JP2961690B2 - X線マスク及びその製造方法 - Google Patents
X線マスク及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに関し、特
に酸化物を利用して吸収体を形成するX線マスクの構造
及びその製造方法に関する。
に酸化物を利用して吸収体を形成するX線マスクの構造
及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在用いられている半導体産業の主導技
術である光学露光技術は、技術的、経済的にその限界に
到達している。そのため、これに対する代用技術とし
て、近年X線リソグラフィ技術に大きな関心が寄せられ
ている。このX線リソグラフィ工程に必要ないろいろの
因子の中でX線マスクの開発が最も重要な因子である。
術である光学露光技術は、技術的、経済的にその限界に
到達している。そのため、これに対する代用技術とし
て、近年X線リソグラフィ技術に大きな関心が寄せられ
ている。このX線リソグラフィ工程に必要ないろいろの
因子の中でX線マスクの開発が最も重要な因子である。
【0003】以下、従来の技術のX線マスクを添付図面
に基づき説明する。図1は従来のサブトラクティブ(sub
tractive)方法に従うX線マスクの製造工程を示す工程
断面図であり、図2は従来のアディティブ(additive)方
法に従うX線マスクの製造工程を示す工程断面図であ
る。まず、従来のサブトラクティブ方法は、吸収体を形
成した後、レジスタ上に電子線リソグラフィ技術を用い
てX線マスクを製造する方法である。以下これを説明す
る。図1aに示すように、シリコン基板10上にシリコ
ンカーバイド(SiC)、シリコン窒化物(SiN)、
又はダイヤモンドのような材質の薄いメンブレン11を
形成し、シリコン基板10の下側にエッチングマスク膜
12を堆積した後にパターニングして一定の領域のシリ
コン基板10を露出させる。次いで、エッチングマスク
膜12をマスクに用いて露出されたシリコン基板10を
KOHのようなシリコンエッチング溶液で異方性エッチ
ングする。そして、メンブレン11上にスパッタリング
等の薄膜堆積技術を利用してX線吸収体13を形成す
る。このX線吸収体13は、X線吸収率が高い、タング
ステン(W)、タンタル(Ta)、タングステンチタニ
ウム(W/Ti)などで形成する。
に基づき説明する。図1は従来のサブトラクティブ(sub
tractive)方法に従うX線マスクの製造工程を示す工程
断面図であり、図2は従来のアディティブ(additive)方
法に従うX線マスクの製造工程を示す工程断面図であ
る。まず、従来のサブトラクティブ方法は、吸収体を形
成した後、レジスタ上に電子線リソグラフィ技術を用い
てX線マスクを製造する方法である。以下これを説明す
る。図1aに示すように、シリコン基板10上にシリコ
ンカーバイド(SiC)、シリコン窒化物(SiN)、
又はダイヤモンドのような材質の薄いメンブレン11を
形成し、シリコン基板10の下側にエッチングマスク膜
12を堆積した後にパターニングして一定の領域のシリ
コン基板10を露出させる。次いで、エッチングマスク
膜12をマスクに用いて露出されたシリコン基板10を
KOHのようなシリコンエッチング溶液で異方性エッチ
ングする。そして、メンブレン11上にスパッタリング
等の薄膜堆積技術を利用してX線吸収体13を形成す
る。このX線吸収体13は、X線吸収率が高い、タング
ステン(W)、タンタル(Ta)、タングステンチタニ
ウム(W/Ti)などで形成する。
【0004】次いで、図1bに示すように、X線吸収体
13上にハードマスク14を堆積した後、レジスタ15
を塗布する。そして、電子線リソグラフィ技術を利用し
て所定の形態にレジスタ15をパターニングしてハード
マスク14を露出させる。次いで、図1cに示すよう
に、所定の形態にパターニングされたレジスタ15をマ
スクにする乾式エッチング方法で、露出されたハードマ
スク14をエッチング除去して吸収体13を露出させ
る。そして、図1dに示すように、ハードマスク14を
マスクにして露出された吸収体13をエッチング除去し
てX線リソグラフィ用マスクの制作を完了する。
13上にハードマスク14を堆積した後、レジスタ15
を塗布する。そして、電子線リソグラフィ技術を利用し
て所定の形態にレジスタ15をパターニングしてハード
マスク14を露出させる。次いで、図1cに示すよう
に、所定の形態にパターニングされたレジスタ15をマ
スクにする乾式エッチング方法で、露出されたハードマ
スク14をエッチング除去して吸収体13を露出させ
る。そして、図1dに示すように、ハードマスク14を
マスクにして露出された吸収体13をエッチング除去し
てX線リソグラフィ用マスクの制作を完了する。
【0005】一方、従来のアディティブ方法は、あらか
じめ形成されているレジスタ上に吸収体を選択的にめっ
きしてX線マスクを製造する方法であり、これを説明す
ると、以下の通りである。図2aに示すように、シリコ
ン基板20上にシリコンカーバイド(SiC)、シリコ
ン窒化物(SiN)、又はダイヤモンドのような材質の
薄いメンブレン21を形成し、シリコン基板20の下側
にエッチングマスク膜22を堆積した後にパターニング
して一定の領域のシリコン基板20を露出させる。次い
で、エッチングマスク膜22をマスクに用いて露出され
たシリコン基板20を異方性エッチングする。そして、
メンブレン21上に金/クロム(Au/Cr)のようなシ
ード金属層23を形成する。
じめ形成されているレジスタ上に吸収体を選択的にめっ
きしてX線マスクを製造する方法であり、これを説明す
ると、以下の通りである。図2aに示すように、シリコ
ン基板20上にシリコンカーバイド(SiC)、シリコ
ン窒化物(SiN)、又はダイヤモンドのような材質の
薄いメンブレン21を形成し、シリコン基板20の下側
にエッチングマスク膜22を堆積した後にパターニング
して一定の領域のシリコン基板20を露出させる。次い
で、エッチングマスク膜22をマスクに用いて露出され
たシリコン基板20を異方性エッチングする。そして、
メンブレン21上に金/クロム(Au/Cr)のようなシ
ード金属層23を形成する。
【0006】次いで、図2bに示すように、シード金属
層23上にレジスタ24を塗布した後、電子線リソグラ
フィ技術を利用して所定の形態にレジスタ24をパター
ニングする。そして、図2cに示すように、所定の形態
にパターニングされたレジスタ24上に金めっきを施し
て、金からなる吸収体25を形成することにより、X線
マスクの制作を完了する。
層23上にレジスタ24を塗布した後、電子線リソグラ
フィ技術を利用して所定の形態にレジスタ24をパター
ニングする。そして、図2cに示すように、所定の形態
にパターニングされたレジスタ24上に金めっきを施し
て、金からなる吸収体25を形成することにより、X線
マスクの制作を完了する。
【0007】従来の技術のX線マスクの製造方法におい
ては、以下の問題点があった。第1に、従来のサブトラ
クティブ方法によるX線マスクの製造方法は、電子線で
レジスタをパターニングするとき、金属である吸収体に
よる電子の後方散乱が発生するため、微細パターンの場
合にレジスタを所望の形状に正確に形成しにくい。又、
電子線用のレジスタのエッチング率が吸収体のエッチン
グ率より高いため、吸収体の乾式エッチング時にレジス
タが吸収体よりも先にエッチングされるという問題があ
り、それを防止するために吸収体とレジスタとの間にハ
ードマスクを形成する工程が追加されるという問題があ
る。第2に、従来のアディティブ方法によるX線マスク
の製造方法は、めっきで形成された吸収体は、微細構造
が緻密でなく、密度が低いため、吸収体に入射したX線
により変形されるという問題がある。又、メンブレン上
に形成されるシード金属はX線の透過率を低下させるた
め、吸収体の形成後に、吸収体が形成されなかった部分
のシード金属を除去する工程が伴うという問題もある。
ては、以下の問題点があった。第1に、従来のサブトラ
クティブ方法によるX線マスクの製造方法は、電子線で
レジスタをパターニングするとき、金属である吸収体に
よる電子の後方散乱が発生するため、微細パターンの場
合にレジスタを所望の形状に正確に形成しにくい。又、
電子線用のレジスタのエッチング率が吸収体のエッチン
グ率より高いため、吸収体の乾式エッチング時にレジス
タが吸収体よりも先にエッチングされるという問題があ
り、それを防止するために吸収体とレジスタとの間にハ
ードマスクを形成する工程が追加されるという問題があ
る。第2に、従来のアディティブ方法によるX線マスク
の製造方法は、めっきで形成された吸収体は、微細構造
が緻密でなく、密度が低いため、吸収体に入射したX線
により変形されるという問題がある。又、メンブレン上
に形成されるシード金属はX線の透過率を低下させるた
め、吸収体の形成後に、吸収体が形成されなかった部分
のシード金属を除去する工程が伴うという問題もある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたもので、X線吸収体パター
ンの正確性と信頼性とを高めるためのX線マスク及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
点を解決するためになされたもので、X線吸収体パター
ンの正確性と信頼性とを高めるためのX線マスク及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のX線マスクは、
メンブレンと、メンブレン上に形成される酸化膜と、酸
化膜上に形成される吸収体パターンと、吸収体パターン
の形成されたメンブレン領域が露出されるようにメンブ
レンの下側に形成される基板とを備えることを特徴とす
る。
メンブレンと、メンブレン上に形成される酸化膜と、酸
化膜上に形成される吸収体パターンと、吸収体パターン
の形成されたメンブレン領域が露出されるようにメンブ
レンの下側に形成される基板とを備えることを特徴とす
る。
【0010】本発明のX線マスクの製造方法は、基板上
にメンブレンを形成する段階と、メンブレン上に第1酸
化膜及び第2酸化膜を順次に形成する段階と、基板の下
側の所定の領域をエッチングしてメンブレンを露出させ
る段階と、第2酸化膜をパターニングして露出されたメ
ンブレン領域の上部に第2酸化膜パターンを形成する段
階と、第2酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段
階と、第2酸化膜パターンが露出されるように吸収体を
エッチングする段階と、前記露出された第2酸化膜パタ
ーンを除去して第1酸化膜上に吸収体パターンを形成す
る段階と、を備えることを特徴とする。
にメンブレンを形成する段階と、メンブレン上に第1酸
化膜及び第2酸化膜を順次に形成する段階と、基板の下
側の所定の領域をエッチングしてメンブレンを露出させ
る段階と、第2酸化膜をパターニングして露出されたメ
ンブレン領域の上部に第2酸化膜パターンを形成する段
階と、第2酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段
階と、第2酸化膜パターンが露出されるように吸収体を
エッチングする段階と、前記露出された第2酸化膜パタ
ーンを除去して第1酸化膜上に吸収体パターンを形成す
る段階と、を備えることを特徴とする。
【0011】本発明のX線マスクの製造方法の他の特徴
は、基板上にメンブレンを形成する段階と、メンブレン
上に酸化膜を形成する段階と、基板の下側の所定の領域
をエッチングしてメンブレンを露出させる段階と、酸化
膜をパターニングして露出されたメンブレン領域上に酸
化膜パターンを形成する段階と、酸化膜パターンの全面
に吸収体を形成する段階と、酸化膜パターンの表面が露
出されるように吸収体をエッチングする段階と、露出さ
れた酸化膜パターンを除去してメンブレン上に吸収体パ
ターンを形成する段階と、を備えることにある。
は、基板上にメンブレンを形成する段階と、メンブレン
上に酸化膜を形成する段階と、基板の下側の所定の領域
をエッチングしてメンブレンを露出させる段階と、酸化
膜をパターニングして露出されたメンブレン領域上に酸
化膜パターンを形成する段階と、酸化膜パターンの全面
に吸収体を形成する段階と、酸化膜パターンの表面が露
出されるように吸収体をエッチングする段階と、露出さ
れた酸化膜パターンを除去してメンブレン上に吸収体パ
ターンを形成する段階と、を備えることにある。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明のX線リソグラフィ
用のマスク及びその製造方法を添付図面に基づき詳細に
説明する。図3、4は、本発明の第1実施形態のX線マ
スクの製造工程を示す工程断面図であり、図4は、本発
明の第2実施形態のX線リソグラフィ用のマスクの構造
断面図であり、図5a〜図5fは、本発明の第2実施形
態のX線マスクの製造工程を示す工程断面図である。ま
ず、図3aに示すように、減圧CVD設備のような薄膜
装置を利用してシリコン基板30上にメンブレン31を
形成し、シリコン基板30の下面にエッチングマスク膜
32を形成する。そして、エッチングマスク膜32をパ
ターニングして一定の領域のシリコン基板30を露出さ
せる。この際、メンブレン31は、シリコン窒化物、シ
リコンカーバイド、又はダイヤモンドなどの薄膜のいず
れかで形成する。又、エッチングマスク膜32は、シリ
コン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用する。$
用のマスク及びその製造方法を添付図面に基づき詳細に
説明する。図3、4は、本発明の第1実施形態のX線マ
スクの製造工程を示す工程断面図であり、図4は、本発
明の第2実施形態のX線リソグラフィ用のマスクの構造
断面図であり、図5a〜図5fは、本発明の第2実施形
態のX線マスクの製造工程を示す工程断面図である。ま
ず、図3aに示すように、減圧CVD設備のような薄膜
装置を利用してシリコン基板30上にメンブレン31を
形成し、シリコン基板30の下面にエッチングマスク膜
32を形成する。そして、エッチングマスク膜32をパ
ターニングして一定の領域のシリコン基板30を露出さ
せる。この際、メンブレン31は、シリコン窒化物、シ
リコンカーバイド、又はダイヤモンドなどの薄膜のいず
れかで形成する。又、エッチングマスク膜32は、シリ
コン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用する。$
【0013】次いで、図3bに示すように、メンブレン
31上に酸化シリコン(SiO2 )、SOG、又はIT
O(Indium Tin Oxide)等を用いた酸化物層33を形成す
る。そして、エッチングマスク膜32上に支持台34を
接合し、エッチングマスク膜32をマスクにしてKOH
のようなシリコン異方性エッチング溶液を使用して露出
されたシリコン基板30を異方性エッチングする。この
際、後工程の吸収体パターンの形成に先立ってエッチン
グマスク膜32に支持台34を取り付ける理由は、シリ
コン基板30と支持台34との接合及び裏面エッチング
に起因するボンディングストレスが発生して吸収体パタ
ーンの変位が生じることを防止するためである。
31上に酸化シリコン(SiO2 )、SOG、又はIT
O(Indium Tin Oxide)等を用いた酸化物層33を形成す
る。そして、エッチングマスク膜32上に支持台34を
接合し、エッチングマスク膜32をマスクにしてKOH
のようなシリコン異方性エッチング溶液を使用して露出
されたシリコン基板30を異方性エッチングする。この
際、後工程の吸収体パターンの形成に先立ってエッチン
グマスク膜32に支持台34を取り付ける理由は、シリ
コン基板30と支持台34との接合及び裏面エッチング
に起因するボンディングストレスが発生して吸収体パタ
ーンの変位が生じることを防止するためである。
【0014】次いで、図3cに示すように、酸化物層3
3上にレジスタ35を堆積した後、電子線でレジスタ3
5を所定の形態にパターニングする。そして、図4dに
示すように、レジスタ35をマスクにして乾式エッチン
グ方法を用いて酸化物層33をエッチングし、残余のレ
ジスタ35を除去することにより、吸収体形成のための
酸化物層パターン33’を形成する。次いで、図4eに
示すように、酸化物層パターン33’上にスパッタリン
グのような薄膜堆積装備を用いてX線吸収率の高い物質
を堆積して吸収体36を形成する。この吸収体36は、
タングステン(W)、タンタル(Ta)、タングステン
チタニウム(W/Ti)、又はこれらを2つ以上組み合
わせて作った合金からなる。
3上にレジスタ35を堆積した後、電子線でレジスタ3
5を所定の形態にパターニングする。そして、図4dに
示すように、レジスタ35をマスクにして乾式エッチン
グ方法を用いて酸化物層33をエッチングし、残余のレ
ジスタ35を除去することにより、吸収体形成のための
酸化物層パターン33’を形成する。次いで、図4eに
示すように、酸化物層パターン33’上にスパッタリン
グのような薄膜堆積装備を用いてX線吸収率の高い物質
を堆積して吸収体36を形成する。この吸収体36は、
タングステン(W)、タンタル(Ta)、タングステン
チタニウム(W/Ti)、又はこれらを2つ以上組み合
わせて作った合金からなる。
【0015】そして、図4fに示すように、酸化物層パ
ターン33’が露出されるように吸収体36を一定の深
さに除去し、BOE(Buffered Oxide Etchant)のような
酸化物エッチング溶液で酸化物層パターン33’をエッ
チング除去して酸化物層パターン33’間に吸収体36
が残るようにすることにより、X線マスクの制作を完了
する。
ターン33’が露出されるように吸収体36を一定の深
さに除去し、BOE(Buffered Oxide Etchant)のような
酸化物エッチング溶液で酸化物層パターン33’をエッ
チング除去して酸化物層パターン33’間に吸収体36
が残るようにすることにより、X線マスクの制作を完了
する。
【0016】以下、本発明の第2実施形態のX線マスク
の構造及びその製造方法を説明する。図5に示すよう
に、本発明の第2実施形態のX線マスクの構造は、底面
にトレンチを有する基板40と、基板40の底面に形成
されるエッチングマスク膜42と、エッチングマスク膜
42に接合される支持台45と、基板40上に形成され
るメンブレン41と、メンブレン41上に形成される酸
化物層43と、酸化物層43上に所定のパターンに形成
される吸収体47とで構成される。この酸化物層43
は、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム
(MgO)、又はITO(Indium Tin Oxide)のうちいず
れか1つで形成される。
の構造及びその製造方法を説明する。図5に示すよう
に、本発明の第2実施形態のX線マスクの構造は、底面
にトレンチを有する基板40と、基板40の底面に形成
されるエッチングマスク膜42と、エッチングマスク膜
42に接合される支持台45と、基板40上に形成され
るメンブレン41と、メンブレン41上に形成される酸
化物層43と、酸化物層43上に所定のパターンに形成
される吸収体47とで構成される。この酸化物層43
は、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム
(MgO)、又はITO(Indium Tin Oxide)のうちいず
れか1つで形成される。
【0017】次に、この構成の本発明の第2実施形態の
X線マスクの製造方法を詳細に説明する。まず、図6a
に示すように、減圧CVD装備のような薄膜装置を用い
てシリコン基板40上にメンブレン41を形成する。そ
して、メンブレン41の形成されたシリコン基板40の
下部にエッチングマスク膜42を堆積し、湿式エッチン
グ用窓を形成する。メンブレン41は、シリコン窒化
物、シリコンカーバイド、又はダイヤモンド薄膜のうち
いずれか1つで形成する。又、エッチングマスク膜42
は、シリコン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用す
る。
X線マスクの製造方法を詳細に説明する。まず、図6a
に示すように、減圧CVD装備のような薄膜装置を用い
てシリコン基板40上にメンブレン41を形成する。そ
して、メンブレン41の形成されたシリコン基板40の
下部にエッチングマスク膜42を堆積し、湿式エッチン
グ用窓を形成する。メンブレン41は、シリコン窒化
物、シリコンカーバイド、又はダイヤモンド薄膜のうち
いずれか1つで形成する。又、エッチングマスク膜42
は、シリコン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用す
る。
【0018】次いで、図6bに示すように、メンブレン
41上に酸化アルミニウム(Al2O3 )膜、酸化マグ
ネシウム(MgO)膜、又はITO膜を使用した第1酸
化物層43を形成した後、その上に第2酸化物層44を
形成する。この第2酸化物層43は、BOEみたいな酸
化物エッチング溶液に対して第1酸化物層43よりもエ
ッチング選択比が高い物質である酸化シリコン又はPS
Gなどを利用して形成する。そして、エッチングマスク
膜42に支持台45を接合し、エッチングマスク膜42
をマスクにしてKOHのようなシリコン異方性エッチン
グ溶液を使用して露出されたシリコン基板40を異方性
エッチングする。このとき、後工程の吸収体パターンの
形成に先立ってエッチングマスク膜42に支持台45を
取り付けるのは、シリコン基板30と支持台34との接
合及び裏面エッチングに起因するボンディングストレス
が発生して吸収体パターンの変位が生じることを防止す
るためである。
41上に酸化アルミニウム(Al2O3 )膜、酸化マグ
ネシウム(MgO)膜、又はITO膜を使用した第1酸
化物層43を形成した後、その上に第2酸化物層44を
形成する。この第2酸化物層43は、BOEみたいな酸
化物エッチング溶液に対して第1酸化物層43よりもエ
ッチング選択比が高い物質である酸化シリコン又はPS
Gなどを利用して形成する。そして、エッチングマスク
膜42に支持台45を接合し、エッチングマスク膜42
をマスクにしてKOHのようなシリコン異方性エッチン
グ溶液を使用して露出されたシリコン基板40を異方性
エッチングする。このとき、後工程の吸収体パターンの
形成に先立ってエッチングマスク膜42に支持台45を
取り付けるのは、シリコン基板30と支持台34との接
合及び裏面エッチングに起因するボンディングストレス
が発生して吸収体パターンの変位が生じることを防止す
るためである。
【0019】次いで、図6cに示すように、第2酸化物
層44上にレジスタ46を堆積した後、電子線でレジス
タ46を所定の形態にパターニングする。そして、図7
dに示すように、レジスタ46をマスクにして乾式エッ
チング方法を利用して第2酸化物層44を所定のパター
ンに形成した後、レジスタ46を除去することにより、
吸収体の形成のための第2酸化物層パターン44’を形
成する。
層44上にレジスタ46を堆積した後、電子線でレジス
タ46を所定の形態にパターニングする。そして、図7
dに示すように、レジスタ46をマスクにして乾式エッ
チング方法を利用して第2酸化物層44を所定のパター
ンに形成した後、レジスタ46を除去することにより、
吸収体の形成のための第2酸化物層パターン44’を形
成する。
【0020】次いで、図7eに示すように、スパッタリ
ングなどの薄膜装置を利用して第2酸化物層パターン4
4’上にX線吸収率の高い物質を堆積して吸収体47を
形成する。この吸収体47は、タングステン、タンタ
ル、タングステンチタニウム、又はこれらを2つ以上組
み合わせた合金からなる。そして、図7fに示すよう
に、吸収体47を一定の深さに除去して第2酸化物層パ
ターン44’を露出させ、露出された第2酸化物層パタ
ーン44’を除去する。次いで、BOE等の酸化物エッ
チング溶液で第2酸化物層パターン44’をエッチング
して除去して、第2酸化物層パターン44’があった間
に吸収体47が残るようにすることにより、X線マスク
の制作を完了する。
ングなどの薄膜装置を利用して第2酸化物層パターン4
4’上にX線吸収率の高い物質を堆積して吸収体47を
形成する。この吸収体47は、タングステン、タンタ
ル、タングステンチタニウム、又はこれらを2つ以上組
み合わせた合金からなる。そして、図7fに示すよう
に、吸収体47を一定の深さに除去して第2酸化物層パ
ターン44’を露出させ、露出された第2酸化物層パタ
ーン44’を除去する。次いで、BOE等の酸化物エッ
チング溶液で第2酸化物層パターン44’をエッチング
して除去して、第2酸化物層パターン44’があった間
に吸収体47が残るようにすることにより、X線マスク
の制作を完了する。
【0021】
【発明の効果】本発明のX線マスク及びその製造方法
は、酸化物層を利用してパターンを形成した後に吸収体
を形成するので、電子線を用いたパターンの形成時に、
電子の後方反射が少ないため、パターンの正確度を大き
く向上させ、マスクの製造の再現性を高め得る効果があ
る。更に、本発明の第2実施形態に従うX線マスク及び
その製造方法は、メンブレン上に第1酸化物層が塗布さ
れ、表面を滑らかにするため、無反射塗布効果(光の散
乱及び反射を防いでやる効果)によりメンブレンの光透
過度を向上させることができる効果がある。又、BOE
等の酸化物エッチング溶液に対してエッチング選択比が
第1酸化物層よりも高い第2酸化物層を利用するため、
第2酸化物層のエッチング工程時、過エッチングにより
メンブレンがエッチングされて発生する機械的な特性の
劣化を防止して、安定したマスクを製造することができ
る。
は、酸化物層を利用してパターンを形成した後に吸収体
を形成するので、電子線を用いたパターンの形成時に、
電子の後方反射が少ないため、パターンの正確度を大き
く向上させ、マスクの製造の再現性を高め得る効果があ
る。更に、本発明の第2実施形態に従うX線マスク及び
その製造方法は、メンブレン上に第1酸化物層が塗布さ
れ、表面を滑らかにするため、無反射塗布効果(光の散
乱及び反射を防いでやる効果)によりメンブレンの光透
過度を向上させることができる効果がある。又、BOE
等の酸化物エッチング溶液に対してエッチング選択比が
第1酸化物層よりも高い第2酸化物層を利用するため、
第2酸化物層のエッチング工程時、過エッチングにより
メンブレンがエッチングされて発生する機械的な特性の
劣化を防止して、安定したマスクを製造することができ
る。
【図1】 従来のサブトラクティブ方法に従うX線マス
クの製造工程を示す工程断面図、
クの製造工程を示す工程断面図、
【図2】 従来のアディティブ方法に従うX線マスクの
製造工程を示す工程断面図、
製造工程を示す工程断面図、
【図3】 本発明の第1実施形態のX線マスクの製造工
程を示す工程断面図、
程を示す工程断面図、
【図4】 本発明の第1実施形態のX線マスクの製造工
程を示す工程断面図、
程を示す工程断面図、
【図5】 本発明の第2実施形態のX線マスクの構造断
面図、
面図、
【図6】 本発明の第2実施形態のX線マスクの製造工
程を示す工程断面図。
程を示す工程断面図。
【図7】 本発明の第2実施形態のX線マスクの製造工
程を示す工程断面図。
程を示す工程断面図。
30 基板、31 メンブレン、32 エッチングマス
ク膜、33 酸化物層、35 レジスタ、36 吸収
体。
ク膜、33 酸化物層、35 レジスタ、36 吸収
体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨン・サム・ジョン 大韓民国・キョンギ−ド・アンヤン− シ・マンアン−ク・アンヤン2−ドン・ (番地なし)・ダイウ アパートメント 102ー506 (72)発明者 チル・ギュン・バク 大韓民国・キョンギ−ド・アンヤン− シ・マンアン−ク・アンヤン7−ドン・ 132−5 (56)参考文献 特開 昭62−22433(JP,A) 特開 昭62−291029(JP,A) 特開 昭63−17525(JP,A) 特開 平1−162331(JP,A) 特開 平2−177419(JP,A) 特開 平2−234415(JP,A) 特開 平5−129191(JP,A) 特開 平5−217862(JP,A) 特開 平7−130630(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03F 1/00 - 1/16 H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上にメンブレンを形成する段階と、 前記メンブレン上に第1酸化膜及び第2酸化膜を順次に
形成する段階と、 前記基板の下側の所定の領域をエッチングしてメンブレ
ンを露出させる段階と、 前記第2酸化膜をパターニングして露出されたメンブレ
ン領域の上部に第2酸化膜パターンを形成する段階と、 前記第2酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段階
と、 前記第2酸化膜パターンの表面が露出されるように前記
吸収体をエッチングする段階と、 前記露出された第2酸化膜パターンを除去して第1酸化
膜上に吸収体パターンを形成する段階と、を備えること
を特徴とするX線マスクの製造方法。 - 【請求項2】 前記第2酸化膜は、前記第1酸化膜より
もエッチング選択比が高いことを特徴とする請求項1に
記載のX線マスクの製造方法。 - 【請求項3】 基板上にメンブレンを形成する段階と、 前記メンブレン上に酸化膜を形成する段階と、 前記基板の下側の所定の領域をエッチングして前記メン
ブレンを露出させる段階と、 前記酸化膜をパターニングして前記露出されたメンブレ
ン領域上に酸化膜パターンを形成する段階と、 前記酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段階と、 前記酸化膜パターンの表面が露出されるように前記吸収
体をエッチングする段階と、 前記露出された酸化膜パターンを除去して前記メンブレ
ン上に吸収体パターンを形成する段階と、を備えること
を特徴とするX線マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR37538/1996 | 1996-08-31 | ||
KR1019960037538A KR19980017722A (ko) | 1996-08-31 | 1996-08-31 | 엑스(x)-선 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1092741A JPH1092741A (ja) | 1998-04-10 |
JP2961690B2 true JP2961690B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=19472282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19719397A Expired - Fee Related JP2961690B2 (ja) | 1996-08-31 | 1997-07-23 | X線マスク及びその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2961690B2 (ja) |
KR (1) | KR19980017722A (ja) |
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US6417605B1 (en) * | 1994-09-16 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method of preventing junction leakage in field emission devices |
KR20000020468A (ko) * | 1998-09-21 | 2000-04-15 | 김영환 | 스텐실 마스크 |
JP2002093684A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | X線露光装置、x線露光方法、半導体製造装置および微細構造体 |
US6859330B2 (en) * | 2003-06-04 | 2005-02-22 | Intel Corporation | Micromachined pellicle splitters and tunable laser modules incorporating same |
EP1641390A4 (en) * | 2003-06-26 | 2008-06-04 | Given Imaging Ltd | PROCESS, DEVICE AND SYSTEM FOR IN VIVO DETECTION |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5350680A (en) * | 1976-10-19 | 1978-05-09 | Nec Corp | Transfer mask for x-ray exposure and its production |
US4515876A (en) * | 1982-07-17 | 1985-05-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | X-Ray lithography mask and method for fabricating the same |
-
1996
- 1996-08-31 KR KR1019960037538A patent/KR19980017722A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-06-07 TW TW086107918A patent/TW348229B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-07-23 JP JP19719397A patent/JP2961690B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-29 US US08/919,812 patent/US5970114A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW348229B (en) | 1998-12-21 |
US5970114A (en) | 1999-10-19 |
JPH1092741A (ja) | 1998-04-10 |
KR19980017722A (ko) | 1998-06-05 |
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