JPH0365652B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0365652B2 JPH0365652B2 JP9798482A JP9798482A JPH0365652B2 JP H0365652 B2 JPH0365652 B2 JP H0365652B2 JP 9798482 A JP9798482 A JP 9798482A JP 9798482 A JP9798482 A JP 9798482A JP H0365652 B2 JPH0365652 B2 JP H0365652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- quartz
- silicon
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線マスク構造と、その製造方法に関
する。
する。
従来、Ｘ線マスクは第１図に示すごとき0.4mm
厚程度のシリコン粋１内に１〜2μｍ程度のシリ
コン・メンブラン膜２が形成され、該シリコン・
メンブラン膜表面には金等のＸ線阻止能を有する
図形状膜３が形成されているのが通例である。
厚程度のシリコン粋１内に１〜2μｍ程度のシリ
コン・メンブラン膜２が形成され、該シリコン・
メンブラン膜表面には金等のＸ線阻止能を有する
図形状膜３が形成されているのが通例である。
上記従来技術によるＸ線マスクは第２図に示す
如き工程によつて製造される。すなわち、(a)0.4
mm厚程度のシリコン・ウエーハ基板１１の表面か
ら、(b)後程シリコン・メンブラン膜となるボロン
膜を１〜2μｍ拡散膜により形成し、(C)白金を100
〓程度全面に蒸着後、通常のホトレジスト技術に
よりレジストを図形状に形成し、該図形の溝部
に、下地白金膜を電極として、金メツキを行な
い、ルジスト除去と、白金膜を一部図形状金膜の
下を残して、スパツタ・エツチにより除去し、Ｘ
線阻止能を有する図形状膜１３を形成し、(d)前記
基板表面及び裏面のシリコン粋とすべき部分の上
にアピゾン・ワツクス等を塗布した後、KOH水
溶液によりエツチング膜として残り、シリコン枠
内にシリコン・メンブラン膜が形成され、該シリ
コン・メンブラン膜上に金パターンが形成された
Ｘ線マスクが製造される。
如き工程によつて製造される。すなわち、(a)0.4
mm厚程度のシリコン・ウエーハ基板１１の表面か
ら、(b)後程シリコン・メンブラン膜となるボロン
膜を１〜2μｍ拡散膜により形成し、(C)白金を100
〓程度全面に蒸着後、通常のホトレジスト技術に
よりレジストを図形状に形成し、該図形の溝部
に、下地白金膜を電極として、金メツキを行な
い、ルジスト除去と、白金膜を一部図形状金膜の
下を残して、スパツタ・エツチにより除去し、Ｘ
線阻止能を有する図形状膜１３を形成し、(d)前記
基板表面及び裏面のシリコン粋とすべき部分の上
にアピゾン・ワツクス等を塗布した後、KOH水
溶液によりエツチング膜として残り、シリコン枠
内にシリコン・メンブラン膜が形成され、該シリ
コン・メンブラン膜上に金パターンが形成された
Ｘ線マスクが製造される。
前記、従来技術によるＸ線マスクとその製造方
法においては、例えば100mm径のマスクを製造し
た場合にシリコンの熱膨張率が大なるため、１℃
の温度変化により、マスクの両端で0.5μｍのパタ
ーンずれをおこすという欠点があつた。
法においては、例えば100mm径のマスクを製造し
た場合にシリコンの熱膨張率が大なるため、１℃
の温度変化により、マスクの両端で0.5μｍのパタ
ーンずれをおこすという欠点があつた。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、熱膨
張によるパターンずれのないマスクの提供と、そ
の製造方法とを提供することを目的とする。
張によるパターンずれのないマスクの提供と、そ
の製造方法とを提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、Ｘ線マスクに於て、石英枠内には弗酸等の
石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止
能を有する材料膜と、酸化硅素膜が２層に形成さ
れたメンブラン膜が貼付けられ、該メンブラン膜
にはＸ線透過阻止能を有する金等の材料膜が図形
状に形成されて成る事を特徴とする事である。
成は、Ｘ線マスクに於て、石英枠内には弗酸等の
石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止
能を有する材料膜と、酸化硅素膜が２層に形成さ
れたメンブラン膜が貼付けられ、該メンブラン膜
にはＸ線透過阻止能を有する金等の材料膜が図形
状に形成されて成る事を特徴とする事である。
更に、本発明による前記目的を達成するための
本発明のその他の基本的な構成は、Ｘ線マスクの
製造方法に於て、石英基板表面には弗酸等の石英
材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能を
有する材料膜を少なくとも被Ｘ線露光面積と同等
かあるいはそれより少し大きな面積に形成し、該
石英基板上とエツチングに対する阻止能を有する
材料膜上には、酸化硅素膜を形成し、Ｘ線阻止能
を有する金等の図形状態は前記石英基板表面か、
あるいは前記エツチングに対する阻止能を有する
材料膜表面か、あるいは前記酸化硅素膜表面に形
成され、前記石英基板裏面から被Ｘ線露光基板と
類似形状に研削およびエツチング加工処理を施
し、石英基板表面のエツチング阻止能を有する材
料膜でエツチングを阻止させて、２層メンブラン
膜を石英枠に貼付けした形状となす事を特徴とす
る。
本発明のその他の基本的な構成は、Ｘ線マスクの
製造方法に於て、石英基板表面には弗酸等の石英
材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能を
有する材料膜を少なくとも被Ｘ線露光面積と同等
かあるいはそれより少し大きな面積に形成し、該
石英基板上とエツチングに対する阻止能を有する
材料膜上には、酸化硅素膜を形成し、Ｘ線阻止能
を有する金等の図形状態は前記石英基板表面か、
あるいは前記エツチングに対する阻止能を有する
材料膜表面か、あるいは前記酸化硅素膜表面に形
成され、前記石英基板裏面から被Ｘ線露光基板と
類似形状に研削およびエツチング加工処理を施
し、石英基板表面のエツチング阻止能を有する材
料膜でエツチングを阻止させて、２層メンブラン
膜を石英枠に貼付けした形状となす事を特徴とす
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第３図は本発明によるＸ線マスク構造の一例で
あり、２mm厚で125mm角の石英枠２１内には、石
英エツチングに対するエツチング阻止能を有する
ポリイミド膜２２が1μｍ厚で形成され、更にそ
の上に酸化硅素膜２３がスパツタリングあるいは
光CVD法、あるいはSi（OH）との塗布ガラス法
により1μｍ厚に低温で形成させ、その上にはＸ
線阻止能を有する金膜２４が図形状に0.5μｍ厚で
形成されて成る。
あり、２mm厚で125mm角の石英枠２１内には、石
英エツチングに対するエツチング阻止能を有する
ポリイミド膜２２が1μｍ厚で形成され、更にそ
の上に酸化硅素膜２３がスパツタリングあるいは
光CVD法、あるいはSi（OH）との塗布ガラス法
により1μｍ厚に低温で形成させ、その上にはＸ
線阻止能を有する金膜２４が図形状に0.5μｍ厚で
形成されて成る。
本実施例の中で、エツチング阻止能を有する膜
２４はポリイミド等の合成樹脂膜の他、窒化硅素
膜、窒化硼素膜、炭化硅素膜、シリコン膜、酸化
アルミニウム膜等でも良い。
２４はポリイミド等の合成樹脂膜の他、窒化硅素
膜、窒化硼素膜、炭化硅素膜、シリコン膜、酸化
アルミニウム膜等でも良い。
第４図は本発明によるＸ線マスクの製造方法を
示す一実施例であり、(a)２mm厚で125mm角の石英
基板３１の表面に、(b)ポリイミド膜３２をスピン
塗布で形成後、周辺ポリイミド膜をホト・エツチ
ング法等で除去し、(C)光CVD法による100℃程度
の低温で酸化硅素膜３３を基板全面に形成後、(d)
金パターン３４を通常のホト・エツチング法とメ
ツキ技術を用いて形成し、(e)基板裏面より基板中
央部のみを枠を残して、基板厚が10μｍから50μ
ｍ厚程度残る様、表面にはアピゾンワツクス等の
保護膜を付けてダイヤモンド砥粒研摩により100
mm径に研摩、研削した後、(f)石英枠３５が残る様
に基板表面及び石英枠となる外周側面及び裏面に
アピゾンワツクスの除去処理等を施して、Ｘ線マ
スクが形成される。
示す一実施例であり、(a)２mm厚で125mm角の石英
基板３１の表面に、(b)ポリイミド膜３２をスピン
塗布で形成後、周辺ポリイミド膜をホト・エツチ
ング法等で除去し、(C)光CVD法による100℃程度
の低温で酸化硅素膜３３を基板全面に形成後、(d)
金パターン３４を通常のホト・エツチング法とメ
ツキ技術を用いて形成し、(e)基板裏面より基板中
央部のみを枠を残して、基板厚が10μｍから50μ
ｍ厚程度残る様、表面にはアピゾンワツクス等の
保護膜を付けてダイヤモンド砥粒研摩により100
mm径に研摩、研削した後、(f)石英枠３５が残る様
に基板表面及び石英枠となる外周側面及び裏面に
アピゾンワツクスの除去処理等を施して、Ｘ線マ
スクが形成される。
尚、本発明によるエツチング阻止能に有する膜
としては、ポリイミド膜等の合成樹脂膜の他、シ
リコン膜、窒化硅素膜、窒化硼素膜、酸化アルミ
ニウム膜等も弗酸等の石英エツチングに対する阻
止能が大であり、これらの膜を用いることも有効
である。
としては、ポリイミド膜等の合成樹脂膜の他、シ
リコン膜、窒化硅素膜、窒化硼素膜、酸化アルミ
ニウム膜等も弗酸等の石英エツチングに対する阻
止能が大であり、これらの膜を用いることも有効
である。
更にＸ線阻止能を有する金等のパターン形成
は、第４図の(d)工程の他、(a)工程または(b)工程に
於て形成しても良い。
は、第４図の(d)工程の他、(a)工程または(b)工程に
於て形成しても良い。
この様に石英枠内に酸化硅素膜と石英エツチン
グに対するエツチング阻止能を有する膜の２層の
メンブラン膜を形成することにより、熱膨張率の
小さな、パターンずれのないＸ線マスクが容易に
製作できる効果がある。
グに対するエツチング阻止能を有する膜の２層の
メンブラン膜を形成することにより、熱膨張率の
小さな、パターンずれのないＸ線マスクが容易に
製作できる効果がある。
第１図は従来技術によるＸ線マスクの断面図、
第２は従来技術によるＸ線マスクの製造工程を示
す工程毎の断面図、第３図は本発明によるＸ線マ
スクの一実施例を示す断面図、第４図は本発明に
よるＸ線マスクの製造方法の一実施例を示す工程
毎の断面図である。 １……シリコン枠、２……シリコン・メンブラ
ン、３……金パターン、１１……シリコン基板、
１２……ボロン拡散層、１３……金パターン膜、
２１……石英枠、２２……石英エツチングに対す
る阻止能を有する膜、２３……酸化硅素膜、２４
……Ｘ線阻止能を有するパターン状膜、３１……
石英基板、３２……石英エツチングに対する阻止
能を有する膜、３３……酸化硅素膜、３４……Ｘ
線阻止能を有するパターン状膜、３５……石英
枠。
第２は従来技術によるＸ線マスクの製造工程を示
す工程毎の断面図、第３図は本発明によるＸ線マ
スクの一実施例を示す断面図、第４図は本発明に
よるＸ線マスクの製造方法の一実施例を示す工程
毎の断面図である。 １……シリコン枠、２……シリコン・メンブラ
ン、３……金パターン、１１……シリコン基板、
１２……ボロン拡散層、１３……金パターン膜、
２１……石英枠、２２……石英エツチングに対す
る阻止能を有する膜、２３……酸化硅素膜、２４
……Ｘ線阻止能を有するパターン状膜、３１……
石英基板、３２……石英エツチングに対する阻止
能を有する膜、３３……酸化硅素膜、３４……Ｘ
線阻止能を有するパターン状膜、３５……石英
枠。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 石英粋と、前記石英粋に形成された石英材料
のエツチング剤に対するエツチング阻止能を有す
る材料膜と、前記エツチング阻止能を有する材料
膜上に形成された酸化硅素膜と、前記酸化硅素膜
上に形成されたＸ線透過阻止能を有する材料膜か
らなるマスクパターンを有することを特徴とする
Ｘ線マスク。 ２ 石英基板表面に石英材料のエツチング剤に対
するエツチング阻止能を有する材料膜を形成する
工程、前記エツチング阻止能を有する材料膜上に
酸化硅素膜を形成する工程、前記石英基板を裏面
からエツチングし、前記エツチング阻止能を有す
る材料膜と前記酸化硅素膜の２層メンブラン膜を
形成することを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097984A JPS58215028A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | Ｘ線マスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097984A JPS58215028A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | Ｘ線マスクとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215028A JPS58215028A (ja) | 1983-12-14 |
| JPH0365652B2 true JPH0365652B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=14206925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097984A Granted JPS58215028A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | Ｘ線マスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215028A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3339624A1 (de) * | 1983-11-02 | 1985-05-09 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie |
| JPS639932A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Hoya Corp | Ｘ線露光用マスク |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57097984A patent/JPS58215028A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58215028A (ja) | 1983-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10223497A (ja) | 貼り合わせ基板の作製方法 | |
| KR0147976B1 (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
| JPH0466096B2 (ja) | ||
| JP2662495B2 (ja) | 接着半導体基板の製造方法 | |
| JPH0365652B2 (ja) | ||
| KR100384343B1 (ko) | 유전체 분리 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
| JP2002100596A (ja) | シリコンウェーハのエッジ部保護方法 | |
| JP2003273051A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58124660A (ja) | 液体噴射装置のマルチノズルプレ−トの製造方法 | |
| KR100327326B1 (ko) | 에스오아이웨이퍼의제조방법 | |
| JPH0555358A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09152528A (ja) | テーパ導波路及びその製造方法 | |
| JPH02237066A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR940005704B1 (ko) | 규소기판 직접 접착방법을 이용한 규소박막 제조방법 | |
| JPH0661340A (ja) | 張り合わせ半導体基板の製造方法 | |
| JPS63202034A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2764466B2 (ja) | 半導体積層基板の製造方法 | |
| JP2778114B2 (ja) | 半導体基板の製法 | |
| JPH0322686B2 (ja) | ||
| JP2943291B2 (ja) | レジストの研磨方法 | |
| JPS63276228A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04199619A (ja) | 半導体装置用ウエハの製造方法 | |
| JPH0191435A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000003844A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS6142851B2 (ja) |