JPH05243125A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
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- JPH05243125A JPH05243125A JP4440492A JP4440492A JPH05243125A JP H05243125 A JPH05243125 A JP H05243125A JP 4440492 A JP4440492 A JP 4440492A JP 4440492 A JP4440492 A JP 4440492A JP H05243125 A JPH05243125 A JP H05243125A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細なＸ線吸収体パターンの形成を容易にす
る。 【構成】 Ｘ線透過膜であるＳｉＮ膜２にＸ線吸収体パ
ターンを反転した開口パターンを形成することによっ
て、ＥＢ露光時に近接効果が小さいため微細な開口パタ
ーン３が形成でき、この開口３にＷ膜４を埋め込むこと
によって、Ｘ線を吸収するのに十分な厚さを有し、かつ
微細なＷパターンを有するＸ線マスクを製造することが
できる。
る。 【構成】 Ｘ線透過膜であるＳｉＮ膜２にＸ線吸収体パ
ターンを反転した開口パターンを形成することによっ
て、ＥＢ露光時に近接効果が小さいため微細な開口パタ
ーン３が形成でき、この開口３にＷ膜４を埋め込むこと
によって、Ｘ線を吸収するのに十分な厚さを有し、かつ
微細なＷパターンを有するＸ線マスクを製造することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おけるＸ線露光方法に用いるＸ線マスク及びその製造方
法に関するものである。
おけるＸ線露光方法に用いるＸ線マスク及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置、特に大規模集積回路
（ＬＳＩ）の高密度化、高速化にともない、素子の微細
化が要求されている。ＬＳＩの製造工程においては写真
蝕刻工程で使われる光の波長が短いほど微細な素子が形
成できるため、波長が１ｎｍ前後の軟Ｘ線（以下単にＸ
線と呼ぶ）を光源とするＸ線露光が次世代の露光方法と
して有望視されている。
（ＬＳＩ）の高密度化、高速化にともない、素子の微細
化が要求されている。ＬＳＩの製造工程においては写真
蝕刻工程で使われる光の波長が短いほど微細な素子が形
成できるため、波長が１ｎｍ前後の軟Ｘ線（以下単にＸ
線と呼ぶ）を光源とするＸ線露光が次世代の露光方法と
して有望視されている。
【０００３】このＸ線露光においては，Ｘ線が通過する
際に生じる減衰をできるだけ小さくするために、軽元素
物質よりなる薄いＸ線透過膜と、このＸ線透過膜上に形
成されたＸ線を吸収する重金属薄膜よりなるＸ線吸収体
の転写パターン（以下「吸収体パターン」という）とか
ら構成されている。
際に生じる減衰をできるだけ小さくするために、軽元素
物質よりなる薄いＸ線透過膜と、このＸ線透過膜上に形
成されたＸ線を吸収する重金属薄膜よりなるＸ線吸収体
の転写パターン（以下「吸収体パターン」という）とか
ら構成されている。
【０００４】以下図面を参照しながら、上記した従来の
Ｘ線マスクについて説明する。図３において、１は支持
枠であるＳｉ基板、２はＸ線透過膜（メンブレン膜）で
あるＳｉＮ膜、４はＸ線吸収体であるＷパターンであ
る。
Ｘ線マスクについて説明する。図３において、１は支持
枠であるＳｉ基板、２はＸ線透過膜（メンブレン膜）で
あるＳｉＮ膜、４はＸ線吸収体であるＷパターンであ
る。
【０００５】Ｘ線マスクはＳｉ基板１表面に形成したＸ
線透過膜である膜厚が２μｍのＳｉＮ膜２上に、Ｘ線吸
収体である膜厚が０．７μｍのＷにより、転写するＬＳ
Ｉパターン４が形成され、露光領域はＸ線を透過させる
ためにＳｉ基板１がエッチングされている。
線透過膜である膜厚が２μｍのＳｉＮ膜２上に、Ｘ線吸
収体である膜厚が０．７μｍのＷにより、転写するＬＳ
Ｉパターン４が形成され、露光領域はＸ線を透過させる
ためにＳｉ基板１がエッチングされている。
【０００６】なお、メンブレン膜としてＳｉ膜、ＳｉＣ
膜あるいはダイヤモンド薄膜等が用いられることがあ
り、またＸ線吸収体としてＡｕやＴａ等の他の重金属薄
膜が用いられることもある。
膜あるいはダイヤモンド薄膜等が用いられることがあ
り、またＸ線吸収体としてＡｕやＴａ等の他の重金属薄
膜が用いられることもある。
【０００７】Ｘ線を光源とするＸ線露光においては、Ｘ
線を集光できるレンズや反射率の高い反射鏡がないため
縮小投影露光を行うことが困難である。従って、Ｘ線露
光では近接露光が行なわれ、それに用いるＸ線マスクに
は半導体基板に転写するのと同一寸法の微細パターンが
形成される。
線を集光できるレンズや反射率の高い反射鏡がないため
縮小投影露光を行うことが困難である。従って、Ｘ線露
光では近接露光が行なわれ、それに用いるＸ線マスクに
は半導体基板に転写するのと同一寸法の微細パターンが
形成される。
【０００８】またこのようなＸ線マスクの製造方法を図
３にもとづいて説明する。Ｓｉ基板に厚さ２μｍのＳｉ
Ｎ膜２を形成した後（図３ａ）、スパッタ法により厚さ
０．７μｍのＷ膜を形成した後、電子ビーム露光法と反
応性ドライエッチングにより、Ｗ膜によるＬＳＩパター
ン４を形成する（図３ｂ）。その後、Ｘ線を透過させる
露光領域のＳｉ基板１を裏面よりエッチングする（図３
ｃ）。
３にもとづいて説明する。Ｓｉ基板に厚さ２μｍのＳｉ
Ｎ膜２を形成した後（図３ａ）、スパッタ法により厚さ
０．７μｍのＷ膜を形成した後、電子ビーム露光法と反
応性ドライエッチングにより、Ｗ膜によるＬＳＩパター
ン４を形成する（図３ｂ）。その後、Ｘ線を透過させる
露光領域のＳｉ基板１を裏面よりエッチングする（図３
ｃ）。
【０００９】また光源であるＸ線は波長が短いために薄
膜を透過しやすく、ＬＳＩパターンを形成するＷ膜の厚
さを十分大きくする必要がある。例えばＷ膜を透過する
Ｘ線の強度をＷ膜の無い部分を透過するＸ線の強度の１
０分の１以下にするためには、厚さを０．８μｍ以上に
する必要がある。
膜を透過しやすく、ＬＳＩパターンを形成するＷ膜の厚
さを十分大きくする必要がある。例えばＷ膜を透過する
Ｘ線の強度をＷ膜の無い部分を透過するＸ線の強度の１
０分の１以下にするためには、厚さを０．８μｍ以上に
する必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線露光において使用
するＸ線マスクでは、Ｘ線を吸収するためにＷやＴａ等
の重金属薄膜によりＬＳＩ等のパターンが形成される。
このＸ線は薄膜を透過しやすいため、吸収体であるＷ等
の重金属薄膜よりなるＸ線吸収体を透過するＸ線の強度
を、Ｘ線吸収体のない透過部を透過するＸ線の１０分の
１以下にするためには、Ｘ線吸収体の厚さを例えば０．
８μｍ以上にする必要がある。そのため微細な、例えば
０．１５μｍ幅のＸ線吸収体パターンを形成する際に
は、パターン幅に対する厚さの比（アスペクト比）が５
以上にもなり、パターン形成後の洗浄時等に剥離しやす
い。
するＸ線マスクでは、Ｘ線を吸収するためにＷやＴａ等
の重金属薄膜によりＬＳＩ等のパターンが形成される。
このＸ線は薄膜を透過しやすいため、吸収体であるＷ等
の重金属薄膜よりなるＸ線吸収体を透過するＸ線の強度
を、Ｘ線吸収体のない透過部を透過するＸ線の１０分の
１以下にするためには、Ｘ線吸収体の厚さを例えば０．
８μｍ以上にする必要がある。そのため微細な、例えば
０．１５μｍ幅のＸ線吸収体パターンを形成する際に
は、パターン幅に対する厚さの比（アスペクト比）が５
以上にもなり、パターン形成後の洗浄時等に剥離しやす
い。
【００１１】また微細なパターンを形成するには通常電
子線による描画法（ＥＢ露光法）が用いられるが、重金
属膜上に形成レジストに電子線でパターンを描画すると
きには、Ｘ線が照射されたときに発生する後方散乱電子
による近接効果のために、微細なパターンを形成するの
が困難である。
子線による描画法（ＥＢ露光法）が用いられるが、重金
属膜上に形成レジストに電子線でパターンを描画すると
きには、Ｘ線が照射されたときに発生する後方散乱電子
による近接効果のために、微細なパターンを形成するの
が困難である。
【００１２】さらに上記ＥＢ露光法で形成した微細な寸
法のレジストをマスクにして重金属薄膜をエッチングす
る際には、側面からのエッチングが生じるため、またエ
ッチング速度が局所的なレジストパターン密度に依存す
るため、レジストパターンに忠実な微細なパターンを形
成するのは困難である。
法のレジストをマスクにして重金属薄膜をエッチングす
る際には、側面からのエッチングが生じるため、またエ
ッチング速度が局所的なレジストパターン密度に依存す
るため、レジストパターンに忠実な微細なパターンを形
成するのは困難である。
【００１３】これらの理由により、Ｗ等の厚い重金属薄
膜による、例えば０．１５μｍの吸収体パターンを有す
るＸ線マスクを形成するのは非常に困難である。
膜による、例えば０．１５μｍの吸収体パターンを有す
るＸ線マスクを形成するのは非常に困難である。
【００１４】本発明は上記問題点に鑑み、重金属薄膜に
よる微細なＸ線吸収体パターンを有するＸ線マスク、お
よびその製造方法を提供するものである。
よる微細なＸ線吸収体パターンを有するＸ線マスク、お
よびその製造方法を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のＸ線マスクは、微細な重金属薄膜よりなる
Ｘ線吸収体パターンがＸ線透過膜に埋め込まれて支持さ
れていることを特徴とする。また本発明のＸ線マスクの
製造方法は、半導体基板に形成した厚さがほぼＸ線吸収
体の厚さに等しいＸ線透過膜のＸ線吸収体パターン形成
領域に開口を設けた後、この開口に重金属薄膜を形成
し、再度必要な厚さのＸ線透過膜を形成することを特徴
とする。
めに本発明のＸ線マスクは、微細な重金属薄膜よりなる
Ｘ線吸収体パターンがＸ線透過膜に埋め込まれて支持さ
れていることを特徴とする。また本発明のＸ線マスクの
製造方法は、半導体基板に形成した厚さがほぼＸ線吸収
体の厚さに等しいＸ線透過膜のＸ線吸収体パターン形成
領域に開口を設けた後、この開口に重金属薄膜を形成
し、再度必要な厚さのＸ線透過膜を形成することを特徴
とする。
【００１６】
【作用】本発明のＸ線マスクは、Ｘ線吸収体パターンの
アスペクト比が大きくても、Ｘ線透過膜に埋め込まれて
いるために、パターン形成後の洗浄工程でも剥離するこ
とが無い。
アスペクト比が大きくても、Ｘ線透過膜に埋め込まれて
いるために、パターン形成後の洗浄工程でも剥離するこ
とが無い。
【００１７】さらに本発明の製造方法によると、ＥＢ露
光法で形成するのは重金属薄膜によるＸ線吸収体ではな
く、軽元素からなるＸ線透過膜であるので、ＥＢ露光中
の後方散乱電子の発生による近接効果がほとんど無く、
比較的容易に微細なパターンを形成することができる。
光法で形成するのは重金属薄膜によるＸ線吸収体ではな
く、軽元素からなるＸ線透過膜であるので、ＥＢ露光中
の後方散乱電子の発生による近接効果がほとんど無く、
比較的容易に微細なパターンを形成することができる。
【００１８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照しながら説
明する。
明する。
【００１９】図１はＸ線マスクの部分工程断面構造図で
あり、１は支持枠であるＳｉ基板、２、５はＳｉＮ膜、
３はＳｉＮ膜に形成した開口、４はＷ膜である。
あり、１は支持枠であるＳｉ基板、２、５はＳｉＮ膜、
３はＳｉＮ膜に形成した開口、４はＷ膜である。
【００２０】Ｓｉ基板１の表面に厚さ０．８μｍのＳｉ
Ｎ膜２をＣＶＤ法で形成する（図１ａ）。続いてＳｉＮ
膜２上にレジスト膜を形成し、ＥＢ露光法を用いてＸ線
吸収体で形成したいパターンの開口、すなわちＸ線吸収
体パターンを反転したレジストパターンを形成する（図
１ｂ）。
Ｎ膜２をＣＶＤ法で形成する（図１ａ）。続いてＳｉＮ
膜２上にレジスト膜を形成し、ＥＢ露光法を用いてＸ線
吸収体で形成したいパターンの開口、すなわちＸ線吸収
体パターンを反転したレジストパターンを形成する（図
１ｂ）。
【００２１】通常、ＥＢ露光法で微細なパターンを形成
するときには、耐ドライエッチ性を有する厚い下層レジ
スト上に薄い酸化膜等中間層を介して形成した薄いＸ線
感光上層レジストを描画し、上層レジストをマスクにし
て中間層と、下層レジストをドライエッチング法により
エッチングする、いわゆる３層レジスト法を用いる。さ
らにこの下層レジストパターンをマスクにしてＳｉＮ膜
２をエッチングし開口３を形成する。このとき、下層レ
ジストの下はＳｉ基板表面に形成されたＳｉＮ膜２であ
り、ＥＢ露光中にレジストを通過した電子が照射されて
も発生する後方散乱電子は少ない。したがって微細なレ
ジストパターンを形成することができ、ＳｉＮ膜２にも
微細な寸法の開口３を形成することができる。
するときには、耐ドライエッチ性を有する厚い下層レジ
スト上に薄い酸化膜等中間層を介して形成した薄いＸ線
感光上層レジストを描画し、上層レジストをマスクにし
て中間層と、下層レジストをドライエッチング法により
エッチングする、いわゆる３層レジスト法を用いる。さ
らにこの下層レジストパターンをマスクにしてＳｉＮ膜
２をエッチングし開口３を形成する。このとき、下層レ
ジストの下はＳｉ基板表面に形成されたＳｉＮ膜２であ
り、ＥＢ露光中にレジストを通過した電子が照射されて
も発生する後方散乱電子は少ない。したがって微細なレ
ジストパターンを形成することができ、ＳｉＮ膜２にも
微細な寸法の開口３を形成することができる。
【００２２】つぎにＳｉＮ膜２の開口３内にＷ膜４を埋
め込む（図１ｃ）。この方法のひとつは、ＷＦ６ガスと
ＳｉＨ４ガスを用いて、底部にＳｉ基板１が露出してい
る開口３内にだけＷ膜を形成する選択ＣＶＤ法である。
また他の方法としては、開口３を有するＳｉＮ膜２全面
にＣＶＤ法で開口３の深さよりも厚いＷ膜を形成した
後、表面からこのＷ膜をエッチングする方法を選ぶこと
もできる。
め込む（図１ｃ）。この方法のひとつは、ＷＦ６ガスと
ＳｉＨ４ガスを用いて、底部にＳｉ基板１が露出してい
る開口３内にだけＷ膜を形成する選択ＣＶＤ法である。
また他の方法としては、開口３を有するＳｉＮ膜２全面
にＣＶＤ法で開口３の深さよりも厚いＷ膜を形成した
後、表面からこのＷ膜をエッチングする方法を選ぶこと
もできる。
【００２３】つづいて厚さ１．２μｍのＳｉＮ膜５をＣ
ＶＤ法で形成する（図１ｄ）。その後は裏面から露光領
域のＳｉ基板をエッチングする（図１ｅ）。
ＶＤ法で形成する（図１ｄ）。その後は裏面から露光領
域のＳｉ基板をエッチングする（図１ｅ）。
【００２４】本実施例のＸ線マスクはＸ線吸収体パター
ンがＸ線透過膜の裏面より露出しており、アライメント
マークもこのＸ線吸収体で形成されている。そのためＸ
線マスクと半導体基板を近接対向させて両者の位置合わ
せを実施する際に、Ｘ線マスク裏面からアライメントマ
ークを認識するのが容易であるという他の効果を有して
いる。
ンがＸ線透過膜の裏面より露出しており、アライメント
マークもこのＸ線吸収体で形成されている。そのためＸ
線マスクと半導体基板を近接対向させて両者の位置合わ
せを実施する際に、Ｘ線マスク裏面からアライメントマ
ークを認識するのが容易であるという他の効果を有して
いる。
【００２５】図２には本発明第２の実施例の、主要工程
の部分断面を示すもので、６はＳｉＯ２薄膜である。
の部分断面を示すもので、６はＳｉＯ２薄膜である。
【００２６】Ｓｉ基板１の表面に厚さ１．２μｍのＳｉ
Ｎ膜２、厚さ０．１μｍのＳｉＯ２膜６、厚さ０．８μ
ｍのＳｉＮ膜をＣＶＤ法により順次重ねて形成する（図
２ａ）。続いてＳｉＮ膜５上に前記３層のレジスト膜を
形成し、ＥＢ露光法を用いてＸ線吸収体で形成したいパ
ターンの開口を有するレジストパターンを形成し、この
レジストパターンをマスクにしてＳｉＮ膜５をエッチン
グして開口３を形成する（図２ｂ）。このときＳｉＯ２
膜６はＳｉＮ膜５をエッチングするときのストッパとな
るが、薄いために露光用Ｘ線の透過率や位置合わせ用の
可視光の透過率を低下させることはない。
Ｎ膜２、厚さ０．１μｍのＳｉＯ２膜６、厚さ０．８μ
ｍのＳｉＮ膜をＣＶＤ法により順次重ねて形成する（図
２ａ）。続いてＳｉＮ膜５上に前記３層のレジスト膜を
形成し、ＥＢ露光法を用いてＸ線吸収体で形成したいパ
ターンの開口を有するレジストパターンを形成し、この
レジストパターンをマスクにしてＳｉＮ膜５をエッチン
グして開口３を形成する（図２ｂ）。このときＳｉＯ２
膜６はＳｉＮ膜５をエッチングするときのストッパとな
るが、薄いために露光用Ｘ線の透過率や位置合わせ用の
可視光の透過率を低下させることはない。
【００２７】つぎにＣＶＤ法で開口３の深さよりも厚い
Ｗ膜を形成した後表面からこのＷ膜をエッチングする方
法等で、ＳｉＮ膜５の開口３内にＷ膜４を埋め込む（図
２ｃ）。その後は裏面から露光領域のＳｉ基板をエッチ
ングする（図２ｄ）。
Ｗ膜を形成した後表面からこのＷ膜をエッチングする方
法等で、ＳｉＮ膜５の開口３内にＷ膜４を埋め込む（図
２ｃ）。その後は裏面から露光領域のＳｉ基板をエッチ
ングする（図２ｄ）。
【００２８】本実施例においては、Ｗ膜４がＳｉＮ膜５
の開口３に埋め込まれた後は加熱されることがないた
め、Ｗ膜４とＳｉＮ膜５間の応力が増加することがな
く、平面度や位置精度が長期にわたって劣化しない安定
なＸ線マスクを製造する事ができる。
の開口３に埋め込まれた後は加熱されることがないた
め、Ｗ膜４とＳｉＮ膜５間の応力が増加することがな
く、平面度や位置精度が長期にわたって劣化しない安定
なＸ線マスクを製造する事ができる。
【００２９】
【発明の効果】上記の説明のように、本発明のＸ線マス
クはＸ線吸収体パターンがＸ線透過膜に埋め込まれてい
るために、このＸ線吸収体パターンがＸ線を吸収するの
に十分な厚さであっても剥離することなく、微細なパタ
ーンを形成することができる。さらにパターンを形成す
る際にＥＢ露光法を用いても、重金属薄膜のパターンを
形成することがないために後方散乱電子による近接効果
が少ないので、微細なパターンを精度良く形成すること
ができる。
クはＸ線吸収体パターンがＸ線透過膜に埋め込まれてい
るために、このＸ線吸収体パターンがＸ線を吸収するの
に十分な厚さであっても剥離することなく、微細なパタ
ーンを形成することができる。さらにパターンを形成す
る際にＥＢ露光法を用いても、重金属薄膜のパターンを
形成することがないために後方散乱電子による近接効果
が少ないので、微細なパターンを精度良く形成すること
ができる。
【００３０】さらにＥＢ露光法で形成したレジストパタ
ーンはＸ線吸収体パターンの反転パターンであり、この
レジストパターンをマスクにしてＸ線透過膜をエッチン
グで開口を形成するため、Ｘ線吸収体の残しパターン形
成するよりも容易に微細な開口パターンを形成すること
ができる。
ーンはＸ線吸収体パターンの反転パターンであり、この
レジストパターンをマスクにしてＸ線透過膜をエッチン
グで開口を形成するため、Ｘ線吸収体の残しパターン形
成するよりも容易に微細な開口パターンを形成すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるＸ線マスクの部
分工程断面図
分工程断面図
【図２】本発明の第２の実施例におけるＸ線マスクの部
分工程断面図
分工程断面図
【図３】従来のＸ線マスクの部分工程断面図
１ Ｓｉ基板 ２ ＳｉＮ膜 ３ 開口パターン ４ Ｗ膜 ５ ＳｉＮ膜 ６ Ｓｉ０２膜
Claims (3)
- 【請求項１】重金属薄膜よりなるＸ線吸収体がＸ線透過
膜に埋め込まれた状態で支持されることを特徴とするＸ
線マスク。 - 【請求項２】半導体基板の表面に所定の厚さの第１のＸ
線透過膜を形成し、吸収体パターンを形成する領域の前
記Ｘ線透過膜を選択的に除去する工程と、該Ｘ線透過膜
の除去された領域に重金属薄膜よりなるＸ線吸収体を埋
め込む工程と、第２のＸ線透過膜を形成する工程と、露
光領域を含む所定の領域の前記半導体基板を裏面よりエ
ッチングする工程を備えたことを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。 - 【請求項３】半導体基板の表面に第１のＸ線透過膜、前
記第１のＸ線透過膜よりもエッチング速度が小さい第２
のＸ線透明膜、所定の厚さの第３のＸ線透過膜を順次積
層して形成する工程と、吸収体パターンを形成する領域
の前記第３のＸ線透過膜を選択的に除去する工程と、前
記第３のＸ線透過膜の除去された領域に重金属薄膜より
なるＸ線吸収体を埋め込む工程と、露光領域を含む所定
の領域の前記半導体基板を裏面よりエッチングする工程
を備えたことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4440492A JPH05243125A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4440492A JPH05243125A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243125A true JPH05243125A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12690577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4440492A Pending JPH05243125A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243125A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372073B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2003-02-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 마스크, 노광 마스크 제조 방법, 및 노광 마스크를사용한 반도체 디바이스 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP4440492A patent/JPH05243125A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372073B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2003-02-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 마스크, 노광 마스크 제조 방법, 및 노광 마스크를사용한 반도체 디바이스 제조 방법 |
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