JPH0198226A - X線露光用マスク - Google Patents
X線露光用マスクInfo
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- JPH0198226A JPH0198226A JP62256795A JP25679587A JPH0198226A JP H0198226 A JPH0198226 A JP H0198226A JP 62256795 A JP62256795 A JP 62256795A JP 25679587 A JP25679587 A JP 25679587A JP H0198226 A JPH0198226 A JP H0198226A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
変形の少ない高精度X線露光用マスクの構造に関し。
吸収体層のストレスによる変形が少ない高精度のマスク
を得ることを目的とし。
を得ることを目的とし。
第1の外枠に張られた第1のメンブレン上の露光領域に
XvA吸収体からなる露光パターンが形成されてなる第
1のマスクと、第2の外枠に張られた第2のメンブレン
上の露光領域以外の領域にX線吸収体膜が形成されてな
る第2のマスクと有し。
XvA吸収体からなる露光パターンが形成されてなる第
1のマスクと、第2の外枠に張られた第2のメンブレン
上の露光領域以外の領域にX線吸収体膜が形成されてな
る第2のマスクと有し。
露光領域が一致するように両方のマスクを重畳してなる
ように構成する。
ように構成する。
本発明は変形の少ない高精度X線露光用マスクの構造に
関する。
関する。
X線露光用マスクはX線リソグラフィにおいて微細パタ
ーンの転写に用いられている。
ーンの転写に用いられている。
第3図(1)、 +2)は従来例のX線露光用マスクの
構造を工程順に説明する断面図である。
構造を工程順に説明する断面図である。
第3図(1)において、気相成長(CVD)法を用いて
Si基板1上にメンブレン2として厚さ1〜10μmの
窒化珪素(Si3N、)膜、硼化窒素(BN)膜、ある
いは炭化珪素(SiC)膜を成長する。
Si基板1上にメンブレン2として厚さ1〜10μmの
窒化珪素(Si3N、)膜、硼化窒素(BN)膜、ある
いは炭化珪素(SiC)膜を成長する。
第3図(2)において、 Si基板1の外枠部を残して
中央部をエツチング除去してSi基板から形成された枠
IAを形成する。
中央部をエツチング除去してSi基板から形成された枠
IAを形成する。
メンブレン2の表面に、X線の吸収体(Au、 Ta+
H等)からなる露光パターン(ICパターン)3を形成
してマスクを作製する。
H等)からなる露光パターン(ICパターン)3を形成
してマスクを作製する。
第4図は従来例のX線露光用マスクの平面図である。
図において、露光領域4内には露光パターン3が形成さ
れ、露光領域4の外側には2重露光、4重露光等多重露
光に対処するX線の吸収体からなる周辺吸収体膜5を露
光パターン3より厚く被着する。
れ、露光領域4の外側には2重露光、4重露光等多重露
光に対処するX線の吸収体からなる周辺吸収体膜5を露
光パターン3より厚く被着する。
また、露光領域4の外側に位置合わせマーク6を形成す
る。
る。
ここで9周辺吸収体膜5は上記の露光パターン3と同様
にW、 Au、 Ta等を用いる。
にW、 Au、 Ta等を用いる。
図で、鎖線で示される各日は、ステップごとの露光エリ
アで、これらの円が重なった部分が多重露光される。
アで、これらの円が重なった部分が多重露光される。
第5図は他の従来例によるX線露光用マスクの断面図で
ある。
ある。
この例は、第3図のSi基板から形成された枠IAに補
強枠7を接着したものである。
強枠7を接着したものである。
補強枠7には、SiO□、 Al□03. SiC,パ
イレックスガラス等を用いる。
イレックスガラス等を用いる。
接着方法は1例えばエポキシ系接着剤を用いて加熱硬化
させる。
させる。
上記のように、ステッパ用のX線露光用マスクの吸収体
膜の厚さは露光領域外の周辺部分を厚くすることが必要
である。
膜の厚さは露光領域外の周辺部分を厚くすることが必要
である。
一方、露光領域内の露光パターンの部分は吸収体膜を厚
くすると、X線の斜め入射による半影の問題があるため
1重焼に見合う必要最小限の厚さにすることが望ましい
。
くすると、X線の斜め入射による半影の問題があるため
1重焼に見合う必要最小限の厚さにすることが望ましい
。
上記従来例によるx′fa露光用マスクは以下の問題点
をもつ。
をもつ。
(1) 多重露光に対処するため、露光領域4の外側
に、膜厚の大きい周辺吸収体膜を被着しなければならな
い。その結果マスクの歪が大きくなる。
に、膜厚の大きい周辺吸収体膜を被着しなければならな
い。その結果マスクの歪が大きくなる。
吸収体膜はメツキ、あるいはスパッタにより成膜される
が、膜中のストレスをOに制御することはできず、第6
図のような反り上がりを生ずる。
が、膜中のストレスをOに制御することはできず、第6
図のような反り上がりを生ずる。
この反り上がり量は膜厚が増すと大きくなる。
(2)露光領域4の外側の膜厚を大きくするために。
第7図に示されるように前もって露光領域4の大きさの
窓の開いた周辺吸収体膜5Aを被着したブランクスを用
意し、この上全面に露光パターン形成用の吸収体膜3を
被着した後露光パターンを形成している1)。
窓の開いた周辺吸収体膜5Aを被着したブランクスを用
意し、この上全面に露光パターン形成用の吸収体膜3を
被着した後露光パターンを形成している1)。
1) A、R,Shtmuknus。
Mask Technology for X−ray
5tep and Re、peatSystem。
5tep and Re、peatSystem。
PROCEEDING OF 5PIE、 Vol、6
32(1980)p106〜117゜従って、 IC
のチップサイズ、即ち露光領域4の寸法に応じて窓の大
きさの異なるブランクスを用意しなければならないとい
う欠点があった。
32(1980)p106〜117゜従って、 IC
のチップサイズ、即ち露光領域4の寸法に応じて窓の大
きさの異なるブランクスを用意しなければならないとい
う欠点があった。
さらに2周辺部の膜厚は厚くなり、また前もって作られ
た周辺吸収体膜5Aのストレスが、吸収体膜3の加工プ
ロセスに含まれる熱処理により増加する。
た周辺吸収体膜5Aのストレスが、吸収体膜3の加工プ
ロセスに含まれる熱処理により増加する。
上記問題点の解決は、第1の外枠に張られた第1のメン
ブレン上の露光領域にX線吸収体からなる露光パターン
が形成されてなる第1のマスクと。
ブレン上の露光領域にX線吸収体からなる露光パターン
が形成されてなる第1のマスクと。
第2の外枠に張られた第2のメンブレン上の露光領域以
外の領域にX線吸収体膜が形成されてなる第2のマスク
と有し、露光領域が重なるように両方のマスクを重畳し
てなることを特徴とするX線露光用マスク。
外の領域にX線吸収体膜が形成されてなる第2のマスク
と有し、露光領域が重なるように両方のマスクを重畳し
てなることを特徴とするX線露光用マスク。
〔作用〕
本発明は、外枠に固定されたメンブレンに露光領域を窓
開けした周辺吸収体膜を形成したマスクと、露光パター
ンとその周囲を均一な厚さの吸収体膜で形成したマスク
とを重畳したマスクにより。
開けした周辺吸収体膜を形成したマスクと、露光パター
ンとその周囲を均一な厚さの吸収体膜で形成したマスク
とを重畳したマスクにより。
マスクの反りを防止し、工程を容易にするものである。
第1図は本発明の詳細な説明するX線露光用マスクの断
面図である。
面図である。
図において、第1のマスクを構成するIIAは第1の外
枠でSi基板で形成された枠、12は第1のメンブレン
、13は露光パターンと位置合わせパターンaおよび周
辺吸収体膜を形成する厚さ0.5〜2.0μmのAu層
、aは位置合わせパターン、17は補強枠である。
枠でSi基板で形成された枠、12は第1のメンブレン
、13は露光パターンと位置合わせパターンaおよび周
辺吸収体膜を形成する厚さ0.5〜2.0μmのAu層
、aは位置合わせパターン、17は補強枠である。
この場合、露光パターンもその周囲の周辺吸収体膜も同
じ0.5〜2.0μm厚のAu層で形成されている点が
従来例と異なり、歪は最小限に抑えられる。
じ0.5〜2.0μm厚のAu層で形成されている点が
従来例と異なり、歪は最小限に抑えられる。
第2のマスクを構成する21は第2の外枠、22は第2
のメンブレン、23は露光領域外の周辺吸収体膜と位置
合わせbパターンを形成する厚さ0.5〜2,0.um
のAu層、bは位置合わせパターンである。
のメンブレン、23は露光領域外の周辺吸収体膜と位置
合わせbパターンを形成する厚さ0.5〜2,0.um
のAu層、bは位置合わせパターンである。
両方のマスクは位置合わせパターンa、 bを合わせて
、第1の外枠11Aに接着された補強枠17と第2の外
枠21とが固定されている。
、第1の外枠11Aに接着された補強枠17と第2の外
枠21とが固定されている。
次に、第2のマスクの構造を製造工程順に説明する。
第2図(1)〜(5)は本発明の実施例に用いた第2の
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図であ
る。
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図であ
る。
第2図(11において、第2の外枠21上に第2のメン
ブレン22として厚さ5〜20μmのポリイミド膜。
ブレン22として厚さ5〜20μmのポリイミド膜。
またはマイラー膜を張力を加えた状態で接着する。
第2図(2)において、第2のメンブレン22上にスパ
ッタにより厚さ100〜300 人のTa層24.厚さ
100人のAu層25を被着する。
ッタにより厚さ100〜300 人のTa層24.厚さ
100人のAu層25を被着する。
次に、スピンコードにより厚さ0.5〜2μmのポリイ
ミド層?6.厚さ300〜1000人のSi02層27
゜フォトレジスト28を順次被着する。
ミド層?6.厚さ300〜1000人のSi02層27
゜フォトレジスト28を順次被着する。
次に、フォトレジスト28に周辺吸収体膜形成用の露光
領域を開口した窓パターンと位置合わせパターンbを焼
き付け、現像を行う。
領域を開口した窓パターンと位置合わせパターンbを焼
き付け、現像を行う。
形成されたレジストパターンをマスクにして。
Si02層27とポリイミド層26のりアクティブイオ
ンエツチング(RIB)を行い、 Au層25を露出さ
せる。
ンエツチング(RIB)を行い、 Au層25を露出さ
せる。
SingのRIBは、エツチングガスとしてCF4 +
CPH3を用い、これを10 mTorrに減圧し9
周波数13.56 MHzの電力を基板光たり100−
印加して行う。
CPH3を用い、これを10 mTorrに減圧し9
周波数13.56 MHzの電力を基板光たり100−
印加して行う。
ポリイミドのRIBは、エツチングガスとしてOtを用
い、これをlQ mTorrに減圧し9周波数13.5
6 MElzの電力を基板光たり10〇−印加して行う
。
い、これをlQ mTorrに減圧し9周波数13.5
6 MElzの電力を基板光たり10〇−印加して行う
。
レジストパターンを除去して、第2図(3)の状態とな
る。
る。
第2図(4)において、 TaFii24およびAu層
25を電極としてメツキを行い厚さ0.5〜2.0μm
のAu層23を形成する。
25を電極としてメツキを行い厚さ0.5〜2.0μm
のAu層23を形成する。
次に、 RIEにより、残っているSi02層27とポ
リイミド層26を除去し、 Arのスパッタエツチング
によりAu層を100人エツチングし、 CC1aを用
いたRIHにより露出したTa層24をエツチングして
、第2図(5)の状態となる。
リイミド層26を除去し、 Arのスパッタエツチング
によりAu層を100人エツチングし、 CC1aを用
いたRIHにより露出したTa層24をエツチングして
、第2図(5)の状態となる。
以上により、第2のマスクが形成される。
この例では、第2のマスクのメンブレンは樹脂膜を用い
たが、これの代わりに第1のマスクと同様にBN等を用
いてもよい。
たが、これの代わりに第1のマスクと同様にBN等を用
いてもよい。
以上詳細に説明したように本発明によれば、メンブレン
上の吸収体層の厚さを一様に、かつ薄く形成できるため
、吸収体層のストレスによるマスクの変形が少ない。従
って高精度の露光が可能となる。
上の吸収体層の厚さを一様に、かつ薄く形成できるため
、吸収体層のストレスによるマスクの変形が少ない。従
って高精度の露光が可能となる。
さらに、従来例のように各チップサイズのブランクスを
必要としないで工程が容易になり9歩留が向上する。
必要としないで工程が容易になり9歩留が向上する。
第1図は本発明の詳細な説明するX線露光用マスクの断
面図。 第2図(11〜(5)は本発明の実施例に用いた第2の
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図。 第3図(11,(21は従来例のX線露光用マスクの構
造を工程順に説明する断面図。 第4図は従来例のX線露光用マスクの平面図。 第5図は他の従来例によるX線露光用マスクの断面図。 第6図はマスクの反り上がりを示す断面図。 第7図は厚い周辺吸収体膜を説明する断面図である。 図において。 1はSi基板。 2はメンブレン。 3は露光パターン(ICパターン)。 4は露光部分。 5は周辺吸収体膜。 6は位置合わせマーク。 7は補強枠。 11Aは第1の外枠 12は第1のメンブレン。 13は露光パターンと位置合わせパターンおよび・ 周
辺吸収体膜を形成するAu層。 17は補強枠。 21は第2の外枠。 22は第2のメンブレン。 23は周辺吸収体膜と位置合わせパターンを形成するA
u層。 bは位置合わせパターン。 24はTa層。 25はAu層。 26はポリイミド層。 27はSiO2層。 28はフォトレジスト 麦施例の酢動図 $ 1 図 第 51客1 マンζりCリ ス乏 1ノ」=1ノ 単6 図 厚い即吸収イネの脱明打面図′ 単7 図
面図。 第2図(11〜(5)は本発明の実施例に用いた第2の
マスクの構造の一例を製造工程順に説明する断面図。 第3図(11,(21は従来例のX線露光用マスクの構
造を工程順に説明する断面図。 第4図は従来例のX線露光用マスクの平面図。 第5図は他の従来例によるX線露光用マスクの断面図。 第6図はマスクの反り上がりを示す断面図。 第7図は厚い周辺吸収体膜を説明する断面図である。 図において。 1はSi基板。 2はメンブレン。 3は露光パターン(ICパターン)。 4は露光部分。 5は周辺吸収体膜。 6は位置合わせマーク。 7は補強枠。 11Aは第1の外枠 12は第1のメンブレン。 13は露光パターンと位置合わせパターンおよび・ 周
辺吸収体膜を形成するAu層。 17は補強枠。 21は第2の外枠。 22は第2のメンブレン。 23は周辺吸収体膜と位置合わせパターンを形成するA
u層。 bは位置合わせパターン。 24はTa層。 25はAu層。 26はポリイミド層。 27はSiO2層。 28はフォトレジスト 麦施例の酢動図 $ 1 図 第 51客1 マンζりCリ ス乏 1ノ」=1ノ 単6 図 厚い即吸収イネの脱明打面図′ 単7 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1の外枠に張られた第1のメンブレン上の露光領域
にX線吸収体からなる露光パターンが形成されてなる第
1のマスクと、 第2の外枠に張られた第2のメンブレン上の露光領域以
外の領域にX線吸収体膜が形成されてなる第2のマスク
と有し、 露光領域が一致するように両方のマスクを重畳してなる
ことを特徴とするX線露光用マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62256795A JPH0198226A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | X線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62256795A JPH0198226A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | X線露光用マスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0198226A true JPH0198226A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17297549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62256795A Pending JPH0198226A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | X線露光用マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0198226A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU768222B2 (en) * | 1997-11-27 | 2003-12-04 | Aim Lab Automation Technologies Pty Ltd | A sample distribution apparatus/system |
WO2004023534A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Sony Corporation | アライメント方法、アライメント基板、アライメント基板の製造方法、露光方法、露光装置およびマスクの製造方法 |
JPWO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JPWO2010050518A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256795A patent/JPH0198226A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU768222B2 (en) * | 1997-11-27 | 2003-12-04 | Aim Lab Automation Technologies Pty Ltd | A sample distribution apparatus/system |
WO2004023534A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Sony Corporation | アライメント方法、アライメント基板、アライメント基板の製造方法、露光方法、露光装置およびマスクの製造方法 |
JPWO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JPWO2010050518A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5348140B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-11-20 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5348141B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-11-20 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
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