JPH0198226A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
変形の少ない高精度Ｘ線露光用マスクの構造に関し。
吸収体層のストレスによる変形が少ない高精度のマスク
を得ることを目的とし。
を得ることを目的とし。
第１の外枠に張られた第１のメンブレン上の露光領域に
ＸｖＡ吸収体からなる露光パターンが形成されてなる第
１のマスクと、第２の外枠に張られた第２のメンブレン
上の露光領域以外の領域にＸ線吸収体膜が形成されてな
る第２のマスクと有し。
ＸｖＡ吸収体からなる露光パターンが形成されてなる第
１のマスクと、第２の外枠に張られた第２のメンブレン
上の露光領域以外の領域にＸ線吸収体膜が形成されてな
る第２のマスクと有し。
露光領域が一致するように両方のマスクを重畳してなる
ように構成する。
ように構成する。
本発明は変形の少ない高精度Ｘ線露光用マスクの構造に
関する。
関する。
Ｘ線露光用マスクはＸ線リソグラフィにおいて微細パタ
ーンの転写に用いられている。
ーンの転写に用いられている。
第３図（１）、 ＋２）は従来例のＸ線露光用マスクの
構造を工程順に説明する断面図である。
構造を工程順に説明する断面図である。
第３図（１）において、気相成長（ＣＶＤ）法を用いて
Ｓｉ基板１上にメンブレン２として厚さ１〜１０μｍの
窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ、）膜、硼化窒素（ＢＮ）膜、ある
いは炭化珪素（ＳｉＣ）膜を成長する。
Ｓｉ基板１上にメンブレン２として厚さ１〜１０μｍの
窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ、）膜、硼化窒素（ＢＮ）膜、ある
いは炭化珪素（ＳｉＣ）膜を成長する。
第３図（２）において、 Ｓｉ基板１の外枠部を残して
中央部をエツチング除去してＳｉ基板から形成された枠
ＩＡを形成する。
中央部をエツチング除去してＳｉ基板から形成された枠
ＩＡを形成する。
メンブレン２の表面に、Ｘ線の吸収体（Ａｕ、 Ｔａ＋
Ｈ等）からなる露光パターン（ＩＣパターン）３を形成
してマスクを作製する。
Ｈ等）からなる露光パターン（ＩＣパターン）３を形成
してマスクを作製する。
第４図は従来例のＸ線露光用マスクの平面図である。
図において、露光領域４内には露光パターン３が形成さ
れ、露光領域４の外側には２重露光、４重露光等多重露
光に対処するＸ線の吸収体からなる周辺吸収体膜５を露
光パターン３より厚く被着する。
れ、露光領域４の外側には２重露光、４重露光等多重露
光に対処するＸ線の吸収体からなる周辺吸収体膜５を露
光パターン３より厚く被着する。
また、露光領域４の外側に位置合わせマーク６を形成す
る。
る。
ここで９周辺吸収体膜５は上記の露光パターン３と同様
にＷ、 Ａｕ、 Ｔａ等を用いる。
にＷ、 Ａｕ、 Ｔａ等を用いる。
図で、鎖線で示される各日は、ステップごとの露光エリ
アで、これらの円が重なった部分が多重露光される。
アで、これらの円が重なった部分が多重露光される。
第５図は他の従来例によるＸ線露光用マスクの断面図で
ある。
ある。
この例は、第３図のＳｉ基板から形成された枠ＩＡに補
強枠７を接着したものである。
強枠７を接着したものである。
補強枠７には、ＳｉＯ□、 Ａｌ□０３． ＳｉＣ，パ
イレックスガラス等を用いる。
イレックスガラス等を用いる。
接着方法は１例えばエポキシ系接着剤を用いて加熱硬化
させる。
させる。
上記のように、ステッパ用のＸ線露光用マスクの吸収体
膜の厚さは露光領域外の周辺部分を厚くすることが必要
である。
膜の厚さは露光領域外の周辺部分を厚くすることが必要
である。
一方、露光領域内の露光パターンの部分は吸収体膜を厚
くすると、Ｘ線の斜め入射による半影の問題があるため
１重焼に見合う必要最小限の厚さにすることが望ましい
。
くすると、Ｘ線の斜め入射による半影の問題があるため
１重焼に見合う必要最小限の厚さにすることが望ましい
。
上記従来例によるｘ′ｆａ露光用マスクは以下の問題点
をもつ。
をもつ。
（１） 多重露光に対処するため、露光領域４の外側
に、膜厚の大きい周辺吸収体膜を被着しなければならな
い。その結果マスクの歪が大きくなる。
に、膜厚の大きい周辺吸収体膜を被着しなければならな
い。その結果マスクの歪が大きくなる。
吸収体膜はメツキ、あるいはスパッタにより成膜される
が、膜中のストレスをＯに制御することはできず、第６
図のような反り上がりを生ずる。
が、膜中のストレスをＯに制御することはできず、第６
図のような反り上がりを生ずる。
この反り上がり量は膜厚が増すと大きくなる。
（２）露光領域４の外側の膜厚を大きくするために。
第７図に示されるように前もって露光領域４の大きさの
窓の開いた周辺吸収体膜５Ａを被着したブランクスを用
意し、この上全面に露光パターン形成用の吸収体膜３を
被着した後露光パターンを形成している１）。
窓の開いた周辺吸収体膜５Ａを被着したブランクスを用
意し、この上全面に露光パターン形成用の吸収体膜３を
被着した後露光パターンを形成している１）。
１） Ａ、Ｒ，Ｓｈｔｍｕｋｎｕｓ。
Ｍａｓｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ Ｘ−ｒａｙ
５ｔｅｐ ａｎｄ Ｒｅ、ｐｅａｔＳｙｓｔｅｍ。
５ｔｅｐ ａｎｄ Ｒｅ、ｐｅａｔＳｙｓｔｅｍ。
ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧ ＯＦ ５ＰＩＥ、 Ｖｏｌ、６
３２（１９８０）ｐ１０６〜１１７゜従って、 ＩＣ
のチップサイズ、即ち露光領域４の寸法に応じて窓の大
きさの異なるブランクスを用意しなければならないとい
う欠点があった。
３２（１９８０）ｐ１０６〜１１７゜従って、 ＩＣ
のチップサイズ、即ち露光領域４の寸法に応じて窓の大
きさの異なるブランクスを用意しなければならないとい
う欠点があった。
さらに２周辺部の膜厚は厚くなり、また前もって作られ
た周辺吸収体膜５Ａのストレスが、吸収体膜３の加工プ
ロセスに含まれる熱処理により増加する。
た周辺吸収体膜５Ａのストレスが、吸収体膜３の加工プ
ロセスに含まれる熱処理により増加する。
上記問題点の解決は、第１の外枠に張られた第１のメン
ブレン上の露光領域にＸ線吸収体からなる露光パターン
が形成されてなる第１のマスクと。
ブレン上の露光領域にＸ線吸収体からなる露光パターン
が形成されてなる第１のマスクと。
第２の外枠に張られた第２のメンブレン上の露光領域以
外の領域にＸ線吸収体膜が形成されてなる第２のマスク
と有し、露光領域が重なるように両方のマスクを重畳し
てなることを特徴とするＸ線露光用マスク。
外の領域にＸ線吸収体膜が形成されてなる第２のマスク
と有し、露光領域が重なるように両方のマスクを重畳し
てなることを特徴とするＸ線露光用マスク。
〔作用〕
本発明は、外枠に固定されたメンブレンに露光領域を窓
開けした周辺吸収体膜を形成したマスクと、露光パター
ンとその周囲を均一な厚さの吸収体膜で形成したマスク
とを重畳したマスクにより。
開けした周辺吸収体膜を形成したマスクと、露光パター
ンとその周囲を均一な厚さの吸収体膜で形成したマスク
とを重畳したマスクにより。
マスクの反りを防止し、工程を容易にするものである。
第１図は本発明の詳細な説明するＸ線露光用マスクの断
面図である。
面図である。
図において、第１のマスクを構成するＩＩＡは第１の外
枠でＳｉ基板で形成された枠、１２は第１のメンブレン
、１３は露光パターンと位置合わせパターンａおよび周
辺吸収体膜を形成する厚さ０．５〜２．０μｍのＡｕ層
、ａは位置合わせパターン、１７は補強枠である。
枠でＳｉ基板で形成された枠、１２は第１のメンブレン
、１３は露光パターンと位置合わせパターンａおよび周
辺吸収体膜を形成する厚さ０．５〜２．０μｍのＡｕ層
、ａは位置合わせパターン、１７は補強枠である。
この場合、露光パターンもその周囲の周辺吸収体膜も同
じ０．５〜２．０μｍ厚のＡｕ層で形成されている点が
従来例と異なり、歪は最小限に抑えられる。
じ０．５〜２．０μｍ厚のＡｕ層で形成されている点が
従来例と異なり、歪は最小限に抑えられる。
第２のマスクを構成する２１は第２の外枠、２２は第２
のメンブレン、２３は露光領域外の周辺吸収体膜と位置
合わせｂパターンを形成する厚さ０．５〜２，０．ｕｍ
のＡｕ層、ｂは位置合わせパターンである。
のメンブレン、２３は露光領域外の周辺吸収体膜と位置
合わせｂパターンを形成する厚さ０．５〜２，０．ｕｍ
のＡｕ層、ｂは位置合わせパターンである。
両方のマスクは位置合わせパターンａ、 ｂを合わせて
、第１の外枠１１Ａに接着された補強枠１７と第２の外
枠２１とが固定されている。
、第１の外枠１１Ａに接着された補強枠１７と第２の外
枠２１とが固定されている。
次に、第２のマスクの構造を製造工程順に説明する。
第２図（１）〜（５）は本発明の実施例に用いた第２の
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図であ
る。
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図であ
る。
第２図（１１において、第２の外枠２１上に第２のメン
ブレン２２として厚さ５〜２０μｍのポリイミド膜。
ブレン２２として厚さ５〜２０μｍのポリイミド膜。
またはマイラー膜を張力を加えた状態で接着する。
第２図（２）において、第２のメンブレン２２上にスパ
ッタにより厚さ１００〜３００ 人のＴａ層２４．厚さ
１００人のＡｕ層２５を被着する。
ッタにより厚さ１００〜３００ 人のＴａ層２４．厚さ
１００人のＡｕ層２５を被着する。
次に、スピンコードにより厚さ０．５〜２μｍのポリイ
ミド層？６．厚さ３００〜１０００人のＳｉ０２層２７
゜フォトレジスト２８を順次被着する。
ミド層？６．厚さ３００〜１０００人のＳｉ０２層２７
゜フォトレジスト２８を順次被着する。
次に、フォトレジスト２８に周辺吸収体膜形成用の露光
領域を開口した窓パターンと位置合わせパターンｂを焼
き付け、現像を行う。
領域を開口した窓パターンと位置合わせパターンｂを焼
き付け、現像を行う。
形成されたレジストパターンをマスクにして。
Ｓｉ０２層２７とポリイミド層２６のりアクティブイオ
ンエツチング（ＲＩＢ）を行い、 Ａｕ層２５を露出さ
せる。
ンエツチング（ＲＩＢ）を行い、 Ａｕ層２５を露出さ
せる。
ＳｉｎｇのＲＩＢは、エツチングガスとしてＣＦ４ ＋
ＣＰＨ３を用い、これを１０ ｍＴｏｒｒに減圧し９
周波数１３．５６ ＭＨｚの電力を基板光たり１００−
印加して行う。
ＣＰＨ３を用い、これを１０ ｍＴｏｒｒに減圧し９
周波数１３．５６ ＭＨｚの電力を基板光たり１００−
印加して行う。
ポリイミドのＲＩＢは、エツチングガスとしてＯｔを用
い、これをｌＱ ｍＴｏｒｒに減圧し９周波数１３．５
６ ＭＥｌｚの電力を基板光たり１０〇−印加して行う
。
い、これをｌＱ ｍＴｏｒｒに減圧し９周波数１３．５
６ ＭＥｌｚの電力を基板光たり１０〇−印加して行う
。
レジストパターンを除去して、第２図（３）の状態とな
る。
る。
第２図（４）において、 ＴａＦｉｉ２４およびＡｕ層
２５を電極としてメツキを行い厚さ０．５〜２．０μｍ
のＡｕ層２３を形成する。
２５を電極としてメツキを行い厚さ０．５〜２．０μｍ
のＡｕ層２３を形成する。
次に、 ＲＩＥにより、残っているＳｉ０２層２７とポ
リイミド層２６を除去し、 Ａｒのスパッタエツチング
によりＡｕ層を１００人エツチングし、 ＣＣ１ａを用
いたＲＩＨにより露出したＴａ層２４をエツチングして
、第２図（５）の状態となる。
リイミド層２６を除去し、 Ａｒのスパッタエツチング
によりＡｕ層を１００人エツチングし、 ＣＣ１ａを用
いたＲＩＨにより露出したＴａ層２４をエツチングして
、第２図（５）の状態となる。
以上により、第２のマスクが形成される。
この例では、第２のマスクのメンブレンは樹脂膜を用い
たが、これの代わりに第１のマスクと同様にＢＮ等を用
いてもよい。
たが、これの代わりに第１のマスクと同様にＢＮ等を用
いてもよい。
以上詳細に説明したように本発明によれば、メンブレン
上の吸収体層の厚さを一様に、かつ薄く形成できるため
、吸収体層のストレスによるマスクの変形が少ない。従
って高精度の露光が可能となる。
上の吸収体層の厚さを一様に、かつ薄く形成できるため
、吸収体層のストレスによるマスクの変形が少ない。従
って高精度の露光が可能となる。
さらに、従来例のように各チップサイズのブランクスを
必要としないで工程が容易になり９歩留が向上する。
必要としないで工程が容易になり９歩留が向上する。
第１図は本発明の詳細な説明するＸ線露光用マスクの断
面図。 第２図（１１〜（５）は本発明の実施例に用いた第２の
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図。 第３図（１１，（２１は従来例のＸ線露光用マスクの構
造を工程順に説明する断面図。 第４図は従来例のＸ線露光用マスクの平面図。 第５図は他の従来例によるＸ線露光用マスクの断面図。 第６図はマスクの反り上がりを示す断面図。 第７図は厚い周辺吸収体膜を説明する断面図である。 図において。 １はＳｉ基板。 ２はメンブレン。 ３は露光パターン（ＩＣパターン）。 ４は露光部分。 ５は周辺吸収体膜。 ６は位置合わせマーク。 ７は補強枠。 １１Ａは第１の外枠 １２は第１のメンブレン。 １３は露光パターンと位置合わせパターンおよび・ 周
辺吸収体膜を形成するＡｕ層。 １７は補強枠。 ２１は第２の外枠。 ２２は第２のメンブレン。 ２３は周辺吸収体膜と位置合わせパターンを形成するＡ
ｕ層。 ｂは位置合わせパターン。 ２４はＴａ層。 ２５はＡｕ層。 ２６はポリイミド層。 ２７はＳｉＯ２層。 ２８はフォトレジスト 麦施例の酢動図 ＄ １ 図 第 ５１客１ マンζりＣリ ス乏 １ノ」＝１ノ 単６ 図 厚い即吸収イネの脱明打面図′ 単７ 図
面図。 第２図（１１〜（５）は本発明の実施例に用いた第２の
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図。 第３図（１１，（２１は従来例のＸ線露光用マスクの構
造を工程順に説明する断面図。 第４図は従来例のＸ線露光用マスクの平面図。 第５図は他の従来例によるＸ線露光用マスクの断面図。 第６図はマスクの反り上がりを示す断面図。 第７図は厚い周辺吸収体膜を説明する断面図である。 図において。 １はＳｉ基板。 ２はメンブレン。 ３は露光パターン（ＩＣパターン）。 ４は露光部分。 ５は周辺吸収体膜。 ６は位置合わせマーク。 ７は補強枠。 １１Ａは第１の外枠 １２は第１のメンブレン。 １３は露光パターンと位置合わせパターンおよび・ 周
辺吸収体膜を形成するＡｕ層。 １７は補強枠。 ２１は第２の外枠。 ２２は第２のメンブレン。 ２３は周辺吸収体膜と位置合わせパターンを形成するＡ
ｕ層。 ｂは位置合わせパターン。 ２４はＴａ層。 ２５はＡｕ層。 ２６はポリイミド層。 ２７はＳｉＯ２層。 ２８はフォトレジスト 麦施例の酢動図 ＄ １ 図 第 ５１客１ マンζりＣリ ス乏 １ノ」＝１ノ 単６ 図 厚い即吸収イネの脱明打面図′ 単７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の外枠に張られた第１のメンブレン上の露光領域
にＸ線吸収体からなる露光パターンが形成されてなる第
１のマスクと、 第２の外枠に張られた第２のメンブレン上の露光領域以
外の領域にＸ線吸収体膜が形成されてなる第２のマスク
と有し、 露光領域が一致するように両方のマスクを重畳してなる
ことを特徴とするＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256795A JPH0198226A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256795A JPH0198226A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198226A true JPH0198226A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17297549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256795A Pending JPH0198226A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0198226A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU768222B2 (en) * | 1997-11-27 | 2003-12-04 | Aim Lab Automation Technologies Pty Ltd | A sample distribution apparatus/system |
| WO2004023534A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Sony Corporation | アライメント方法、アライメント基板、アライメント基板の製造方法、露光方法、露光装置およびマスクの製造方法 |
| JPWO2010050518A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JPWO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256795A patent/JPH0198226A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU768222B2 (en) * | 1997-11-27 | 2003-12-04 | Aim Lab Automation Technologies Pty Ltd | A sample distribution apparatus/system |
| WO2004023534A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Sony Corporation | アライメント方法、アライメント基板、アライメント基板の製造方法、露光方法、露光装置およびマスクの製造方法 |
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| JPWO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP5348140B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-11-20 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP5348141B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-11-20 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
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