JPS61160747A - リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリソグラフィー法及びそれに使用されるマスク
保持体に関する。

〔従来の技術〕

ｘ１ａリソグラフィーは、Ｘ線固有の直進性、非干渉性
、低回折性などに基づき、これまでの可視光や紫外光に
よるリソグラフィーにより優れた多くの点を持っており
、サブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目
されつつある。

Ｘ線リソグラフィーは可視光や紫外光によるリソグラフ
ィーに比較して多くの優位点を持ちながらも、Ｘ線源の
パワー不足、レジストの低感度、アライメントの困難さ
、マスク材料の選定及び加工方法の困難さなどから、生
産性が低く、コストが高いという欠点があり、実用化が
遅れている。

その中でＸ線リソグラフィー用マスクを取上げてみると
、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク保持
体（即ち光線透過体）としてガラス板および石英板が利
用されてきたが、Ｘ線リソグラフィーにおいては利用で
きる光線の波長が１〜２００人とされており、これまで
のガラス板や石英板はこのｘ！！波長域での吸収が大き
く且つ厚さも１〜２ｍｍと厚くせざるを得ないためＸ線
を充分に透過させないので、これらはＸ線リソグラフィ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。

Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するため、Ｘ線リ
ソグラフィー用マスク保持体の材料として密度の低い無
機物や有機物が検討されつつある。この様な材料として
は、たとえばベリリウム（Ｂｅ）、チタン（Ｔｉ）、ケ
イ素（Ｓ　ｉ）　、ホウｉ　（Ｂ）の単体およびそれら
の化合物などの無機物、またはポリイミド、ポリアミド
、ポリエステル、パリレンなどの有機物が挙げられる。

これにの物質をＸ線リソグラフィー用マスク保持体の材
料として実際に用いるためには、Ｘ線透過量をできるだ
け大きくするために薄膜化することが必要であり、無機
物の場合で数μｍ以下、有機物の場合で数十ＩＬｍ以下
の厚さに形成することが要求されている。このため、た
とえば無機物薄膜およびその複合膜からなるマスク保持
体の形成にあっては、平面性に優れたシリコンウェハー
上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン、１
１化ホロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後にシ
リコンウェハー上をエツチングによって除去するという
方法が提案されている。

一方、以上の様な保持体上に保持されるＸ線リソグラフ
ィー用マスク（即ちＸ線吸収体）として、一般に密度の
高い物質たとえば金、白金。

タングステン、タンタル、銅、ニッケルなどの薄膜望ま
しくは０．５〜Ｉｇｍ厚の薄膜からなるものが好ましい
、この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線透過膜上に一様
に上記高密度物質の薄膜を形成した後、レジストを塗布
し、該レジストに電子ビーム、光などにより所望のパタ
ーン描画を行ない、しかる後にエツチングなどの手段を
用いて所望パターンに作成される。

しかして、以上の如き従来のＸ線リソグラフィーにおい
ては、マスク保持体のＸ線透過率が低く、このため十分
なＸ線透過量を得るためにはマスク保持体をかなり薄く
する必要があり、その製造が困難になるという問題があ
った。

〔発明の目的〕

本発明は１以上の様な従来技術に鑑み、Ｘ線ａＪＩ性の
良好なマスク保持体を提供し、もってリソグラフィーを
良好に実施することを目的とする。

〔発明の概要〕

記す）と無機物膜との積層体により形成することによっ
て達成される。

〔実施例〕

本発明において積層体を構成する無機物膜としては少な
くとも膜形成及びＸ線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な無機物と・しては、たとえば窒化
アルミニウム、窒化ポロン、窒化シリコン、酸化シリコ
ン、炭化シリコン、チタン等が例示される。

これらのうちでも特に窒化アルミニウムはＸ線透過率及
び可視光性透過率が高く、熱膨張率が低く、熱伝導率が
高く、且っ成膜性が良好であるなどの特長を有するので
好適である。

無機物膜の少なくとも一方を２層以上用いて全体として
３層以上からなるものとしてもよい。

更に、本発明によるマスク保持体を構成する積層体はＡ
Ａ−Ｎ−０系膜と無機物膜と有機物膜とを用いて３層以
上からなるものとしてもよい、有機物としては少なくと
も膜形成及びＸ線透過性を有するものを使用することが
でき、この様な有機物としては、たとえばポリイミド、
ポリアミド、ポリエステル、パリレン（ユニオンカーバ
イド社製）等を例示することができる。

本発明によるマスク保持体の厚さは制限されることはな
く適宜の厚さとすることができるが。

例えば２〜２０ｇｍ程度とするのが有利である。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。

実施例１： 第１図（ａ）に示される様に、直径１０ｃｍの円形のシ
リコンウェハー１の両面にＩｇｍ厚の酸化シリコン膜２
を形成した。

次に、第１図（ｂ）に示される様に、プラズマＣＶＤ法
により、シリコンウェハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に０．５　ｐ、　ｍ厚の窒化シリコン膜３を形成し
た後、熱電子衝撃型イオンブレーティング装置を使用し
、アルミニウム（Ａｉ）ターゲット、アルゴン（Ａｒ）
：窒素（Ｎ２）：酸素（０２）＝１：３：０．１の混合
ガス、ガス圧３Ｘ１０−４Ｔｏｒｒ、放電電力４０Ｗ、
加速電圧６００Ｖ、基板温度８０℃で、成膜速度約１０
人／　ｓ　ｅ　ｃでＩｇ、ｍ厚のＡｌ−Ｎ−０系膜４を
形成した。

次に、第１図（Ｃ）に示される様に、ＡＭ−Ｎ−０系膜
４上に保護のたのタール系塗料層６を形成した。

次に、第１図（ｄ）に示される様に、露出している酸化
シリコン膜２の直径７．５　ｃ　ｍの円形の中央部分を
フッ化アンニモウムとフッ酸との混合液を用いて除去し
た。尚、この際、リング状に酸化シリコンＩＩＩ　２を
残すため、その部分に保護のためのアビニシンワックス
（シェル化学社製）の層７を形成し、酸化シリコン膜の
中央部分を除去した後、該ワックス層７を除去した。

次に、第１図（ｅ）に示させる様に、３％フッ酸水溶液
中で電解エツチング（電流密度０．２Ａ／ｄｒｎ”）を
行ない、シリコンウェハーｌの露出している直径７．５
　ｃ　ｍの円形の中央部分を除去した。

次に、第１図（ｆ）に示される様に、フッ化アンモニウ
ムとフッ酸との混合液を用いて、露出部分の酸化シリコ
ン膜２を除去した。

次に、第１図（ｇ）に示される様に、リングフレーム（
パイレックス製、内径７．５ｃｍ、外径９ｃｍ、厚さ５
ｍｍ）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布し、該接着
剤塗布面に上記シリコンウェハーｌの窒化シリコン膜３
及ｅｌＡｌ−Ｎ−０系系膜４形成面側と反対の面を接着
した。

次に、第１図（ｈ）に示される様に、アセトンでタール
系塗料層６を除去した。

カ〈シてリングフレーム８及びシリコンウェハーｌによ
り固定された状態の窒化シリコン膜３及び／Ｍｌ−Ｎ−
０系膜４の積層体からなるリソグラフィー用マスク保持
体を得た。

本実施例において得らたれ窒化シリコン膜；ＡＭ−Ｎ−
０系膜の構成を有するマスク保持体は特に透光性が良好
であった。

実施例２： 直径１０ｃｍの円形のシリコンウェハーの片面にＣＶＤ
法により０．５　ｕ、　ｍ厚の酸化シリコン膜を形成し
た後、実施例１と同様にして該酸化シリコン膜上にＩｇ
ｍ厚のＡＭ−Ｎ−０系膜を形成した。

次に、実施例１と同様にしてＡｌ−Ｎ−０系膜上に保護
のためのタール系塗料層を形成した。

次に、実施例１と同様にしてシリコンウェハーの直径７
．５　ｃ　ｍの円形の中央部分を電解エツチングにより
除去した。尚、この際、リング状にシリコンウェハーを
残すため、その部分に保護のためのタール系塗料層を形
成し、シリコンウェハーの中央部分を除去した後、該塗
料層を除去した。

次に、実施例１と同様にして、シリコンウェハーの酸化
シリコン膜及びＡ１−Ｎ−０系膜形成面側と反対の面に
、リングフレームを接着し、タール系塗料層を除去した
。

かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態の酸化シリコン膜及びＡｌ−Ｎ−０系膜の
積層体からなるリソグラフィー用マスク保持体を得た。

本実施例において得られた酸化シリコン膜；Ａ１−Ｎ−
０系膜の構成を有するマスク保持体は特に透光性が良好
であった。

実施例３： 実施例１の工程において、窒化シリコン膜３及びＡｌ−
Ｎ−０系膜４を形成した後に、Ａｌ−Ｎ−〇系膜４上に
保護のためのタール系塗料層を形成した。

以下、実施例１と同様にして、酸化シリコン膜２の所定
の部分及びシリコンウエノ＼−１の円形の中央部分を除
去した。

次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。

次に、Ａｌ−Ｎ−０系膜４上にフオトレジス）ＡＺ−１
３７０（シプレー社製）を塗布した。

次に、ステッパーを用いてマスクパターンを縮小投影し
レジストの焼付を行なった後に所定の処理を行ない、レ
ジストパターンを得た。

次に、蒸着により上記レジストパターン上に０．５７ｚ
ｍ厚にタンタル（Ｔａ）層を形成した。

次に、アセトンを用いてレジストを除去し、タンタル膜
パータンを得た。

以下、実施例１と同様にしてリングフレームの接着を行
ない、リングフレーム及びシリコンウェハーにより固定
された状態の窒化シリコン膜とＡｌ−Ｎ−０系膜との積
層体からなるマスク保持体を用いたリソグラフィー用マ
スクを得た。

未実施例において得られたマスクの窒化シリコン膜、Ａ
ｌ１−Ｎ−０系膜の構成を有するマスク保持体は特に透
光性が良好であった。

実施例４： 実施例２の工程において、酸化シリコン膜及びＡｌ−Ｎ
−０系膜を形成した後に、Ａｌ−Ｎ−〇系膜上に保護の
ためのタール系塗料層を形成した。

以下、実施例３と同様の工程を行なった。

かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態の酸化シリコン膜とＡｌ−Ｎ−０系膜との
積層体からなるマスク保持体を用いたリソグラフィー用
マスクを得た。

本実施例において得られたマスクの酸化シリコンＷにＡ
文−Ｎ−０系膜の構成を有するマスク保持体は特に透光
性が良好であった。

実施例５： 第２図（ａ）に示される様に、直径１０ｃｍの円形のシ
リコンウェハー１の両面にＩｇｍ厚の酸化シリコン膜２
を形成した。

次に、第２図（ｂ）に示される様に、プラズマＣＶＤ法
により、シリコンウェハーｌの片面側の酸化シリコン膜
２上に０．５　ｇ　ｍ厚の窒化シリコン膜３を形成した
後、リアクティブスパッタ法により窒化アルミニウム（
ＡｕＮ）ターゲット、アルゴン（Ａｒ）：窒素（Ｎ２）
：酸素（０２）　＝１　＋　１　：０．５の混合ガス、
ガス圧５ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒ、放電電力ｔ　ｓ　ｏｗ、
成膜速度約１５人／　ｍ　ｊ　ｎでｌｐｍ厚のＡｌ−Ｎ
−０系ＩＩ！Ｊ４を形成し、更にその上に上記と同様に
してプラズマＣＶＤ法により０．５４　ｍ厚の窒化シリ
コン膜５を形成した。

次に、第２図（Ｃ）に示される様に、窒化シリコン膜５
上に保護のためのタール系塗料層６を形成した。

次に、第２図（ｄ）に示される様に、露出している酸化
シリコン膜２の直径７．５　ｃ　ｍの円形の中央部分を
フッ化アンニモウムとフッ酸との混合液を用いて除去し
た。尚、この際、リング状に酸化シリコン膜２を残すた
め、その部分に保護のためのアビニシンワックス（シェ
ル化学社製）の層７を形成し、酸化シリコン膜の中央部
分を除去した後、該ワックス層７を除去した。

次に、第２図（ｅ）に示させる様に、３％フッ酸水溶液
中で電解エツチング（電流密度０．２Ａ／ｄｒｎ”）を
行ない、シリコンウェハーｌの露出している直径７．５
　ｃ　ｍの円形の中央部分を除去した。

次に、第２図（ｆ）に示される様に、フッ化アンモニウ
ムとフッ酸との混合液を用いて、露出部分の酸化シリコ
ン膜２を除去した。

次に、第２［ｉＵ　（ｇ）に示される様に、リングフレ
ーム（パイレックス製、内径７．５ｃｍ、外径９ｃｍ、
厚さ５ｍｍ）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布し、
該接着剤塗布面にｔ記シリコンウェハー１の窒化シリコ
ン１１１３．５及びＡＭ−Ｎ−０系処膜４形成面側との
反対の面を接着した。

次に、第２図（ｈ）に示される様に、アセトンでタール
系塗料層６を除去した。

かくしてリングフレーム８及びシリコンウェバー１によ
り固定された状態の窒化シリコン膜３．５及びＡ文−Ｎ
−０系膜４の積層体からなるリソグラフィー用マスク保
持体を得た。

本実施例において得らたれ窒化シリコン膜；人文−Ｎ−
０系膜：窒化シリコン膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であった。

実施例６： 実施例２の工程においてＡｎ−Ｎ−０系膜を形成した後
に更にＣＶＤ法により０．５１Ｌｍ厚の酸化シリコン膜
を形成し該酸化シリコン膜上に保護のためのタール系塗
料層を形成することを除き、実施例２と同様の工程を行
なった。

かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態の酸化シリコン膜；Ａ交−Ｎ−０系膜二酸
化シリコン膜の構成を有する積層体からなるリソグラフ
ィー用マスク保持体を得た。

本実施例において得られた酸化シリコン膜；Ａ文−Ｎ−
０系膜；酸化シリコン膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であった。

実施例７： 実施例１の工程において、窒化シリコン膜３の形成の前
に実施例１におけると同様にしてｌＢｍ厚のＡｎ−Ｎ−
０系膜形成しておくことを除いて、実施例１と同様の工
程を行なった。

かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のＡｆＬ−Ｎ−０系膜：窒化シリコン膜；
　ＡｆＬ−Ｎ−０系膜の構成を有する積層体からなるリ
ソグラフィー用マスク保持体を得た。

本実施例において得られたＡＪＩ−Ｎ−０系膜；窒化シ
リコン膜、Ａｎ−Ｎ−０系膜の構成を有するマスク保持
体は特に放熱性が良好であった。

実施例８： 実施例２の工程において、酸化シリコン膜の形成の前に
実施例２におけると同様にしてｌ牌ｍ厚のＡ１−Ｎ−０
系膜を形成しておくことを除いて、実施例２と同様の工
程を行なった。

かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のＡｎ−Ｎ−０系膜：窒化シリコン膜：Ａ
文−Ｎ−０系膜の構成を有する積層体からなるリソグラ
フィー用マスク保持体を得た。

本実施例において得られたＡｎ−Ｎ−０系膜；窒化シリ
コンＩｔ！；　Ａｎ−Ｎ−０系膜の構成を右するマスク
保持体は特に放熱性が良好であった。

実施例９： 実施例５の工程において、窒化シリコン膜３．５及びＡ
１−Ｎ−０系膜４を形成した後に、窒化シリコン膜５上
に保護のためのタール系塗料層を形成した。

以下、実施例５と同様にして、酸化シリコン膜２の所定
の部分及びシリコンウェハー１の円形の中央部分を除去
した。

次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。

次に、窒化シリコン膜５上にスピンコードによりフォト
レジストＲＤ−２０ＯＮ　（日立化成社製）の層を１．
２μｍ厚に形成した。

次、石英−クロムマスクを用いて遠紫外光によりレジス
トの焼付を行なった後に規定の処理を行ない、マスクに
対しネガ型のレジストパターンを得た。

次に、エレクトロビーム蒸着機を用いて上記レジストパ
ターン上にタンタル（Ｔａ）を０．５終ｍ厚に蒸着した
。

次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、リフトオ
フ法によりタンタル膜パターンを得た。

以下、実施例５と同様にしてリングフレームの接着を行
ない、リングフレーム及びシリコンウェハーにより固定
された状態の窒化シリコン膜とＡ立−Ｎ−０系膜との積
層体からなるマスク保持体を用いてリソグラフィー用マ
スクを得た。

本実施例において得られたマスクの窒化シリコン膜、Ａ
Ｍ−Ｎ−０系膜；窒化シリコン膜の構成を有するマスク
保持体は特に透光性が良好であった。

実施例１Ｏ： 実施例５と同様にして、シリコンウェハーの両面に酸化
シリコン膜を形成した後に、その片面に実施例５と同様
にしてＡｎ−Ｎ−０系膜を形成した。

次に、ＡＭ−Ｎ−０系膜上に保護のためのタール系塗料
層を形成した。

以下、実施例５と同様にして、酸化シリコン膜２の所定
の部分及びシリコンウェハー１の円形の中央部分を除去
した。

次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。

次に、抵抗加熱蒸着機を用いて人文−Ｎ−０系膜上に一
様に３００久厚のクロム（Ｃｔ）ＩＩＩを形成し次いで
一様に０．５７ｔｍ厚の金（Ａ　ｕ）膜を形成した。

次に、該金膜上に一様にフォトレジストＡＺ−１３５０
を０．５．ｍ厚に塗布した。

次に、レジスト上にマスターマスクを密着せしめｉ紫外
光を用いてレジストの焼付を行なった後に規定の処理を
行ない、マスターマスクに対しポジ型のレジストパター
ンを得た。

次に、ヨウ素（工２）県会エッチャントを使用して金膜
のエツチングを行ない、マスターマスクに対しポジ型の
金膜パターンを得た。

以下、実施例５と同様にしてリングフレームの接着を行
ない、リングフレーム及びシリコンウェハーにより固定
された状態のＡ１−Ｎ−０系膜とクロム膜との積層体か
なるマスク保持体を用いたリソグラフィー用マスクを得
た。

本実施例において得られたマスクのＡｆＬ−Ｎ−０系膜
；クロム膜の構成を有するマスク保持体は特にＸ線透過
性が良好であった。

実施例１１： 実施例２の工程においてＡ１−Ｎ−０系膜上に更にＰＩ
Ｑ液（ポリイミド前駆体、日立化成社製）をスピンコー
ドした後に、ＳＯ〜３５０℃で４時間のキュアーを行な
って２１Ｌｍ厚のポリイミド膜を形成することを除いて
、実施”例２と同様の工程を行なった。

かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態の醸化シリコン膜：Ａｎ−Ｎ−０系Ｍ：ポ
リイミド膜の構成を有する積層体からなるリソグラフィ
ー用マスク保持体を得た。

本実施例において得られた酸化シリコン膜；Ａｌ−Ｎ−
０系膜；ポリアミド膜の構成を有するマスク保持体は特
に強度が大きかった。

実施例１２： 実施例１１と同様の方法により、但し酸化シリコン膜の
形成とＡｎ−Ｎ−０系膜の形成としの順序を逆にして行
なうことにより、リングフレーム及びシリコンウェハー
により固定された状態のＡｌ−Ｎ−０系膜；酸化シリコ
ン膜：ポリイミド膜の構成を有する積層体からなるリソ
グラフィー用マスク保持体を得た。

本実施例において得られたＡＪｌ−Ｎ−０系膜；酸化シ
リコン膜；ポリイミド膜の構成を有するマスク保持体は
特に強度が大きかった。

ｘｙａ例１３： 実施例１１と同様の方法により、但しＡＭ−Ｎ−０系膜
の形成とポリイミド膜の形成との順序を逆にして行なう
ことにより、リングフレーム及びシリコンウェハーによ
り固定された状態の酸化シリコン膜；ポリイミド膜：　
Ａｌ−Ｎ−０系膜の構成を有する積層体からなるリソグ
ラフィー用マスク保持体を得た。

本実施例において得られた酸化シリコン膜：ポリイミド
膜：Ａｌ−Ｎ−０系膜の構成を有するマスク保持体は特
に強度が大きかった。

実施例１４： 実施例１に於いてＡｆＬ−Ｎ−０系膜を形成する際に、
リアクティブスパッタ法により窒化アルミニウム（Ａｉ
Ｎ）ターゲット、アルゴン（Ａｒ）：窒素（Ｎ２）：酸
素（０２）＝ｌ：１：ｏ、５のガス、ガス圧５ＸｌＯ−
３Ｔｏｒｒ、放電電力１５０Ｗ、ｒ＆膜速度約１５人／
ｍｉｎで行なうことを除いて実施例１と同様の工程を行
ない、リソグラフィー用マスク保持体を得た。

実施例１５： 実施例１に於いてＡｌ１−Ｎ−０系膜を形成する際に、
リアクティブスパッタ法により酸窒化アルミニウム（７
Ａ見３０７　：　３Ａ交Ｎ）ターゲット、アルゴン（Ａ
ｒ）：窒素（Ｎ２）：＝ｌ＝１のガス、ガス圧５Ｘ１０
−３Ｔｏｒｒ、放電電力２００Ｗ、成膜速度約１０人／
　ｍ　ｉ　ｎで行なうことを除いて実施例１と同様の工
程を行ない、リソグラフィー用マスク保持体を得た。

実施例１６： 実施例１に於いて窒化シリコン膜を形成する工程を行な
う代わりにリアクティブスパッタ法によりアルミニウム
（ＡＬ；Ｌ）ターゲット、アルゴン（Ａｒ）：窒素（Ｎ
２）＝　１　：　１（７）混合ガス、ガス圧８Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒ、放電電力２００Ｗで０．５ｐｍ圧の窒化ア
ルミニウム１９４を形成する工程を行なうことを除いて
実施例１と同様の工程を行ない、リングラフイー用マス
ク保持体を得た。

本実施例に於いて得られた窒化アルミニウム膜；　Ａｌ
Ｌ−Ｎ−０系膜の構成を有するマスク保持体は、Ｘ線透
過性、可視光線透過性、熱伝導性、成膜性などの総合的
性能が時に良好であった。

実施例１７： 実施例１６に於いて空化アルミニウム膜を形成する工程
の後に、ＰＩＱ液（ポリイミド前駆体。

日立化成社製）をスピンコードした後に５０〜３５０℃
で４時間のキュアーを行なって２＃Ｌｍ厚のポリイミド
膜を形成する工程を行なった。

かくしてポリイミド二窄化アルミニウム膜：Ａｎ−Ｎ−
０，ｖＳＨの構成を有するリソグラフィー用マスク保持
体を得た１本実施例に於いて得られたマスク保持体は特
に強度及び耐薬品性が良好であった。

実施例１８： 実施例１６に於いて窒化アルミニウム膜を形成する工程
の後に、リアクティブスパッタ法により０、５４　ｍ厚
の窒化ボロン膜を形成する工程を行なった。

かくして窒化ボロン；窒化アルミニウム：Ａｌ−Ｎ−０
系膜構成を有するリソグラフィー用マスク保持体を得た
０本実施例に於いて得られたマスク保持体は特にＸ線透
過性及び可視光線透過性が良好であった。

〔発明の効果〕

以上の如き本発明によれば９マスク保持体の構成要素と
して用いられるＡｎ−Ｎ−０系膜はＸ線透過率及び可視
光線透過率が高＜（Ｉｇｍ厚の光学濃度が約０．０１）
、熱膨張率が低く（３〜４Ｘ　ｌ　Ｏ−”／”Ｏ）　、
熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好であるなどの特長を
有するので。

以下の様な効果が得られる。

（１）Ａｉ−Ｎ−０系膜はｘ！ｌ透過率が高いので比較
的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られるので、マ
スク保持体の製造を容易且つ良好に行なうなうことがで
きる。

（２）Ａｌ−Ｎ−０系膜は成膜性が良好であるので極め
て薄い膜からなるマスク保持体を製造することができ、
これによりＸ線透過馨を高め焼付のスルーブツトを向上
させることができる。

（３）Ａｌ−Ｎ−０系膜は可視光線の透過率が高いため
、Ｘ線リソグラフィーにおいて可視光線を用いて目視に
より容易且つ正確にアラインメントができる。

（４）ＡＲ−Ｎ−０系膜の熱膨張係数はＸ線リソグラフ
ィーにおけるシリコンウェハー焼付基板の熱膨張係数（
２〜３Ｘ１０−８／’Ｏ）とほぼ同じ値であるから、極
めて高精度の焼付けが可能となる。

（５）Ａｌ−Ｎ−０系膜の熱伝導性が高いため。

Ｘ線照射により温度上昇を防とでき、特に真空中での焼
付けの際に効果が大である。また、鳴 Ａｎ−Ｎ−０系、は電気伝導性が高いためマスク保持体
の帯電を防Ｗすることができる。

（６）Ａｌ−Ｎ−０系膜と無機物膜との積層体を用いる
ことにより、上記の如きＡｌ−Ｎ−０系膜の特性に加え
て該無機物膜の有する特性を付加したマスク保持体とす
ることができる。即ち、本発明に係るマスク保持体は透
光性、熱伝導性に優れ、強度、耐薬品性も比較的大きい
といった無機物膜の特長をあわせもつものである。

また、更に有機物膜が積層されると強度が大きく、スト
レスが実質的にないといった有機物膜の特長が加えられ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｈ）及び第２図（ａ）〜（ｈ）は本発
明によるＸ線リソグラフィー用マスク保持体の製造工程
を示す図である。 ｌ：シリコンウェハー ２：酸化シリコン膜 ６：タール系塗料層 ７：ワックス層 ８：リングフレーム ９：接着剤 手続補正書（自発） 昭和６０年１０月１８日 特許庁長官　　宇　賀　道　部　　殿　　、：４猛１、
事件の表示 昭和６０年特許願第１８９０号 ２、発明の名称 リソグラフィー法及びリングラフイー用マスク保持体３
、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）　　キャノン株式会社居所　〒１４１３東京都大田区
下丸子３−３０−２５、補正の対象 明　　細　　書 ６、補正の内容 （１）明細書の第２５頁第８行目の「約０．０１Ｊを「
約０．１」と補正する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくともアルミニウム、窒素、及び酸素を含む
   膜と無機物膜との積層体からなる保持体により保持され
   たマスクを用いることを特徴とする、リソグラフィー法
   。
2. （２）少なくともアルミニウム、窒素、及び酸素を含む
   膜と無機物膜との積層体からなることを特徴とする、リ
   ソグラフィー用マスク保持体。