JPS58215028A - Ｘ線マスクとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はｘｆｆＭマスク構造と、その製造方法に関する
。

従来、Ｘ線マスクは第１図に示すごとき０，４謔厚程度
のシリコン枠１内に１〜２μ濯程度のシリコン・メンプ
ラン膜２が形成され、該シリコン・メンプラン膜表面に
は金等のＸ線阻止能を有する図形状膜３が形成されてい
るのが通例である。

上記従来技術によるＸ線マスクは第２図に示す如き工程
によって製造される。すなわち、（ａ）　０．４問厚程
度のシリコン・ウェーハ基板１１の表面から、（ｈ）後
程シリコン・メンプラン膜となるボロン拡散膜を１〜２
μ情熱拡散により形成し、（ｃ）白金を１００大程度全
面に蒸着後、通常のホトレジスト技術によりレジストを
図形状に形成し、該図形の溝部に、下地白金膜を電極と
して、金メッキを行ない、レジスト除去と、白金膜を一
部図形状金膜の下を残して、スパッタ・エッチにより除
去し、Ｘ線阻止能を有する図形状膜１３を形成し、（ｄ
）前記基板表面及び裏面のシリコン枠とすべき部分の上
にアビシン・ワックス等を塗布した後、ＫＯＨ水溶液に
よりエツチング膜として残り、シリコン枠内にシリコン
・メンプラン膜が形成され、該シリコン・メンプラン膜
上に金パターンが形成されたＸ線マスクが製造される。

前記、従来技術によるＸ線マスクとその製造方法におい
ては、例えば１００聴径のマスクを製造した場合にシリ
コンの熱膨張率が大なるため、１℃の温度変化により、
マスクの両端で０５μ毒ののパターンずれをおこすとい
う欠点があった。

本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、熱膨張による
パターンずれのないマスクの提供と、その製造方法とを
提供することを目的とする。

上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、Ｘ
線マスクに於て、石英枠内には弗酸等の石英材料のエツ
チング剤に対するエツチング阻止能を有する利料膜と、
酸化硅素膜が２Ｒに形成されたメンプラン膜が貼付けら
れ、該メンプラン膜にはＸ線透過阻止能を有する金等の
材料膜が図形状に形成されて成る事を特徴とする事であ
る。

更に、本発明による前記目的を達成するための本発明の
その他の基本的な構成は、Ｘ線マスクの製造方法に於て
、石英基板表面には弗酸等の石英利料のエツチング剤に
対するエツチング阻止能を有する材料膜を少なくともＭ
Ｘ線露光面積と同等かあるいはそれより少し大きな面積
に形成し、該石英基板上とエツチングに対する阻止能を
有する材料膜上には、酸化硅素膜を形成し、Ｘ線阻止能
を有する金等の図形状膜は前記石英基板表面か、あるい
は前記エツチングに対する阻止能を有する材料膜表面か
、あるいは前記酸化硅素膜表面に形成され、前記石英基
板裏面から被Ｘ線露光基板と類似形状に研削およびエツ
チング加工処理を施し、石英基板表面のエツチング阻止
能を有する利料膜でエツチングを阻止させて、２層メン
プラン膜を石英枠に貼付けした形状となす事を特徴とす
る以下、実施例により本発明を詳述する。

第３図は本発明によるＸ線マスク構造の一例であり、２
調厚ｆ）′１２５叫角の石英枠２１内には１、て− 石英エツチングに対するエツチング阻止能を有するポリ
イミド膜２２が１μ濯厚で形成され、更にその上に酸化
硅素膜２３がスパッタリングあるいは光ＯＶＤ法、ある
いは５ｉ（ＯＨ）との塗布ガラス法により１μ濯厚に低
温で形成させ、その上にはＸ線阻止能を有する金膜２４
が図形状に０．５μ濯厚で形成されて成る。

本実施例の中で、エツチング阻止能を有する膜２４はポ
リイミド等の合成樹脂膜の他、窒化硅素膜、窒化硼素膜
、炭化硅素膜、シリコン膜、酸化アルミニウム膜等でも
良い。

第４図は本発明によるＸ線マスクの製造方法を示ず一実
施例であり、（α）２．厚で１２５咽角の石英基板３１
の表面に、（ｂ）ポリイミド膜３２をスピン塗布で形成
後、周辺ポリイミド膜をホト・エツチング法等で除去し
、（Ｃ）光ＯＶＤ法によｇ１００″°Ｃ程度の低温で酸
化硅素膜３３を基板全面に形成後、（ｄ）金パターン３
４を通常のホト・エツチング法とメッキ技術を用いて形
成し、（ｅ）基板裏面より基板中央部のみを枠を残して
、基板厚が１０／１ｍから５０μｍ厚程度残る様、表面
にはアビシンワックス等の保護膜を付けてダイヤモンド
砥粒研摩により１０１００ｒ径に研摩、研削した後、（
１）石英枠３５が残る様に基板表面及び石英枠となる外
周側面及び裏面にアビシンワックスを塗布し、基板裏面
を弗酸でエツチングすると、エツチング阻止能を有する
膜３２でエツチングを終了し、水洗、アビシンワックス
（７）−ドーリ−カー−２乙による除去処理等を施して
、Ｘ線マスクと成る。

尚、本発明によるエツチング阻止能を有する膜としては
、ポリイミド膜等の合成樹脂膜の他、シリコン膜、窒化
硅素膜、窒化硼素膜、酸化アルミニウム膜等も弗酸等の
石英エツチングに対する阻止能が犬であり、これらの膜
を用いることも有効である。

更にＸ線阻止能を有する金等のパターン形成は、第４図
の（ｄ）工程の他、（σ）工程または（Ａ）工程に於て
形成しても良い。

この様に石英枠内に酸化硅素膜と石英エツチングに対す
るエツチング阻止能を有する膜の２層のメンプラン膜を
形成することにより、熱膨張率の小さな、パターンずれ
のないＸ線マスクが容易に製作できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術によるＸ線マスクの断面図、第２は従
来技術によるＸ線マスクの製造工程を示す工程毎の断面
図、第３図は本発明によるＸ線マスクの一実施例を示す
断面図、第４図は本発明によるＸ線マスクの製造方法の
一実施例を示す工程毎：の断面図である。 １・・・・・・シリコン枠 ２・・・・・・シリコンｅメンプラン ３・・・・・・金パターン １１・・・シリコン基板 １２・・・ボロン拡散層 １３・・・金パターン膜 ２１・・・石英枠 ２２・・・石英エツチングに対する阻止能を有する膜 ２３・・・酸化硅素膜 ２４・・・Ｘ線阻止能を有するパターン状膜３１・・・
石英基板 ３２・・・石英エツチングに対する阻止能を有する膜 ３３・・・酸化硅素膜 ３４・・・Ｘ線阻止能を有するパターン状膜３５・・・
石英枠 第２図 （７Ｓ３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　石英枠内には弗酸等の石英材料のエツチング剤に
   対するエツチング阻止能を有する材料膜と酸化硅素膜が
   ２層に形成されたメンプラン膜が貼付けられ、該メンプ
   ラン膜にはＸ線透過阻止能を有する金等の材料膜が図形
   状に形成されて成る事を特徴とするＸ線マスク。 Ｚ　メンプラン膜をポリイミド膜等の合成樹脂膜と酸化
   硅素膜の２層構造膜となすことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載のＸ線マスク。 五　メンプラン膜を窒化硅素膜と酸化硅素膜の２層構造
   膜となすことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   Ｘ線マスク。 ４、　メンプラン膜をシリコン膜あるいは窒化硼素膜あ
   るいは炭化硅素膜あるいは酸化アルミニウム膜と酸化硅
   素膜の２層構造膜となすことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載のＸ線マスク。 ５、　石英基板表面には弗酸等の石英拐料のエツチング
   剤に対するエツチング阻止能を有する材料膜を少なくと
   も被Ｘ線露光基板面積と同等かあるいはそれより少し大
   きな面積に形成し、該石英基板上とエツチングに対する
   阻止能を有する材料膜上には酸化硅素膜を形成し、Ｘ線
   阻止能を有する金等の図形状膜は前記石英基板表面か、
   あるいは前記エツチングに対する阻止能を有する材料膜
   表面か、あるいは前記酸化硅素膜表面に形成され、前記
   石英基板裏面から被ｘｉ露光基板と類似形状に研削およ
   びエツチング加工処理を施し、石英基板表面のエツチン
   グ阻止能を有する材料膜でエツチング１を阻止させて、
   ２層メンプラン膜を石英枠に貼付けした形状となす事を
   特徴とするＸ線マスクの製造方法。 ＆　石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能
   を有する材料をポリイミド膜等の有機合成樹脂膜となす
   事を特徴とする特許請求の範囲第５項記載のＸ線マスク
   の製造方法。 ｌ　石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能
   を有する材料を窒化硅素膜となす事を特徴とする特許請
   求の範囲第５項記載のＸ線マスクの製造方法。 ａ　石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能
   を有する材料をシリコン膜あるいは窒化硼素膜あるいは
   炭化硅素膜、あるいは酸化アルミニウム膜となすことを
   特徴とする特許請求の範囲第５項記載のＸ線マスクの製
   造方法。