JPS58215024A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPS58215024A JPS58215024A JP57097296A JP9729682A JPS58215024A JP S58215024 A JPS58215024 A JP S58215024A JP 57097296 A JP57097296 A JP 57097296A JP 9729682 A JP9729682 A JP 9729682A JP S58215024 A JPS58215024 A JP S58215024A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用のＸ線マスクの製造方法に関する。
従来、Ｘ線マスクは第１図に示す如く、シリコン枠１の
内側に形成された１μ悔厚程度のシリコン・メンプラン
膜２上にＸ線阻止能を有する金膜を図形状に形成された
ものを用いていた。
内側に形成された１μ悔厚程度のシリコン・メンプラン
膜２上にＸ線阻止能を有する金膜を図形状に形成された
ものを用いていた。
しかし、上記従来技術ではシリコン枠およびシリコンメ
ンプラン膜の熱膨張率が大なるために、図形状膜の図形
が温度変化によりずれるという欠点があった。
ンプラン膜の熱膨張率が大なるために、図形状膜の図形
が温度変化によりずれるという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点を改良した、図形ずれ
のない新しいＸ線マスクの製造方法を提供することを目
的とする。
のない新しいＸ線マスクの製造方法を提供することを目
的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、Ｘ
線マスクの製造方法において、石英基板上には石英エツ
チング剤に対するエツチング阻止能を有する膜が少なく
とも被Ｘ線露光物面と類似の形状部か、それより大きく
形成され、該石英基板上と、該石英エツチング阻止能を
有する膜表面に酸化硅素膜が形成され、前記石英基板ま
たは、石英エツチング阻止能を有する膜または酸化硅素
膜上にはＸ線阻止能を有する図形状膜が形成されて成り
、前記膜等の形成された石英基板裏面の中心部から被Ｘ
線露光物面と類似の形状部を研削、およびエツチングに
より除去した後、石英エツチング剤に対するエツチング
阻止能を有する膜を裏面から露出させた後、酸膜を酸化
硅素膜とＸ線阻止能を有する図形状膜を残して除去する
ことを特徴とする。
線マスクの製造方法において、石英基板上には石英エツ
チング剤に対するエツチング阻止能を有する膜が少なく
とも被Ｘ線露光物面と類似の形状部か、それより大きく
形成され、該石英基板上と、該石英エツチング阻止能を
有する膜表面に酸化硅素膜が形成され、前記石英基板ま
たは、石英エツチング阻止能を有する膜または酸化硅素
膜上にはＸ線阻止能を有する図形状膜が形成されて成り
、前記膜等の形成された石英基板裏面の中心部から被Ｘ
線露光物面と類似の形状部を研削、およびエツチングに
より除去した後、石英エツチング剤に対するエツチング
阻止能を有する膜を裏面から露出させた後、酸膜を酸化
硅素膜とＸ線阻止能を有する図形状膜を残して除去する
ことを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明によるＸ線マスクの製造方法を示す工程
毎の断面図である。（α）２聴厚で１２５叫角の石英基
板１１の表面に、（ｂ）ポリイミド膜あるいはホトレジ
スト膜等の石英エツチング阻止能を有する膜１２を１μ
ｍ厚程度−主面に全面又は周辺を除いた中心部に塗布す
るか、あるいはスパッタリング等により窒化硅素膜ある
いは金等の金属膜等を形成する。次で、（ｃ）化学蒸着
法あるいはスパッタリング法等により酸化硅素膜１３を
１μ惧厚程度−主面の全面に形成した後、（ｄ）酸化硅
素膜１３上にクロムあるいは白金等の導電膜を２００に
程度全面にスパッタリング等により形成した後、ホトリ
ソグラフィー技術によりレジスト膜を図形状に形成し、
該図形状レジスト膜の溝部に、下地導電膜を陰極にして
金メッキ処理を施し、０５μｍ程度の金あるいは銀等の
メッキ処理を施して、図形状に該メッキ膜を形成した後
、該図形状メッキ膜をマスクとして、下地導電膜をエツ
チング除去することにより、Ｘ線阻止能を有する図形状
膜１４を形成する。（り次で、石英基板の一生面の相対
する面、すなわち裏面より、ダイヤモンド研削を石英基
板１１周辺枠となる部分を除いて３０μｍ厚程度残して
行ない、石英基板の一生面および側面等はアビシンワッ
クス等のエツチング保護膜を被覆して、残った石英基板
１１の３０μ濯厚の石英を弗酸によりエツチングすると
、石英エツチングに対する阻止能を有する膜１２が裏面
より露光した時にエツチングが終了し、アビシンワック
スをトリ力ロで除去すると石英枠１５を残した状態とな
る。次で、（ｆ）石英エツチングに対する阻止能を有す
る膜１２が合成樹脂膜の場合は、酸素プラズマで除去し
、窒化硅素膜の場合はフレオン・プラズマ・ガスで除去
することにより、石英枠１５の内部に酸化硅素膜をメン
プラン膜１３とし、その上にＸ線阻止能を有する図形状
膜１４が形成されたＸ線マスクが製造される。
毎の断面図である。（α）２聴厚で１２５叫角の石英基
板１１の表面に、（ｂ）ポリイミド膜あるいはホトレジ
スト膜等の石英エツチング阻止能を有する膜１２を１μ
ｍ厚程度−主面に全面又は周辺を除いた中心部に塗布す
るか、あるいはスパッタリング等により窒化硅素膜ある
いは金等の金属膜等を形成する。次で、（ｃ）化学蒸着
法あるいはスパッタリング法等により酸化硅素膜１３を
１μ惧厚程度−主面の全面に形成した後、（ｄ）酸化硅
素膜１３上にクロムあるいは白金等の導電膜を２００に
程度全面にスパッタリング等により形成した後、ホトリ
ソグラフィー技術によりレジスト膜を図形状に形成し、
該図形状レジスト膜の溝部に、下地導電膜を陰極にして
金メッキ処理を施し、０５μｍ程度の金あるいは銀等の
メッキ処理を施して、図形状に該メッキ膜を形成した後
、該図形状メッキ膜をマスクとして、下地導電膜をエツ
チング除去することにより、Ｘ線阻止能を有する図形状
膜１４を形成する。（り次で、石英基板の一生面の相対
する面、すなわち裏面より、ダイヤモンド研削を石英基
板１１周辺枠となる部分を除いて３０μｍ厚程度残して
行ない、石英基板の一生面および側面等はアビシンワッ
クス等のエツチング保護膜を被覆して、残った石英基板
１１の３０μ濯厚の石英を弗酸によりエツチングすると
、石英エツチングに対する阻止能を有する膜１２が裏面
より露光した時にエツチングが終了し、アビシンワック
スをトリ力ロで除去すると石英枠１５を残した状態とな
る。次で、（ｆ）石英エツチングに対する阻止能を有す
る膜１２が合成樹脂膜の場合は、酸素プラズマで除去し
、窒化硅素膜の場合はフレオン・プラズマ・ガスで除去
することにより、石英枠１５の内部に酸化硅素膜をメン
プラン膜１３とし、その上にＸ線阻止能を有する図形状
膜１４が形成されたＸ線マスクが製造される。
尚、Ｘ線阻止能を有する図形状膜１４は、酸化硅素膜１
６の表面のみでなく、裏面に形成する方法をとることも
できる。
６の表面のみでなく、裏面に形成する方法をとることも
できる。
尚、Ｘ線阻止能を有する図形状膜はメンプラン膜が完全
後形成しても良い。
後形成しても良い。
上記の如く、石英枠に酸化硅素メンプラン膜を形成した
Ｘ線マスクは、熱膨張によるＸ線阻止能を有する図形状
膜の温度変化によるずれがなくなる効果があり、該マス
クを本発明により容易に製作できる効果がある。
Ｘ線マスクは、熱膨張によるＸ線阻止能を有する図形状
膜の温度変化によるずれがなくなる効果があり、該マス
クを本発明により容易に製作できる効果がある。
第１図は従来技術によるＸ線マスクの断面図、第２図は
本発明によるＸ線マスクの製造法を示す工程毎の断面図
である。 １・・・・・・シリコン枠 ２・・・・・・シリコン・メンプラン膜３・・・・・・
Ｘ線阻止能を有する図形状ｊ模１１・・・石英基板 １２・・・石英に対するエツチング剤に対しエツチング
阻止能を有する膜 １３・・・酸化硅素メンプラン膜 １４・・・Ｘ線阻止能を有する図形状膜１５・・・石英
枠 以 上 出願人 株式会社識訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
本発明によるＸ線マスクの製造法を示す工程毎の断面図
である。 １・・・・・・シリコン枠 ２・・・・・・シリコン・メンプラン膜３・・・・・・
Ｘ線阻止能を有する図形状ｊ模１１・・・石英基板 １２・・・石英に対するエツチング剤に対しエツチング
阻止能を有する膜 １３・・・酸化硅素メンプラン膜 １４・・・Ｘ線阻止能を有する図形状膜１５・・・石英
枠 以 上 出願人 株式会社識訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 石英基板上には石英エツチング剤に対するエツチング阻
止能を有する膜が少なくとも被Ｘ線露光物面と類似の形
状部か、それより大きく形成され、該石英基板上と、該
石英エツチング阻止能を有する膜表面に酸化硅素膜が形
成され、前記石英基板または、石英エツチング阻止能を
有する膜または酸化硅素膜上にはＸ線阻止能を有する図
形状膜が形成されて成り、前記膜等の形成された石英基
板裏面の中心部から被Ｘ線露光物面と類似の形状部を研
削、およびエツチング−により除去した後、石英エツチ
ング剤に対するエツチング阻止能を有する膜を裏面から
露光させた後、該膜を酸化硅素膜とＸ線阻止能を有する
図形状膜を残して除去することを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097296A JPS58215024A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097296A JPS58215024A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215024A true JPS58215024A (ja) | 1983-12-14 |
Family
ID=14188528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097296A Pending JPS58215024A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215024A (ja) |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57097296A patent/JPS58215024A/ja active Pending
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