FR2641383A1

FR2641383A1 - Procede pour l'obtention des masques pour lithographie aux rayons x

Info

Publication number: FR2641383A1
Application number: FR8917472A
Authority: FR
Inventors: Joseph Yahalom
Original assignee: Technion Research and Development Foundation Ltd
Current assignee: Technion Research and Development Foundation Ltd
Priority date: 1988-12-30
Filing date: 1989-12-29
Publication date: 1990-07-06
Also published as: IL88837A; GB2226656B; GB8929271D0; JP2994407B2; GB2226656A; IL88837A0; US5096791A; FR2641383B1; DE3943356A1; JPH02222521A

Abstract

Procédé d'obtention des masques pour lithographie aux rayons X ayant un film d'oxyde mince supporté sur une base annulaire en silicium. Le procédé comporte des étapes suivantes : a) dépôt d'une couche d'oxyde sur une pastille de silicium; b) gravure sélective d'une portion du côté envers dudit substrat pour obtenir une membrane sur la portion gravée; et c) obtention d'un tracé de motif à travers un vernis photorésistant sur ladite membrane encadrée par le substrat de silicium. L'oxyde métallique déposé est de préférence de l'alumine. Le masque préparé conformément à la présente invention ne souffre pas de distorsion et garde sa précision même sous les tensions imposées durant la préparation et l'utilisation du masque.

Description

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La présente invention concerne la lithographie aux rayons X. Plus particulièrement, l'invention concerne un nouveau procédé pour l'obtention des masques pour lithographie aux rayons X. Arrière plan technologique de l'invention La Lithographie est reconnue comme une des méthodes d'impression la plus largement utilisée. Dans son application

commerciale usuelle ou industrielle, elle est connue comme litho-

graphie offset car l'image encrée est imprimée en premier lieu sur un cylindre en caoutchouc, qui transfère ensuite l'image au papier ou autre matériau analogue. En lithographie, la matière à imprimer n'est ni en relief ni en creux par rapport à la surface de la

plaque mais reste sur la surface ou sur le plan.

L'utilisation de la lithographie aux rayons X s'est déve-

Loppée ces vingt dernières années et devient un outil important

de L'art Lithographique. La lithographie aux rayons X est consi-

dérée maintenant comme une méthode efficace pour la replication des

motifs jusqu'à l'intervalle des sous-microns, requise par le déve-

loppement énorme de la technologie de production des circuits microélectroniques. Dans cette technique, par un faisceau de rayons X de faible divergence angulaire, une image ombrée du motif du masque est projetée sur la pastille qui est revêtue d'un vernis piotorésistant sensible aux rayons X. En conséquence, des qualités

importantes doivent être demandées aux masques concernant la stabi-

Lité dimensionnelle et la précision du motif absorbant car les structures submicroniques doivent être transférées. Dans une revue très récente (Xray Lithography, IEEE Spectrum, février 1989) il est stipulé que plusieurs conditions requises doivent encore être

satisfaites concernant la source technologiquement et économi-

quement viable, en vue de devenir une option pratique. Il est fina-

lement montré que les masques présents ne peuvent pas supporter la tension de service. La littérature est tout à fait abondante avec de nombreux brevets et revues concernant la fabrication des masques utiles pour La lithographie aux rayons X. L'approche de base consiste en une membrane transparente aux rayons X, étirée sur un cadre de Support, et une structure métallique absorbant les

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rayons X appliquée sur La membrane. Ainsi, les supports de silicium sont munis d'une couche fortement dopée en bore, qui agit comme une couche d'arrêt pour la préparation de la membrane. La pastille est ensuite liée à une plaque de verre et la membrane de silicium est obtenue par une technique de gravure sélective. Apres le dépôt et la formation du motif sur la couche absorbande, on procède à une

métallisation. L'un des problèmes rencontrés avec les films métal-

liques déposés sur un substrat et qu'ils provoquent des tensions

considérables dans la couche absorbante métallisée qui peuvent pro-

voquer la distorsion du motif désiré.

Un certain nombre de perfectionnements pour remédier à ce

problème est décrit dans quelques brevets récents. Ainsi, conformé-

ment au brevet japonais Kokai 58/73118 (cf. C.A. 100, 148511), les

films de support transmettant les rayons X pour les masques photo-

graphiques pour lithographie aux rayons X sont préparés par enduction des substrats tels qu'une pastille de silicium par une solution de complexe métallique organique et calcination subséquente du revêtement à une température d'environ 600 C. Il est mentionné que la méthode donne des films de support ayant très peu de défauts. Apres le traitement lithographique par un faisceau électronique des couches métalliques, la pastille de silicium est enlevée par photogravure pour donner un masque photographique pour

rayons X de qualité supérieure.

Un film de bore-nitrure hydrogéné amorphe ou un film de de bore-carbonenitrure préparé par dépôt de vapeur chimique à plasma est déclaré utile pour une membrane de masque transparente aux rayons X (brevet japonais Kokai 63/76430 cf. C.A. 109, 139745). Il est mentionné que l'arrachement du dépôt sur les électrodes et sur l'élément sensible est supprimé et ainsi la contamination du film par la poussière d'arrachement peut être évitée.

Il est déjà rapporté (R.E. Acosta et coll., Microelec-

tronic Engineering 3, 1985 p. 573-9) que la distorsion des masques

pour rayons X est directement liée à la tension de la couche absor-

bante utilisée. Cette distorsion résultant du matériau absorbé provoque une diminution du motif caractéristique du masque et peut

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rendre le masque inutilisable lorsque le tension n'est pas minimisée. Dans le cas des films déposés sur des substrats en silicium monocristattllin, la distorsion peut être déterminée à t'aide d'une technique de diffraction des rayons X. Dans ce cas, il est nécessaire de déterminer l'intégrité cristalline du substrat avant le dépôt du film à étudier, et d'assurer qu'aucun dommage n'est infligé au cristal durant le procédé de dépôt du film. Pour les substrats non cristallins, la courbure du substrat peut être

déterminée par des moyens mécaniques ou par des moyens optiques.

Dans une demande de brevet très récente (brevet germa-

nique 3 634 147, cf. C.A. 107, 208862), une structure de masque Lithographique est décrite. Le masque est constitué d'un support en forme d'anneau et d'un support de couche de masque contenant un

Luminophore pour améliorer la sensibilité du matériau photo-

résistant.

Dans un abrégé par T. Funayama et coll. (J.Vac.Sci.

technol., Vol.12, n 6, Nov/Dec. 1975, 1324) un nouveau masque pour lithographie aux rayons X est décrit. Le masque consiste en un substrat d'aluminium et en un film de Al203 qui croit sur ledit substrat en aluminium par anodisation. Les membranes d'aluminium transparentes de film d'alumine sont préparées par gravure chimique

sur des parties du substrat d'aluminium.

Dans une revue par P.A. Sullivan (I.E.E.E. Transactions on Electron Devices, Vol. ED-23, n 4, avril 1976, 412-7) sur la détermination de la longueur d'onde et de la tension d'excitation pour Lithographie aux rayons X, un masque pour rayons X similaires basé sur l'aluminium est utilisé, l'oxyde d'aluminium étant en croissance sur un substrat d'aluminium ayant une épaisseur de microns. L'inconvénient des masques décrits ci-dessus, est que Le cadre qui reste après la gravure est effectivement une feuille d'aluminium métallique qui est très souple et ductile et souffre de distorsions permanentes durant son utilisation. De plus, durant la distorsion du substrat et du support, la membrane entière sera fracturée.

Sommaire de L'invention

La présente invention a pour objet un procédé pour fabriquer un masque d'oxyde par dépôt d'un oxyde sur une pastille de silicium et enlèvement d'une portion dudit silicium. Ceci laisse une membrane d'oxyde métallique supportée par le silicium. L'objet de la présente invention est une méthode simple pour obtenir un masque pour lithographie aux rayons X. Un autre objet de la présente invention est un procédé simple pour obtenir un masque pour lithographie aux rayons X qui ne souffre pas de distorsion et

qui maintient une précision élevée.

Description brève des dessins

Le dessin de la figure unique montre une série d'étapes conformément à un mode de réalisation de l'invention utilisé pour créer une membrane d'oxyde d'aluminium qui est renforcée par une

bague de silicium.

Description du mode de réalisation préféré

Un procédé pour obtenirun masque pour lithographie aux rayons X comprend les étapes suivantes: (a) dépôt d'une couche d'un métal oxydable sur un côté d'un substrat, par exemple une pastille en silicium ou tout autre matériau à utiliser comme cadre. Le métal oxydable peut être du titane, du zirconium, du tentale, de l'aluminium, du niobium, etc. Le métal oxydable le plus préféré est l'aluminium qui est léger et sur lequel un film d'oxyde compact qui est transparent aux rayons X

est obtenu par traitement chimique, oxydation ou plus préféra-

blement par anodisation. Une couche intermédiaire mince (environ nm) d'un métal tel que le chrome et/ou l'or ou un autre métal peut être déposée entre le métal oxydable et le substrat; le rôle de la couche intermédiaire est d'améliorer l'adhérence et de stopper le procédé de gravure de l'étape (c); (b) formation d'un film d'oxyde compact par oxydation complète du métal oxydable en un film d'oxyde mince continu; (c) gravure sélective d'une portion du verso du substrat pour obtenir une membrane sur la portion gravée; et (d) obtention d'un tracé du motif sur ladite membrane

encadrée par le substrat.

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Le tracé du motif peut être effectué par une méthode

connue quelconque, et plus préférablement par un vernis photo-

résistant. Le masque pour lithographie aux rayons X obtenu, ne souffre pas de distorsion et préserve donc sa précision même sous des tensions imposées par les étapes de la production du masque. Le

masque peut être facilement préparé et se compare très favora-

blement aux méthodes connues pour la production du masque.

Le substrat peut être en un matériau quelconque sur lequel on peut effectuer la gravure, tel que silicium, titane, zirconium, aluminium, niobium, etc. Le matériau pour substrat le

plus commode est le silicium.

Le côté envers du substrat est revêtu d'un revêtement

protecteur tel que le vernis photorésistant ou cire qui après enlè-

vement sélectif met à nu une région sur laquelle une gravure sélective est réalisée sur la surface du substrat sans affecter la surface de l'oxyde d'aluminium permettant d'obtenir la membrane d'oxyde avec la surface désirée. Cette gravure est effectuée par immersion dans des solutions de réactifs connus par exemple l'acide fluorhydrique contenant des réactifs oxydants tels que le péroxyde d'hydrogène ou l'hydrazine. Cette dernière est particulièrement préférée car elle n'attaque pas le métal aluminium ou l'oxyde d'aluminium. Le résidu aluminium est finalement enlevé par des

solutions de réactifs connus tels que chlorure mercurique (0,1 Z -

60 Z en poids), bromure de méthyle ou brome dissous dans le méthanol, iodure de méthyle, halogènure d'ammonium. Cet enlèvement peut également être effectué par une dissolution anodique dans des solutions aqueuses quelconques utilisées généralement pour le polissage électrolytique des métaux tels que carbonate de sodium (10-20 X en poids), phosphate trisodique (2,5-7,5 Z en poids), acide sulfurique (10-20 % en poids), acide phosphorique (40-60 Z en poids) ou acide chromique (5-15 % en poids) . L'homme du métier pourra sélectionner la solution appropriée pour la dissolution sélective du substrat et du résidu métallique conformément à la

commodité et à la disponibilité au niveau du site.

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L'anodisation de l'aluminium, en vue d'obtenir le film d'oxyde compact, peut être effectuée soit dans un milieu anhydre soit dans une solution aqueuse à un pH dans l'intervalle de 5 à 8,5. Le courant durant l'anodisation doit être suffisant pour produire un film compact ayant une épaisseur comprise entre 0,1 et 1,5 micromètre. D'une manière générale, l'intervalle de voltage est compris entre 20 et 600 V, et l'anodisation est conduite dans un milieu aqueux, tel qu'une solution de borate d'ammonium (2-10 Z en poids), du citrate d'ammonium ou du borax. Il est également concevable de conduire l'anodisation en utilisant la technique à plasma. Dans la dernière étape, le tracé du motif est conduit par une méthode connue et de préférence par photorésistance, par électrodéposition ou par dépôt en phase vapeur d'un matériau de masque qui doit être un métal lourd choisi parmi l'or, le tungstène, le titane, le tantale, etc. Conformément à un mode de

réalisation préféré, une sous-couche mince d'or peut être prévue.

Cette sous couche rend la surface de la membrane conductrice pour l'électro déposition, lorsque l'or doit être déposé. Dans le cas de la fabrication du masque par un métal lourd, le rôle de la sous-couche d'or, qui est seulement facultative, est de protéger la

membrane d'oxyde durant la gravure subséquente du métal du masque.

La sous couche d'or peut être éliminée par le choix d'une technique de gravure sélective appropriée. La sous-couche d'or peut être obtenue par dépôt en phase vapeur, et dans l'intervalle de 1 à

nm généralement.

Il est concevable de changer l'ordre des deux dernières étapes, c'est-àdire d'obtenir en premier lieu un tracé de motif sur ladite membrane et subséquemment de conduire la gravure

sélective.

Conformément à un mode de réalisation preféré, un oxyde métallique est déposé sur une pastille de silicium, ou tout autre matériau, à utiliser comme cadre. L'oxyde métallique peut être un oxyde quelconque de titane, de zirconium, de tantale, d'aluminium, de silicium, de niobium, etc. L'oxyde métallique le plus préféré est l'alumine qui est légère et transparente aux rayons X. Les

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outres étapes de gravure sélective du côté envers du substrat et le tracé du motif sont conduits comme décrit ci-dessus. Ce mode de réalisation présente comme avantage le fait que l'épaisseur de

L'oxyde métallique peut être sélectionnée selon le but proposé.

Ainsi par exemple, dans le cas de l'oxyde d'aluminium à obtenir par anodisation de la couche métallique, l'inconvénient concerne la Limite de La couche d'oxyde métallique à produire, généralement non supérieure à 840 nm, ou la porosité de la couche obtenue. Dans le cas du dépôt en phase vapeur de Al203, on peut obtenir n'importe quelle épaisseur. Bien entendu, l'épaisseur accrue améliore la

résistance de la membrane.

Conformément à un autre mode de réalisation, il est également possible de démarrer avec une pastille de silicium et après le dépôt de la couche d'oxyde métallique, d'obtenir la fenêtre par gravure seulement du côté envers de la pastille et de Laisser une membrane de SiO2 sur le cadre. Dans ce cas, aucun dépôt additionnel de couche d'oxyde métallique ne sera nécessaire. Le masque conformément à la présente invention étant substantiellement exempt de toute tension, ne souffre pas de distorsion. Comme il est connu, la distorsion des masques pour rayons X est directement liée à la tension de la couche absorbante utilisée. Dans le masque conformément à la présente invention, les pastilles de silicium suggérées par l'art antérieur comme membranes, sont remplacées par des substances dures telles que l'alumine ou autres membranes d'oxydes et par conséquent aucune distorsion ne sera rencontrée, tandis que le cadre est suffisamment rigide et ne peut pas subir de déformation plastique. De même, le masque résultant est transparent à La lumière et permet ainsi un alignement optique avec la pastille traitée. Ce qui suit est une autre méthode pour obtenir un masque pour Lithographie aux rayons X conformément à la présente invention, qui est décrite à titre d'illustration sans limiter la

portée de l'invention.

Dans l'étape 4 est montrée la pastille lorsque la cire a été appliquée à la surface du dessous. Le rôle de la cire est de

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protéger le côté de dessous de la pastille de silicium durant

l'étape d'anodisation de la couche d'aluminium.

La couche d'aluminium est convertie en oxyde d'aluminium dans l'étape 5. L'oxyde d'aluminium à ce stade reste encore sur la OS pastille de silicium, et le silicium doit être enlevé en vue de former la membrane d'oxyde d'aluminium. Dans l'étape 6 est

représentée la pastille avec la couche de cire enlevée en prépa-

ration de l'étape de l'enLèvement de la portion centrale du silicium. Dans l'étape 7, le silicium est enlevé par gravure avec l'hydrazine qui ne réagit pas avec l'oxyde d'aluminium ou avec

l'oxyde de silicium.

La membrane d'aluminium complète renforcée par une bague de silicium est montrée à l'étape 7. La membrane complète et le support annulaire de silicium peuvent être débarrassés de tout aluminium restant sur l'oxyde d'aluminium par immersion dans une

solution de brome et de méthanol.

Bien que l'invention soit décrite en liaison avec certains modes de réalisation préférés dans les exemples qui suivent, il est entendu que l'invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation particuliers. Au contraire, l'invention couvre toutes les variantes, les modifications et les équivalents

considérés comme inclus dans le cadre de l'invention.

Exemple 1

Une pastille de silicium, de 50,8 mm de diamètre, de 0,4 mm d'épaisseur, est revêtue par 5 nm de chrome et 5 nm d'or et 300 nm d'aluminium. Le côté envers de la pastille est revêtu d'un vernis photorésistant et la couche d'aluminium du recto est ensuite oxydée anodiquement dans une solution aqueuse à 1 % de borate d'ammonium à une densité de courant constante de 100 milliampères par cm pendant 10 secondes. Durant cette période, la tension

s'élève à 150 volts.

Le côté envers de la pastille est ensuite exposé à la lumière à travers un masque avec une ouverture ronde, de 2 cm de

diamètre puis développé photograohiquement, pour exposer l'ouver-

ture ronde. La pastille est ensuite gravée dans une solution de HF, de H202 et d'acide nitrique à environ 30 0C et rincée dans l'eau désionisée. Ce rocédé fournit une membrane compacte ronde d'oxyde

d'atuminium, de 0,5 micromètre d'épaisseur, de 2 cm de diamètre.

Le tracé du motif sur cette membrane est réalisé par une méthode Lithographique conventionnelle de dépôt d'or utilisant un vernis photorésistant. De cette manière, une couche de 0,5 micrométre d'or est déposée électrolytiquement sur le dessus

d'une couche d'or de 10 nm produite par dépôt en phase vapeur.

Exemple 2 Dans une autre expérience, on prépare une membrane d'oxyde d'aluminium compacte comme à l'exemple 1, mais le tracé du motif final est effectué par dépôt en phase vapeur de 0,5 micromètre de tungstène sur le dessus d'une couche d'or de 10 ne. Subséquement, une dissolution sélective finale est conduite

à t'aide d'un mélange à 1: 1 d'acide nitrique et d'acide fluorhy-

drique a travers un revêtement de vernis photorésistant ayant reçu

un motif.

Le rôle de l'or est de protéger la membrane durant la

gravure subséquente du tungstène.

Exemple 3

Une pastille de silicium, de 50,8 mm de diamètre, de 0,5 amm d'épaisseur, est enduite en premier lieu d'une couche de 0,3 micromètre de titane et ensuite enduite sur un côté d'un vernis photorésistant. Le disque résultant est ensuite anodisé dans une solution aqueuse à 0,8 X de H3PO4 à une densité de courant constante de 200 mitliampères par cm pendant 6 secondes. Durant

cette période, La tension s'élève à 240 volts.

Le côté envers du disque est ensuite exposé à la lumière à travers un masque muni d'une ouverture ronde, de 2 cm de diamètre et traité photographiquement pour exposer la zone d'ouverture. Le disque est ensuite gravé anodiquement dans une solution de méthanol saturée de chlorure d'ammonium à 10 volts pendant 20 minutes. Ce procédé produit une membrane continue d'oxyde de titane, d'environ 0,5 micrométre d'épaisseur restant sur le support de silicium. Le

tracé du motif sur cette membrane est conduit comme à l'exemple 1.

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Exemple 4

Une pastille de silicium de 50,8 mm de diamètre et de 0,6 mm d'épaisseur est oxydée sur sa surface entière pour former une couche d'oxyde de silicium, figure, étape 1. Des fenêtres rondes sont gravées dans les surfaces de dessus et de dessous de ladite pastille recouverte d'oxyde de silicium en vue d'exposer le

silicium dans les régions gravées, figure, étape 2.

Une couche de Al de 300 nm est déposée sur un côté de la pastille de silicium de façon que le Al recouvre la région qui est recouverte par le silicium pur aussi bien que la région périphérique qui est recouverte d'une couche d'oxyde de silicium,

figure, étape 3.

En préparation pour l'anodisation de l'aluminium, la surface qui ne contient pas d'aluminium est recouverte de cire pour

protéger cette surface, figure, étape 4.

Ensuite l'aluminium est converti en oxyde d'aluminium (AL203) et la cire sur le côté opposé est enlevée par un solvant

approprié quelconque, figure, étapes 5 et 6.

La membrane mince d'oxyde d'aluminium est maintenant complétée par gravure pour éliminer le silicium non oxydé du second côté de la pastille par une solution d'hydrazine, pour exposer le

second côté dudit oxyde d'aluminium, figure 1, étape 7.

La membrane d'oxyde d'aluminium ainsi créée est entourée d'un support constitué d'une bague de silicium qui est recouverte

d'oxyde de silicium.

Exemple 5

Un disque de titane de 50,8 mm de diamètre, de 0,5 mm

d'épaisseur, est enduit sur un côté par un vernis photorésistant.

Le disque est ensuite anodisé dans une solution aqueuse à 0,8 Z de H3PO4 à une densité de courant constante de 200 milliampère par cm2 pendant 6 secondes. Durant cette période, la tension s'élève à

240 volts.

Le côté envers du disque est ensuite exposé à la lumière à travers un masque muni d'une ouverture ronde, de 2 cm de diamètre et traité photographiquement pour exposer la zone d'ouverture. Le disque est ensuite gravé anodiquement dans une solution de méthanol

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saturée de chlorure d'ammonium à 10 volts pendant 20 minutes. Ce procédé produit une membrane continue d'oxyde de titane, d'environ 0,5 micromètre d'épaisseur. Le tracé du motif sur cette membrane

est conduit comme décrit à l'exemple 1.

Exemple 6 -Une pastille de silicium, de 50,8 mm de diamètre, de 0,4 mm d'épaisseur, est enduite par 5 nm d'or et 500 nm d'oxyde d'aluminium. Le côté envers de la pastille est enduit par un vernis photorésistant et exposé à la lumière à travers un masque muni

d'une ouverture ronde, de 2 cm de diamètre et développé photo-

graphiquement, pour exposer l'ouverture ronde. La pastille est ensuite gravée dans une solution de HF, de H202 et d'acide nitrique b environ 30 C et rincée dans l'eau désionisée. De cette manière, on obtient une membrane compacte ronde d'oxyde d'aluminium ayant

une épaisseur de 0,5 micromètre et un diamètre de 2 cm.

Le tracé du motif de la membrane est conduit comme a

l'exemple 1.

La description précédente des modes de réalisation spéci-

fiques révèle pleinement la nature générale de l'invention que l'on

peut, en appliquant le savoir technique courant, modifier faci-

Lement et/ou adapter pour diverses applications ces modes de réali-

sation spécifiques sans sortir du concept général, et par

conséquent, ces adaptations et modifications doivent être consi-

dérées comme rentrant dans la définition et dans les équivalents des modes de réalisation décrits. Il est entendu que la phraséologie ou la terminologie employée ici l'est dans un but de

description et non de limitation. Ainsi par exemple, on peut

concevoir de procéder en premier lieu à un tracé du motif d'un

disque et subséquemment à la gravure du substrat.

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Claims

REVENDICATIONS

1. Un procédé pour l'obtention d'un masque pour litho-

graphie aux rayons X caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: (a) protection d'une portion de la surface d'un substrat; (b) dépôt d'une couche d'oxyde métallique sur une portion de la portion non protégée de ladite surface; (c) gravure du côté envers du substrat, pour obtenir une

membrane d'oxyde métallique supportée sur le substrat.

2. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la protection dudit motif est effectuée par oxydation du substrat.

3. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce

que ledit oxyde est de l'alumine.

4. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce

que ledit oxyde est de l'oxyde de titane.

5. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce

que ledit oxyde est de la zircone.

6. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce

que ledit oxyde est de la silice.

7. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce

que ledit substrat est du silicium.

8. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce

que ledit substrat est du cuivre.

9. Le procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la portion dudit cuivre est enlevée par de l'ammoniaque

contenant des ions cuivre.

10. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite gravure est effectuée par immersion dans une solution

choisie parmi l'acide fluorhydrique contenant des réactifs d'oxy-

dation, et l'hydrazine.

11. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche métallique est déposée sur le substrat et est

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subséquemment oxydée par anodisation en une couche d'oxyde métallique.

12. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il inclut l'étape d'enlèvement de tout métal résiduel sur-la couche d'oxyde métallique par une solution de brome dans du méthanol.

13. Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en

ce qu'il inclut l'étape d'enlèvement de tout métal résiduel sur.

L'oxyde métallique par une oxydation anodique.

14. Un procédé pour obtenir un masque pour lithographie aux rayons X qui comprend les étapes suivantes: (a) oxydation de la surface entière du substrat de silicium pour former une couche mince d'oxyde de silicium sur la surface; (b) gravure d'une fenêtre dans les surfaces de dessus et de dessous dudit substrat revêtues d'oxyde de silicium; (c) dépôt de l'aluminium sur un côté dudit substrat de

silicium pour recouvrir les portions dudit côté qui sont recou-

vertes d'axyde de silicium, et recouvrir la région o l'oxyde de silicium a été enlevé; (d) recouvrement du côté opposé dudit substrat par de la cire; (e) anodisation dudit aluminium qui a été déposé sur un côté pour créer une couche d'oxyde d'aluminium; (f) enlèvement de ladite cire; Cg) enlèvement par gravure du silicium du côté de ladite pastille o le silicium n'est par recouvert par une couche d'oxyde de silicium;

Ch) obtention d'un tracé de motif sur ladite membrane.

15. Le procédé selon la revendication 14, caractérisé en

ce que ledit tracé du motif est conduit par un procédé de photo-

résistance.

16. Le procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit procédé de photorésistance est conduit par dépôt en

phase vapeur de matériau de masque.

17. Le procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ledit matériau de masque est un métal lourd choisi parmi

l'or, le tungstène, le titane, et le tantale.

18. Le procédé selon la revendication 15, caractérisé en

S05 ce que ledit procédé de photorésistance est conduit par éLectro-

déposition.

19. Le procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite gravure est conduite par une solution choisie dans le groupe comprenant le chlorure mercurique (0,1-60 Z en poids), le bromure de méthyle ou le brome dans du méthanol, l'iodure de

méthyle et un halogénure d'ammonium.