DE3634147C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein lithographisches Verfahren
zum Bestrahlen eines photoempfindlichen Materials mit einer Strahlung
durch einen Maskierungsmaterialträgerfilm, der musterartig
mit einem Maskierungsmaterial versehen ist, und auch auf einen
lithographischen Maskenaufbau.
Röntgenstrahlenlithographie hat wegen der besonderen Eigenschaften
der Röntgenstrahlen, wie zum Beispiel geradlinige
Ausbreitung, keine Interferenz, geringe Beugung usw.,
viele entscheidende Vorteile gegenüber der herkömmlichen
Lithographie, die sichtbares oder ultraviolettes Licht
benutzt, und wurde deshalb als bedeutendes und nützliches
Mittel für eine Submikronlithographie oder Viertelmikronlithographie
angesehen. Trotz der vielen Vorteile gegenüber
der herkömmlichen Lithographie, die sichtbares oder ultraviolettes
Licht verwendet, hat die Röntgenstrahlenlithographie
jedoch noch einen solchen Nachteil, wie zum
Beispiel eine niedrige Produktivität, das heißt hohe Kosten
wegen des Leistungsmangels der Röntgenstrahlenquelle,
die niedrige Empfindlichkeit der Photolacks (Resist), der
schwierigen Ausrichtung, der schwierigen Wahl von
Maskierungsmaterial, der schwierigen Verarbeitungsgänge
usw. Daher ist ihre praktische Anwendung beträchtlich
verzögert worden.
Eine praktisch höchst bewährte Belichtungsschicht (Resist)
für die Lithographie unter jenen bisher in der Literatur
offenbarten ist Polymethylmethacrylat (PMMA), das auch
eine bewährte Belichtungsschicht für Elektronenstrahlen ist,
wobei es insbesondere die Forderung nach weniger als 0,1 µm
erfüllen kann, und es sind keine anderen vergleichbaren
Materialien bis jetzt gefunden worden. Ein noch verbleibendes
wichtiges Problem der Röntgenstrahlenlithographie
ist das Problem der Empfindlichkeit. Als Wirkungsgrad der
Röntgenstrahlenanwendung in der Röntgenstrahlenlithographie
wird üblicherweise höchstens 0,3% genannt, was
einen Grund für die Erniedrigung der Empfindlichkeit darstellt.
Zum Beispiel wird im Falle von PMMA bei Verwendung eines
Pd Kα-Strahls als Röntgenstrahl eine Empfindlichkeit von
1000 bis 2000 mJ/cm² genannt, wobei die Empfindlichkeit
durch eine Röntgenstrahlendosis bei der Bestrahlung gegeben
ist. Das heißt, je geringer die Bestrahlungsdosis ist,
um so höher ist die Empfindlichkeit. Eine praktische
Belichtungsschicht hoher Empfindlichkeit ist chlormethyliertes Polystyrol
(CMS), das eine Empfindlichkeit von etwa 100 mJ/cm²
unter den gleichen Bedingungen wie vorstehend hat. Eine
Bedingung für die praktische Anwendung der Röntgenstrahlenlithographie
ist eine notwendige Verwendung einer Röntgenstrahlenabdeckung
mit einer Empfindlichkeit von nicht
mehr als 10 mJ/cm², deren Entwicklung erwünscht worden
ist.
Nun wurden Untersuchungen für eine höhere Produktivität
in drei Richtungen durchgeführt, und zwar Strahlstärke
der Strahlungsquelle, Röntgenstrahlendurchlässigkeit des
Maskenmaterialträgerkörpers und Röntgenstrahlenundurchlässigkeit
des Maskenmaterials sowie Empfindlichkeit der Belichtungsschicht,
aber wegen vieler widriger Einflüsse ist kein schneller
und bemerkenswerter Fortschritt zu erwarten. Eine höhere
Empfindlichkeit der Belichtungsschicht jedoch kann eine wesentliche
Bedingung aus der Tatsache heraus darstellen, daß ein
Bauteil beschädigt würde, wenn die Röntgenstrahlung zu
hart ist. Es ist überflüssig zu sagen, daß diese Bedingung
notwendig und wesentlich ist, selbst wenn die Eigenschaften
der Maske und der Strahlungsquelle in Zukunft verbessert
werden.
Im folgenden wird eine lithographische Maske für die Röntgenstrahlenlithographie
beschrieben. Bei der herkömmlichen Lithographie,
die sichtbares und ultraviolettes Licht benutzt,
werden eine Glasplatte oder eine Quarzplatte als Trägerkörper
(lichtdurchlässiger Körper) für das Maskenmaterial
verwendet. Bei der Röntgenstrahlenlithographie beträgt
jedoch die verwendete Wellenlänge zum Beispiel 0,1 bis
20 nm (1 bis 200Å). Die bisher verfügbare Glas- oder
Quarzplatte hatte eine große Absorption im Röntgenstrahlenwellenlängenbereich
und mußte 1 bis 2 mm dick sein, um
die Ebenheit aufrechtzuerhalten, womit eine Minderleistung
der Übertragung der Röntgenstrahlung verbunden war. Daher
ist die Glas- oder Quarzplatte nicht geeignet für einen
Maskenmaterialträgerkörper bei der Röntgenstrahlenlithographie.
Im allgemeinen hängt die Röntgenstrahlendurchlässigkeit
von der Dichte eines Materials ab, und so wurden anorganische
und organische Materialien niedriger Dichte
als Materialien für den Maskenmaterialträgerkörper bei
der Röntgenstrahlenlithographie untersucht. Diese umfassen
zum Beispiel solche anorganischen Materialien wie einfache
Substanzen, zum Beispiel Beryllium (Be), Titan (Ti),
Silizium (Si) und Bor (B), deren Verbindungen usw. und
organische Materialien, wie zum Beispiel Polyimid, Polyamid,
Polyester, Polyparaxylylen
usw.
Bei einer tatsächlichen Anwendung dieser Materialien
als Maskenmaterialträgerkörper in der Röntgenstrahlenlithographie
ist es notwendig, sie in einem dünnen Film
auszuführen, damit die Röntgenstrahlendurchlässigkeit
möglichst hoch ist. Es ist erforderlich, daß die Filmdicke
nicht mehr als einige µm für die anorganischen Materialien
und nicht mehr als einige 10 µm für die organischen
Materialien beträgt. Bei der Ausbildung eines Maskenmaterialträgerkörpers
(nachfolgend als Maskenmaterialträgerfilm
bezeichnet), der zum Beispiel aus einem anorganischen
dünnen Film oder einem daraus zu diesem Zweck
aufgebauten Film zusammengesetzt ist, ist eine Verarbeitung
vorgeschlagen worden, die in der Ausbildung eines Films
aus Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Bornitrid oder Siliziumcarbid
oder einer Siliziumplatte guter Ebenheit durch
Bedampfung usw. und einer anschließenden Beseitigung
der Siliziumplatte durch Ätzen besteht.
Andererseits umfaßt das Maskenmaterial bei der Röntgenstrahlenlithographie
(Röntgenstrahlenabsorptionsmaterial, nachfolgend
als "Maskenmaterial" bezeichnet), das auf dem vorstehend
genannten Maskenmaterialträgerfilm aufliegt, im allgemeinen
Filmmaterialien mit hoher Dichte, zum Beispiel
Gold, Platin, Wolfram, Tantal, Kupfer oder Nickel, wobei
die Filme vorzugsweise eine Dicke von 0,5 bis 1 µm
besitzen. Ein solches Maskenmaterial kann zum Beispiel
durch Ausbildung eines dünnen Films aus einem Maskenmaterial
hoher Dichte über einen gesamten Maskenmaterialträgerfilm,
einem anschließenden Aufbringen einer Abdeckung
darauf, eine Abbildung eines gewünschten Musters auf
der Abdeckung durch einen Elektronenstrahl, Licht usw.
und durch eine anschließende Ausbildung des gewünschten
Musters durch Ätzen oder andere Mittel hergestellt werden.
Bei der herkömmlichen Röntgenstrahlenlithographie hat
der vorstehend erwähnte Maskenmaterialträgerfilm eine
niedrige Röntgenstrahlendurchlässigkeit und muß daher
sehr dünn ausgebildet werden, um eine genügende Röntgenstrahlendurchlässigkeit
zu erreichen. Ein Problem bestand
darin, einen solchen Film herzustellen.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen lithographischen
Maskenaufbau und ein lithographisches Verfahren mit einer
wirksam verbesserten Empfindlichkeit des photoempfindlichen
Materials, wie zum Beispiel einer Belichtungsschicht usw. und
mit besserer lithographischer Anwendbarkeit zu schaffen,
wobei die dem Stand der Technik innewohnenden Probleme
gelöst werden.
Die Erfindung soll weiterhin einen lithographischen Maskenaufbau
und ein lithographisches Verfahren schaffen, das
eine lithographische Anwendung unter weniger strengen
Bedingungen der Röntgenstrahlendurchlässigkeit, Dicke
usw. des Maskenmaterialträgerfilms ermöglicht.
Ferner soll die Erfindung einen lithographischen Maskenaufbau
schaffen, der einen Maskenmaterialträgerfilm und
ein ringförmiges Trägersubstrat zum Tragen des Maskenmaterialträgerfilms
am Umfang aufweist, wobei der Maskenmaterialträgerfilm
einen Leuchtstoff enthält.
Die Erfindung soll außerdem einen lithographischen Maskenaufbau
schaffen, der einen Maskenmaterialträgerfilm und
ein ringförmiges Trägersubstrat zum Tragen des Maskenmaterialträgerfilms
am Umfang aufweist, wobei der Maskenmaterialträgerfilm
sich aus einem Leuchtstoff zusammensetzt.
Weiterhin soll die Erfindung ein lithographisches Verfahren
schaffen, das eine Bestrahlung des photoempfindlichen
Materials mit einer Strahlung durch einen Maskenmaterialträgerfilm,
der mit einem musterartigen Maskenmaterial
versehen ist, umfaßt, wobei sich der Maskenmaterialträgerfilm
aus einem Leuchtstoff zusammensetzt,
eine zweite Strahlung aus dem der Strahlung
ausgesetzten Leuchtstoff erzeugt wird und das photoempfindliche
Material der zweiten Strahlung und der Strahlung
zusammen ausgesetzt wird.
Weiterhin soll die Erfindung ein lithographisches Verfahren
schaffen, bei dem photoempfindliches Material mit einem
Bestrahlungsstrahl durch ein mit einem musterartigen
Maskenmaterial versehenen Maskenmaterialträgerfilm bestrahlt
wird, wobei der Maskenmaterialträgerfilm einen Leuchtstoff
enthält, zweite Strahlung aus dem dem
Bestrahlungsstrahl ausgesetzten Leuchtstoff erzeugt wird
und das photoempfindliche Material von der zweiten Strahlung
und dem Bestrahlungsstrahl zusammen bestrahlt
wird.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen unter
Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch den Hauptteil
des Belichtungsgeräts, das einen lithographischen
Maskenaufbau gemäß einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung verwendet.
Fig. 2 eine schematische Querschnittsansicht eines lithographischen
Maskenaufbaus gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht eines
lithographischen Maskenaufbaus gemäß einem anderen
Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht eines Verfahrens,
die ein Verfahren zur Herstellung eines
lithographischen Maskenaufbaus gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel der Erfindung wiedergibt.
Fig. 5 eine schematische Querschnittsansicht des
Hauptteils eines Belichtungsgeräts, das einen
lithographischen Maskenaufbau gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung
zeigt.
Fig. 6 eine schematische Querschnittsansicht eines
lithographischen Maskenaufbaus gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Die vorliegende Erfindung ist insbesondere auf die
Steigerung der wirksamen Empfindlichkeit einer Belichtungsschicht
durch zweite Strahlung (Fluoreszenzstrahlung)
gerichtet, die von einem einer Strahlung ausgesetzten
Maskenmaterialträgerfilm erzeugt wird. Wenn zum Beispiel
Röntgenstrahlen als Strahlen verwendet werden,
die eine Rolle beim Projizieren eines Musters auf die
Belichtungsschicht spielt, ist diese Strahlung der Hauptstrahl.
Das heißt, die zweite Strahlung spielt
als Hilfsstrahl eine Rolle bei der Steigerung der
Empfindlichkeit der Belichtungsschicht und muß unterhalb eines
gegebenen Schwellenwerts liegen. Der Schwellenwert
hängt von der Vorbehandlung einer Belichtungsschicht, den Entwicklungsbedingungen
usw. ab und kann nicht im einzelnen angegeben
werden. Wenn zum Beispiel Art und Dicke der Belichtungsschicht,
Behandlungsmethoden, wie zum Beispiel die Vorbehandlung
usw., Einflüsse der Strahlungsquelle auf die Entwicklungsbedingungen,
wie zum Beispiel Art, Leistung usw. festgelegt
werden, kann der Schwellenwert durch den Wellenlängenbereich
des emittierten Lichts, den Wirkungsgrad
des emittierten Lichts, die Dicke und Dichte eines Fluoreszenzmaterials
bestimmt werden.
Bei der vorliegenden Erfindung wird der zweite Strahlungsstrahl
bei einer solchen Größe, daß er den Schwellenwert
nicht übersteigt, dazu verwendet, die Empfindlichkeit
in Abhängigkeit von solchen Abdeckungsmerkmalen zu
erhöhen, daß die Belichtungsschicht nicht für einen Strahlungsstrahl
unterhalb des Schwellenwerts empfindlich ist,
aber für einen Strahlungsstrahl empfindlich gemacht
wird, wenn er den Schwellenwert übersteigt. Auf diese
Weise besitzt die Leistung des Strahlungsstrahls als
Hauptstrahl zur Projektion eines Musters eine solche
Größe, daß der Schwellenwert nur zusammen mit dem zweiten
Bestrahlungsstrahl überschritten wird und so keine
große Leistung erforderlich ist. Mit anderen Worten,
ein klares Muster kann mit niedriger Leistung ausgebildet
werden.
In der vorliegenden Erfindung ist eine Röntgenstrahlung
ein besonders wirksamer Strahl. Ultraviolette Strahlen
einschließlich eines vakuum-ultravioletten Strahls,
Elektronenstrahlen und Ionenstrahlen haben ebenfalls
eine Sensibilisierungswirkung auf die Belichtungsschicht.
Der Wellenlängenbereich des zweiten Strahlungsstrahls
ist nicht besonders begrenzt, sondern ist praktisch
200 bis 550 nm, wenn ein Wellenlängenbereich entsprechend
dem photoempfindlichen Bereich der lithographischen
Abdeckung der vorliegenden Erfindung in Betracht gezogen
wird. Ein besonders wirksamer Bereich erstreckt sich
von 300 bis 450 nm, der von den meisten photolithographischen
Abdeckungen als photoempfindlicher Bereich
abgedeckt wird und in dem die meisten Fluoreszenzmaterialien
die Sekundärstrahlung aussenden.
Die Art des Fluoreszenzmaterials ist nicht besonders
eingeschränkt. Ihre typischen Beispiele sind folgende:
ZnS : Ag, ZnS : Cu · Al, Zn₂SiO₄ : Mn, CaWO₄, Ca₂MgSi₂O₇ : Ce, ZnO : Zn, ZnS : Cu, Y₂O₂S : Tb, YAlO₃ : Ce · Ag, ZnS : Ag · Ga · Cl, ZnS : Zn + In₂O₃, BaSi₂O₅ : Pb, (Sr, Ca)B₄O₇ : Eu2+ : Ca₂B₅O₉Cl : Eu2+, Sr₄Si₃O₈Cl₄ : Eu2+, BaMgAl₁₄O₂₃ : Eu2+, BaO · 6Al₂O₃ : Mn, BaSO₄ : Pb, BaFCl : Eu2+, La₂O₂S : Tb, Gd₂O₂S : Tb, MgB₄O₇ : Tb, Li₂B₄O₇ : Cu, Ba₂Si₂O₅ : Pb, NaI : Tl, CaF₂ : Eu, MgF₂ : Eu, KCl : Tl, CaS : Bi, β CaSiO₃ : Pb, BaSi₂O₅ : Pb, Zn₂SiO₄ : Ti, CaO · MgO · 2 SiO₂ : Ti, Ca₃(PO₄)₂ : Ce, Ca₃(PO₄)₂ : Ce · Mn, Ca₃(PO₄)₂ : Tl, MgWO₄, usw. und deren Gemische.
ZnS : Ag, ZnS : Cu · Al, Zn₂SiO₄ : Mn, CaWO₄, Ca₂MgSi₂O₇ : Ce, ZnO : Zn, ZnS : Cu, Y₂O₂S : Tb, YAlO₃ : Ce · Ag, ZnS : Ag · Ga · Cl, ZnS : Zn + In₂O₃, BaSi₂O₅ : Pb, (Sr, Ca)B₄O₇ : Eu2+ : Ca₂B₅O₉Cl : Eu2+, Sr₄Si₃O₈Cl₄ : Eu2+, BaMgAl₁₄O₂₃ : Eu2+, BaO · 6Al₂O₃ : Mn, BaSO₄ : Pb, BaFCl : Eu2+, La₂O₂S : Tb, Gd₂O₂S : Tb, MgB₄O₇ : Tb, Li₂B₄O₇ : Cu, Ba₂Si₂O₅ : Pb, NaI : Tl, CaF₂ : Eu, MgF₂ : Eu, KCl : Tl, CaS : Bi, β CaSiO₃ : Pb, BaSi₂O₅ : Pb, Zn₂SiO₄ : Ti, CaO · MgO · 2 SiO₂ : Ti, Ca₃(PO₄)₂ : Ce, Ca₃(PO₄)₂ : Ce · Mn, Ca₃(PO₄)₂ : Tl, MgWO₄, usw. und deren Gemische.
Der Doppelpunkt in den chemischen Formeln der vorstehenden
Fluoreszenzmaterialien stellt ein Symbol dar, das zeigt,
daß das Element oder Ion auf der rechten Seite des Doppelpunkts
ein Additiv ist.
In dem erfindungsgemäßen lithographischen Maskenaufbau
setzt sich der Maskenmaterialträgerfilm aus einen Fluoreszenzmaterial
zusammen oder enthält das Fluoreszenzmaterial.
Im ersteren Fall beträgt die Dicke des Maskenmaterialträgerfilms
vorzugsweise zwei µm oder mehr vom Gesichtspunkt
der Stärke und 10 µm oder weniger vom Gesichtspunkt
der Strahlungsdurchlässigkeit. Im ersteren Falle können
verschiedene Fluoreszenzmaterialien zur Bildung eines
Maskenmaterialträgerfilms verwendet werden. Vom Gesichtspunkt
der Stärke ist es besonders vorteilhaft, CaF₂ : Eu
und MgF₂ : Eu zu verwenden. Im letzteren Falle besitzt
der Maskenmaterialträgerfilm die Form eines geschichteten
Films zum Beispiel mit einem Film aus Fluoreszenzmaterial
und einen Film aus anorganischem Material, wie zum Beispiel
Siliziumnitrid usw. oder ein organisches
Material, wie zum Beispiel Polyimid usw. Besonders
wirksam vom Gesichtspunkt der Stärke ist ein geschichteter
Film mit einem Film aus organischem Material.
Der geschichtete Film ist nicht auf zwei Schichten
begrenzt, sondern kann aus mehr als zwei Schichten
bestehen.
Das Material für einen Film aus anorganischem Material
in dem geschichteten Film kann Keramiken aus AlN, Al₂O₃,
BN, SiO₂, SiC, Aluminiumoxinitrid (7Al₂O₃3AlnN),
Sialon (SiAl₄O₄N₄) usw. neben den vorstehend genannten
enthalten. Das Material für einen Film aus organischem
Material bei dem geschichteten Film kann Polyamid, Polyparaxylylen
(Handelsname: Parylen, hergestellt von Union
Carbide Co.) (Handelsbezeichnung), Polyethylen-Terephthalat,
Polyacrylnitril, Ethylen-Penten-Copolymer usw.
Vom Gesichtspunkt der Strahlungsdurchlässigkeit usw. ist
es wünschenswert, daß die Dicke eines aus Fluoreszenzmaterial
zusammengesetzten Films 1 bis 5 µm und die Gesamtdicke
eines Maskenmaterialträgerfilms nicht mehr als einige
10 µm beträgt.
Weiterhin soll im letzteren Fall neben der vorstehend
erwähnten Form der Maskenmaterialträgerfilm derart sein,
daß feine Partikel eines Fluoreszenzmaterials im Maskenmaterialträgerfilm
verteilt sind. Vorzugsweise sollen
die feinen Partikel eine Größe von nicht mehr als 1 µm
besitzen. Ultrafeine Partikel, d. h. gleichmäßig feine
Partikel mit Größen von einigen bis einigen 100 nm
sind besonders vorteilhaft, weil sie gleichmäßig im Maskenmaterialträgerfilm
verteilt werden können. Das Material
für einen Maskenmaterialträgerfilm, in dem ein Fluoreszenzmaterial
verteilt ist, unterliegt keiner besonderen Einschränkung,
aber ein organisches Material, wie zum Beispiel
Polyimid usw. ist vom Gesichtspunkt der einfachen Behandlung
vorzuziehen.
Im folgenden werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen Beispiele der Erfindung beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des
Hauptteils eines Belichtungsgerätes, das einen lithographischen
Maskenaufbau gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung verwendet, wobei Röntgenstrahlung als Strahlung
verwendet wird. Das Bezugszeichen 1 bezeichnet ein
ringförmiges Trägersubstrat, 2 eine durch Dampfniederschlag
von α CaSiO₃Pb usw. gebildete Fluoreszenzmaterialschicht
und 3 ein musterartiges aus Gold usw. gebildetes
Maskenmaterial, zum Beispiel mit einer Dicke von 0,7 µm.
Das Bezugszeichen 4 bezeichnet einen Film aus Polyimid
usw., 6 eine Scheibe (Wafer) aus Aluminium usw. und 7
eine Abdeckung. Das Bezugszeichen 8 bezeichnet eine von
der Fluoreszenzmaterialschicht 2 erzeugte Sekundärstrahlung
(Fluoreszenzstrahlung).
Röntgenstrahlung, wie zum Beispiel RhL α-Strahlung usw.
wird im allgemeinen von einer Röntgenstrahlungsquelle
(Ziel) 10 auf die Abdeckung 7 gestrahlt, die auf der Schicht
6 durch einen lithographischen Maskenaufbau für eine Röntgenstrahlung
bedeckt ist. Die Abdeckung 7 ist zum Beispiel
aus Polymethylisopropenylketon (PMIPK) usw. hergestellt,
auf die die durch den Maskenmaterialträgerfilm ohne Absorption
durch das musterartige Maskenmaterial 3 übertragene
Röntgenstrahlung gestrahlt wird, um das Muster des Maskenmaterials
3 darauf zu projizieren. In diesem Falle hat
zum Beispiel die von der Fluoreszenzmaterialschicht 2
erzeugte Sekundärstrahlung einen Spitzenwert bei zum Beispiel
300 nm und wird auf die Abdeckung 7 gestrahlt.
Fig. 2 stellt eine schematische Querschnittsansicht eines
lithographischen Maskenaufbaus gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar, wobei ein Maskenmaterialträgerfilm
aus einem Fluoreszenzmaterial hergestellt
ist. Das Bezugszeichen 1 bezeichnet ein ringförmiges Siliziumträgersubstrat,
2 eine 6 mm dicke Fluoreszenzmaterialschicht,
die aus CaF₂ : Eu zusammengesetzt ist, und 3 ein
1 µm dickes, musterartiges Goldmaskenmaterial.
Daneben ist eine Abdeckung auf Zyklokautschukbasis OMR-83
(Handelsbezeichnung eines von Tokio Ohka K. K., Japan
hergestelltes Produkt) im voraus mit einer Dicke von
1,5 µm einer (in der Zeichnung nicht gezeigten) Siliziumschicht
(Läufer) abgedeckt und durch ein Röntgenstrahlenausrichtgerät
einer leichten Bestrahluung mit einer RhL α-Strahlung
und dann einer spezifischen Entwicklungsbehandlung
unterzogen. Es wurde gefunden, daß eine Bestrahlungsdosis
aus einer Strahlungsquelle von etwa einem Fünftel der
herkömmlichen Leistung ausreicht, um ein bestimmtes Muster
zu erhalten, wenn der vorliegende lithographische Maskenaufbau
verwendet wird.
Der vorliegende lithographische Maskenaufbau kann auf
folgende Weise hergestellt werden. Ein Fluoreszenzmaterial
CaF₂ : Eu wird auf einer beidseitig mit Oxidfilmen (SiO₂-Schichten)
versehenen Siliziumschicht in einem EB-Dampfbeschichtungsgerät
dampfbeschichtet, so daß sich eine Fluoreszenzmaterialschicht
ausbildet. Dann wird ein 50 nm (500 Å)
dicker Ni-Film auf der Fluoreszenzmaterialschicht ausgebildet.
Darauf wird dann eine Abdeckung OEBR-1000 (Handelsname
eines von Tokio Ohka K. K., Japan, hergestelltes Produkt)
auf PMMH-Basis gegeben, vorgebacken und ein Maskenmuster
wird auf der Abdeckung von einen EB Abbildungsgerät
abgebildet. Ein Abdeckungsmuster wird mit einer bestimmten
Entwicklungslösung unter Entwicklungsbedingungen
ausgebildet. Dann wird ein Goldüberzug mit der Nickelschicht
als einer Elektrode zur Ausbildung eines Goldmusters aufgezogen.
Dann wird ein Schutzfilm auf Teerbasis auf der Oberfläche
aufgebracht und der Oxidfilm (SiO₂) auf der Maskenfläche
auf der Rückseite durch eine Hydrofluornitridsäuremischung
beseitigt. Dann wird elektrolythisches Ätzen
mit einer elektrolythischen Lösung, die etwa 3% Hydrofluorsäure
enthält, durchgeführt, um die Si-Schicht im Maskenbereich
zu beseitigen. Darauf wird die SiO₂-Schicht im
Maskenbereich mit einer Mischung aus Flußsäure und Salpetersäure
beseitigt. Nachfolgend wird mit Aceton der Anstrich auf
Teerbasis entfernt und eine Beseitigung der Abdeckung
und der Ni-Schicht mit 30% Nitridsäure durchgeführt.
Ein lithographischer Maskenaufbau mit einem einschichtigen
Maskenmaterialträgerfilm aus CaF₂ : Eu, wie in diesem
Beispiel gezeigt, kann erhalten werden.
Anstelle durch Röntgenstrahlung wird die Bestrahlung mit
einer fernen Ultraviolettstrahlung bei dem selben Maskenaufbau
wie in Beispiel 2 durchgeführt. Bei der Lithographie,
die eine Quarzplatte mit einem musterartigen Chrommaskenmaterial
auf der Oberfläche verwendet, ist die Abdeckung
OMR-83 (Handelsbezeichnung eines von Tokio Ohka
K. K., Japan, hergestellten Produkts) nicht sorgfältig
ausgehärtet, und der Abdeckungsfilm schält sich bei der
Entwicklung ab, wobei ein Versagen bei der Ausbildung eines
Abdeckungsmusters eintritt. Bei dem lithographischen Maskenaufbau
dieses Beispiels kann ein zufriedenstellendes Abdeckungsmuster
ausgebildet werden.
Fig. 3 stellt eine schematische Querschnittsansicht eines
lithographischen Maskenaufbaus gemäß einem anderen
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar,
wobei das Bezugszeichen 1 ein ringförmiges Trägersubstrat,
2 eine Fluoreszenzmaterialschicht, 3 ein musterartiges
Maskenmaterial, 4 einen Film und 5 ein Haftmittel
darstellen.
Die Maske gemäß Fig. 3 wird auf folgende Art und
Weise hergestellt. Zunächst wird ein gleichseitig
auseinandergezogener Polyimidfilm als ein Film 4
auf zum Beispiel ein ringförmiges Trägerscheibensubstrat
1 mit einem Kleber 5 aufgeklebt, und dann wird BaFCl : Eu
in einem Elektronenstrahlaufdampfgerät als Fluoreszenzmaterialschicht
2 mit einer Dicke von etwa 2 µm darauf
aufgedampft. Dann wird ein Maskenmuster in der selben
Schrittfolge wie im Beispiel 2 ausgebildet.
Bei der Belichtung wird eine Abdeckung auf Zinnamatbasis
KPR (Handelsname von Kodak, USA) als Abdeckung mit
einer Dicke von ungefähr 2 µm auf eine Siliziumschicht
aufgebracht, die mit einem Oxidfilm versehen ist,
und dann einer Bestrahlung mit Röntgenstrahlung (PdL a-Strahlung)
ausgesetzt. Es wurde gefunden, daß ein gutes
Abdeckungsmuster mit einer Bestrahlungsdosis aus einer
Strahlungsquelle mit etwa einem Viertel der herkömmlichen
Leistung bei Verwendung des vorliegenden lithographischen
Maskenaufbaus ausgebildet werden kann.
Fig. 4 zeigt einen schematischen Querschnitt einer
Verfahrensansicht, die ein Verfahren zur Erzeugung eines
lithographischen Maskenaufbaus gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wiedergibt,
wobei die den vorausgehenden Beispielen gemeinsamen
oder entsprechenden Teile mit denselben Bezugszeichen
bezeichnet sind und Bezugszeichen 11 ein Fluoreszenzmaterial
und 9 ein Siliziumplättchen darstellen.
Der lithographische Maskenaufbau gemäß Fig. 4 kann
auf folgende Weise hergestellt werden. Zunächst werden
ultrafeine Partikel eines Fluoreszenzmaterials 11 (CaWO₄)
in einem Polyimidzwischenstoff P1Q (Handelsname eines
von Hitachi Kasei Kogyo K. K., Japan, hergestellten Produkts)
verteilt, und die sich ergebende Lösung wird in einer
Dicke von etwa 6 µm auf ein Silikonplättchen aufgetragen.
Dann wird die Schicht einer bestimmten Aushärtungsbehandlung
(Vernetzung, Cross-Linking) unterzogen, so daß
sich ein Maskenmaterialträgerfilm als Fluoreszenzmaterialschicht
2 bildet, die das verteilte Fluoreszenzmaterial
11 enthält. Dann wird ein musterartiges Maskenmaterial
aus Gold (Au) auf dem Maskenmaterialträgerfilm gemäß
dem selben photolithographischen Verfahren wie in den
vorhergehenden Beispielen ausgebildet. Darauf wird das
mit dem Haftmittel 5 auf das ringförmige Trägersubstrat
1 aufgeklebte Siliziumblättchen 9 zur Herstellung eines
lithographischen Maskenaufbaus entfernt.
Dann wird ein Gelatinbichromat in einer Dicke von ungefähr
2 µm als Abdeckung auf der Siliziumschicht aufgebracht
und unter leichter Röntgenbestrahlung (RhLa-Strahlung)
gebacken. Es wurde gefunden, daß sich ein gutes Muster
mit einer Bestrahlungsdosis aus einer Strahlungsquelle
von etwa einem Viertel der herkömmlichen Leistung bei
Verwendung des vorliegenden lithographischen Maskenaufbaus
ergibt.
Fig. 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht
der wesentlichen Teile eines Belichtungsgeräts, das
einen lithographischen Maskenaufbau gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet,
wobei Bezugszeichen 2 ein ringförmiges Trägersubstrat,
22 eine durch Bedampfung hergestellte Fluoreszenzmaterialschicht,
zum Beispiel BaSi₂O₅ : Pb usw. und 23 ein musterartiges
Maskenmaterial aus Gold usw. mit einer Dicke
von 0,7 µm bezeichnen. Bezugszeichen 24 bezeichnet
einen Film aus Polyethylenterephthalat usw., 25 eine
Schicht aus Silizium usw., 26 eine Abdeckung und 27
eine von der Fluoreszenzmaterialschicht 22 erzeugte
Sekundärstrahlung (Fluoreszenzstrahlung).
Röntgenstrahlung, wie zum Beispiel eine von einer
Röntgenstrahlungsquelle (Ziel) 28 erzeugte RhLa-Strahlung
usw., wird auf die Abdeckung 26 gestrahlt, die auf
die Siliziumschicht 25 über den lithographischen Aufbau
aufgebracht ist. Die Abdeckung 26 ist zum Beispiel
OMR-83 (Handelsbezeichnung eines von Tokio Ohka K. K.,
Japan, hergestellten Produkts) usw., auf welche die
durch den Maskenmaterialträgerfilm ohne Absorption
in dem musterartigen Maskenmaterial 23 übertragene
Röntgenstrahlung aufgestrahlt wird, so daß das Muster
des Maskenmaterials 23 auf die Abdeckung 26 projiziert
wird. In diesem Falle besitzt die von der Fluoreszenzmaterialschicht
22 erzeugte Sekundärstrahlung 27 einen
Spitzenwert bei 350 nm und strahlt auf die Abdeckung
26.
Bei diesem Gerät wird ein 6 µm dicker Polyethylenterephthalatfilm
24 verwendet, ein 5 µm dicker BaSi₂O₅ : Pb-Film
als eine Fluoreszenzmaterialschicht 22 und
ein 0,7 µm dicker Goldfilm als ein Maskenmaterial 23
verwendet, wobei die Fluoreszenzmaterialschicht 22
durch Verteilung von BaSi₂O₅ in Polyvinylalkohol
(PVA) und Beseitigung des Wassers davon in einem
Trocknungsvorgang bei etwa 95°C erzeugt wird. Die Abdeckung
26 wird durch vorheriges Aufbringen einer Abdeckung
auf Zyklokautschukbasis OMR-83 (Handelsname eines
von Tokio Ohka K. K., Japan, hergestellten Produkts)
in einer Dicke von 1,5 µm auf die Schicht aufgebracht,
wobei die Abdeckung einer leichten Bestrahlung
mit einer RhL α-Strahlung durch ein Röntgenstrahlungsausrichtgerät
unter einem vermindertem Druck von 0,666 Pa
(5×10-3 Torr) unterzogen wird und sich eine bestimmte
Entwicklungsbehandlung anschließt. Es wurde gefunden, daß
eine Bestrahlungsdosis aus einer Strahlungsquelle von etwa
einem Drittel der herkömmlichen Leistung ausreicht bei
Verwendung des vorliegenden lithographischen Maskenaufbaus.
Ein 6 µm dicker Polyethylenterephthalatfilm 24 und ein
3 µm dicker ZnS : Ag-Film wird als Fluoreszenzmaterialschicht
22 verwendet, wobei ZnS : Ag auf den Polyethylenterephthalatfilm
24 in einem EB-Bedampfungsgerät zur Ausbildung des ZnS : Ag-Films
aufgedampft wird. Die Abdeckung 26 ist ein 1 µm
dicker Film aus Polymethylisopropenylketon (PMIPK). Durch
dieselbe Bestrahlung wie im Beispiel 6 wurde gefunden,
daß die Abdeckung 26 eine wirksame Empfindlichkeit besitzt,
die dreimal so hoch wie eine herkömmliche ist.
Der Film 24 ist ein Polyparaxylylen (Handelsname: Parylen,
hergestellt von Union Carbide Co.) Film, die Fluoreszenzmaterialschicht
22 ist ein 5 µm dicker YAlO₃ : Ce-Film, wobei
YAlO₃ : Ce auf den Film 24 in einem EB-Aufdampfgerät zur
Ausbildung des YAlO₃ : Ce-Films aufgedampft wird. Die Abdeckung
26 ist ein 1,2 µm dicker Film OMR-83 (Handelsname eines
von Tokio Ohka K. K., Japan Produkts). Durch dieselbe Bestrahlung
wie im Beispiel 7 wurde gefunden, daß die Abdeckung
26 eine wirksame Empfindlichkeit besitzt, die viermal
so hoch ist wie eine herkömmliche.
Der Film ist ein 6 µm dicker Lumirror (Handelsname eines
von Toray, Japan, hergestellten Produkts) Film die Fluoreszenzmaterialschicht
22 ist ein 2 µm dicker ZnS : Ag-Film, das
Maskenmaterial 23 ist ein 0,8 mm dicker Goldfilm, und die
Abdeckung 26 ist ein 1 µm dicker Film aus OMR-83 (Handelsbezeichnung
eines von Tokio Ohka K. K., Japan, hergestellten
Produkts). Durch dieselbe Bestrahlung wie im Beispiel 7
ist gefunden worden, daß die Abdeckung 26 eine wirksame
Empfindlichkeit besitzt, die 5mal so hoch wie die herkömmliche
ist.
Fig. 6 stellt eine schematische Querschnittsansicht eines
lithographischen Maskenaufbaus gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung dar, wobei
die gleiche musterartige Bestrahlung wie im Beispiel 9 bei
dem lithographischen Maskenaufbau durchgeführt wird, wie
in Fig. 6 gezeigt. Bezugszeichen 24 a bezeichnet einen
6 µm dicken Polyimidfilm, 22 ein in einer Dicke von 1 µm
darauf durch Sputter-Aufdampfung darauf aufgedampfte
Fluoreszenzmaterialschicht aus CaF : Eu und 24 ein 0,2 µm
dicker Polyimidfilm. Es wurde gefunden, daß die Abdeckung
26 eine viermal größere wirksame Empfindlichkeit besitzt
als eine herkömmliche.
Der vorliegende lithographische Maskenaufbau deckt die
folgenden drei Arten ab:
- 1. Ein Maskenmaterial, bei dem nur der Umfangsteil durch ein ringförmiges Trägersubstrat getragen wird,
- 2. ein Maskenmaterial, das in einem Filmzustand auf der gesamten Oberfläche des Maskenmaterialträgerfilms aufgebracht ist und
- 3. ein Maskenmaterial, das musterartig aufgebracht ist.
Wie vorstehend im einzelnen beschrieben, kann die vorliegende
Erfindung die wirksame Empfindlichkeit eines photoempfindlichen
Materials durch Bestrahlung des photoempfindlichen
Materials mit einer von einem Fluoreszenzmaterial
erzeugten Strahlung verbessern, da der Maskenmaterialträgerfilm
für einen zu bestrahlenden lithographischen Maskenaufbau
aus dem Fluoreszenzmaterial zusammengesetzt ist oder
das Fluoreszenzmaterial enthält und auf diese Weise eine
gute Lithographie bewirken kann. Darüber hinaus können
strenge Bedingungen, wie z. B. Röntgenstrahlendurchlässigkeit,
Dicke usw. des Maskenmaterialträgerfilms bei dem
vorliegenden lithographischen Maskenaufbau gelockert werden.
Weiterhin kann der vorliegende lithographische Maskenaufbau
eine gute Lithographie ohne Bereitstellung einer zusätzlichen
Lichtquelle erzeugen, das heißt unter Verwendung
des herkömmlichen lithographischen Geräts als solchem.
Die Erfindung schafft somit einen lithographischen Maskenaufbau,
der einen Maskenmaterialträgerfilm und ein ringförmiges
Trägersubstrat zum Tragen des Maskenmaterialträgerfilms
am Umfang aufweist, wobei der Maskenmaterialträgerfilm
einen Leuchtstoff enthält.
Claims (56)
1. Lithographischer Maskenaufbau, gekennzeichnet durch
einen Maskenmaterialträgerfilm (4; 24) und ein ringförmiges Trägersubstrat
(1) zum Tragen des Maskenmaterialträgerfilms an dem
Umfang, wobei der Maskenmaterialträgerfilm einen Leuchtstoff (11)
enthält.
2. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff CaF₂ : Eu ist.
3. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff MgF₂ : Eu ist
4. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm (4; 24) ein geschichteter
Film aus einer Schicht des Leuchtstoffs (2; 22)
und einer Schicht eines anorganischen Materials ist.
5. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das anorganische Material AlN ist.
6. Lithographische Maskenstruktur nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das anorganische Material SiN ist.
7. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das anorganische Material BN ist.
8. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das anorganische Material Al₂O₃ ist.
9. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das anorganische Material SiO₂ ist.
10. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das anorganische Material SiC ist.
11. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das anorganische Material Aluminiumoxynitrid
ist.
12. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm (4; 24) ein
geschichteter Film aus einer Schicht des Leuchtstoffs (2; 22) und
einer Schicht eines organischen Materials ist.
13. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß das organische Material Polyimid ist.
14. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß das organische Material Polyamid ist.
15. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff eine Dicke von 1 bis
5 µm hat.
16. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm eine Dicke
von nicht mehr als einige 10 µm hat.
17. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die Leuchtstoffschicht eine Dicke von
1 bis 5 µm hat.
18. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm
(4; 24) eine Dicke von nicht mehr als einigen 10 µm
hat.
19. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß kleine Partikel des Leuchtstoffs
(11) im Maskenmaterialträgerfilm (4; 24) verteilt sind.
20. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet, daß die feinen Partikel eine
Größe von nicht mehr als 1 µm haben.
21. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm
(4; 24) sich aus einem organischen Material zusammensetzt.
22. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm
(4; 24) sich aus einem anorganischen Material zusammensetzt.
23. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das ringförmige Trägersubstrat
(1) Kreisform besitzt.
24. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß sich das ringförmige
Trägersubstrat (1) aus Si zusammensetzt.
25. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm
(4; 24) ein in Form eines dünnen Films auf den Trägerfilm
aufgebrachtes Maskenmaterial (3; 23) besitzt.
26. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) in
Form eines Musters aufgebracht ist.
27. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Gold
ist.
28. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Platin
ist.
29. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Wolfram
ist.
30. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Tantal
ist.
31. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Kupfer
ist.
32. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Nickel
ist.
33. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) eine
Dicke von 0,5 bis 1 µm besitzt.
34. Lithographischer Maskenaufbau, gekennzeichnet
durch einen Maskenmaterialträgerfilm (4; 24) und ein ringförmiges
Substrat (1) zum Tragen des Maskenmaterialträgerfilms
am Umfang, wobei der Maskenmaterialträgerfilm sich
aus einem Leuchtstoff (2; 22) zusammensetzt.
35. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 34,
dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff CaF₂ : Eu
ist.
36. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 34,
dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff MgF₂ : Eu
ist.
37. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 34,
dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm
(4; 24) eine Dicke von 2 bis 10 µm besitzt.
38. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 34,
dadurch gekennzeichnet, daß das ringförmige Trägersubstrat
(1) Kreisform besitzt.
39. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 34,
dadurch gekennzeichnet, daß sich das ringförmige
Trägersubstrat (1) aus Si zusammensetzt.
40. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 34,
dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialträgerfilm
(4; 24) ein in Form eines dünnen Films auf dem Trägerfilm
aufgebrachtes Maskenmaterial (3; 23) besitzt.
41. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) in
Form eines Musters aufgebracht ist.
42. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Gold
ist.
43. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Platin
ist.
44. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Wolfram
ist.
45. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Tantal
ist.
46. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Kupfer
ist.
47. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) Nickel
ist.
48. Lithographischer Maskenaufbau nach Anspruch 40,
dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmaterial (3; 23) eine
Dicke von 0,5 bis 1 µm besitzt.
49. Lithographisches Verfahren, gekennzeichnet durch
eine Bestrahlung eines photoempfindlichen Materials
mit einem Strahlungsstrahl durch einen musterartig
mit Maskenmaterial versehenen Maskenmaterialträgerfilm,
wobei sich der Maskenmaterialträgerfilm aus einem
Leuchtstoff zusammensetzt, ein zweiter Strahlungsstrahl
von dem dem Strahlungsstrahl ausgesetzten Leuchtstoff
erzeugt und das photoempfindliche Material dem zweiten
Strahlungsstrahl und dem Strahlungsstrahl zusammen
ausgesetzt wird.
50. Lithographisches Verfahren nach Anspruch 49,
dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlungsstrahl
ein Röntgenstrahl ist.
51. Lithographisches Verfahren nach Anspruch 49,
dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Strahlungsstrahl
ein Ultraviolettstrahl ist.
52. Lithographisches Verfahren nach Anspruch 49,
dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Strahlungsstrahl
sichtbares Licht ist.
53. Lithographisches Verfahren, gekennzeichnet durch
eine Bestrahlung eines photoempfindlichen Materials
mit einem Bestrahlungsstrahl durch einen musterartig
mit einem Maskenmaterial versehenen Maskenmaterialträgerfilm,
wobei der Maskenmaterialträgerfilm einen
Leuchtstoff enthält, ein zweiter Strahlungsstrahl
von dem dem Strahlungsstrahl ausgesetzten Leuchtstoff
erzeugt und das photoempfindliche Material mit dem
zweiten Strahlungsstrahl und dem Strahlungsstrahl
zusammen bestrahlt wird.
54. Lithographisches Verfahren nach Anspruch 53,
dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlungsstrahl
eine Röntgenstrahlung ist.
55. Lithographisches Verfahren nach Anspruch 53,
dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Strahlungsstrahl
ein Ultraviolettstrahl ist.
56. Lithographisches Verfahren nach Anspruch 53,
dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Strahlungsstrahl
sichtbares Licht ist.
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