社諏訪精工★ １、事件の表示 昭和５７年 特許願第１４１３５７号２、発明の名称 Ｘ線マスクの製造方法 ３、補正をする者 ４、代理人 （ｆ＞ ｆワ１１嶽
Claims (1)
- 第１の石英基板の一主表面には合成樹脂膜が形成され、
該合成樹脂膜表面には酸化硅素膜が形成され、該酸化硅
素膜表面にはＸ線阻止能を有する金等の図形状膜が形成
され、前記酸化硅素膜表面の前記第１の石英基板周辺端
部に於て、中空状に加工された第２の石英基板の一主表
面が接着剤により接着された後、前記第１の石英基板を
前記合成樹脂膜をエツチングすることにより除去する事
を特徴とするＸ＠マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57141357A JPS5931027A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57141357A JPS5931027A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931027A true JPS5931027A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15290092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57141357A Pending JPS5931027A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135449A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-02-19 | テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | レントゲンリトグラフイ用マスク |
| US6792991B2 (en) | 2001-06-07 | 2004-09-21 | Erich Thallner | Device for detaching a carrier from a semi-conductor disk |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
| JPS5370674A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Nippon Chemical Ind | Method of producing photomask |
| JPS5411677A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Rockwell International Corp | Mask used for fine line lithography and method of producing same |
-
1982
- 1982-08-13 JP JP57141357A patent/JPS5931027A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
| JPS5370674A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Nippon Chemical Ind | Method of producing photomask |
| JPS5411677A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Rockwell International Corp | Mask used for fine line lithography and method of producing same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135449A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-02-19 | テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | レントゲンリトグラフイ用マスク |
| US6792991B2 (en) | 2001-06-07 | 2004-09-21 | Erich Thallner | Device for detaching a carrier from a semi-conductor disk |
| AT502233B1 (de) * | 2001-06-07 | 2007-04-15 | Thallner Erich | Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe |
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