DE2506266A1 - Verfahren zum herstellen mikrominiaturisierter elektronischer bauelemente - Google Patents

Description

BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER

PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN

Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237

Coquin-3-7-6

Western Electric Company Incorporated New York, N.Y., V. St. A.

Verfahren zum Herstellen mikrominiaturisierter elektronischer Bauelemente

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen mikrominiaturisierter Bauelemente, insbesondere auf einen Maskenaufbau zur Verwendung in einem mit Röntgenstrahlen arbeitenden lithographischen System.

Mit den üblichen photolithographxschen Methoden ist es möglich, mikrominiaturisierte elektronische Bauelemente herzustellen. Das mit diesen Methoden erreichbare Auflösungsvermögen ist durch Interferenz- und Beugungseffekte begrenzt, die in direkter Beziehung zur Wellenlänge des beim jeweiligen Photolithographiever-

5 G £ " :U / 0 8 8 3

fahren benutzten Lichtes steht. Praktisch beträgt die minimale Linienbreite, die durch übliche photolithographische Druckmethoden genau wiedergegeben werden kann, etwa 1-2 Mikrometer. Darüberhinaus ist zum Erhalt einer solchen Auflösung ein inniger Kontakt zwischen Maske und Plättchen erforderlich, das mit der Zeit regelmäßig zu Beschädigungen der Maske und/oder des Plättchens führt.

Es ist bekannt, daß eine größere Musterfeinheit (im Submikrometerbereich) bei der Herstellung erreicht werden kann mit Elektronenstrahl-Lithographie. Jedoch ist ein für alle Zwecke brauchbares Elektronenstrahl-Belichtungssystem eine sehr teure und komplizierte Anlage. Darüberhinaus ist es bei einer solchen Anlage erforderlich, daß jedes Muster eines jeden Bauelementes in sequentieller und punktweiser Abtastung unter der Steuerung eines Programmiersystems belichtet wird. Ein derartiges Verfahren ist vergleichsweise zeitraubend und kostspielig.

Demgemäß ist vorgeschlagen worden, daß ein abtastender Elektronenstrahl nur zur Erzeugung von Muttermasken hoher Auflösung benutzt wird. Die Reproduzierung der Maskenmuster auf Plättchen würde dann nach anderen Methoden erfolgen. Man hat in diesem Zusammenhang daran gedacht, Elektronenstrahlprojektionssysteme zur Ausführung der Maskenreproduzierung zu verwenden, aber auch diese Systeme sind recht kompliziert und kostspielig.

In den US-PSen 3 742 229, 3 742 230 und 3 743 842 ist ein Röntgen-

5093 2 4/0883 ~³~

strahlen-Lithographieprozeß beschrieben, der sich zur Wiedergabe von Mustern mit im Submikrometerbereich liegender Zeichnungsfeinheit eignet. Nach diesem Verfahren werden weiche Röntgenstrahlen zum ₇in paralleler Weise erfolgenden Drucken eines Maskenmusters benutzt. Der beschriebene Prozeß ist dem üblichen photolithographischen Kontaktverfahren analog, hat aber den zusätzlichen Vorteil, daß ein endlicher Abstand zwischen Maske und Plättchen zugelassen ist.

Einer der Schlüssel zur Realisierung eines kommerziell einsetzbaren Röntgenstrahlen-Lithographiesystems hoher Auflösung ist die Konstruktion einer geeigneten Muttermaske. Zahlreiche Materialien sind für das Maskensubstrat, das für Röntgenstrahlen relativ durchlässig sein muß, vorgeschlagen worden. Ein solches Material ist Beryllium, das sich durch niedrige Röntgenstrahlenabsorption auszeichnet, .jedoch teuer, optisch undurchlässig (was die Maskenausrichtung und Justage schwierig macht) und giftig ist. Weiterhin sind Siliciumanordnungen mit dünnen für Röntgenstrahlen durchlässigen Fenstern hergestellt worden, sie sind aber vergleichsweise fragil und nur zum Teil optisch transparent.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, einen verbesserten Maskenaufbau zur Verwendung in einem Röntgenstrahlen-Lithographiesystem bereitzustellen.

Kurz gesprochen wird dieses gemäß der Erfindung beispielsweise .da-.

509ÜU4/Ü883

durch erreicht, daß als Maskensubstrat ein dünner Polyäthylen-"terephthalat-Film (PÄT) benutzt wird, wie dieser beispielsweise unter der Handelsbezeichnung Mylar von E. I. DuPont de Nemours and Co. hergestellt und vertrieben wird. Der Film wird über ein Trägerglied gespannt und mit diesem verbunden. Der gehaltene Film bildet ein hochebenes und dauerhaftes Substrat, das in seinen Abmessungen so stabil ist, wie das Trägerglied selbst.

Ein Röntgenstrahlung absorbierendes Muster wird auf dem gespannten Substrat nach üblichen Methoden erzeugt. Die resultierende Hauptmaske wird dann nahe an einem mit einer röntgenstrahlempfindlichen Beschichtung versehenen Plättchen angeordnet. Durch Bestrahlen der Maske mit Röntgenstrahlen wird ein Schatten des durch das Röntgenstrahlung absorbierende Material definierten Musters auf die empfindliche Beschichtung projiziert. Auf diese Weise kann auf dem Plättchen ein Muster mit im Submikrometerberexch liegender Zeichnungsfeinheit relativ schnell und billig erzeugt werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist in den Ansprüchen gekennzeichnet und nachstehend anhand der Zeichnung im einzelnen beschrieben; es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Ansicht eines bekannten Röntgenstrahlen-Lithographiesystems,

Fig. 2 eine vergrößerte Detailansicht einer üblichen Maske nebst

50 9834/0883

zugeordnetem, mit gegen Röntgenstrahlen empfindlichem Lack beschichtetem Plättchen, wie dieses in der Anordnung nach Fig. 1 benutzt wird,

Fdg. 3 eine Ausführungsform eines Maskensubstrates, wie dieses entsprechend dem vorliegenden Verfahren hergestellt ist,

Fig. 4 ein Röntgenstrahlung, absorbierendes Muster, das auf dem Substrat nach Fig. 3 niedergeschlagen ist und

Fig. 5 eine Schnittansicht der Anordnung nach Fig. 4 nach Hinzufügung einer Schutzschicht und eines Filmes, der als Filter zur Verbesserung des Verhältnisses von charakteristischer und kontinuierlicher Röntgenstrahlung des von der . Maske durchgelassenen Röntgenlichtes wirkt.

Eine vereinfachte Darstellung einer üblichen Röntgenstrahlen-Lithographieanlage ist in Fig. 1 dargestellt. Ein Elektronenstrahl 10 einer Elektronenquelle 12 wird auf einer wassergekühlten Strahlanode 14 auf einen Durchmasser a fokussiert. Auf die einfallenden Elektronenhin emittiert die Anode 14 Röntgenstrahlen, die durch die gestrichelten Linien 16 dargestellt sind. Die so emittierten

Röntgenstrahlen sind typischerweise sogenannte weiche Röntgenstrahlen mit charakteristischen Wellenlängen zwischen 4 .und 9 Ä. Unter den geeigneten Röntgenstrahlen emittierenden Materialien, aus denen die Strahlanode 14 hergestellt werden kann, sind Aluminium (Κλ, Λ = 8,34 8), Silicium (KfX, λ= 7,13 8), Molybdän (L·*, λ= 5',t*k S) und

50 ⁴J U j W 0883

Rhodium (Lc*, λ = 4,60 Ä) . Zur Verbesserung der Wärmeleitung und damit der Elektronenstrahlbelastbarkeit solcher Materialien kann die Strahlanode 14 beispielsweise eine dünne Plattierung eines geeigneten Anodenmaterials auf einem Kupfersubstrat haben.

Für die charakteristischen Röntgenstrahlen gilt, daß der Erzeugungswirkungsgrad d_er oben angegebenen Anodenmaterialxen etwa die gleichen sind. Darüberhinaus wurde beobachtet, daß das Verhältnis von charakteristischer Röntgenstrahlung zur kontinuerilichen Röntgenstrahlung (weißes Röntgenlicht) mit der Spannung zunimmt. Wie nachstehend noch beschrieben, ist ein hohes Verhältnis von charakteristischer zu kontinuierlicher Röntgenstrahlung bei einer Röntgenstrahlen-Lithographieanlage erwünscht.

Die Elektronenquelle 12 und die Anode 14 der Anlage nach Fig. 1 sind in einem üblichen Hochvakuum-Rezipienten 18 untergebracht. Die von der Anode 14 emittierten Röntgenstrahlen passieren ein Röntgenstrahlen-durcblässiges Fenster 20 (das beispielsweise aus Beryllium besteht) in eine Arbeitskammer 22, in der niedrigeres Vakuum herrscht und die eine Maske 24 sowie ein röntgenstrahlungslackbeschichtetes Plättchen 26 'enthält. Die Bauteile 24 und 26 sind unter einem Abstand S voneinander angeordnet. Für ein Plättchen eines Durchmessers D führt der Abstand zwischen der Maske und dem Plättchen 2 6 zu einer Lxnxenkantenunschärfe auf der Oberfläche des Plättchens von ——, wenn r der Abstand zwischen der

509 8 34/0883

Röntgenstrahlenquelle und der Maske 24 ist. Zusätzlich tritt ein sogenanntes Weglaufen an den Kanten des Plättchens 26 auf, des-

SD
sen Größe gegeben ist durch —^— . (Das Weglaufen ist definiert als eine nichtgleichförmige Änderung in der relativen Lage von Merkmalen auf zwei als identisch angenommenen Mustern.) Das Weglauf en ist vorhersagbar und ist grundsätzlich nicht ernst,- wenn S über das gesamte Plattchengebiet gleichförmig ist. Darüberhinaus können Beugungseffekte generell vernachlässigt werden, da für eine Röntgenstrahlenwellenlänge von etwa 10 A* noch 0,2 5 um -Linien bei Masken/Plättchen-Abständen von bis zu etwa 60 um aufgelöst werden können.

Fig. 2 zeigt eine detalliertere Ansicht von Maske und Plättchen, die bzw. das in Fig. 1 nur allgemein angedeutet sind. Nach Fig. wird ein r.öntgenstrahlendurchlässiges Maskensubstrat 28 im Abstand S von einer polymeren Lackbeschichtung 30 auf der Oberfläche eines Plättchens 32 gehalten. Wie dargestellt, können Abstandsglieder 33 zum Aufrechterhalten des gewünschten Abstandes zwischen Substrat 28 und Beschichtung 30 vorgesehen sein. In Fig. 2 (auch in den noch zu beschreibenden Fig. 4 und 5) stellen die gestrichelten Pfeile die auf die Oberseite des Substrates einfallenden Röntgenstrahlen dar.

Zahlreiche Materialien sind zur Bildung des Maskensubstrates 28 in Fig. 2 verfügbar. Beryllium hat eine vergleichsweise niedrige

50 9034/08 8 3

Absorption für Röntgenstrahlen, das es zu einem guten Kandidaten zur Herstellung von Röntgenstrahlenfenstern (z. B. das Fenster 20 in Fig. 1) macht. Es hat aber andere, nachteilige Eigenschaften, die gegen seine Verwendung in einer Maskenanordnung sprechen. Beispielsweise ist es teuer, spröde, optisch undurchlässig, giftig und hat einen vergleichsweise hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten.

Für einige Anwendungsfälle ist Silicium ein für das Maskensubstrat 28 geeignetes Röntgenstrahlen durchlässiges Material. 2 jxm dicke Siliciumscheiben eines Durchmessers von 2,54 cm sind hergestellt worden. Jedoch hat Silicium eine K-Absorptionskante bei 6,74 Ä, das seine Brauchbarkeit als Maskensubstrat auf ein System beschränkt , das Aluminium- oder Silicium-K oi -Rontgenstrahlenquellen verwendet. Darüberhinaus ist dünnes Silicium fragil und erfordert extrem sorgfältige Behandlung. Auch ist es nur teilweise transparent gegenüber optischen Wellenlängen, was die Ausrichtung und Justage eines Siliciumsubstrates gegenüber- einem zugeordneten Plättchen erschwert.

Röntgenstrahlen absorbierende Elemente 34, die ein in der Beschichtung 30 zu erzeugendes vorgeschriebenes Muster definieren, sind in Fig. 2 dargestellt. Gold oder Platin sind geeignete Materialien, aus denen die Elemente 34 hergestellt werden. Die Elemente können beispielsweise nach üblichen Elektronenstrahl-Lithographiemethoden,

509B34/0883

gefolgt von üblicher Ionen-Abtragung, hergestellt werden, wie dies in dem Artikel von E. G. Spencer und P-. H. Schmidt, Journal of Vacuum Science and Technology, Band 8, Seiten 552 - 570, September/Oktober 1971, beschrieben ist.

Eine Bestrahlung mit Röntgenstrahlung der in Fig. 2 dargestellten Maske führt zu einer selektiven Belichtung der strahlungsempfindlichen Beschichtung 30 entsprechend dem durch die absorbierenden Elemente 34 gebildeten Muster. Die in der Beschichtung 30 von den

34 abgeschatteten Gebiete sind den einfallenden Röntgen strahlen nicht ausgesetzt. In den belichteten Gebieten der Beschichtung 30 findet entweder eine Polymeren-Vernetzung oder ein Polymerenketten-Aufbrechen statt, je nachdem ob es sich bei der Beschichtung 30 um einen Negativ- oder Positivlack handelt. Im Falle eines Negativlackes wird ein entwickelndes Lösungsmittel zur Entfernung des unbelichteten Polymers benutzt, während im Falle eines Positivlackes das belichtete Polymer entfernt wird. Nachfolgend können nach üblichen Methoden Materialien direkt auf die Oberfläche des Plattchens in jenen Gebieten niedergeschlagen werden, wo die Beschichtung 30 entfernt worden ist. Andererseits könnten, wenn beispielsweise vorher auf dem Plättchen 32 unterhalb der Beschichtung 30 direkt eine Oxidschicht erzeugt worden

ist, jene Teile der Oxidschicht, von denen die Beschichtung 30 entfernt worden ist, selektiv chemisch oder durch Ionenabtragung

oder dergleichen behandelt werden.

- 10 -

34/0883

Fig. 3 zeigt einen Teil einer beispielhaften Maskenanordnung, wie diese entsprechend dem vorliegenden Verfahren hergestellt ist. Die Anordnung umfaßt einen dünnen optisch transparenten Film 30, der über ein Tragglied 38 gespannt und an diesem befestigt ist, das im dargestellten Falle die Form eines Ringes besitzt.

Eines der möglichen organischen Materialien, das sich für den Film 36 in Fig. 3 besonders eignet, ist Polyäthylenterephthalat. Polyäthylenterephthalat ist.in Filmform kommerziell erhältlich und vereinigt in sich attraktive Eigenschaften, wie mechanische Festigkeit, niedrige Röntgenstrahlenabsorption, Beständigkeit gegenüber organischen Lösungsmitteln, optische Transparenz, thermische Stabilität und leichte Verfügbarkeit in den verschiedensten Dicken mit Oberflächen von hoher optischer Güte.

Andere organische und anorganische Materialien, die sich für das Glied 36 in Fig. 3 eignen, sind Glimmer und Acetat.

Das Tragglied 38 ist aus einem starken, dauerhaften und maßhaltigen Material, beispielsweise aus Metall, Silicium oder Quarzglas hergestellt. Ein wesentlicher Gesichtspunkt bei der Auswahl des Materials für das Tragglied 38 ist die Anpassung seiner physikalischen Eigenschaften an die des Plättchens, auf dessen Oberfläche ein gewünschtes Muster zu erzeugen ist. Als Ergebnis einer solchen Anpassung werden Umgebungsänderungen (beispielsweise in

- 11 50 9034/0883

25062H6

der Temperatur und Luftfeuchtigkeit) dazu führen, daß die Abmessungen des Traggliedes 38 und des zugeordneten Plättchens sich in entsprechender Weise verändern. Auf diese Weise kann eine anfängliche gegenseitige Ausrichtung von Tragglied 38 und zugeordnetem Plättchen innerhalb enger Toleranzen aufrechterhalten werden.

Das Tragglied 38 ist in Fig. 3 als Ringform aufweisend dargestellt, Obgleich die Ringform aus praktischen Erwägungen in vielerlei Hinsicht vorteilhaft ist, kann das Tragglied 38 auch jede andere geometrische Form haben. ·

In der Praxis sollte ein Röntgenstrahlen durchlässiges Maskensubstrat wenigstens 50 % der einfallenden Röntgenstrahlen durchlassen. Eine größere Absorption durch das Substrat würde sonst die erforderliche Belichtungszeit der Lackbeschichtung in einem unerwünschten Ausmaß erhöhen und außerdem das Verhältnis von charakteristischer zu kontinuierlicher Röntgenstrahlung auf einen Wert reduzieren, der einer vergleichsweise schichten Kontrastverhältnis zwischen belichteten und unbelichteten Teilen der Lackbeschichtung entspricht.

Es wurde gefunden, daß die PÄT-Filmdicke, die 50 % der nachstellend angegebenen charakteristischen Röntgenstrahlung durchläßt, die folgenden sind: 5,3 um für Silicium Koc , Β,Ί um für Silicium K o< , 18 um für Molybdän L« und 27 ^um für Rhodium L-X . In jedem

- 12 -

503834/0883 -'■_

Fall würde ein dünnerer Film mehr als 50 % der einfallenden Röntgenstrahlen durchlassen. Sonach ist ein handelsüblich erhältlicher 8,7 um dicker PÄT-Film brauchbar zur Verwendung als ein Masken-*· substrat in Verbindung mit Silicium-, Molybdän- und Rhodium-Röntgenstrahlungsquellen, hat aber zu wenig Durchlässigkeit (etwa 32 %) für eine Aluminium-Röntgenstrahlungsquelle.

Entsprechend dem vorliegenden Verfahren erfolgt beispielsweise die Herstellung der Anordnung nach Fig. 3 wie folgt. Auf einer ebenen Arbeitsfläche wird ein PÄT-Film geglättet. Sonach wird ein Tragglied, beispielsweise der Ring 38 nach Fig. 3 auf einen flachen Abschnitt des Films geklebt, beispielsweise mit Hilfe eines Epoxy-Klebers. Nach Abschneiden des überstehenden Films wird das Ganze etwa 3 Stunden lang bei 150 C gehalten. Dieses veranlaßt, daß der PÄT-Film schrumpft und gleichförmig auf dem Tragglied 38 gespannt ist. Die während der Herstellung des Films eingeführten Dehnungen werden dadurch freigesetzt und die Filmoberfläche wird eben und frei von Welligkeiten und sonstigen Unvollkommenheiten.

Der vorstehende Herstellungsschritt ist sowohl einfach als auch billig. Das resultierende Substrat weist eine optisch ebene Oberfläche auf und ist transparent. Demgemäß sind optische Ausrichtung und Justage möglich, wenn die Maske in Verbindung mit einem zugeordneten röntgenstrahlungslack-beschichteten Plättchen ver-

- 13 -

5 0 I 'j- Z ■'■ I Q 8 8 3

wendet wird. Darüberhinaus ist das resultierende Substrat extrem dauerhaft. Kennzeichnenderweise ist ein in der vorstehend beschriebenen Weise gespannter PÄT-Film so maßhaltig, wie das Material des Traggliedes 38 selbst.

Sodann wird unter Verwendung üblicher Elektronenstrahllithographiemethoden, gefolgt beispielsweise von Ionenabtragung, ein Röntgenstrahl absorbierendes Muster auf der Oberseite des gespannten Substrates 36 erzeugt. Ein solches Muster, dargestellt durch die Streifen HO, beispielsweise aus 0,5 um dickem Gold, ist in Fig. H dargestellt. Die resultierende Anordnung umfaßt dann eine Röntgenstrahlungsmaske, die zwischen die Röntgenstrahlungsquelle und einem röntgenstrahlungslackbeschichteten Plättchen eingesetzt werden kann, auf dem ein Abbild der Streifen HO zu erzeugen ist.

Unbeabsichtigte Kratzer, die sich in den Röntgenstrahlen absorbierenden Streifen HO der Fig. H entwickeln, können auf der Oberfläche des Plattchens in Zuordnung mit der dargestellten Maske reproduziert werden. Um die Streifen HO vor einer solchen Beschädigung zu schützen, und um auch der Maske eine zusätzliche Festigkeit zu verleihen, kann ein hartes transparentes Material mit relativ niedriger Röntgenstrahlungsabsorption auf die Streifen HO niedergeschlagen werden. Eine derartige, die Streifen abdeckende Schicht wird auch die vom Röntgenstrahlen absorbierenden Metallmuster durch die einfallenden Röntgenstrahlen emittierten Photo-

5 0 ϊ-..-':. U/ 0 8 8 3

elektronen daran hindern, zur Belichtung·des Röntgenstrahlen-Lakkes beizutragen.

Entsprechend einer Ausführungsform des vorliegenden Verfahrens wird eine 2 um dicke Borcarbid-Schicht durch Zerstäubung auf der Oberseite des gespannten Substrates niedergeschlagen, um die erwähnten Streifen 40 zu schützen. Eine solche Schutzschicht 42 ist in Fig. 5 dargestellt. Jegliche auf der Schicht 42 erzeugte Kratzer sind gegenüber Röntgenstrahlen durchlässig und werden nicht «auf dem darunterliegenden Plättchen reproduziert.

Weitere zur Herstellung der Schutzschicht 42 geeignete Materialien sind metallische Dünnschichten, beispielsweise Aluminium oder Beryllium, optisch transparente Materialien, wie Indiumoxid, Zinnoxid und Siliciumoxid, ebenso auch zahlreiche monomere und polymere Kunststoffbeschichtungen.

Entsprechend einer weiteren Ausführungsform des vorliegenden Verfahrens wird ein Dünnschicht-Filter zu der vorstehend beschriebenen Maskenanordnung zugegeben, um das Verhältnis von charakteri-

stischer zu kontinuierlicher Röntgenstrahlung im durchgelassenen Röntgenlicht zu verbessern. Ein solches Filter ist so entworfen, daß es in einem breiten Röntgenstrahlenspekrrum vergleichsweise absorbierend ist, ausgenommen eines schmalen Bandes, das die charakteristische Wellenlänge enthält. So ist beispielsweise eine

- 15 5 0 S 2 2 h / 0 8 8 3

" ¹⁵ " 25O6266⁵

5 um dicke Poly(vinylidenchlorid)poly(vinylchlorid)-Copolymer-Schicht, die auf das Maskensubstrat 36 niedergeschlagen ist, stark absorbierend für Röntgenstrahlen einer Wellenlänge von 4 Ä und darüber, außer einem schmalen Band, das die oben erwähnte Rhodium-Wellenlänge enthält. (Röntgenstrahlenlacke sind vergleichsweise unempfindlich gegenüber Röntgenstrahlen, deren Wellenlänge kleiner als 4 % ist). Für jede andere Röntgenstrahlenquelle kann ein entsprechendes Dünnschicht-Filtermaterial ausgewählt werden, um die charakteristische Wellenlänge der Röntgenstrahlenquelle durchzulassen, aber die meiste der bei benachbarten Wellenlängen einfallenden Röntgenstrahlenenergie zu absorbieren.

In Fig. 5 ist ein solches Dünnschicht-Filter 44 als eine Schicht dargestellt, die auf die Unterseite des gespannten Substrates 36 niedergeschlagen ist. Eine derartige Anordnung des Filters ist lediglich beispielhaft. Falls gewünscht, kann die Schicht 44 auch auf die Oberseite der Schutzschicht 42 niedergeschlagen werden. Alternativ kann die Schicht 44 direkt auf die Streifen 40 niedergeschlagen werden, um als die Schutzschicht selbst zu dienen. Auch könnte die Schicht 44 direkt auf die Streifen 40 niedergeschlagen werden, wonach dann die Schutzschicht 42 niedergeschlagen wird.

Wie in Fig. 5 weiter dargestellt ist, befindet sich ein übliches Plättchen 46, beispielsweise aus Silicium, das mit einer Schicht

-". 16 5 0983A/08 8 3

aus einem geeigneten Röntgenstrahlungslack, wie Polymethylmethacrylat beschichtet ist, unterhalb der Maske.

Die Oberseite der Lackschicht 18 kann in Berührung mit der Unterseite des Dünnschichtfilters 44 ausgerichtet werden. Alternativ können, wie in Fig. 5 dargestellt ist, Abstandshalter 50 zum Einstellen eines vorbestimmten Abstandes zwischen dem beschichteten Plättchen und der Maske verwendet werden.

Auf die vorstehend beschriebene Weise können Muster hoher Auflösung für MOS-Bauelemente, Hochfrequenztransistoren, Einwanddomänen-Bauelemente und andere Bauteile hergestellt werden. Obgleich die Auflösung solcher Muster selbstverständlich nicht größer sein kann, als das ursprünglich auf dem oben beschriebenen Maskensubstrat erzeugte, wird das Originalmuster auf den Plättchen auf einfache und billige Weise genauestens wiedergegeben.

50 9034/088 3

Claims (9)

1. BLUMBACH . WESER · BERGEN . KRAMER

   PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN

   Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237

   Western Electric Company, Inc. Coquin-3-7-6

   Patent ansprüche

   . Verfahren zum Herstellen elektronischer Bauelemente mit im Submikrometerbereich liegender Zeichnungsfeinheit, bei dem ein Röntgenstrahlungs-Lack auf einem Plättchen aufgebracht wird, Röntgenstrahlen auf die Lackschicht von einer Röntgenstrahlungsquelle aus gerichtet werden, wobei die Röntgenstrahlen eine charakteristische Wellenlänge und ein relativ breites Band kontinuierlicher Wellenlängen umfassen, und eine Röntgenstrahlungsmaske zwischen die Quelle und die Lackschicht eingefügt wird, um die charakteristische Wellenlänge am Auftreffen auf ausgewählten Teilen der Lackschicht zu hindern, die einem Röntgenstrahlung absorbierenden Muster der Maske entsprechen, dadurch gekennzeichnet , daß mit einer Maske gearbeitet wird, die einen röntgenstrahlungsdurchlässigen Film umfaßt, welcher über ein maßhaltiges, stabiles Tragglied gespannt und mit diesem verbunden ist.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet ,

   509e34/ü883 .

   daß der Film warmbehandelt wird, um ihm eine Spannung zu verleihen und daß ein Röntgenstrahlung absorbierendes Muster auf dem gespannten Film erzeugt wird.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß ein Filter zwischen der Röntgenstrahlungsquelle und der Lackschicht angeordnet wird, das ein schmales Wellenlängenband, das die charakteristische Wellenlänge einschließt, durchläßt und das die anderen Wellenlängen absorbiert .
4. k. Maskenanordnung zur Verwendung im Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein maßhaltiges stabiles Tragglied, einen röntgenstrahlungsdurchlässigen Film, der über das Tragglied gespannt^ und an diesem befestigt ist und ein auf dem Film angeordnetes Röntgenstrahlen absorbierendes Muster.
5. 5. Maske nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß der Film aus Polyäthylenterephthalat hergestellt ist.
6. 6. Maske nach Anspruch H oder 5, gekennzeichnet durch röntgenstrahlungsdurchlässige Mittel zum Schützen des Musters vor Beschädigung.
7. 7. Maske nach einem der Ansprüche 4 bis 6, gekennzeich-

   508834/0883

   net durch eine auf den Film niedergeschlagene Schicht zum Absorbieren aller Röntgenstrahlungswellenlängen außer einem vorbestimmten schmalen Band.
8. 8. Maske nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das röntgenstrahlungsdurchlässige Mittel eine Schicht aus Borcarbid umfaßt, die zum Schütze des Musters auf den Film niedergeschlagen ist,
9. 9. Maske nach einem der Ansprüche H bis 8, dadurch g e k e η η · zeichnet , daß das Muster aus Gold aufgebaut ist.

   503834/0 883