DE3524196A1 - Lithografisches maskengebilde und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
Lithografisches maskengebilde und verfahren zu dessen herstellungInfo
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Classifications
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- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Maskengebi Ide zur
Verwendung bei der lithografischen Bearbeitungstechnik und auf ein Verfahren zu dessen Herstellung.
In der Industrie, vor allem in der Elektronikindustrie
werden verschiedene Produkte oftmals dadurch hergestellt, daß die Oberflächen von Werkstücken mit Hilfe einer lithografischen
Bearbeitungstechnik teilweise modifiziert werden, wodurch Produkte mit gleichgemusterten, modifizierten
Oberflächenbereichen in großen Stückzahlen herstellbar
sind. Die Werkstückoberflächen werden modifiziert, indem sie verschiedenen Energiestrahlen ausgesetzt
werden, wobei teilweise ein einen Energiestrahl abschirmendes
Material als Maske verwendet wird, um ein entsprechendes Muster zu erzeugen. Wenn der einzustrahlende
Energiestrahl sichtbares Licht ist, wird als Maske Glas oder ein durchsichtiges Substrat wie Quarz oder dergleichen
verwendet, das bereichsweise mit einer schwarzen, lichtabschirmenden Farbe oder mit einem ausreichend Licht-
1 KIo 286 1060
a~.t cV-.-c'-en· KtO 670-43-804
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undurchlässigen dünnen Blatt oder Film eines Metalles
wie Nickel oder Chrom beschichtet wird.
Seit kurzem gibt es jedoch einen erhöhten Bedarf an einer Fasermusterbildung (fiber pattern formation) sowie an
einem Lithografieverfahren,, die in einer kürzeren Zeit
durchführbar sind. Aus diesem Grund wurden Röntgenstrahlen oder Teilchenstrahlen, wie z.B. Ionenstrahlen oder
dergleichen, als Energiestrahlen zur Belichtung bzw.
Bestrahlung verwendet. Im Vergleich zum sichtbaren Licht werden diese Energiestrahlen jedoch zum größten Teil
absorbiert, während sie durch die Glas- oder Quarzplatte hindurchtreten, die ein Bestandteil der Maske darstellt.
Daher ist es bei Verwendung derartiger Energiestrahlen
IQ nicht von Vorteil, eine Glas- oder Quarzplatte als BestandteiI der Maske zu verwenden.
Demzufolge werden bei einem lithografischen Bearbeitungsverfahren, bei dem Röntgen- oder Teilchenstrahlen als
Energiestrahlen eingesetzt werden, zur Herstellung einer Maske verschiedene anorganische Filme, wie z. B. Filme
aus Siliciumnitrid, Bornitrid, Si Iiciumoxyd, Titan und
dergleichen, oder verschiedene organische Filme, wie z.B. Filme aus Polyimid, Polyamid^ Polyester und derglei
chen,oder aus diesen Materialien bestehende mehrschichtige
Filme als energiedurchlässiges Teil verwendet, während
ein Metallfilm, wie z.B. ein Film aus Gold, Platin, Nikkei, Palladium, Rhodium, Indium und dergleichen, als
eηergieabsorliierendes Teil bereichsweise auf der Oberflä
ehe des energiedurchlässigen Teils angeordnet wird. Die
Maske ist nicht selbsttragend und muß daher auf einer
geeigneten Abstützung gelagert werden.
Ein lithografisches Maskengebilde bzw. eine Maskenstruktur
wurde bisher dadurch hergestellt, daß auf einer Silicium-
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Halbleiterscheibe ei.n Film gebildet wurde, der eine für
einen Röntgenstrahl durchlässige sowie eine gemusterte, einen Röntgenstrahl absorbierende Schicht aufweist, woraufhin
die maskierten Bereiche durch Ätzen aus der SiIieium-HaIbleiterscheibe
entfernt wurden. Dieses Verfahren wirft jedoch große Probleme auf, vor allem in Hinsicht
auf die zur Herstellung der Maske benötigten Schritte, die benötigte Zeit, die Ausbeute u'sw.. Hierin liegt der
Grund, daß sich die praktische Anwendung der Röntgenstrahl-Lithografie
verzögert.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen
lithografischen Haskengebildes, während Fig. 2 eine Draufsicht
auf dessen Stützsubstrat bzw. dessen Trägermaterial ist. Energiestrahlenabsorbierende Maskenteile 3 sind
in dem gewünschten Muster auf der einen Seite eines für Energiestrahlen durchlässigen Trägerfilms 2 angeordnet,
während der außenliegende Bereich des Trägerfilms 2 mit einem Klebstoff 8 am ringförmigen Stützsubstrat 9 angeklebt
ist. Zur Verbesserung der Ebenheit wird auf die obenliegende flache Randfläche 9a des ringförmigen Stützsubstrats
9 kein Klebstoff 8 aufgebracht. Der Klebstoff 8 wird vielmehr auf eine Fläche 9 b aufgebracht, die an
die flache Randfläche 9a an deren Außenrand unter einem
Winkel θ angrenzt.
Wenn bei dem vorstehend beschriebenen herkömmlichen Maskengebilde
das Stützsubstrat 9 am Trägerfilm 2 angeklebt wird, verläuft der Klebstoff 8 nicht nur zwischem dem
Trägerfilm 2 und der Fläche 9b, sondern gelangt oftmals auch zu der obenliegenden flachen Randfläche 9a zwischen
den Trägerfilm 2 und das ringförmige Stützsubstrat 9. Dies hat zur Folge, daß die Ebenheit des Trägerfilms
2 oft verschlechtert wird. Die verschlechterte Ebenheit
führt während des Lithografievorgangs zu einer verminder-
ten Genauigkeit bzw. Abbildungsschärfe.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, mit dem ein lithografisches Maskengebilde in Folge vereinfachter Schritte schnell und mit
einer hohen Ausbeute herstellbar ist.
Weiterhin soll mit der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Maskengebildes mittels der sogenannten
Übertragungstechnik geschaffen werden, bei der die Übertragung einfach und mit einer hohen Ausbeute durchführbar ist.
Darüberhinaus soll mit der Erfindung ein lithografisches
Haskengebilde geschaffen werden, dessen Trägerfilm äußerst
eben ist und das durch Verkleben eines eine Maske tragenden Films mit einem verbesserten ringförmigen Stützsubstrat hergestellt Wird.
Weiterhin soll mit der Erfindung ein lithografisches
Maskengebilde geschaffen werden, das durch Verkleben
des Randbereichs eines eine Maske tragenden Films, bei dem Maskenteile in einem gewünschten Muster angeordnet
sind, mit einem Stützsubstrat, dessen Klebefläche eine
Schließlich soll mit der Erfindung ein Verfahren zur
Herstellung eines lithografischen Maskengebildes geschaffen werden, bei dem ein Mäsfcenteile aufweisender Masken-
film auf einer flachen Platte gebildet und durch Verkleben auf ein Stützsubstrat übertragen wird, wobei das Stützsubstrat an derjenigen Stelle>
an der es mit dem Maskenfilm verklebt wird, eine derartige Einkerbung aufweist,
daß das Verfließen bzw. die Verteilung des verwendeten
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im kennzeichnenden
TeiL des Anspruchs 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung
von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt eines herkömmlichen lithografischen
Maskengebildes,
10
10
Fig. 2 eine Draufsicht auf dessen Stützsubstrat,
Fig. 3A bis 3D aufeinanderfolgende Verfahrensschritte
zur Herstellung eines ersten Ausführungsbeispiels des lithografischen Maskengebildes,
Fig. 4 ein zweites Ausführungsbeispiel, wobei der
der Fig. 3C entsprechende Verfahrensschritt dargestellt
ist, und
20
20
Fig. 5, 6 und 7 jeweils den Querschnitt eines dritten, vierten und fünften Ausführungsbeispiels des lithografischen
Maskengebildes.
Das lithografische Maskengebilde wird mit Hilfe der sogenannten
übertragungstechnik hergestellt, beispielsweise
gemäß dem in Fig. 3 schematisch gezeigten Verfahrensablauf. Gemäß Fig. 3 werden ein Trägerfilm 2 als eine
für Röntgenstrahlen durchlässige Schicht, eine Maskenteile 3 aufweisende Maskierungsschicht 4 sowie ein auch als
Schutzschicht dienender Trägerfilm 5 der Reihe nach und übereinanderliegend auf einer ebenen Platte 1 angeordnet,
um ein Maskenfilmteil bzw. einen Maskenfilm 6 zu bilden.
Die Platte 1 ist gewöhnlich hervorragend eben und wird
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aus einem anorganischen Kristall, wie z. B. Quarz, Silicium und dergleichen, oder aus Glas, Keramik, einem Metall, wie z. B. Eisen, Kobalt, Nickel, Kupfer, Messing,
Stahl, Edelstahl, einer Eisen-Nickel-KobaItlegierung
(Fernico), Invar und dergleichen, oder aus Plastik usw.
hergestellt. Die Form der ebenen Platte 1 kann unter
Berücksichtigung der Form des herzustellenden Maskengebildes gewählt werden.
Die Trägerfilme 2 und 5 werden entweder aus einem Polymerfilm hergestellt, indem zunächst eine Polymerlösung
aus Polyimid, Polyamid, Polyester und dergleichen abgestrichen oder eingetaucht oder zerstäubt oder gepreßt
und anschließend getrocknet wird, oder aus einem anorga
nischen Film, indem ein anorganisches Material wie Sili
ciumnitrid, Bornitrid, Siliciumdioxyd, Siliciumcarbid
und dergleichen chemisch aufgedampft oder auf andere Weise abgelagert wird. Die Trägerfilme 2 und 5 können
auch Verbundfilme sein, die sich aus dem Polymerfilm
und dem anorganischen Film zusammensetzen. Sie haben
gewöhnlich eine Dicke von ungefähr 2 ^m.
Die Maskenteile 3 werden aus einem Edelmetall und einem
Schwermetall wie z. B. Gold, Platin, Palladium, Indium,
Nickel, Wolfram und dergleichen hergestellt. Das geeignete Muster wird durch Fotolithografie oder durch Lithografie unter Verwendung von Röntgenstrahlen, Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen und dergleichen gebildet. Die
Maskierungsschicht 4 , die die Maskenteile 3 aufweist
bzw. trägt, hat gewöhnlich eine Dicke im Bereich von 0,2 bis 0,7 jjm.
substrat 9, das auf einer dem Maskenfilm 6 zugeordneten
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dem Haskenfilm 6 genähert und mit diesem in Kontakt gebracht.
Der Haskenfilm 6 und das Stützsubstrat 9 werden daraufhin durch Aushärten des Klebstoffes 8 miteinander
verbunden bzw. verklebt.
5
5
Das Stützsubstrat 9 ist z. B. ringförmig und wird aus
einem anorganischen Kristall, wie z. B. Quarz, Silicium
und dergleichen, oder aus Glas, Keramik, einem Hetall, wie z. B. Eisen, Kobalt, Nickel, Aluminium, Hessing,
Phosphorbronze und dergleichen, hergestellt. Der Klebstoff 8 kann auf einer Epoxydharzbasis, einer Emulsionsbasis, einer Aminbäsis und dergleichen aufbauen und unabhängig
davon wärmehärtend, fotohärtend, lösend usw. sein. Vorzugsweise wird ein wasserabstoßender bzw. hydrophober
Klebstoff mit einer guten Hitzebeständigkeit verwendet.
Um das Verfließen des Klebstoffes 8 zu kontrollieren
bzw. zu steuern, weist das in Fig. 3 gezeigte Stützsubstrat 9 an derjenigen Fläche, an der es mit dem Maskenfilm
6 verklebt ist, eine Einkerbung 10 auf. D.h., die Klebefläche 7 des Stützsubstrats 9 weist eine nahe der inneren
Umfangsseite des ringförmigen Stützsubstrats 9 angeordnete
ringförmige Einkerbung oder Rille 10 mit rechteckigem
Querschnitt auf, wodurch der Klebstoff 8 daran gehindert wird, möglicherweise zur inneren Umfangsseite des ringförmigen
Stützsubstrats 9 hin überzufließen bzw. an dieser
auszutreten, wie aus Fig. 3 zu erkennen ist.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. A, bei
dem dieselben Bezugszeichen wie bei Fig. 3 verwendet
wurden, weist die Klebefläche 7 des Stützsubstrats 9 zwei ringförmige Einkerbungen 10 mit rechteckigem Querschnitt
auf, die jeweils nahe der inneren und nahe der äußeren Umfangsseite des. ringförmigen Stützsubstrats
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9 angeordnet sind, wodurch der Klebstoff 8 sowohl daran gehindert wird, zur inneren, als auch zur äußeren Umfangsse i te des ringförmigen Stützsubstrats 9 hin überzufließen.
Die Anzahl der Einkerbungen ist nicht auf eine oder zwei
beschränkt, sondern kann auch drei oder mehr betragen.
Die Einkerbung 10 kann jede beliebige Form haben, sofern
mit dieser das Verfließen des Klebstoffes 8 kontrollierbar ist.
Nachdem der Klebstoff 8 völlig erhärtet ist, wird, falls dies notwendig ist, zwischen dem Stützsubstrat 9 und
dem Maskenfilm 6 hervorgetretener Klebstoff durch Abschneiden entfernt. Anschließend werden der Haskenfilm
6 und die ebene Platte 1 gemäß Fig. 3 C entlang einer
gegenseitigen Kontaktflache 11 mittels einer mechanischen
Einrichtung, wie z. B. einem Hesser oder dergleichen,
durch Zersetzen unter Verwendung eines ultravioletten
Lichtstrahls oder dergleichen, durch Umformung, durch
Ultraschall oder dergleichen voneinander getrennt, wodurch
man schließlich das in Fig. 3D gezeigte Haskengebilde
12 erhält.
Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht eines dritten Ausführungsbeispiels des lithografischen Haskengebildes, bei
dem die Haskenteile 3 in einem gewünschten Huster auf der einen Seite des Trägerfilms 2 angeordnet sind. Die
Haskenteile 3 sind Filme mit einer Dicke von ungefähr 0,7 ^m und bestehen z. B. aus Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium, Indium und dergleichen. Der Trägerfilm
2 ist ein anorganischer Film aus Siliciumnitrid, Bornitrid, Si I iciumoxyd, Titan und dergleichen, oder ein organischer Film aus Polyimid, Polyamid, Polyester und dergleichen, oder auch ein, aus diesen Materialien bestehender
mehrschichtiger Film und hat eine Dicke von z. B. 2 bis
3 μτη. Der Randbereich des* Trägerfilms 2 wird mit Hilfe
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des Klebstoffes 8 an einer Fläche des ringförmigen Stützsubstrats
9 befestigt, die tiefer liegt als dessen obenliegende flache Randfläche, und wird auf diese Weise
vom Stützsubstrat 9 gehalten bzw. abgestützt. Der Klebstoff
8 wird nicht auf die obenliegende flache Randfläche 9a des Stützsubstrats 9 aufgebracht, sondern lediglich
auf die Fläche 9b, die die Randfläche 9a an der Außenseite unter einem Winkel θ schneidet. Der Winkel θ ist
nicht besonders eingeschränkt, solange er 0 übersteigt.
Er liegt jedoch vorzugsweise im Bereich von 5Dbis 90 ,
besser jedoch im Bereich von 5 "* b i s 60 , am besten im
Bereich von 15°bis 30°. Das Stützsubstrat 9 wird gewöhnlich
aus Silicium, Glas, Quarz, Phosphorbronze, Messing, Nickel, Edelstahl und dergleichen hergestellt. Der Klebstoff
8 kann z. B. auf einer Epoxydharz- oder Gummibasis aufbauen und kann auch z. B. ein Lösungstyp, ein durch
Wärme oder ein durch Lichteinstrah lung härtbarer Typ
sein.
Die Klebefläche 9b des Stützsubstrats 9, die sich mit
der obenliegen flachen Randfläche 9a unter einem Winkel
θ schneidet, weist eine Einkerbung 10 auf, wodurch der Klebstoff 8 in die Einkerbung 10 fließt, bevor er auf
die Randfläche 9a des Stützsubstrats 9 gelangen könnte.
Der Klebstoff 8 erstreckt sich daher niemals bis zur oben Iiegenden Randfläche 9a, wodurch eine bessere Ebenheit
des Trägerfilms 2 erzielbar ist.
Es ist möglich, in der Einkerbung 10 ein Entlüftungs loch
vorzusehen, das mit einem anderen (in den Zeichnungen nicht gezeigten) Raum in Verbindung steht.
Fig. 6 ist eine Querschnittsansicht eines vierten Ausführungsbeispiels
des lithografischen Maskengebildes, bei dem die Einkerbung 10 nahe" des Bereiches der Klebefläche
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9b angeordnet ist, bei dem diese an die obenLiegen.de
RandfLäche 9a angrenzt. Daher kann verhindert werden, daß sich der Klebstoff 8 bis zur oben liegenden RandfLäche
9a erstreckt, wobei gleichzeitig eine Vergrößerung der
Fläche erreicht wird, auf die der Klebstoff 8 aufgebracht wird, so daß ein besseres Haftvermögen sichergestellt
ist.
Fig. 7 ist eine Querschnittsansicht eines fünften Ausführungsbeispiels des lithografischen Haskengebildes, bei
dem der Winkel θ 90 entspricht, wodurch eine dritte Fläche 9c als Klebefläche gebildet wird. Die Einbuchtung
10 ist dabei nahe der Stelle angeordnet, bei der die Klebefläche 9c an die Fläche 9b anstößt, wodurch das
Fließen des Klebstoffes 8 in Richtung der obenliegenden
Randfläche 9a von der Einbuchtung 10 kontrolliert bzw. begrenzt wird, so daß eine bessere Ebenheit des Trägerfilms 2 und gleichzeitig eine Vergrößerung der Fläche,
auf die der Klebstoff 8 aufgebracht wird, erzielbar ist.
Aufgrund der dreidimensionalen Form können bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen hervortretende Teile
des Trägerfilms 2 mit dem Stützsubstrat 9 an anderen
Flächen als der obenliegenden Randfläche 9a in Berührung
stehen. Derartige hervorstehende Teile können im voraus
nach Bedarf entfernt werden.
Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen ist die
Einkerbung 10 an der Innenseite der Klebefläche 7 des
Stützsubstrats 9 mit dem Trägerfilm 2 angeordnet. Jedoch
ist es möglich, die Einkerbung 10 an einer beliebigen Stelle der Klebefläche anzuordnen, so lange sie das Verfließen des Klebstoffes so kontrollieren kann, daß sich
der Klebstoff 8 nicht bis zur obenliegenden Randfläche
9a des Stützsubstrats 9 hin erstrecken kann. Auch ist die
-13- DE 4988
Anzahl der Einkerbungen nicht auf eine beschränkt, sondern
kann auch zwei oder mehr betragen. Die Einkerbung 10
kann eine beliebige Form haben, solange damit das Verfließen des Klebstoffes kontrollierbar ist. Obwohl das
lithografische Haskengebilde bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen
Maskenteile aufweist, die in dem gewünschten Muster auf der einen Seite des Trägerfilms
angeordnet sind, ist die Erfindung nicht auf einen derartigen
Aufbau beschränkt. Die Erfindung ist vielmehr auch dann anwendbar, wenn der Trägerfilm keine Maskenteile
aufweist oder wenn kein Muster auf dem Film gebildet
wurde, obwohl die Maskenteile auf die eine Seite des
Trägerfilms aufgebracht wurden.
- Leerseite -
Claims (7)
1. Lithografisches Maskengebilde, gekennzeichnet
durch einen Maskenträgerfilm (2) und ein Stützsubstrat
(9), wobei der Randbereich des MaskenträgerfiIms (2)
auf der Oberfläche des Stützsubstrats (9), das eine Einkerbung
(10) aufweist, befestigt ist.
2. Lithografisches Maskengebilde nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch ein Maskenteil (3), das mit dem gewünschten Muster auf den Maskenträgerfilm (2) aufgebracht
ist.
3. Lithografisches Maskengebilde nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch ein Maskenteil (4 , 5), das filma r t i g
auf den Maskenträgerfilm (2) aufgebracht ist.
4. Lithografisches Maskengebilde nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Befestigung
des Randbereichs des Maskentragerfi Ims (2) an
einem Bereich (9b) des Stützsubstrats (9) durchgeführt
wird, der tiefer liegt als eine obenliegende ebene Fläche
(9a) des Stützsubstrats (9).
Dresdner Bank (München) Kto. 3939 844
Deutsche Ba"k IVu'":Ke''i Kto 236 1060
a^t t</c-c*e">1 K'o 670-43 BCi
BAD ORIGINAL
-2- DE 4988
5. Verfahren zur Herstellung eines lithografischen
Maskengebildes, dadurch gekennzeichnet, daß ein Maskenträgerfilm auf einer ebenen Platte gebildet, der Randbereich des Maskenträgerfilms auf einer eine Einkerbungauf-
weisenden Fläche eines Stützsubstrats befestigt und
die ebene Platte vom Maskenträgerfilm entfernt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß auf den Maskenträgerfilm ein Maskenteil filmartig
aufgebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das auf den MaskentragerfiIm aufgebrachte Maskenteil
mit einem Muster versehen wird.
***
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138878A JPS6118957A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの作成方法 |
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Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| DE3524196C3 DE3524196C3 (de) | 1994-08-04 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4804600A (de) |
| DE (1) | DE3524196C3 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4722878A (en) * | 1984-11-09 | 1988-02-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photomask material |
| EP0338749A2 (de) * | 1988-04-18 | 1989-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Röntgenmaskenstruktur |
| EP0452043A1 (de) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Röntgenstrahlen-Maskenstruktur |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5112707A (en) * | 1983-09-26 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for lithography |
| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| US5178727A (en) * | 1989-12-08 | 1993-01-12 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Ceramic membrane device and a method of producing the same |
| JPH04332115A (ja) * | 1991-05-02 | 1992-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 |
| JP3257645B2 (ja) * | 1992-01-22 | 2002-02-18 | 東芝セラミックス株式会社 | セラミック装置の製造方法 |
| JP3168952B2 (ja) * | 1997-09-03 | 2001-05-21 | 日本電気株式会社 | 電子ビーム描画用アパーチャ装置とその製造方法 |
| CN1196175C (zh) | 2000-05-25 | 2005-04-06 | 凸版印刷株式会社 | 转印掩模的制造方法 |
| KR100522725B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2005-10-20 | 주식회사 디엠에스 | 대면적 마스크 및 이를 구비한 노광 시스템 |
| US7011794B2 (en) * | 2002-11-25 | 2006-03-14 | Immunivest Corporation | Upon a cartridge for containing a specimen sample for optical analysis |
| JP2005085799A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| US7473501B1 (en) | 2008-03-30 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Method for reducing photo-mask distortion |
| MX366844B (es) | 2013-12-12 | 2019-07-26 | Mes Medical Electronic Systems Ltd | Dispositivo casero de pruebas. |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2342538A1 (de) * | 1972-08-28 | 1974-03-14 | Rca Corp | Metallmaskenschirm zum siebdruck |
| US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
| US4170512A (en) * | 1977-05-26 | 1979-10-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of manufacture of a soft-X-ray mask |
| JPS58207047A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-02 | Seiko Epson Corp | マスクの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3311425A (en) * | 1963-07-05 | 1967-03-28 | Scharmann & Co | Guiding means for machine tool parts, especially for carriages |
| US3504878A (en) * | 1969-04-14 | 1970-04-07 | Max Dressler | Support device |
| US4171489A (en) * | 1978-09-13 | 1979-10-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Radiation mask structure |
| US4260670A (en) * | 1979-07-12 | 1981-04-07 | Western Electric Company, Inc. | X-ray mask |
| US4454209A (en) * | 1980-12-17 | 1984-06-12 | Westinghouse Electric Corp. | High resolution soft x-ray or ion beam lithographic mask |
| JPS58182256A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4579616A (en) * | 1983-11-14 | 1986-04-01 | The Perkin-Elmer Corporation | Method of fabrication of an optically flat membrane |
| US4677042A (en) * | 1984-11-05 | 1987-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
-
1985
- 1985-07-05 DE DE3524196A patent/DE3524196C3/de not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-02-01 US US07/150,494 patent/US4804600A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2342538A1 (de) * | 1972-08-28 | 1974-03-14 | Rca Corp | Metallmaskenschirm zum siebdruck |
| US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
| US4170512A (en) * | 1977-05-26 | 1979-10-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of manufacture of a soft-X-ray mask |
| JPS58207047A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-02 | Seiko Epson Corp | マスクの製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Abschlußbericht NT 2574-4, 10.04.83 * |
| IBM Technical Discl. Bulletin 27 (1984) No. 1B, S. 769 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4722878A (en) * | 1984-11-09 | 1988-02-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photomask material |
| EP0338749A2 (de) * | 1988-04-18 | 1989-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Röntgenmaskenstruktur |
| EP0338749A3 (de) * | 1988-04-18 | 1990-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Röntgenmaskenstruktur |
| EP0452043A1 (de) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Röntgenstrahlen-Maskenstruktur |
| US5356686A (en) * | 1990-04-09 | 1994-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3524196C3 (de) | 1994-08-04 |
| DE3524196C2 (de) | 1994-08-04 |
| US4804600A (en) | 1989-02-14 |
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Legal Events
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