DE3600169C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3600169C2 DE3600169C2 DE3600169A DE3600169A DE3600169C2 DE 3600169 C2 DE3600169 C2 DE 3600169C2 DE 3600169 A DE3600169 A DE 3600169A DE 3600169 A DE3600169 A DE 3600169A DE 3600169 C2 DE3600169 C2 DE 3600169C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- lithography mask
- absorber material
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 118
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 107
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 98
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 70
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 70
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 70
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 59
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 47
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 34
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 15
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 496
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 80
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 78
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 78
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 58
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 16
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 11
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- -1 Borni tride Chemical compound 0.000 description 7
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 5
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000243251 Hydra Species 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000104547 Ziziphus oenoplia Species 0.000 description 1
- 235000005505 Ziziphus oenoplia Nutrition 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine
Lithographiemaske und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung,
die zur Übertragung
eines Abdeckungsmusters auf eine mit einem lichtempfindli
chen Material beschichtete Scheibe bei der Herstellung von
Halbleitern geeignet ist.
Die Röntgenstrahlenlithographie hat eine Anzahl von Eigen
schaften, die denen der Lithographie mit sichtbarem Licht
oder mit UV-Strahlen, die früher auf der Grundlage von
geradliniger Ausbreitungscharakteristik, Inkohärenz und ge
ringer Strahlungsbeugung verwendet wurde, überlegen
sind und zieht als wirkungsvolles Mittel zur Submikronli
thographie Aufmerksamkeit auf sich.
Während die Röntgenstrahlenlithographie eine Anzahl von über
legenen Merkmalen im Vergleich zur Lithographie mit sicht
barem Licht oder mit UV-Strahlen hat, bringt sie Nachteile
mit sich wie ungenügende Leistung der Röntgenstrahlen
quelle, geringe Empfindlichkeit des Decklacks, Schwierig
keit im Abgleich und in der Wahl des Absorbermaterials und
des Bearbeitungsverfahrens, wobei die Produktivität gering
ist und die Kosten hoch sind, was die praktische Anwendung
hinauszögerte.
In bezug auf die zu verwendende Maske in der Röntgenstrah
lenlithographie, der Lithographie mit sichtbarem Licht
oder mit UV-Strahlen sind u. a. Glasplatten und Quarz
platten als Träger für das Absorbermaterial verwen
det worden (nämlich ein lichtdurchlässiges Teil). In der
Röntgenstrahlenlithographie jedoch beträgt die Wellenlänge
des Strahls die verwendet werden kann 0,1 bis 20 nm. Die
bisher verwendeten Glas- oder Quarzplatten absorbieren
größtenteils den Strahl in diesem Wellenbereich der Rönt
genstrahlen und auch die Dicke muß in einer Stärke von 1
bis 2 mm hergestellt werden, wobei Röntgenstrahlen nicht
genügend durchgelassen werden können und diese ungeeignet
als Material für den Träger des Absorbermaterials
sind, das in der Röntgenstrahlenlithographie verwendet
werden soll.
Durchlässigkeit für Röntgenstrahlen hängt im allgemeinen
von der Dichte des Materials ab und deshalb werden gerade
anorganische oder organische Stoffe mit niedriger Dichte
als Stoff für das Halterungsteil des Maskenmaterials
untersucht, das in der Röntgenstrahlenlithographie verwen
det werden soll. Solche Materialien können z. B. anorgani
sche Stoffe wie einfache Stoffe aus Beryllium (Be), Titan
(Ti), Silicium (Si) und Bor (B) und ihre Verbindungen
oder organische Verbindungen wie Polyimid, Polyamid, Poly
ester und Poly-p-xylylen einschließen.
Aus der EP-OS 0 097 764 ist eine Röntgenstrahlen-Litho
graphiemaske bekannt, bei der als Trägerschicht für das
Absorbermaterial Silicium, mit Bor dotiertes Silicium,
Bornitrid, Siliciumnitrid, Siliciumdioxid, Beryllium,
Siliciumcarbid, Wolframcarbid, Siliciumoxynitrid, Alu
miniumoxid und Polymere wie Polyimid, vorgesehen sind.
Diese bekannten Materialien werden jedoch im Stand der
Technik als nicht vollständig befriedigend angesehen,
so daß als Trägerschicht hydrierter amorpher Kohlenstoff
mit einem optischen Bandabstand von wenigstens 1 eV verwen
det wird.
In der Literaturstelle Solid State Technology, September
1984, Seiten 192 bis 199 werden Röntgenstrahlen-Litho
graphiemasken in einem Übersichtsartikel beschrieben,
wobei neben den vorstehend erwähnten Materialien Borcarbid,
Borphosphid, Siliciumcarbid und Titan aufgeführt sind,
die als Trägerschicht für das Absorbermaterial verwendet
werden können. Die Trägerschicht kann hierbei als Einzel
schicht und auch als Doppelschicht ausgebildet sein, wobei
Kombinationen von BN : N/Polyimid, Si/Polyimid und Ti/Polyimid
erwähnt sind. Die Trägerschicht kann auch als Dreifach
schicht vorliegen, wobei beispielhaft BN : H/Si- BN : H/BN : N,
SiN/SiO2/SiN und SiN/Si x O y N z /SiN aufgeführt sind.
Für die praktische Verwendung dieser Stoffe als Material
für den Träger des Absorbermaterials zur Verwendung in
der Röntgenstrahllithographie ist es erforderlich, sie
als dünne Schichten anzufertigen, um die Menge der durchge
lassenen Röntgenstrahlen so weit wie möglich zu vergrößern,
und zwar in einer Dicke von einigen Mikrons oder weniger
im Falle eines anorganischen Stoffes und einigen 10 Mikrons
oder weniger im Falle eines organischen Stoffes. Aus diesem
Grund wird für die Bildung z. B. eines Trägers für das
Absorbermaterial, das eine dünne Schicht eines anorganischen
Stoffes oder einer zusammengesetzten Schicht davon umfaßt,
ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem eine dünne Schicht
aus Si3N4, SiO2, BN oder SiC auf eine Siliciumscheibe,
die eine hervorragende Ebenheit besitzt, durch Dampfab
scheidung aufgebracht wird und danach die Siliciumscheibe
durch Ätzen entfernt wird.
Auf der anderen Seite wird als Absorbermaterial (nämlich
das Röntgenstrahlen absorbierende Material) zur Verwendung
in der Röntgenstrahlenlithographie, das auf dem Träger
des Absorbermaterials wie vorsehend beschrieben gehalten
wird, vorzugsweise eine dünne Schicht aus einem Material
mit hoher Dichte verwendet, wie Gold, Platin, Wolfram,
Tantal, Kupfer oder Nickel, vorzugsweise eine dünne Schicht
mit einer Dicke von 0,5 bis 1 µ. Eine solche Maske kann
z. B. hergestellt werden, indem man eine dünne Schicht
aus vorstehendem Material mit hoher Dichte auf dem vor
stehenden Träger für das Absorbermaterial gleichmäßig
bildet, dann darauf einen Decklack aufbringt, und ein
gewünschtes Zeichenmuster auf dem Decklack durch Elektro
nenstrahl oder Licht durchführt und es danach durch Ätzen
in ein gewünschtes Muster formt.
In der Röntgenstrahllithographie nach dem Stand der Technik
war, wie vorstehend beschrieben, die Durchlässigkeit der
Röntgenstrahlen durch den Träger für das Absorbermaterial
gering und deshalb ist es erforderlich, daß der Träger
für das Absorbermaterial deutlich dünner hergestellt wird,
um eine genügende Anzahl von durchgelassenen Röntgenstrahlen
zu erhalten, wobei dies das Problem mit sich bringt, daß
es nur schwierig hergestellt werden kann.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Lithographiemaske zur
Verfügung zu stellen, bei der die Trägerschicht für das
Absorbermaterial eine gute Durchlässigkeit für Röntgen
strahlen und sichtbares Licht aufweist, wobei eine Verzer
rung des auf die Trägerschicht vorgesehenen Absorber
materials vermieden und die Herstellung der Maske in
einfacher Weise durchgeführt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs
1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unter
ansprüchen aufgeführt.
Die Lithographiemaske gemäß der Erfindung weist mindestens
eine aus der Dampfphase abgeschiedene Trägerschicht aus
einem Aluminiumnitridoxid für das Absorbermaterial auf,
wobei der Absorbermaterialträger von einem Halterahmen
im Randbereich getragen wird.
Das Verfahren zur Herstellung der Lithographiemaske umfaßt
die folgenden Schritte:
- a) Bildung eines das Absorbermaterial haltenden Trägers auf einem Substrat;
- b) Aufkleben eines ringförmigen Halterahmens auf dem Träger,
- c) Entfernen des Substrats von dem das Absorbermate rial haltenden Träger im Bereich des Absorbermusters und
- d) Aufbringen des Absorbermaterials in Form eines Dünn films auf den Träger und Ausbilden eines Absorptionsmusters.
Fig. 1(a) bis (h), Fig. 2(a) bis (h), Fig. 3(a) bis (h),
Fig. 4(a) bis (h) und Fig. 5(a) bis (h) sind schematische,
zentrale Längsschnittansichten, die jeweils die Schritte
zur Herstellung eines Beispiels der
Lithographiemaske nach der Erfindung zeigen.
Fig. 6(a) bis (f) ist eine schematische, zentrale Längs
schnittansicht, die die Schritte eines Beispiels des Ver
fahrens zur Herstellung der Litho
graphiemaske der Erfindung zeigt.
Fig. 7(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemaske nach der Erfindung zeigt und Fig. 7(b) ist eine
schematische Aufsicht des ringförmigen Halterahmens der
Lithographiemaske.
Fig. 8(a) bis (g) ist eine schematische, zentrale Längs
schnittansicht, die die Herstellungsschritte eines Bei
spiels der Lithographiemaske nach der Er
findung zeigt.
Fig. 9 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemasken nach der Erfindung zeigt.
Fig. 10(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemaske nach der Erfindung zeigt und Fig. 10(b) ist eine
schematische Aufsicht des ringförmigen Halterahmens der
Lithographiemaske.
Fig. 11 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemaske nach der Erfindung zeigt.
Zur Erfüllung der vorstehenden Aufgabe gemäß der Erfin
dung wird eine Trägerschicht aus Aluminiumnitridoxid, das Aluminium, Stickstoff und Sauer
stoff enthält
als grundlegender Bestandteil der
Litho
graphiemaske verwendet. Das Aluminiumnitridoxid, auch
Aluminiumoxynitrid genannt,
hat spezielle Eigenschaften wie
hohe Röntgenstrahlendurchlässigkeit und Durchlässigkeit
für sichtbares Licht (ungefähr 1/10 der optischen Dichte
durch 1 µm Dicke), kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient (3
bis 4 × 10-6/°C), hoher Wärmeleitfähigkeitskoeffizient und
gute Filmbildungseigenschaft und sie ist deshalb gut als
Trägerschicht für das Absorbermaterial
der Lithographiemaske.
Gemäß der Erfindung bezieht sich der Ausdruck "Schicht" oder
"Aluminiumnitridoxid"
auf eine Schicht oder eine Substanz, die Aluminium und
Stickstoff als Hauptbestandteile und Sauerstoff als Zusatz
enthalten oder auf eine Schicht oder eine Substanz, die
Aluminium, Stickstoff und Sauerstoff als Hauptbestandteile
enthalten.
Die das Absorbermaterial haltende dünne Schicht kann entweder
eine Schicht aus einer einzigen Schicht des Aluminiumnitridoxids
oder eine Schicht aus einer laminierten Schicht aus einer
Schicht des Aluminiumnitridoxids und einer Schicht aus
einem organischen Material und/oder einer Schicht aus
einem anderen anorganischen Material als dem Aluminiumnitridoxid
sein.
Im Falle der Verwendung einer laminierten Schicht aus einem
Aluminiumnitridoxid und einer Schicht aus einem organischen
Material als die das Absorbermaterial haltende Trägerschicht
der Lithographiemaske kann die
Trägerschicht angefertigt werden, so daß
seine Eigenschaften durch das organische Material bestimmt
sind, zusätzlich zu den Eigenschaften des Aluminiumnitrid
oxids, wie vorstehend beschrieben. Spezieller hat die das
Absorbermaterial haltende Trägerschicht zusätzlich zu dem
Effekt, der
durch eine einzelne
Schicht von Aluminiumnitridoxid bestimmt ist, die Effekte
größerer Festigkeit und wesentliche Spannungsfreiheit.
Als organisches Material, das die vorstehende laminierte
Schicht gemäß der Erfindung bildet ist es möglich, jene zu
verwenden, die wenigstens Filmbildungscharakteristik und
die Fähigkeit Röntgenstrahlen durchzulassen besitzen.
Solche organischen Materialien sind hier ohne Zwecke bekannt und können beispielsweise Poly
imid, Polyamid, Polyester, Poly-p-xylylen sein.
Darunter
ist Polyimid wegen seiner gesamten Wirkungsweise wie Hitze
beständigkeit, Stoßfestigkeit, Durchlässigkeitsfähigkeit
gegenüber sichtbarem Licht besonders vorzuziehen.
Im Falle der Verwendung einer laminierten Schicht aus einem
Aluminiumnitridoxid und einer zusätzlichen Schicht aus einem anderen für diese Zwecke bekannten
anorganischen Material
kann man einen
das Absorbermaterial haltenden Träger erhalten, der die
Eigenschaften des anorganischen Materials zusätzlich zu
den Eigenschaften des Aluminiumnitridoxids, wie vorstehend
beschrieben, besitzt. Das bedeutet, daß solch ein das
Absorbermaterial haltender Träger auch ausgezeichnete
Lichtdurchlässigkeit und Wärmeleitfähigkeit ebenso wie
relativ große Festigkeit und chemische Widerstandsfähig
keit besitzt. Auch werden die spezielln Eigenschaften wie
größere Festigkeit und wesentliche Spannungsfreiheit hin
zugefügt, wenn eine Schicht eines organischen Materials
dazu laminiert wird.
Gemäß der Erfindung können als anorganische Materialien,
die die vorstehend laminierte Trägerschicht bilden, jene verwen
det werden, die zumindest Filmbildungseigenschaft und
Durchlässigkeitsfähigkeit für Röntgenstrahlen besitzen.
Solche Materialien können z. B. Aluminiumnitrid, Borni
trid, Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid und Titan
einschließen. Besonders Aluminiumnitrid hat spezielle
Eigenschaften, wie hohe Durchlässigkeit für Röntgenstrah
len und sichtbares Licht, kleinen Wärmeausdehnungskoeffi
zienten, großen Wärmeleitfähigkeitskoeffizienten und gute
Filmbildungseigenschaft, und deshalb wird es als anorgani
sches Material bevorzugt. Wenn Bornitrid, das ausgezeich
net bezüglich der chemischen Widerstandsfähigkeit ist, als
Schutzschicht für das Aluminiumnitridoxid laminiert wird, kann
man eine laminierte Schicht erhalten, die sehr herausragend
in den Filmeigenschaften ist, wie Durchlässigkeitsfähig
keit für Röntgenstrahlen, Lichtdurchlässigkeitsfähigkeit,
Wärmeleitfähigkeit, elektrische Leitfähigkeit und chemische
Widerstandsfähigkeit.
Die laminierte Schicht, die die vorstehende das Absorbermate
rial haltende Trägerschicht bildet, kann aus zwei Schichten
einer Aluminiumnitridoxid-Schicht und einer Schicht eines organi
schen Materials oder alternativ aus drei oder mehr Schich
ten, die im ganzen zwei oder mehr Schichten mit mindestens
einer Schicht aus einem Aluminiumnitridoxid besitzen und aus einer
Schicht aus organischem Material bestehen.
Die laminierte Schicht, die die vorstehende das Absorbermate
rial haltende Trägerschicht bildet, kann aus zwei Schichten
aus einer Aluminiumnitridoxid-Schicht und einer Schicht eines anor
ganischen Materials, das sich von dem Aluminiumnitridoxid
unterscheidet, bestehen, oder sie besteht alternativ
aus drei oder mehr Schichten, die im ganzen zwei oder mehr
Schichten mit mindestens einer aus einer Aluminiumnitridoxid-
Schicht besitzen und aus einer Schicht eines anorganischen Mate
rials, das sich von dem Aluminiumnitridoxid unterschei
det.
Ferner kann die laminierte Schicht, die die obenstehende das
Absorbermaterial haltende Trägerschicht bildet auch aus drei
oder mehr Schichten mit mindestens einer aus einer Aluminium
nitridoxid-Schicht, mit mindestens einer aus einer Schicht aus
einem anorganischen Material, das sich von dem Aluminiumnitrid
oxid unterscheidet, und mit mindestens einer aus
einer Schicht aus einem organischen Material bestehen.
Die Dicke des das Absorbermaterial haltenden Trägers
ist gemäß der Erfindung nicht besonders begrenzt, aber sie
kann in einer geeigneten Dicke gefertigt werden, z. B.
vorteilhafterweise ungefähr 2 bis 20 µm.
Der ringförmige Halterahmen in der
Lithographiemaske der Erfindung umfaßt z. B. Sili
cium, Glas, Quarz, Phosphorbronze, Messing, Nickel und rost
freien Stahl.
Als Absorbermaterial kann ein dünner Film mit einer Dicke
von ungefähr 0,5 bis 1 µm, der aus Gold, Platin, Nickel,
Palladium, Rhodium, Indium, Wolfram, Tantal und Kupfer
besteht, verwendet werden.
Die Lithographiemaske gemäß der Erfindung
kann nach dem Herstellungsverfahren nach dem Stand der
Technik hergestellt werden z. B. durch Bildung einer das
Absorbermaterial haltenden Trägerschicht der eine Aluminium
nitridoxid-Schicht als einen grundlegenden Bestandteil auf einer
Siliciumscheibe umfaßt, durch Bildung eines
Absorptionsmusters darauf und dann Ätzen seines zentralen
Teils von der Rückseite der Siliciumscheibe, wodurch die
gewünschten Ziele hinreichend erreicht werden können.
Im Rahmen der Erfindung wird ferner
ein Verfahren zur Herstellung
einer Lithographiemaske zur Verfügung ge
stellt, deren Herstellungsschritte einfach, schnell und
mit guter Ausbeute verlaufen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Maskenstruktur für die
Lithographie umfaßt
die folgenden Schritte:
- - Bildung eines das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht aus Aluminiumnitridoxid auf einem Substrat,
- - Aufkleben eines ringförmigen Halterahmens auf diese Trägerschicht und
- - Entfernung des Substrats von dem das Absorbermaterial haltenden Trägers im Bereich des Absorbermusters und
- - Aufbringen des Absorbermaterials in Form eines Dämm films auf den Träger und Ausbilden eines Absorptionsmusters.
Die Lithographiemaske gemäß der Erfindung
kann ihre gewünschten Ziele hinreichend erfüllen, indem
sie eine Form annimmt, in der die das Absorbermaterial
haltende Trägerschicht mit einer Aluminiumnitridoxid-Schicht als
grundlegendem Bestandteil auf der obersten, ebenen
Abschlußfläche des ringförmigen Halterahmens haftet;
ferner wird eine
Lithographiemaske zur Verfügung gestellt, wobei
zusätzlich die Ebenheit der
das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht weiter verbes
sert ist.
Die Lithographiemaske der Erfindung
nach dieser Ausführungsform besitzt eine das Absorbermate
rial haltende Trägerschicht, die eine Aluminiumnitridoxid-
Schicht und einen ringförmigen Halterahmen, der den
Absorbermaterialträger im Randbereich hält,
wobei die das Absorbermaterial haltende Träger
schicht an einer tieferen Position als der obersten ebenen
Abschlußfläche an dem ringförmigen Halterahmen haftet.
Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die Zeichnungen näher
beschrieben. Im nachstehenden wird der Ausdruck
"Aluminiumnitridoxid-Schicht" durch die Bezeichnung
"Al-N-O-Schicht" abgekürzt.
Fig. 1(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan
sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels
einer Lithographiemaske gemäß der Erfindung
zeigen.
Wie in Fig. 1(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten (2)
mit einer Dicke von 1 µm an beiden Oberflächen einer
kreisförmigen Siliciumscheibe (1) mit einem Durchmesser
von 10 cm gebildet.
Als nächstes wurde, wie in Fig. 1(b) gezeigt, mit Hilfe
einer Ionenplattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem
Elektronenstoß eine Al-N-O-Schicht (3) mit einer Dicke
von 3 µm mit einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von 1,0
nm/sec auf einer Seite der Siliciumoxidschichten gemäß des
Ionenplattierungsverfahrens gebildet unter Verwendung
eines Aluminiumtargets, einer Gasatmosphäre mit einem
Volumenverhältnis von Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauer
stoff (O2) = 1 : 3 : 0,1, einer Entladungsleistung von 40 W,
einer Beschleunigungsspannung von 600 V, einem Gasdruck
von 26,6 mPa und einer Substrattemperatur von 80°C.
Als nächstes wurde, wie in Fig. 1(c) gezeigt, eine teerar
tige Farbschicht (4) zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht
(3) gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 1(d) gezeigt, der kreisförmige
Zentralteil des Siliciumoxidschicht (2), die auf einem
Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung
einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff
säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zweck auszufüh
ren, daß die Siliciumoxidschicht (2) in Form eines Ringes
übrig bleibt, wurde eine Schicht (5) Apiezonwachs
zum Schutze an diesem Teil
gebildet, und die Wachsschicht (6) wurde nach Beseitigung
des zentralen Teiles der Siliciumoxidschicht (2) entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 1(e) gezeigt, ein elektrolytisches
Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm2) in einer wäßrigen 3%igen
Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt, um den kreisförmi
gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (1), die auf einem
Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfernen.
Danach wurde die Siliciumoxidschicht (2) wie in Fig. 1(f)
gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo
rid und Fluorwasserstoffsäure auf dem ungeschützten Teil
entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 1(g) gezeigt, die Oberfläche
eines Ringrahmens (6), (innerer
Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm)
mit einer Art Epoxykleber (7) beschichtet und die vorste
hende Siliciumscheibe (1) wurde an die mit dem Kleber
beschichtete Oberfläche auf der Seite, die derjenigen auf
der die Al-N-O-Schicht (3) gebildet wurde, gegenüber
liegt, angeklebt.
Danach wurde wie in Fig. 1(h) gezeigt, die teerartige
Farbschicht (4) mit Aceton entfernt.
Somit wurde eine Lithographiemaske er
halten, die eine Al-N-O-Schicht (3) besitzt, die
mit einem Ringrahmen (6) und einer Silicium
scheibe (1) befestigt ist.
In den Schritten des Beispiels 1 wurde nach Bildung der
Al-N-O-Schicht eine Schicht eines lichtempfindlichen
Decklackes
in einer Dicke von 1,2 µm durch Wirbelbeschich
tung gebildet.
Danach wurde, nachdem der Decklack unter Verwendung einer
Quarz-Chrom-Maske mit ferner UV-Strahlung abgedruckt
wurde, eine vorgeschriebene Behandlung durchgeführt, um
ein Decklackmuster zu erhalten, das den Negativtyp zu der
Maske darstellt.
Danach wurde mit Hilfe einer Elektronenstrahldampfabschei
dungsvorrichtung Tantal (Ta) in einer Dicke von 0,5 µm
durch Dampf abgeschieden.
Danach wurde der Decklack mit einer Abtragevorrichtung
entfernt und man erhielt ein Tantal-Absorptionsmuster nach dem
Abtragungsverfahren.
Danach wurde eine teerartige Farbschicht auf der Al-N-O-
Schicht ähnlich dem Beispiel 1 gebildet.
Indem man danach die gleichen Schritte wie in Beispiel 1
befolgte erhielt man eine Maskenstruktur zur Lithographie,
die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht am
Aluminiumnitridoxid und ein Tantal-Absorptionsmu
ster umfaßt, die mit einem Ringrahmen
und einr Siliciumscheibe befestigt sind.
In Beispiel 1 wurden außer der Bildung der Al-N-O-
Schicht nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwen
dung eines Aluminiumnitrid (AlN)-Targets, einer Gasmi
schung von Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff (O2) =
1 : 1 : 0,5, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entla
dungsleistung von 150 W, und einer Schichtbildungsgeschwin
digkeit von 1,5 nm/min, die gleichen Schritte des Beispiels
1 wiederholt, um eine Lithographiemaske
zu erhalten.
In Beispiel 1 wurden außer der Bildung Al-N-O-Schicht
nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwen
dung eines Aluminiumoxidnitrid (7 Al3O7 : 3 AlN)-Targets,
einer Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) = 1 : 1,
einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entladungsleitung
von 200 W und einer Filmbildungsgeschwindigkeit von 1,0
nm/min die gleichen Schritte des Beispiels 1 zur Gewinnung
einer Lithographiemaske wiederholt.
Fig. 2(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan
sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels
der Lithographiemaske gemäß der Er
findung zeigen.
Wie in Fig. 2(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten
(12) mit einer Dicke von 1 µm an beiden Oberflächen einer
kreisförmigen Siliciumscheibe (11) mit einem Durchmesser
von 10 cm gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 2(b) gezeigt, nachdem PIQ-Flüs
sigkeit (Polyimid-Vorläufer)
durch Wirbelbeschichtung auf der Siliciumoxidschicht
(12) auf einer Seite der Siliciumscheibe (11) aufgetragen
worden war, die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden
lang ausgehärtet, wobei sich ein Polyimidschicht (13) mit
einer Dicke von 2 µm bildete.
Danach wurde wie in Fig. 2(c) gezeigt, mit Hilfe einer
Ionenplattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem Elektro
nenstoß eine Al-N-O-Schicht (14) mit einer Dicke von 2
µm bei einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von 1,0 nm/sec auf
der Polyimidschicht (13) gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-
Target, eine Gasatmosphäre mit einem Volumenverhältnis
von Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff (O2) = 1 : 3 : 0,1,
eine Entladungsleistung von 40 W, eine Beschleunigungs
spannung von 600 V, ein Gasdruck von 40,0 mPa und
eine Substrattemperatur von 80°C verwendet wurde.
Danach wurde wie in Fig. 2(d) gezeigt, eine teerartige
Farbschicht (19) zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht
(14) gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 2(e) gezeigt, der kreisförmige
zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (12), der auf einem
Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung
einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff
säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zwecke auszu
führen, daß die Siliciumoxidschicht (12) in Form eines Ringes
übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (16)
zum Schutze an diesem Teil
gebildet und die Wachsschicht (16) wurde nach Beseitigung
des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 2(f) gezeigt, elektrolytisches
Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm2) in einer 3%igen wäßrigen
Fluorwasserstoffsäurelösung durchgeführt, um den kreisför
migen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (11) der auf
einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer
nen.
Danach wurde die Siliciumoxidschicht wie in Fig. 2(g) ge
zeigt, unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid
und Fluorwasserstoffsäure auf dem ungeschützten Teil ent
fernt.
Danach wurde wie in Fig. 2(h) gezeigt, eine Oberfläche
eines Ringrahmens (17), (innerer
Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm)
mit einer Art Epoxykleber (18) beschichtet, und die vor
stehende Siliciumscheibe (11) wurde an die mit dem Kleber
beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der
jenigen gegenüberliegt, auf der die Polyimidschicht (13) und
die Al-N-O-Schicht (14) gebildet wurden, gefolgt von
der Entfernung der teerartigen Farbschicht (19).
Somit erhielt man eine Lithogra
phiemaske, die ein Laminat aus einer Polyimidschicht (13) und
einer Al-N-O-Schicht (14) besitzt, das
mit einem Ringrahmen (17) und einer Siliciumschei
be (11) befestigt ist.
Die das Absorbermaterial haltende Trägerschicht der eine Zu
sammensetzung aus Polyimidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt,
den man in diesem Beispiel erhielt, besaß eine besonders
gute Festigkeit.
Es wurden außer der Bildung einer Polyesterschicht mit einer
Dicke von 2 µm gemäß des Dampfabscheidungsverfahrens auf
der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Silicium
scheibe (11) anstelle der Polyimidschicht (13) die gleichen
Schritte wie in Beispiel 5 wiederholt.
Somit erhält man eine Lithographiemaske, die
ein Laminat aus einer Polyesterschicht und einer Al-N-O-
Schicht besitzt, das mit einem Ringrah
men und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu
sammensetzung aus Polyesterschicht : Al-N-O-Schicht besitzt,
den man in diesem Beispiel erhielt, besaß eine besonders
gute Festigkeit.
Es wurden außer der Bildung einer Poly-p-xylylenschicht
mit einer Dicke von 2 µm gemäß des Dampfabscheidungsver
fahrens auf der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der
Siliciumscheibe (11) anstelle der Polyimidschicht (13) die
gleichen Schritte des Beispiels 5 wiederholt.
Somit erhielt man eine Maskenstruktur zur Lithographie,
die ein Laminat aus einer Poly-p-xylylenschicht und einer Al-
N-O-Schicht besitzt, das mit einem
Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Poly-p-
xylylenschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders
gute Festigkeit.
In den Schritten des Beispiels 5 wurde nach Bildung der
Polyimidschicht (13) und der Al-N-O-Schicht (14) eine
Schicht aus einem lichtempfindlichen Decklack CMS (chlor
methyliertes Polystyrol)
auf der Al-N-O-Schicht gebildet.
Danach wurde, nachdem eine Bildzeichnung eines Absorptionsmu
sters mit Hilfe einer Elektronenstrahlbildzeichnungsvor
richtung ausgeführt worden war, eine vorgeschriebene Be
handlung zur Gewinnung eines Decklackmusters durchgeführt.
Danach wurde Nickel (Ni) in einer Dicke von 0,5 µm auf dem
vorstehenden Decklackmuster mit Hilfe eines Elektronen
strahldampfabscheidungsgerätes mit Dampf abgeschieden.
Danach wurde der Decklack mit einer Beseitigungsvorrich
tung zur Gewinnung eines Nickelabsorptionsmusters entfernt.
Danach wurde eine teerartige Farbschicht zum Schutz
auf der Al-N-O-Schicht, die ein Nickelabsorptionsmuster be
sitzt, gebildet.
Indem man darauf die gleichen Schritte wie in Beispiel 5
befolgte, erhielt man eine Lithogra
phiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht
in Form eines Laminats aus einer Polyimidschicht und einer
Al-N-O-Schicht und ein Nickelabsorptionsmuster umfaßt, wobei
der Aufbau mit einem Ringrahmen und einer Silicium
scheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyimid
schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Fe
stigkeit.
In den Schritten des Beispiels 6 wurde nach Bildung der
Polyesterschicht und der Al-N-O-Schicht eine Schicht
eines lichtempfindlichen Decklackes CMS auf der Al-N-O-
Schicht gebildet.
Indem man darauf die gleichen Schritte wie in Beispiel 8
befolgte, erhielt man eine Lithogra
phiemaske, die eine das Maskenmaterial haltende Trägerschicht
in Form eines Laminats aus einer Polyesterschicht und einer
Al-N-O-Schicht und ein Nickelabsorptionsmuster umfaßt und
mit einem Ringrahmen und einer Silicium
scheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyester
schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Fe
stigkeit.
In den Schritten des Beispiels 7 wurde nach Bildung der
Poly-p-xylylenschicht und der Al-N-O-Schicht eine
Schicht eines lichtempfindlichen Schutzlackes CMS auf der
Al-N-O-Schicht gebildet.
Indem man darauf die gleichen Schritte des Beispiels 8
befolgte, erhielt man eine Litho
graphiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht
in Form eines Laminats aus einer Poly-p-xylylenschicht und
einer Al-N-O-Schicht und ein Nickelabsorptionsmuster umfaßt und
mit einem Ringrahmen und einer
Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Poly-p-
xylylenschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders
gute Festigkeit.
Fig. 3(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan
sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels
der Lithographiemaske gemäß der Erfindung
zeigen.
Wie in Fig. 3(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten
(12) mit einer Dicke von 1 µm auf beiden Oberflächen einer
kreisförmigen Siliciumscheibe (11) mit einem Durchmesser
von 10 cm gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 3(b) gezeigt, nachdem PIQ-Flüs
sigkeit (Polyimid-Vorläufer) mittels Wirbelbeschichtung
auf der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Silici
umscheibe (11) aufgetragen worden war, die Beschichtung
bei 50 bis 350°C vier Stunden lang ausgehärtet, wobei sich
eine Polyimidschicht (13) mit einer Dicke von 2 µm bildete.
Danach wurde wie in Fig. 3(c) gezeigt, gemäß dem Reaktiv-
Sputtering-Verfahren eine Al-N-O-Schicht (14) mit einer
Dicke von 1 µm mit einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von
ungefähr 1,5 nm/min auf der Polyimidschicht (13) gebildet,
wobei ein Aluminiumnitrid (AlN)-Target, eine Gasatmo
sphäre mit einem Volumenverhältnis von Argon (Ar) : Stick
stoff (N2) : Sauerstoff (O2) = 1 : 1 : 0,5, einem Gasdruck von 666,5
mPa, einer Entladungsleistung von 150 W und einer
Substrattemperatur von 80°C verwendet wurden.
Danach wurde wie in Fig. 3(d) gezeigt, eine Polyimidschicht
(15) mit einer Dicke von 2 µm ähnlich wie vorstehend
beschrieben, auf der Al-N-O-Schicht (14) gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 3(e) gezeigt, der kreisförmige,
zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (12), der auf einem
Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung
einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff
säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zwecke auszu
führen, daß die Siliciumoxidschicht (12) in Form eines Ringes
übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (16)
zum Schutze an diesem Teil
gebildet, und die Wachsschicht (16) wurde nach Beseitigung
des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht (12) entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 3(f) gezeigt, elektrolytisches
Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm2) in einer wäßrigen 3%igen
Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt, um den kreisförmi
gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (11), die auf
einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer
nen.
Danach wurde die Siliciumoxidschicht (12) wie in Fig. 3(g)
gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo
rid und Fluorwasserstoffsäure auf dem ungeschützten Teil
entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 3(h) gezeigt, eine Oberfläche
eines Ringrahmens (17), (innerer
Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm)
mit einer Art Epoxykleber (18) beschichtet und die vorste
hende Siliciumscheibe (11) wurde an die mit dem Kleber
beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der
jenigen auf der die Polyimidschichten (13, 15) und die Al-N-
O-Schicht gebildet wurden, gegenüberliegt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat aus Polyimidschichten (13, 15) und eine
Al-N-O-Schicht (14) besitzt und mit
einem Ringrahmen (17) und einer Siliciumscheibe (11) befe
stigt ist.
Außer der Bildung von Polyesterschichten mit einer Dicke von
2 µm gemäß des Dampfabscheidungsverfahrens auf der Silici
umoxidschicht (12) auf einer Seite der Siliciumscheibe (11)
anstelle der Polyimidschichten (13, 15) wurden die gleichen
Schritte des Beispiels 11 wiederholt.
Somit erhielt man eine Lithographienmaske,
die ein Laminat aus Polyesterschichten und einer Al-N-O-
Schicht besitzt, und mit einem Ringrah
men und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyester
schicht : Al-N-O-Schicht : Polyesterschicht besitzt, besaß beson
ders gute Festigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit.
Außer der Bildung von Poly-p-xylylenschichten mit einer Dicke
von 2 µm gemäß des Dampfabscheidungsverfahrens auf der
Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Siliciumscheibe
(11) anstelle der Polyimidschichten (13, 15) wurden die
gleichen Schritte des Beispiels 11 wiederholt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat aus Poly-p-xylylenschichten und einer Al-N-O-
Schicht besitzt, und mit einem Ring
rahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Poly-p-
xylylenschicht : Al-N-O-Schicht : Poly-p-xylylenschicht besitzt,
besaß besonders gute Festigkeit und chemische Widerstands
fähigkeit.
In den Schritten des Beispiels 11 wurde nach Bildung der
Polyimidschichten (13, 15) und der Al-N-O-Schicht (14)
eine Schicht eines Decklacks vom Positivtyp
mittels Wirbelbe
schichtung in einer Dicke von 1 µm auf der Polyimidschicht
(15) gebildet.
Danach wurde, nachdem der Decklack unter Verwendung einer
Quarzmaske mit ferner UV-Strahlung aufgedruckt worden war,
eine vorgeschriebene Behandlung zur Gewinnung eines
Decklackmusters, das den Negativtyp zur Maske darstellt,
durchgeführt.
Danach wurde mittels einer Elektronenstrahldampfabschei
dungsvorrichtung Tantal (Ta) in einer Dicke von 0,5 µm mit
Dampf abgeschieden.
Danach wurde der Decklack mit einer Beseitigungsvorrich
tung entfernt, und man erhielt ein Tantalabsorptionsmuster gemäß
des Abtragungsverfahrens.
Danach wurde ferner eine teerartige Farbschicht zum Schutz
in einer Dicke von 2 µm auf der Polyimidschicht (15) gebil
det.
Indem man darauf die gleichen Schritte des Beispiels 11
befolgte, erhielt man eine Lithogra
phiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht
aus einem Al-N-O-Schicht und Polyimidschichten und
ein Tantalabsorptionsmuster umfaßt, wobei der Aufbau mit
einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt sind.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyimid
schicht : Al-N-O-Schicht : Polyimidschicht besitzt, besaß beson
ders gute Festigkeit.
Es wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 11 ein
Laminat aus fünf Schichten Polyimidschicht (1 µm Dicke),
einer Al-N-O-Schicht (1 µm Dicke), einer Polyimidschicht
(3 µm Dicke), einer Al-N-O-Schicht (1 µm Dicke) und
einer Polyimidschicht (1 µm Dicke) auf der Siliciumscheibe
gebildet.
Indem man danach die gleichen Schritte des Beispiels 11
befolgte, wurden die kreisförmigen, zentralen Teile der
Siliciumscheibe und der Siliciumoxidschicht und ferner der
Polyimidschichten an den ungeschützten Teilen mit einem hydra
zinartigen Lösungsmittel entfernt, gefolgt von der Aufklebung
eines Ringrahmens ähnlich Beispiel 11.
Somit erhielt man eine Lithogra
phiemaske, die ein Laminat aus drei Schichten einer Al-N-O-
Schicht (1 µm Dicke), einer Polyimidschicht (3 µm Dicke)
und einer Al-N-O-Schicht (1 µm Dicke) besitzt, das
mit einem Ringrahmen und einer
Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der die Zusammensetzung aus Al-N-O-Sy
stemschicht : Polyimidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß
besonders gute Wärmeabfuhr.
Außer der Bildung von Polyesterschichten gemäß des Dampfab
scheidungsverfahrens anstelle von Polyimidschichten wurden
die gleichen Schritte wie in Beispiel 15 wiederholt. Somit
erhielt man eine Lithographiemaske, die ein
Laminat aus drei Schichten einer Al-N-O-Systemschicht, einer
Polyesterschicht und einer Al-N-O-Schicht besitzt, das
mit einem Ringrahmen und einer Silicium
scheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der die Zusammensetzung aus Al-N-O-Sy
stemschicht : Polyesterschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß
besonders gute Wärmeabfuhr.
Außer der Bildung von Poly-p-xylylenschichten gemäß des
Dampfabscheidungsverfahrens anstelle von Polyimidschichten
wurden die gleichen Schritte des Beispiels 15 wiederholt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat aus drei Schichten einer Al-N-O-Schicht,
einer Poly-p-xylylenschicht und einer Al-N-O-Schicht
besitzt, das mit einem Ringrahmen
und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der die Zusammensetzung aus Al-N-O-
Schicht : Poly-p-xylylenschicht : Al-N-O-Schicht besitzt,
besaß besonders gute Wärmeabfuhr.
In Beispiel 5 wurden außer der Bildung der Al-N-O-Schicht
gemäß dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Ver
wendung eines Aluminiumnitrid (AlN)-Targets, einer
Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff
(O2) = 1 : 1 : 0,5, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer
Entladungsleistung von 150 W und einer Schichtbildungsge
schwindigkeit von 1,5 nm/min die gleichen Schritte wie in
Beispiel 5 zur Gewinnung einer Litho
graphiemaske wiederholt.
In Beispiel 5 wurden außer der Bildung der Al-N-O-Schicht
gemäß dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Ver
wendung eines Aluminiumoxidnitrid (7 Al3O7 : 3 AlN)-Targets,
einer Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) =
1 : 1, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entladungs
leistung von 200 W und einer Schichtbildungsgeschwindigkeit
von 1,0 nm/min die gleichen Schritte wie in Beispiel 5 zur
Gewinnung einer Lithographiemaske wieder
holt.
Fig. 4(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan
sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels
der Lithographiemaske gemäß der Erfindung
zeigen.
Wie in Fig. 4(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten
(22) mit einer Dicke von 1 µm auf beiden Oberflächen einer
kreisförmigen Siliciumscheibe (21) mit einem Durchmesser
von 10 cm gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 4(b) gezeigt, gemäß dem Plasma-
CVD-Verfahren auf der Siliciumoxidschicht (22) auf einer
Seite der Siliciumscheibe (21) eine Siliciumnitridschicht (23)
mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet und dann wurde eine Al-
N-O-Schicht (24) mit Hilfe einer Ionenplattierungsvor
richtung vom Typ mit heißem Elektronenstoß gebildet, wobei
ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus Argon
(Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff (O2) = 1 : 3 : 0,1, ein
Gasdruck von 40,0 mPa Torr, eine Entladungsleistung von 40
W, eine Beschleunigungsspannung von 600 V, eine Substrat
temperatur von 80°C und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit
von ungefähr 1,0 nm/sec verwendet wurden.
Danach wurde wie in Fig. 4(c) gezeigt, eine teerartige
Farbschicht (26) zum Schutz auf der Al-N-O-Schicht (24)
gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 4(d) gezeigt, der kreisförmige,
zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (22), die auf einem
Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung
einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff
säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zweck auszufüh
ren, daß die Siliciumoxidschicht (22) in Form eines Ringes
übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (27)
zum Schutz an diesem Teil
gebildet, und die Wachsschicht (27) wurde nach Beseitigung
des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 4(e) gezeigt, elektrolytisches
Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm2) in einer wäßrigen 3%igen
Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt um den kreisförmi
gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (21), die auf
einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer
nen.
Danach wurde die Siliciumdioxidschicht (22) wie in Fig. 4(f)
gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo
rid und Fluorwasserstoffsäure an dem ungeschützten Teil
entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 4(g) gezeigt, eine Oberfläche
eines Ringrahmens (28), (innerer
Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm)
mit einer Art Epoxykleber (29) beschichtet und die vorste
hende Siliciumscheibe (21) wurde an die mit dem Kleber
beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der
jenigen gegenüberliegt, auf der die Siliciumnitridschicht und
die Al-N-O-Schicht (24) gebildet wurden.
Danach wurde wie in Fig. 4(h) gezeigt, die teerartige
Farbschicht mit Aceton entfernt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat aus einer Siliciumnitridschicht (23) und
einer Al-N-O-Schicht (24) besitzt, das
mit einem Ringrahmen (28) und einer Siliciumschei
be (21) befestigt ist. Der in diesem Beispiel erhaltene
das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zusammen
setzung aus Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt,
besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.
Nach Bildung einer Siliciumoxidschicht mit einer Dicke von
0,5 µm auf einer Oberfläche einer kreisförmigen Silicium
scheibe mit einem Durchmesser von 10 cm gemäß des CVD-
Verfahrens, wurde eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke
von 1 µm auf der Siliciumoxidschicht in der gleichen Weise
wie in Beispiel 20 gebildet.
Danach wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 20 eine
teerartige Farbschicht zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht
gebildet.
Danach wurde ähnlich Beispiel 20 der kreisförmige, zentra
le Teil der Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von 7,5
cm durch Ätzen mittels elektrischen Feldes entfernt. Um
diesen Arbeitsvorgang auszuführen, so daß die Silicium
scheibe in Form eines Ringes übrig bleibt, wurde eine
teerartige Farbschicht zum Schutze dieses Teils gebildet
und die teerartige Farbschicht wurde nach Beseitigung des
zentralen Teils der Siliciumscheibe entfernt.
Danach wurde ein Ringrahmen an der Oberfläche angeklebt,
die derjenigen Seite gegenüberliegt, auf der die Silicium
oxidschicht und die Al-N-O-Schicht gebildet wurden, ge
folgt von der Entfernung der teerartigen Farbschicht auf
der Aluminiumnitridoxid-Schicht.
Somit erhielt man eine Lithogra
phiemaske, die ein Laminat aus einer Siliciumoxidschicht und einer
Al-N-O-Schicht besitzt, das mit einem
Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Silicium
oxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute
Lichtdurchlässigkeit.
In den Schritten des Beispiels 20 wurde nach der Bildung
der Siliciumnitridschicht (23) und der Al-N-O-Schicht
(24) eine teerartige Farbschicht zum Schutz auf der Al-N-O-
Schicht (24) gebildet.
Danach wurden gemäß des gleichen Arbeitsganges wie in
Beispiel 20 der vorbestimmte Teil der Siliciumoxidschicht
und der kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumscheibe
(21) entfernt.
Danach wurde die teerartige Farbschicht mit Aceton ent
fernt.
Danach wurde die Al-N-O-Schicht (24) mit einem licht
empfindlichen Decklack
beschichtet.
Danach wurde, nachdem das Decklackmuster mittels verklei
nerter Abbildung des Absorptionsmusters unter Verwendung einer
Abstufungsvorrichtung abgedruckt worden war die vorge
schriebene Behandlung zur Gewinnung eines Decklackmusters
durchgeführt.
Danach wurde eine Tantal (Ta)-Schicht in einer Dicke von
0,5 µm auf das vorstehende Decklackmuster durch Dampfab
scheidung gebildet.
Danach wurde der Decklack zur Gewinnung eines Tantalabsorptions
musters mit Aceton entfernt.
Danach wurde der Ringrahmen in der gleichen Weise wie in
Beispiel 20 angeklebt, was eine Litho
graphiemaske ergab, die eine das Absorbermaterial haltenden
Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Siliciumni
tridschicht und einer Al-N-O-Schicht und ein Tantalabsorptions
muster umfaßt, wobei der Aufbau mit einem Ringrahmen
und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Siliciumni
tridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute
Lichtdurchlässigkeit.
In den Schritten des Beispiels 21 wurde nach Bildung der
Siliciumoxidschicht und der Al-N-O-Schicht eine teerar
tige Farbschicht zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht
(24) gebildet.
Danach wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 22
wiederholt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die eine das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht
in Form eines Laminats aus einer Siliciumoxidschicht und
einer Al-N-O-Schicht und ein Tantalabsorptionsmuster umfaßt,
wobei der Aufbau mit einem Ringrahmen und einer
Siliciumscheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Silicium
oxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute
Lichtdurchlässigkeit.
Fig. 5(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan
sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels
der Lithographiemaske gemäß der Erfindung
zeigen.
Wie in Fig. 5(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten
(22) mit einer Dicke von 1 µm auf beiden Oberflächen einer
kreisförmigen Siliciumscheibe (21) mit einem Durchmesser
von 10 cm gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 5(b) gezeigt, gemäß dem Plasma-
CVD-Verfahren auf der Siliciumoxidschicht (22) auf einer
Seite der Siliciumscheibe (21) eine Siliciumnitridschicht (23)
mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet und dann wurde eine Al-
N-O-Schicht (24) gemäß dem Reaktiv-Sputtering-Verfah
ren gebildet, wobei ein Aluminiumnitrid (AlN)-Target,
eine Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff
(O2) = 1 : 1 : 0,5, ein Gasdruck von 666,5 mPa, eine
Entladungsleistung von 150 W und eine Filmbildungsge
schwindigkeit von ungefähr 1,5 nm/min verwendet wurde und
ferner wurde eine Siliciumnitridschicht (25) mit einer Dicke
von 0,5 µm gemäß der Plasma-CVD-Verfahren darauf gebil
det.
Danach wurde wie in Fig. 5(c) gezeigt, eine teerartige
Farbschicht (26) zum Schutze auf der Siliciumnitridschicht
(25) gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 5(d) gezeigt, der kreisförmige,
zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (22), der auf einem
Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung
einer Mischung aus Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff
säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zwecke auszu
führen, daß die Siliciumoxidschicht (22) in Form eines Ringes
übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (27)
zum Schutz auf diesem Teil
gebildet und die Wachsschicht (27) wurde nach Beseitigung
des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 5(e) gezeigt, elektrolytisches
Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm2) in einer wäßrigen 3%igen
Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt, um den kreisförmi
gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (21), die auf
einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer
nen.
Danach wurde die Siliciumoxidschicht (22) wie in Fig. 5(f)
gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo
rid und Fluorwasserstoffsäure an dem ungeschützten Teil
entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 5(g) gezeigt, eine Oberfläche
eines Ringrahmens (28), (innerer
Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm)
mit einer Art Epoxykleber (29) beschichtet und die vorste
hende Siliciumscheibe (21) wurde an die mit dem Kleber
beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der
jenigen gegenüberliegt, auf der die Siliciumnitridschichten
(23, 25) und die Al-N-O-Schicht (24) gebildet wurden.
Danach wurde wie in Fig. 5(h) gezeigt, die teerartige
Farbschicht (26) mit Aceton entfernt.
Somit erhielt man eine Lithograhiemaske,
die ein Laminat aus Siliciumnitridschichten (23, 24) und
einer Al-N-O-Schicht (24) besitzt, das
mit einem Ringrahmen (28) und einer Siliciumschei
be (21) befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Siliciumni
tridschicht : Al-N-O-Schicht : Siliciumnitridschicht besitzt,
besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.
Es wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 21 ausge
führt, außer daß nach Bildung der Al-N-O-Schicht unter
Bildung einer teerartigen Farbschicht zum Schutze auf der
Siliciumoxidschicht, ferner eine Siliciumoxidschicht in einer
Dicke von 0,5 µm gemäß des CVD-Verfahrens gebildet wurde.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Silicium
oxidschicht : Al-N-O-Schicht : Siliciumoxidschicht besitzt, das
mit einem Ringrahmen (28) und einer
Siliciumscheibe (21) befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Silicium
oxidschicht : Al-N-O-Schicht : Siliciumoxidschicht besitzt, besaß
besonders gute Lichtdurchlässigkeit.
Es wurden die gleichen Schritte des Beispiels 20 wieder
holt, außer daß eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von
1 µm in der gleichen Weise wie in Beispiel 20 vor der
Bildung der Siliciumnitridschicht (23) gebildet wurde.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Al-N-O-
Schicht : Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, das
mit einem Ringrahmen und einer Silicium
scheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Al-N-O-
Schicht : Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt,
besaß besonders gute Wärmeabfuhr.
Es wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 21
durchgeführt, außer daß eine Al-N-O-Schicht mit einer
Dicke von 1 µm in der gleichen Weise wie in Beispiel 21
vor der Bildung der Siliciumoxidschicht (23) gebildet wurde.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Al-N-O-
Schicht : Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, das
mit einem Ringrahmen und einer Silicium
scheibe befestigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Al-N-O-
Systemschicht : Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt,
besaß besonders gute Wärmeabfuhr.
In den Schritten des Beispiels 24 wurde nach Bildung der
Siliciumnitridschichten (23, 25) und der Al-N-O-Schicht
(24) eine teerartige Farbschicht zum Schutz auf der Sili
ciumnitridschicht (25) gebildet.
Danach wurde ähnlich dem Beispiel 24 der vorbestimmte Teil
der Siliciumoxidschicht (22) und der kreisförmige, zentrale
Teil der Siliciumscheibe (21) entfernt.
Danach wurde die teerartige Farbschicht mit Aceton ent
fernt.
Danach wurde eine Schicht eines lichtempfindlichen Deck
lacks
in einer Dicke von 1,2 µm mittels Wirbelbeschichtung
auf der Siliciumnitridschicht (25) gebildet.
Danach wurde, nachdem der Decklack unter Verwendung einer
Quarz-Chrommaske mit ferner UV-Strahlung abgedruckt worden
war, eine vorgeschriebene Behandlung zur Gewinnung eines
Decklackmusters, das dem Negativtyp zur Maske entspricht,
ausgeführt.
Danach wurde Tantal (Ta) mit Hilfe einer Elektronenstrahl
dampfabscheidungsvorrichtung mit einer Dicke von 0,5 µm
mit Dampf abgeschieden.
Danach wurde der Decklack mit einer Beseitigungsvorrich
tung entfernt und man erhielt ein Tantalabsorptionsmuster gemäß
des Abtragungsverfahrens.
Danach wurde ein Ringrahmen in der gleichen Weise wie in
Beispiel 24 angeklebt, was eine Litho
graphiemaske ergab, die eine das Absorbermaterial haltende
Trägerschicht mit einer Zusammensetzung aus Siliciumnitridschichten und einer Al-
N-O-Schicht und ein Tantalabsorptionsmuster umfaßt, wobei der
Aufbau mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe
befestigt ist.
Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu
sammensetzung aus Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht : Si
liciumnitridschicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurch
lässigkeit.
Nachdem Siliciumoxidschichten auf beiden Oberflächen der Sili
ciumscheibe, ähnlich dem Beispiel 24 gebildet wurden,
wurde eine Al-N-O-Schicht auf ihrer einen Oberfläche in
der gleichen Weise wie in Beispiel 24 gebildet.
Danach wurde eine teerartige Farbschicht zum Schutze auf
der Al-N-O-Schicht gebildet.
Danach wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 24 der
vorbestimmte Teil der Siliciumoxidschicht (22) und der
kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumscheibe (21) ent
fernt.
Danach wurde die teerartige Farbschicht mit Aceton ent
fernt.
Danach wurde mit Hilfe einer Widerstandsheizvorrichtung
zur Dampfabscheidung eine Chrom (Cr)-Schicht mit einer Dicke
von 300 nm gleichmäßig auf der Al-N-O-Schicht gebildet
und dann ein Gold (Au)-Film mit einer Dicke von 0,5 µm
gleichmäßig darauf gebildet.
Danach wurde der Goldfilm gleichmäßig in einer Dicke von
0,5 µm mit einem lichtempfindlichen Decklack
beschichtet.
Danach wurden, nachdem der Decklack unter Verwendung von
ferner UV-Strahlung mit einer Vorlagemaske, die in engem
Kontakt mit dem Decklack stand, aufgedruckt worden war,
vorgeschriebene Behandlungen zur Gewinnung eines Decklack
musters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske darstellt,
durchgeführt.
Danach wurde das Ätzen des Goldfilms unter Verwendung
eines Jod (I2)-haltigen Ätzmittels zur Gewinnung eines
Goldabsorptionsmusters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske dar
stellt, durchgeführt.
Danach wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 24 ein
Ringrahmen angeklebt, was eine Litho
graphiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende
Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Al-N-O-
Schicht und einer Chromschicht und ein Goldabsorptionsmuster
umfaßt.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Al-N-O-
Schicht : Chromschicht besitzt, besaß besonders gute Rönt
genstrahlendurchlässigkeit.
Es wurden die gleichen Schritte des Beispiels 21 durchge
führt, außer daß ferner PIQ-Flüssigkeit (Polyimidvorläu
fer) auf der Al-N-O-
Schicht mittels Wirbelbeschichtung aufgetragen wurde
und danach die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden
lang zur Bildung einer Polyimidschicht mit einer Dicke von 2
µm ausgehärtet wurde.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat mit
einer Zusammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht
: Polyimidschicht besitzt, das mit einem
Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu
sammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht : Poly
imidschicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.
Durch Wiederholen des Verfahrens des Beispiels 30, außer
daß die Reihenfolge der Bildung der Siliciumoxidschicht und
der Bildung der Al-N-O-Schicht umgekehrt wurde, er
hielt man eine Lithographiemaske, die ein
Laminat mit einer Zusammensetzung aus Al-N-O-Schicht
: Siliciumoxidschicht : Polyimidschicht besitzt.
Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu
sammensetzung aus Al-N-O-Schicht : Siliciumoxidschicht : Poly
imidschicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.
Durch Wiederholen des Verfahrens des Beispiels 30, außer
daß die Reihenfolge der Bildung der Al-N-O-Schicht
unter Bildung der Polyimidschicht umgekehrt wurde, erhielt
man eine Lithographiemaske, die ein Laminat
mit einer Zusammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Polyimid
schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, das mit
einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.
Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu
sammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Polyimidschicht : Al-N-O-
Schicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.
Es wurden im Beispiel 20, außer der Bildung der Al-N-O-
Schicht nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter
Verwendung eines Aluminiumnitrid (AlN)-Targets, einer
Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff
(O2) = 1 : 1 : 0,5, eines Gasdrucks von 666,5 mPa, einer
Entladungsleistung von 150 W und einer Schichtbildungsge
schwindigkeit von 1,5 nm/min, die gleichen Schritte wie in
Beispiel 20 zur Gewinnung einer Litho
graphiemaske wiederholt.
Es wurden in Beispiel 20 außer der Bildung der Al-N-O-
Schicht nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter
Verwendung eines Aluminiumoxidnitrid (7 Al3O7 : 3 AlN)-Targets,
einer Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) :
1 : 1, eines Gasdrucks von 666,5 mPa, einer Entla
dungsleistung von 200 W und einer Schichtbildungsgeschwindig
keit von ungefähr 1,0 nm/min, die gleichen Schritte wie in
Beispiel 20 zur Gewinnung einer Litho
graphiemaske wiederholt.
Es wurden in Beispiel 20, außer der Durchführung des
Schrittes zur Bildung einer Aluminiumnitridschicht (4) mit
einer Dicke von 0,5 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfah
ren unter Verwendung eines Aluminium (Al)-Targets,
einer Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) = 1 : 1,
eines Gasdrucks von 1066 mPa, einer Entladungslei
stung von 200 W anstelle des Schritts zur Bildung der
Siliciumnitridschicht die gleichen Schritte wie in Beispiel
20 zur Gewinnung einer Lithographiemaske
durchgeführt.
Die in diesem Beispiel erhaltene Litho
graphiemaske, die eine Zusammensetzung aus Aluminiumnitrid
schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß gute Gesamtleistun
gen wie Röntgenstrahlendurchlässigkeit, Durchlässigkeit
für sichtbares Licht, Wärmeleitfähigkeit und Filmbildungsei
genschaft.
In Beispiel 35 wurde nach dem Schritt der Bildung der
Aluminiumnitridschicht der Schritt der Bildung einer Poly
imidschicht mit einer Dicke von 2 µm durch Auftragen von
PIQ-Flüssigkeit (Polyimidvorläufer)
mittels Wirbelbeschichtung durchgeführt und
dann wurde die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden
lang ausgehärtet.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die eine Zusammensetzung aus Polyimidschicht : Aluminiumnitrid
schicht : Al-N-O-Schicht besitzt. Die in diesem Beispiel
erhaltene Lithographiemaske besaß besonders
gute Festigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit.
In Beispiel 35 wurde nach dem Schritt der Bildung der
Aluminiumnitridschicht der Schritt der Bildung einer Borni
tridschicht mit einer Dicke von 0,5 µm nach dem Reaktiv-
Sputtering-Verfahren durchgeführt.
Somit wurde eine Lithographiemaske erhalten,
die eine Zusammensetzung aus Bornitrid : Aluminiumnitrid : Al-
N-O-Schicht besitzt. Die in diesem Beispiel erhaltene
Lithographiemaske besaß besonders gute Rönt
genstrahlendurchlässigkeit und Durchlässigkeit für sicht
bares Licht.
Fig. 6(a) bis (f) sind schematische, zentrale Schnittan
sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels
der Lithographiemaske gemäß der Erfindung
zeigen.
Wie in Fig. 6(a) gezeigt, wurde nachdem PIQ-Flüssigkeit
(Polyimidvorläufer)
mittels Wirbelbeschichtung auf einer Seite der Silicium
scheibe (31) aufgebracht worden war, die Beschichtung bei
50 bis 350°C vier Stunden lang zur Bildung einer Polyimid
schicht (32) mit einer Dicke von 1,5 µm ausgehärtet.
Danach wurde wie in Fig. 6(b) gezeigt, mit einer Ionen
plattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem Elektronenstoß
eine Al-N-O-Schicht (33) mit einer Dicke von 4 µm mit
einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,0 nm/sec
auf der Polyimidschicht (32) gebildet, wobei ein Aluminium
(Al)-Target, eine Gasatmosphäre mit einem Volumenver
hältnis von Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff (O2) =
1 : 3 : 0,1, einer Entladungsleistung von 400 W, einer Be
schleunigungsspannung von 600 V, einem Gasdruck von 40,0 mPa
und eine Substrattemperatur von 80°C verwendet
wurden.
Danach wurde wie in Fig. 6(c) gezeigt, eine Oberfläche
eines Ringrahmens (34), (innerer
Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm)
mit einer Art Epoxykleber (35) beschichtet und an der mit
dem Kleber (35) beschichteten Oberfläche mit der Oberflä
che der vorstehenden Al-N-O-Schicht (33) angeklebt.
Danach wurden wie in Fig. 6(d) gezeigt, entlang des äuße
ren Umkreises des Ringrahmens (34) Schnitte auf der Al-N-O-
Schicht (33) und der Polyimidschicht (32) gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 6(e) gezeigt, die Siliciumscheibe
(31) durch Anwendung von Beschallung in einer wäßrigen
Lösung, die ein oberflächenaktives Mittel (Natriumalkyl
benzolsulfonat) enthält, getrennt und entfernt.
Danach wurde wie in Fig. 6(f) gezeigt, die Polyimidschicht
(32) mit einem hydrazinartigen Lösungsmittel entfernt.
Während der Behandlung mit dem Lösungsmittel wurde zum
Schutz der Al-N-O-Schicht (33) die Al-N-O-Schicht
(33) mit einer teerartigen Farbe beschichtet und die teer
artige Farbschicht wurde nach Beseitigung der Polyimid
schicht (32) mit Aceton entfernt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die eine Al-N-O-Schicht (33) umfaßt, die auf einem
Ringrahmen (34) befestigt ist.
Es wurde auf der Al-N-O-Systemschicht (33) der in Beispiel 38
erhaltenen Lithographiemaske ein Gold (Au)-
Film mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig mittels einer
Widerstandsheizvorrichtung zur Dampfabscheidung gebildet.
Danach wurde der Goldfilm gleichmäßig mit einem lichtemp
findlichen Decklack
in einer Dicke von 0,5 µm beschichtet.
Danach wurden, nachdem der Decklack unter Verwendung fer
ner UV-Strahlung mit einer Vorlagemaske, die in engem
Kontakt mit dem Decklack stand, aufgedruckt worden war,
vorgeschriebene Behandlungen durchgeführt, wobei sich ein
Decklackmuster ergab, das den Positivtyp zur Vorlagemaske
darstellt.
Danach wurde das Ätzen des Goldfilmes unter Verwendung
eines Jod (I2)-haltigen Goldätzmittels zur Gewinnung eines
Goldabsorptionsmusters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske dar
stellt, durchgeführt.
Danach wurde der Decklack mit einem ketonartigen Lösungs
mittel entfernt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die eine Al-N-O-Schicht mit einem darauf gebildeten
Goldabsorptionsmuster besitzt, die auf einem Ringrahmen befestigt
ist.
Es wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 38 wieder
holt, außer das die Polyimidschicht (32) nicht entfernt
wurde.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus
einer Polyimidschicht und einer Al-N-O-Schicht besitzt,
das auf einem Ringrahmen befestigt ist.
In den Schritten des Beispiels 38 wurde nach Bildung der
Al-N-O-Schicht (33) ein Gold (Au)-Film mit einer Dicke
von 0,5 µm gleichmäßig mittels einer Widerstandsheizvor
richtung zur Dampfabscheidung gebildet.
Danach wurde der Goldfilm mit einem lichtempfindlichen
Decklack
gleichmäßig in einer Dicke von 0,5 µm beschichtet.
Danach wurden, nachdem der Decklack unter Verwendung von
ferner UV-Strahlung mit einer Vorlagemaske, die in engem
Kontakt mit dem Decklack stand, aufgedruckt worden war,
vorgeschriebene Behandlungen durchgeführt, wobei sich ein
Decklackmuster ergab, das den Positivtyp zur Vorlagemaske
darstellt.
Danach wurde das Ätzen des Goldfilmes unter Verwendung
eines Jod (I2)-artigen Goldätzmittels zur Gewinnung eines
Goldabsorptionsmusters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske dar
stellt, ausgeführt.
Danach wurde, nachdem der Decklack mit einem ketonartigen
Lösungsmittel entfernt worden war, eine Oberfläche eines
Ringrahmens, (innerer Durchmesser
7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer
Art Epoxyharz beschichtet und mit der Al-N-O-
Schichtoberfläche, die mit dem obenstehenden
Goldabsorptionsmuster in der gleichen Weise wie in Beispiel 38
befestigt ist, an der mit dem Kleber beschichteten Ober
fläche angeklebt.
Danach wurden ähnlich wie in Beispiel 38 beschrieben, auf
der Al-N-O-Schicht und der Polyimidschicht Schnitte ent
lang des äußeren Umkreises des Ringrahmens gebildet, der
der Beschallung in einer wäßrigen Lösung, die ein oberflä
chenaktives Mittel (Natriumalkylbenzolsulfonat) enthält,
unterworfen wurde, wobei die Siliciumscheibe getrennt und
entfernt wurde.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske
die ein Laminat aus einer Polyimidschicht und einer Al-N-O-
Schicht mit einem darauf gebildeten Goldabsorptionsmuster
besitzt, das auf einem Ringrahmen befestigt ist.
Es wurden auf beiden Oberflächen einer kreisförmigen Sili
ciumscheibe, mit 10 cm Durchmesser Siliciumoxidschichten mit
einer Dicke von 1 µm gebildet.
Danach wurde auf die Siliciumoxidschicht auf einer Seite der
Siliciumscheibe eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von
1 µm mit einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,5
nm/min nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren gebildet,
wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus
Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff (O2) = 1 : 1 : 0,5, ein
Gasdruck von 666,5 mPa und eine Entladungsleistung von
150 W verwendet wurden, gefolgt von der Bildung einer
Bornitridschicht mit einer Dicke von 2 µm auf der Al-N-O-
Schicht nach dem gleichen Sputtering-Verfahren, außer
daß ein Bornitridtarget verwendet wurde.
Danach wurde durch Ankleben eines Ringrahmens in der glei
chen Weise wie in Beispiel 38 und danach der Wiederholung
der gleichen Schritte wie in Beispiel 38 die Silicium
scheibe, die mit der Siliciumoxidschicht verbunden ist, ge
trennt und entfernt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat aus einer Al-N-O-Schicht und einer
Bornitridschicht umfaßt, das auf einem Ringrahmen befestigt
ist.
In den Schritten des Beispiels 42 wurden, außer daß nach
der Bildung der Bornitridschicht ferner eine Al-N-O-Schicht
mit einer Dicke von 1 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-
Verfahren gebildet wurde, die gleichen Schritte des Bei
spiels 42 wiederholt.
Somit erhielt man eine Röntgenstrahlen
lithographiemaske, die ein Laminat umfaßt, das eine Zusammen
setzung aus Al-N-O-Schicht : Bornitridschicht : Al-N-O-Schicht
besitzt, das auf einem Ringrahmen befestigt ist.
Auf beiden Oberflächen einer kreisförmigen Siliciumscheibe
mit 10 cm Durchmesser wurden Siliciumoxidschichten mit einer
Dicke von 1 µm gebildet.
Danach wurde auf der Siliciumoxidschicht auf einer Seite der
Siliciumscheibe eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von
1 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren gebildet, wobei
ein Aluminiumoxidnitrid (7 Al3O7 : 3 AlN)-Target, eine Gas
mischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) = 1 : 1, ein
Gasdruck von 666,5 mPa, eine Entladungsleistung von
200 W und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,0
nm/min verwendet wurden.
Danach wurde eine Aluminiumnitridschicht mit einer Dicke von
0,5 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren gebildet,
wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus
Argon (Ar) : Stickstoff (N2) = 1 : 1, ein Gasdruck von 1066 mPa
und eine Entladungsleistung von 200 W verwendet
wurden.
Danach wurde durch Ankleben eines Ringrahmens in der glei
chen Weise wie in Beispiel 38 und nach der Durchführung
der gleichen Schritte wie in Beispiel 38 die Silicium
scheibe, die mit der Siliciumoxidschicht befestigt war, ge
trennt und entfernt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske
die ein Laminat aus einer Al-N-O-Schicht und einer
Aluminiumnitridschicht umfaßt, das auf einem Ringrahmen befe
stigt ist.
Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal
tende Träger besaß
gute Gesamtwirkungsweisen wie Röntgenstrahlendurchlässig
keit, Durchlässigkeit für sichtbares Licht, Wärmeleitfä
higkeit und Filmbildungseigenschaft.
Die Lithographiemasken der Erfindung, die
nach dem Verfahren zur Herstellung der
Lithographiemaske der Erfindung, wie vorstehend in den Beispie
len 38 bis 44 beschrieben, hergestellt wurden, haben fer
ner zusätzlich zu den Effekten, die durch Verwendung des
Al-N-O-Materials als Bestandteil des das Absorbermate
rial haltenden Träger entstanden sind, die Effekte,
daß die Herstellungsschritte einfach und schnell sind und
daß die Ausbeute hoch ist.
Fig. 7(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemaske nach der Erfindung zeigt und Fig. 7(b) ist eine
schematische Aufsicht eines Ringrahmens dieser
Lithographiemaske. In Fig. 7 ist (42) ein das
Absorbermaterial haltender Träger und wird in seinem
Randbereich auf der oberen Endoberfläche des Ringrah
mens (43) unterstützt.
Der vorstehende das Absorbermaterial haltende Träger
(42) kann eine einzelne Schicht eines Al-N-O-Mate
rials oder alternativ ein Laminat aus einem Al-N-O-
Material mit anderen anorganischen und/oder organischen
Materialien umfassen.
In der Lithographiemaske dieses Beispiels
wurde die oberste, ebene Endoberfläche (43 a) des Ringrah
mens (43) nicht mit einem Kleber zum Ankleben des das
Absorbermaterial haltenden Trägers beschichtet, sondern
mit einem Kleber (44) nur an der abgeschrägten Fläche
(43 b), die die Außenseite der obersten, ebenen Endoberflä
che (43 a) in einem Winkel von R kreuzt, beschichtet. Der
Winkel R ist nicht besonders begrenzt, wenn sichergestellt
ist, daß er einen Wert besitzt, der 0° übertrifft, aber
vorzugsweise 5 bis 90°, noch besser 5 bis 60°, optimal 5
bis 30° beträgt.
Es können als vorstehender Kleber (44) z. B. auch lösungs
mittelartige Kleber (butadienartige, synthetische Gummi
kleber, chloroprenartige, synthetische Gummikleber usw.),
nichtlösungsmittelartige Kleber (epoxyartige Kleber, cya
noacrylatartige Kleber usw.) verwendet werden.
Fig. 8(a) bis (g) zeigt wie in Fig. 7 gezeigt, die Her
stellungsschritte eines Beispiels der
Lithographiemaske nach der Erfindung.
Wie in Fig. 8(a) gezeigt, wurde der abgeschrägte Teil
eines Ringrahmens (43), (innerer
Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm
der eine abgeschrägte Oberfläche außerhalb der obersten,
ebenen Endoberfläche, die die ebene Endoberfläche in einem
Winkel von 15° kreuzt, bildet) mit einer Art Epoxyharz
(44) beschichtet und es wurde eine Polyimidschicht (42-1)
(Dicke 7 µm), die isotrop gestreckt wurde, angeklebt und
mit dem Epoxykleber (44) auf dem Ringrahmen (43) befestigt
und die aus dem Ringrahmen (43) austretende Polyimidschicht
(42-1) wurde abgeschnitten.
Danach wurde wie in Fig. 8(b) gezeigt, eine Al-N-O-Schicht
(42-2) mit einer Dicke von 3 µm mittels einer Ionen
plattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem Elektronenstoß
gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gas
mischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff (O2) =
1 : 3 : 0,1, ein Gasdruck von 40,0 mPa und eine Entla
dungsleistung von 400 W und eine Schichtbildungsgeschwindig
keit von ungefähr 1,0 nm/sec verwendet wurden.
Danach wurde in Fig. 8(c) gezeigt, auf der Al-N-O-Schicht
(42-2) gleichmäßig ein Gold (Au)-Film (41′) mit einer
Dicke von 0,5 µm mit einer Widerstandsheizvorrichtung zur
Dampfabscheidung gebildet.
Danach wurde wie in Fig. 8(d) gezeigt, der Goldfilm (41′)
gleichmäßig mit einem lichtempfindlichen Decklack
(45) in einer
Dicke von 0,5 µm beschichtet.
Danach wurde wie in Fig. 8(e) gezeigt, nachdem der Deck
lack unter Verwendung von ferner UV-Strahlung mit einer
Vorlagemaske, die in engem Kontakt mit dem Decklack stand,
aufgedruckt worden war, vorgeschriebene Behandlungen
durchgeführt, wobei sich ein Decklackmuster ergab, daß den
Positivtyp zu der Vorlagemaske darstellt.
Danach wurde wie in Fig. 8(f) gezeigt, das Ätzen des
Goldfilms (41′) unter Verwendung eines Jod (I2)-artigen
Goldätzmittels zur Gewinnung eines Goldabsorptionsmusters, das
den Positivtyp zur Vorlagemaske darstellt, durchgeführt.
Danach wurde der Decklack zur Gewinnung eines Absorptionsmu
sters (41), das einen Goldfilm umfaßt, mit einem ketonar
tigen Lösungsmittel entfernt. Somit wurde wie in Fig. 8(g)
gezeigt, eine Lithographiemaske zur Ver
fügung gestellt, die ein Laminat aus einer Polyimidschicht
(42-1) und einer Al-N-O-Schicht (42-2) als die das
Absorbermaterial haltende Trägerschicht mit einem Absorptions
muster (41) besitzt, das auf dem das Absorbermaterial
haltenden Träger gebildet wurde.
In den Schritten des Beispiels 45 wurde nach Bildung der
Al-N-O-Schicht (42-2), außer daß ferner der unge
schützte Teil der Polyimidschicht (42-1) in einem Sauer
stoffplasma gemäß des reaktiven Ionenätzverfahrens ent
fernt wurde und dann der Goldfilm (41′) auf der Al-N-O-
Schicht (42-2) gebildet wurde, die gleichen Schritte
wie in Beispiel 45 wiederholt.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die eine Al-N-O-Schicht als die das Absorbermaterial
haltenden Trägerschicht umfaßt und ein Absorptionsmuster besitzt,
das auf dem das Absorbermaterial haltenden Träger ge
bildet wurde.
In Beispiel 45 wurde nachdem die aus dem Ringrahmen aus
tretende Polyimidschicht abgeschnitten worden war, eine Al-N-O-
Schicht mit einer Dicke von 1 µm nach dem Reaktiv-
Sputtering-Verfahren auf der Polyimidschicht gebildet, wobei
ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus Argon
(Ar) : Stickstoff (N2) : Sauerstoff (O2) = 1 : 1 : 0,5, ein
Gasdruck von 666,5 mPa, eine Entladungsleistung von
150 W und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,5
nm/min verwendet wurden.
Danach wurde eine Bornitridschicht mit einer Dicke von 2 µm
auf der Al-N-O-Schicht nach dem gleichen Sputtering-
Verfahren gebildet, außer daß eine Bornitridschicht verwendet
wurde.
Danach wurde ein Goldabsorptionsmuster in der gleichen Weise wie
in Beispiel 45 zur Gewinnung einer
Lithographiemaske gebildet, die ein Laminat aus der Polyimid
schicht der Al-N-O-Schicht und der Bornitridschicht als den
das Absorbermaterial haltenden Träger umfaßt.
In Beispiel 45 wurde, nachdem die aus dem Maskenrahmen
austretende Polyimidschicht abgeschnitten worden war, eine Al-
N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm nach dem Reaktiv-
Sputtering-Verfahren auf der Polyimidschicht gebildet, wobei
ein Aluminiumoxidnitrid (7 Al3O7 : 3 AlN)-Target, eine Gas
mischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) = 1 : 1, ein
Gasdruck von 666,5 mPa eine Entladungsleistung von
200 W und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,0
nm/min verwendet wurden.
Danach wurde eine Aluminiumnitridschicht mit einer Dicke von
0,5 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwen
dung eines Aluminium (Al)-Target, einer Gasmischung
aus Argon (Ar) : Stickstoff (N2) = 1 : 1, eines Gasdrucks von
1066 mPa und einer Entladungsleistung von 200 W
gebildet.
Danach wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 45
durchgeführt, außer daß der ungeschützte Teil der Poly
imidschicht nach dem reaktiven Ionenätzverfahren in einem
Sauerstoffplasma entfernt wurde und dann ein Goldabsorptionsmu
ster auf der Aluminiumnitridschicht gebildet wurde.
Somit erhielt man eine Lithographiemaske,
die ein Laminat aus einer Al-N-O-Schicht und einer
Aluminiumnitridschicht als den das Absorbermaterial haltenden
Träger umfaßt und ein Absorptionsmuster besitzt, das auf
dem das Absorbermaterial haltenden Träger gebildet
wurde.
Der das Absorbermaterial haltende Träger, gemäß
diesem Beispiel besaß
besonders guße Gesamtwirkungsweisen wie Röntgenstrahlen
durchlässigkeit, Durchlässigkeit für sichtbares Licht,
Wärmeleitfähigkeit und Filmbildungseigenschaft.
Fig. 9 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemaske nach der Erfindung zeigt.
Auf der Al-N-O-Schicht (42-2) wurde ferner auf der
oberen, abgeschrägten Fläche (43 b) des Ringrahmens (43)
der in Beispiel 47 erhaltenen Lithogra
phiemaske ein Druckring (50) mit einem Kleber (49) angeklebt,
wie in Fig. 9 gezeigt. Die angeklebte Grenzfläche zwischen
dem Druckring (50) und der Al-N-O-Schicht (42-2) wird
parallel zur oberen, abgeschrägten Fläche (43 b) des Ring
rahmens (43) gebildet.
In der Lithographiemaske dieses Beispiels
kann der das Absorbermaterial haltende Träger mit Unter
stützung durch Anwendung von Druck zwischen dem Ringrahmen
(43) und dem Druckring (50) fester auf dem Ringrahmen (43)
gehalten werden.
In den vorstehenden Beispielen wird außerhalb der ober
sten, ebenen Endoberfläche (43 a) des Ringrahmens (43) eine
abgeschrägte Fläche (43 b) gebildet, die die oberste, ebene
Endoberfläche (43 a) in einem bestimmten Winkel kreuzt und
das Kleben wurde an der abgeschrägten Fläche (43 b) ausge
führt, aber die Ausführungsformen der
Lithographiemaske der Erfindung sind nicht darauf beschränkt.
Fig. 10(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemaske nach der Erfindung zur Erläuterung einer weiteren
Form des Ringrahmens (43) zeigt und Fig. 10(b) ist eine
schematische Aufsicht des Ringrahmens (43). Hier wird eine
abgeschrägte Fläche (43 b) außerhalb der obersten, ebenen
Endoberfläche (43 a) des Ringrahmens (43) gebildet, die eng
mit der obersten, ebenen Endoberfläche (43 a) verbunden ist
und das Kleben wurde an der abgeschrägten Oberfläche (43 b)
durchgeführt.
Fig. 11 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan
sicht, die ein Beispiel der Lithogra
phiemaske nach der Erfindung zur Erläuterung einer weiteren
Form des Ringrahmens (43) zeigt. Hier wird außerhalb der
obersten, ebenen Endoberfläche (43 a) eine Ebene (43 b)
gebildet, die die oberste, ebene Endoberfläche (43 a)
rechtwinklig kreuzt, ferner wird außerhalb der Fläche
(43 b) in einer tieferen Position, als der der obersten,
ebenen Endoberfläche (43 a) eine Fläche (43 c) gebildet und
das Ankleben wird an der Fläche (43 c) durchgeführt.
Die Lithographiemasken können wie in den
vorstehenden Beispielen 45 bis 49 beschrieben, zusätzlich
zu den Effekten, die durch Verwendung von Al-N-O-Schichten
als Bestandteil des das Absorbermaterial haltenden
Trägers entstanden sind, ferner die Ebenheit des das
Absorbermaterial haltenden Trägers verbessern, wobei
sie den Effekt haben, weiter verbesserte Lithographie
durchzuführen.
Gemäß der Erfindung hat Aluminiumnitridoxid, die wie
vorstehend beschrieben, als der grundlegende Bestandteil
des das Maskenmaterial haltenden Trägers verwendet
wird, spezifische Merkmale wie hohe Röntgenstrahlendurch
lässigkeit und Durchlässigkeit für sichtbares Licht (unge
fähr 1/10 der optischen Dichte durch 1 µm Dicke), kleinen
Wärmeausdehnungskoeffizienten (3 bis 4 × 10-6/°C), hohen
Wärmeleitfähigkeitskoeffizienten und gute Schichtbildungsei
genschaft und deshalb können die folgenden Effekte erhal
ten werden:
- 1. Die Herstellung eines das Absorbermaterial haltenden Trägers kann leicht und hervorragend durchgeführt werden, weil die hohe Röntgenstrahlendurchlässigkeit durch Aluminiumnitridoxid es einer relativ großen Anzahl von Röntgenstrahlen ermöglichen kann, durchzutreten, sogar wenn die Schichtdicke relativ dicker hergestellt wird.
- 2. Gute Schichtbildungseigenschaft des Aluminiumnitridoxids ermöglicht die Herstellung eines das Absorbermaterial hal tenden Trägers, der aus einer sehr dünnen Schicht besteht, wobei die Anzahl der durchgelassenen Röntgenstrah len zur Verbesserung des Belichtungsdurchsatzes in der Lithogra phie vergrößert werden kann.
- 3. Hohe Durchlässigkeit für sichtbares Licht durch das Aluminium nitridoxid ermöglicht leichten und genauen Ab gleich durch visuelle Beobachtung unter Verwendung von sichtbarem Licht in der Lithographie.
- 4. Da der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminiumnitrid oxid ungefähr den gleichen Wert besitzt, wie der des Drucksubstrats aus einer Siliciumscheibe (2 bis 3 × 10- 6/°C) wird die Belichtung in der Lithographie mit hoher Genauigkeit ermöglicht.
- 5. Hohe Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumnitridoxid kann Temperaturerhöhung durch Bestrahlung mit Röntgenstrahlen verhindern; dieser Effekt ist bei Vakuumbelichtung besonders groß.
- 6. Im Falle der Verwendung eines Laminats aus einer Schicht von Aluminiumnitridoxid und einer Schicht aus einem organischen Material als den das Absorbermaterial haltenden Träger kann man wie vorstehend beschrieben einen das Absorbermaterial haltenden Träger erhalten, der zusätzlich zu den Eigenschaften von Aluminiumnitrid oxid die Eigenschaften des organischen Materials besitzt. Das heißt, ein solcher das Absorbermaterial haltender Träger hat auch zusätzlich zu dem Effekt, der durch den das Mas kenmaterial haltenden Träger, der aus einer einzelnen Schicht von Aluminiumnitridoxid besteht, bestimmt wird, die Effekte von größerer Festigkeit und wesentlicher Span nungsfreiheit.
- 7. Im Falle der Verwendung eines Laminats aus einer Schicht von Aluminiumnitridoxid und einer Schicht eines anorganischen Materials, das sich von der vorstehenden Substanz unterscheidet, als den das Absorbermaterial halten den Träger kann man wie vorstehend beschrieben einen das Absorbermaterial haltenden Träger erhalten, der zusätzlich zu den Eigenschaften der vorstehenden Substanz die Eigenschaften des anorganischen Materials besitzt. Das heißt, daß ein solcher das Absorbermaterial haltender Träger auch ausgezeichnete Lichtdurchlässigkeit und Wärme leitfähigkeit genauso wie relativ große Festigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit besitzt. Auch wenn ferner eine Schicht eines organischen Materials laminiert wird, werden die spezifischen Merkmale wie größere Festigkeit und wesentliche Spannungsfreiheit hinzugefügt.
- 8. Da die Aluminiumnitridoxid-Schicht die Eigenschaften von sehr hervorragender chemischer Stabilität, Witterungsbeständi keit und Haltbarkeit zusätzlich zu den Eigenschaften, die auch durch Aluminiumnitrid bestimmt sind, wie hohe Rönt genstrahlendurchlässigkeit und Durchlässigkeit für sicht bares Licht, kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient, hoher Wärmeleitfähigkeitskoeffizient und gute Filmbildungseigen schaft besitzt, wird er mehr als Aluminiumnitrid für den das Absorbermaterial haltenden Träger der Lithographiemaske bevorzugt.
Claims (9)
1. Lithographiemaske mit mindestens einer anorganischen,
aus der Dampfphase abgeschiedenen Trägerschicht für das
Absorbermaterial, wobei der Absorbermaterialträger von
einem Halterahmen im Randbereich getragen wird, dadurch
gekennzeichnet, daß die zumindest eine Trägerschicht
aus einem Aluminiumnitridoxid besteht.
2. Lithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnt, daß der das Absorbermaterial haltende Träger
zusätzlich eine Schicht aus einem für diese Zwecke bekannten
organischen Material aufweist.
3. Lithographiemaske nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das organische Material aus der Gruppe
Polyimid, Polyamid, Polyester und Poly-y-xylylen ausgewählt
ist.
4. Lithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß der das Absorbermaterial haltende Träger
zusätzlich eine Schicht aus einem für diese Zwecke bekannten
anorganischen Material aufweist.
5. Lithographiemaske nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß das anorganische Material aus der Gruppe
Bornitrid, Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid
und Titan ausgewählt ist.
6. Lithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß der das Absorbermaterial haltende Träger
zusätzlich sowohl eine Schicht aus organischem Material
als auch eine Schicht aus anorganischem Material auf
weist, wobei das organische Material aus einer Substanz
gemäß Anspruch 3 und das anorganische Material aus einer
Substanz gemäß Anspruch 5 besteht.
7. Lithographiemaske nach Anspruch 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß das Absorbermaterial aus einem Stoff
aus der Gruppe Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium,
Indium, Wolfram, Tantal und Kupfer besteht.
8. Verfahren zur Herstellung einer Lithographiemaske
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch folgende Schritte:
- a) Bildung eines das Absorbermaterial haltenden Trägers auf einem Substrat,
- b) Aufkleben eines ringförmigen Halterahmens auf dem Träger,
- c) Entfernen des Substrates von dem das Absorbermaterial haltenden Trägers im Bereich des Absorbermusters und
- d) Aufbringen des Absorbermaterials in Form eines Dünnfilms auf den Träger und Ausbilden eines Absorptionsmusters.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat von dem Träger durch Ultraschalleinwirkung
in einem Lösungsmittel entfernt wird.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60000664A JPS61159654A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
JP60001772A JPS61160746A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
JP60001890A JPS61160747A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
JP9019985A JPH0690998B2 (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | X線リソグラフィー用マスク構造体の製造方法 |
JP9012585A JPH0656830B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3600169A1 DE3600169A1 (de) | 1986-07-10 |
DE3600169C2 true DE3600169C2 (de) | 1990-07-26 |
Family
ID=27517985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863600169 Granted DE3600169A1 (de) | 1985-01-07 | 1986-01-07 | Maskenstruktur zur lithographie, verfahren zu ihrer herstellung und lithographisches verfahren |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4837123A (de) |
DE (1) | DE3600169A1 (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL88837A (en) * | 1988-12-30 | 1993-08-18 | Technion Res & Dev Foundation | Method for the preparation of mask for x-ray lithography |
US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
US4932872A (en) * | 1989-06-16 | 1990-06-12 | Lepton Inc. | Method for fabricating X-ray masks |
DE3920788C1 (de) * | 1989-06-24 | 1990-12-13 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De | |
US5578377A (en) * | 1993-04-21 | 1996-11-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Colored thin film-forming coating solution and colored thin film obtained by such coating solution |
US5759911A (en) * | 1995-08-22 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Self-aligned metallurgy |
JPH1050584A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | マスク保持装置 |
JP4011687B2 (ja) | 1997-10-01 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光装置、該マスク構造体を用いた半導体デバイス製造方法 |
JP2000286187A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Canon Inc | 露光装置、該露光装置に用いるマスク構造体、露光方法、前記露光装置を用いて作製された半導体デバイス、および半導体デバイス製造方法 |
US6617681B1 (en) * | 1999-06-28 | 2003-09-09 | Intel Corporation | Interposer and method of making same |
US6387787B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-05-14 | Motorola, Inc. | Lithographic template and method of formation and use |
US6680130B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-01-20 | Agere Systems, Inc. | High K dielectric material and method of making a high K dielectric material |
JP4220229B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスクの製造方法 |
US7420653B2 (en) * | 2003-10-02 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, mirror, method of supplying a protective cap layer, device manufacturing method and device manufactured accordingly |
JP2008122275A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル、その製造方法及び放射線イメージセンサ |
US8366946B2 (en) * | 2009-08-28 | 2013-02-05 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Frame for holding laminate during processing |
CN105188894B (zh) * | 2013-05-01 | 2018-02-13 | 皇家飞利浦有限公司 | 制造部分独立式石墨烯晶体膜的方法和包括这样的膜的器件 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
US4440841A (en) * | 1981-02-28 | 1984-04-03 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Photomask and photomask blank |
US4374912A (en) * | 1981-03-31 | 1983-02-22 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Photomask and photomask blank |
JPS57211732A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Toshiba Corp | X ray exposing mask and manufacture thereof |
JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
US4436797A (en) * | 1982-06-30 | 1984-03-13 | International Business Machines Corporation | X-Ray mask |
US4563407A (en) * | 1982-11-16 | 1986-01-07 | Hoya Corporation | Photo-mask blank comprising a shading layer having a variable etch rate |
US4539278A (en) * | 1984-03-12 | 1985-09-03 | Eaton Corporation | Mask structure for X-ray lithography and method for making same |
-
1986
- 1986-01-07 DE DE19863600169 patent/DE3600169A1/de active Granted
-
1988
- 1988-03-14 US US07/170,688 patent/US4837123A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3600169A1 (de) | 1986-07-10 |
US4837123A (en) | 1989-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3600169C2 (de) | ||
DE3539201C2 (de) | ||
EP1238312B1 (de) | Verwendung von polyimid für haftschichten, lithographisches verfahren zur herstellung von mikrobauteilen sowie verfahren zur herstellung von verbundmaterial | |
DE2725126A1 (de) | Maskenaufbau fuer roentgenstrahlungslithographie sowie herstellungsverfahren hierfuer | |
DE2052424C3 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen | |
DE19632720A1 (de) | Mehrschicht-Kondensatoren unter Einsatz von amorphem, hydrierten Kohlenstoff sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3119682C2 (de) | ||
DE2951287A1 (de) | Verfahren zur herstellung von ebenen oberflaechen mit feinsten spitzen im mikrometer-bereich | |
DE1923825A1 (de) | Plattenartige Anordnung fuer elektrografische Bilduebertragung mit einer bilderzeugenden Oberflaeche und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE3820421C2 (de) | ||
EP0170130B1 (de) | Leuchtschirm für Bildanzeigegeräte und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2507102A1 (de) | Matrize zum herstellen von mehrfachkopien | |
DE2425464C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dunnschicht-Aperturblenden für Korpuskularstrahlgeräte | |
DE3524196C2 (de) | ||
DE1302727C2 (de) | Verfahren zum herstellen einer mit wenigstens einer elektrode versehenen kornschicht, vorzugsweise fuer halbleiterbauelemente | |
DE2845891C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilmmikroschaltung | |
DE3943356A1 (de) | Verfahren zur bildung einer maske fuer roentgenlithographie | |
DE2718288C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines selektiven Solarenergieabsorbers | |
DE1564426A1 (de) | Elektrodensystem,insbesondere halbleitendes Elektrodensystem,und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1495153A1 (de) | Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen und substrat mit beschichteter metalloberfläche | |
DE2626851C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgenlithographie | |
EP0140455B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie | |
DE2002404C3 (de) | Spannungsabhängiger Widerstand aus einer Isolierfolie mit darin eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial | |
DE2645081C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur | |
DE3435178A1 (de) | Gegenstand mit maskenstruktur fuer die lithografie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |