JPS5929420A - X線マスクの製造方法 - Google Patents

X線マスクの製造方法

Info

Publication number
JPS5929420A
JPS5929420A JP57139384A JP13938482A JPS5929420A JP S5929420 A JPS5929420 A JP S5929420A JP 57139384 A JP57139384 A JP 57139384A JP 13938482 A JP13938482 A JP 13938482A JP S5929420 A JPS5929420 A JP S5929420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
silicon oxide
oxide film
ray mask
manufacture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57139384A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP57139384A priority Critical patent/JPS5929420A/ja
Publication of JPS5929420A publication Critical patent/JPS5929420A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はX線露光用マスクの製造方法に関する。
従来、X線露光用のマスクの製造方法としては、第1図
に断面図で示した方法で製造されるのが通例であった。
すなわち、(a)シリコン基板1の表面にシリコン基板
を熱酸化して酸化シリコン膜2を形成し、該酸化シリコ
ン膜2の表面に化学蒸着法により窒化シリコン膜3を形
成し、該窒化シリコン膜3の表面に、図形状のX線阻止
能を有する金等の膜4を形成する。次で、(b)シリコ
ン基板の裏面をシリコン枠5を残してエツチング除去し
てX線マスクとなす。
上記従来技術によるX線マスクは、温度変化による図形
歪がある事、及び製法が複雑であるという欠点があった
〇 本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、湿度変化によ
る図形歪のないX線マスクを簡便に製作する方法を提供
する事を目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、X
線マスクの製造方法において、ポリイミド膜等の合成樹
脂膜またはガラス膜表面には酸化シリコン膜が形成され
、該酸化シリコン膜表面にはX線阻止能を有する図形状
の金等の膜が形成された基板膜を製作し、該基板膜の酸
化シリコン膜表面と別途製作された石英製の枠とを接着
剤により接着してX線マスクとなすことを特徴とする特
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明によるX線マスクの製造方法を工程毎の
断面図で示したものである。(σ)ポリイミド膜11の
一平面に、(b)スパッタ蒸着により酸化シリコン膜1
2を形成し、(c)該酸化シリコン膜12上に蒸着技術
およびホト・リゾグラフィー技術を用いて図形状の金膜
15を形成後、(d)酸化シリコン膜12の表面と石英
製の枠14とを51(OH)7からなる液状接着剤15
により接着・固化してX線マスクを製作する。
本発明によ・り製作されたX線マスクは枠およびメンプ
ラン膜が主として酸化シリコンで形成されていたため、
温度変化による図形歪が発生せず、且つ、製法が簡単で
あるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(α) l (b)は従来技術によるX線マスク
の製造方法を示す断面図、第2図(a) + (b) 
+ ((’) + (d)は本発明によるX線マスクの
製造方法を示す工程毎の断面図を示す。 1・゛シリコン基板  2・・・・・酸イヒシリコン膜
3・・・窒化シリコン膜 4・・・・・・全図形状膜5
・・・・・・シリコン枠 11・・・・・合成樹脂膜またはガラス膜12・・・・
酸化シリコン膜 13・・・・・・全図形状膜 14・・・・・石英枠 15・・・・・・接着剤 以  上 出願人  株式会社諏訪精工舎 代理人  弁理士 最上  務JA′ 1.−1 S

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ポリイミド等の合成樹脂膜、またはガラス膜表面には酸
    化シリコン膜が形成され、該酸化シリコン膜表面にはX
    線阻止能を有する図形状の金等の膜が形成された基板膜
    を製作し、該基板膜の酸化シリコン膜表面と別途製作さ
    れた石英製の枠とを接着剤により接着してX線マスクと
    なす事を特徴とするX線マスクの製造方法。
JP57139384A 1982-08-11 1982-08-11 X線マスクの製造方法 Pending JPS5929420A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57139384A JPS5929420A (ja) 1982-08-11 1982-08-11 X線マスクの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57139384A JPS5929420A (ja) 1982-08-11 1982-08-11 X線マスクの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5929420A true JPS5929420A (ja) 1984-02-16

Family

ID=15244053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57139384A Pending JPS5929420A (ja) 1982-08-11 1982-08-11 X線マスクの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5929420A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6135449A (ja) * 1984-07-07 1986-02-19 テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング レントゲンリトグラフイ用マスク
US6042272A (en) * 1996-01-22 2000-03-28 Nsk Ltd. Rolling bearing with a sealing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6135449A (ja) * 1984-07-07 1986-02-19 テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング レントゲンリトグラフイ用マスク
US6042272A (en) * 1996-01-22 2000-03-28 Nsk Ltd. Rolling bearing with a sealing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4454209A (en) High resolution soft x-ray or ion beam lithographic mask
JPS5929420A (ja) X線マスクの製造方法
JP2742683B2 (ja) 透過型回折格子の製造方法
JPS58207635A (ja) メンブラン・マスクの製造方法
JPS641926B2 (ja)
JPS5931026A (ja) X線マスクの製造方法
JPS595628A (ja) メンブラン・マスク
JPH01237660A (ja) フォトマスク
JPH0322686B2 (ja)
JPS60128448A (ja) フオトマスク
JPS5931027A (ja) X線マスクの製造方法
JPH0198226A (ja) X線露光用マスク
JPS58102233A (ja) フオトマスク
JPH06260397A (ja) X線露光用マスクとその製造方法
JPS5317075A (en) Production of silicon mask for x-ray exposure
JP2912692B2 (ja) X線マスクの製造方法
JPS58215028A (ja) X線マスクとその製造方法
JPS5742143A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6169133A (ja) 軟x線露光方法
JPH0737779A (ja) X線露光用マスクとそのマスクブランク
JPS62158324A (ja) X線露光用マスクの製造方法
JP3451431B2 (ja) X線露光用マスク及びその製造方法
JPS58207047A (ja) マスクの製造方法
JPS582027A (ja) X線露光用マスク
JPH01173721A (ja) 多層体形成法