JP3297443B2

JP3297443B2 - パターンを転写する装置

Info

Publication number: JP3297443B2
Application number: JP50611699A
Authority: JP
Inventors: ルーフアレクサンダー
Original assignee: インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
Priority date: 1997-07-04
Filing date: 1998-07-02
Publication date: 2002-07-02
Anticipated expiration: 2018-07-02
Also published as: EP0993627A2; WO1999001586A2; WO1999001586A3; KR20010021504A; US6238826B1; DE59811244D1; JP2001510639A; EP0993627B1; KR100386136B1

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、パターンを転写する装置、この装置の製造
方法、およびこの装置の半導体技術の分野における使用
法に関する。

前述の分野では寸法の微細化がますます重要な役割を
果たすようになってきている。とりわけメモリモジュー
ルではより高いメモリ密度を達成するために縮小化が目
指されてきた。この種のメモリモジュールを製造する際
には、所望のパターンないし構造を結像するためのフォ
トリソグラフィによる露光がきわめて重要である。特に
0.25μｍ以下の構造幅を達成するためには従来の露光法
の分解能を著しく改善しなければならない。

今日までの従来技術によれば（例えば“Silicon Proc
essing for the VLSI Era Volume 1−Process Technolo
gy",S.Wolf,R.N.Tauber,Lattice Press,Sunset Beach,C
aliformia USAを参照）、例えば0.35μｍでのパターン
作成のためにプロジェクションマスクが使用され、この
マスクはステッパを用いて係数５または10だけ縮小さ
れ、フォトレジストでコーティングされたウェハに転写
される。この場合分解能は波動光学によって定められる
限界で制限されている。ここでは回折現象とアッベの分
解能基準とを指摘しておかねばならない。従来の光学的
リソグラフィでは、露光に使用される光の波長程度の寸
法よりも小さい寸法のパターンを形成することができな
い。

分解能を改善し0.25μｍ以下の構造幅を可能にするた
めに、基本的には２つの解決手段が提案されている。

その１つは短波長の光を使用して、改善された分解能
をもたらすことである。例として248nm、195nmまたは15
7nmの波長を有するエキシマレーザを使用することが挙
げられる（例えば“Nanolithography and its prospect
s as a manufacturing technology",R.F.W.Pease,J.Va
c.Sci.Technol.B10（１）1992 278頁〜284頁を参照）。
ただしこの解決手段は大きな装置コスト、すなわち専用
の光学系を有するエキシマレーザを必要とし、相応して
高価である。さらに使用される波長に対して高感度の専
用のフォトレジストを使用しなければならない。

分解能を改善するもう１つの選択手段はフェーズマス
クを使用することである。このフェーズマスクは位相回
転部材を意図的に組み合わせることにより、光が種々の
厚さの光透過性の媒体または部分的に吸収性の媒体を通
過する際に位相シフトさせる。位相シフトによって生じ
る干渉性の増幅および消光により改善された分解能での
結像が得られる。

ただしこのようなフェーズマスクの製造はマスクの基
本的な設計を構想するのに非常に大きな計算コストを必
要とする。さらにこのマスクは実験による調査を介して
さらに最適化しなければならない。したがって分解能を
改善するためのこの後者の手段も手間がかかり高価であ
る。

光学的な分解能を改善可能なさらに新しい開発分野と
して、例えばSTM（走査型トンネル顕微鏡）技術で利用
される走査型プローブ技術が存在する。この技術は例え
ば“Patterning of an electron beam resist with a s
canning tunneling microscope operating in air",K.K
ragler,E.Guenter,R.Leuschner,G.Falk,H.von Seggern,
G.Saemann−Ischenko,Thin Solid Films 264 1995 259
頁〜263頁、および前掲のR.F.W.Peaceによる文献に説明
されている。

“Near−field optics:light for the world of nano
−scale science",D.W.Pohl,Thin Solid films 264 199
5 250頁〜254頁にはアッベの分解能限界を走査型近接場
光学顕微鏡によって克服する手段が説明されている。こ
の場合試料表面は細い尖端部（いわゆる探針）で走査さ
れ、この尖端部はきわめて小さい光学アパーチャを有し
ており、僅かな間隔を置いて試料表面の上方を案内され
る。この尖端部は一般的には金属蒸着されたガラスファ
イバである。達成可能な分解能はアパーチャの光学的直
径および試料への距離に依存し、λ/20以下まで改善す
ることができる。ただしこのためにアパーチャと試料表
面との距離を数nmまで正確に調整し、光学的近接場での
作業が保証されるようにする必要がある。ガラスファイ
バを使用する際には距離コントロールのために剪断応力
検出法が適している。

この種のガラスファイバの尖端部はパターンの露光に
も使用されている。この場合尖端部は露光すべき基板例
えばフォトレジストの上方を案内され、この基板は局所
的に露光される。達成可能な構造幅は空気中で約80nmで
あり（“Scanning near−field optical lithography"
（SNOL）,S.Wegscheider,A.Kirsch,J.Mlynek,G.Krausc
h,Thin Solid Films 264 1995 264頁〜267頁）、真空中
で50nmである（“Optical near−field lithography on
hydrogen−passivated silicon surfaces",S.Madsen,
M.Muellenborn,K.Birkelund,F.Grey;Appl.Phys.Lett.69
（４）1996 544頁〜546頁）。分解能の更なる改善もガ
ラスファイバの尖端部の製造法の改善により可能であ
る。

試料表面を個別にこの種の尖端部を用いて露光しよう
とする試みには極端に手間がかかり、半導体技術の分野
での連続的な操作にとって考慮の対象とならない。さら
にこの場合にも剪断応力検出方による距離コントロール
が必要となる。

ガラスファイバの尖端部の製造プロセスはしかもきわ
めて再現性が低く、そのため所定の光学アパーチャに一
致する尖端部を得ることが非常に困難である。これによ
り複数の尖端部から成る尖端部アレイを利用することが
殆ど不可能である。この種のアレイでは、各尖端部への
光供給を個別に制御し、かつ個別の各尖端部と試料表面
との距離を個別に調整しなければならない。これにかか
る装置コストは非常に大きくなる。

W.Noell,M.Abraham,K.Mayr,A.Ruf,J.Barenz,O.Hollri
chter,O.Marti ＆ P.Guethner;“Michromachined Apert
ure Probe Tip for Multifunctional Scanning Probe M
icroscopy",Appl.Phys.Lett.70 1997 1236頁〜1238頁、
およびドイツ連邦共和国特許出願公開第19509903号明細
書から、走査型近接場顕微鏡のための尖端部の簡単化さ
れた製造法が公知である。尖端部は薄膜技術を用いて窒
化ケイ素層からエッチング形成される。ただし上述の個
々の尖端部または尖端部アレイに関連して説明された問
題がここでも存在する。

したがって本発明の課題は、パターン化すべき基板を
光学的に露光する手段を提供し、できる限り良好な分解
能と有利には350nm以下の構造幅とを達成することであ
る。その際に露光をできる限り簡単、迅速かつ低コスト
に行い、大きな装置コストがかからないようにしなけれ
ばならない。

この課題を解決する手段は、請求項１記載のパターン
化すべき層にパターンを転写する装置によって達成され
る。この装置は請求項12記載の方法により簡単に製造可
能である。本発明はさらに請求項20に記載の装置の使用
法に関する。有利な実施形態および変形態様は従属請求
項、以下の説明、および添付の図面から得られる。

特に本発明は、きわめて微細な構造をフォトリソグラ
フィにより基板上に転写するのに好適な装置に関してい
る。露光はこの場合走査型近接場光学顕微鏡に適用され
ている技術を使用して行われる。この技術では光学的な
分解能限界すなわちアッベ限界がきわめて小さな光学ア
パーチャの近接場が基板表面近傍へ移動されることによ
り克服できる。こうしたきわめて高い分解能の前提とな
るのはできる限り小さい光学アパーチャである。

本発明の装置ではパターン化すべき層を抜群の分解能
で効率的に露光することができ、有利には250nm以下の
アパーチャ幅を有するきわめて小さいアパーチャがビー
ムガイドの１つまたは複数の出射アパーチャを通して形
成される。装置底面とは反対側の上方の領域ではビーム
ガイド構造体は有利には250nmより小さい構造幅を有す
る。

有利にはビームガイド構造体はビーム媒体を有してお
り、このビーム媒体はビームを透過しない材料から成る
層によって包囲されている。ただしビーム媒体が充分な
屈折率を有する場合には、ビームガイド構造体としての
ビーム不透過層を使用しなくてもよい。

ビームを透過しない材料から成る層が設けられている
場合、出射アパーチャをビームを透過しない材料から成
るこの層を通して規定することができる。装置にはビー
ムガイド構造体の側にビームを透過しない層が設けられ
ており、ビームガイド構造体の上方領域に所望の構造幅
の出射アパーチャが露出したまま残る。

屈折率が高いため窒化ケイ素Si₃N₄がビーム媒体の材
料として有利である。好適な別の材料は二酸化ケイ素お
よび炭化ケイ素である。特に有利にはビーム透過性の材
料が化学的な気相堆積法、特にPECVDすなわちプラズマ
化学蒸着法によって堆積される。

ビーム透過性の材料はベース素子（支持体）に接合し
て使用してもよいし、またこのような素子なしで使用す
ることもできる。例えばビーム透過性の材料を同様にビ
ーム透過性の支持体の上に堆積することができる。有利
な支持体はガラスから形成される。ただしフォトリソグ
ラフィの分野で使用されている他の一般的な全ての材料
も、必要な光透過性への要求を満足する限り使用可能で
ある。

光学的に不透明な材料から成る支持体が使用される場
合、この支持体は装置の出射アパーチャまたはマスクに
対向する領域に同様に透過開口部を有する。

またマスクの製造中に支持体を作業台として使用し、
マスクの完成後これを再び除去することができる。

別の変形態様ではビームガイド構造体が中空体として
構成される。媒体を通して露光ビームはエッジの間を通
過し、このエッジは光学的に不透明な材料から成る隆起
した構造体によって区切られている。したがってこの媒
体は一般には空気ないし大気であり、その中で基板の露
光が行われる。ただし媒体は屈折率を適合させるために
流体であってもよい。

装置をカバーするビーム透過性の材料として特に金属
が適しており、特にプラズマ活性金属、例えばアルミニ
ウム、チタン、白金または銀などである。有利な金属は
アルミニウムである。有利にはこの金属はビームガイド
を有するマスクに蒸着されるか、またはスパッタリング
される。

ビームを透過しない材料は付加的に例えば酸化物、炭
化物、または窒化物によってコーティングすることがで
きる。適切な材料は例えば二酸化ケイ素または窒化ケイ
素である。

本発明の装置はきわめて微細なパターンを連続的な方
法で転写することに特に適しており、走査尖端部が広義
に考慮される。パターンを100nm以下の構造幅で問題な
く形成することができ、相応して装置のアパーチャ幅を
100nmより小さくすることができる。有利には本発明の
装置におけるビームガイド構造体は曲率半径が装置底面
とは反対側の上方の領域で50nmとなるように構成されて
いる。

本発明の装置の別の利点は、250nmより小さい開口幅
のアパーチャの他に、250nm以上の開口幅のアパーチャ
も有することができることである。２つのタイプのパタ
ーンは本発明の装置により唯一の露光ステップでパター
ン化すべき層へ転写される。従来のナノストラクチャは
本発明のマスクと共にきわめて効率的かつ低コストに形
成することができる。

特に有利には本発明のナノストラクチャマスクの製造
は、250nmより小さいアパーチャおよび250nm以上のアパ
ーチャが同時ないし並行に製造されるように行われる。

走査型近接場光学顕微鏡の分解能は、光学アパーチャ
の大きさの他に試料に対する距離によっても定められ
る。良好な分解能を達成するには、試料に対する距離を
数nmまで正確に調整しなければならない。周知の走査尖
端部では距離コントロールが上述のように剪断応力検出
法によって行われる。相応して本発明の装置とパターン
化すべき層との間隔も制御することができる。

さらにパターン化してはならない層の個所では干渉測
定法による距離コントロールも可能である。

しかも特に有利な実施形態では本発明の装置はビーム
媒体の上方領域がビームを透過しない材料から成るコー
ティングの上方に突出し、パターン化すべき層に対する
スペーサとして利用されるように構成されている。突出
部の高さは有利には基板を露光する際に必要なマスクと
層との間隔に相応するように選択される。そうすれば露
光に対してマスクを簡単にパターン化すべき層の上に装
着することができる。複雑な距離コントロールは必要な
い。

本発明の装置は次の方法により製造できる。すなわち
ビーム透過性の材料から成る層を調製するステップと、
このビーム透過性の材料から成る層の上にマスクを堆積
するステップと、このマスクを用いてビーム透過性の材
料から成る層をパターン化し、装置底面とは反対側に出
射アパーチャを有するビームガイド構造体を形成するス
テップと、マスクを除去するステップとを有する方法に
よって製造される。

その際に有利には、ビーム透過性の材料から成るパタ
ーン化された層の上にビームを透過しない材料から成る
層を堆積し、装置底面とは反対側の出射アパーチャを維
持する。

また有利には、ビーム透過性の材料から成る層を等方
性エッチングによりパターン化し、マスクをアンダカッ
トし、形成されたビーム媒体が出射アパーチャの個所で
250nm以下の構造幅、特に100nmより小さい構造幅を有す
るように構成する。

有利にはビーム透過性の材料から成る層をパターン化
するためのマスクとしてフォトレジスト層を使用するこ
とができる。

フォトレジスト層をパターン化するためのマスクはこ
の場合従来の手段で製造できる。なぜなら構造幅は350n
mより大きいオーダであり、これは従来の露光法を用い
て形成できるからである。構造パターンは扱われる基板
内で形成すべき所望の構造パターンに拡大された形状で
相応する。本発明の装置を製造する際のフォトレジスト
の露光に適したマスクは例えば350nmより大きい幅のパ
ターンを有する従来のクロムマスクである。

マスクのパターンは有利には標準のフォトプロセスに
よりフォトレジスト層へ転写することができる。このフ
ォトレジスト層は有利にはパターン化すべき層の上に堆
積されている。続いてマスキングパターンが等方性のウ
ェットエッチングまたはドライエッチングプロセスでア
ンダカットされ、パターン化すべき層からエッチング形
成されるビーム媒体はフォトレジストの構造幅よりもは
るかに小さい幅を有する。有利には上方のエッジ領域の
ビーム媒体の構造幅は250nmよりも小さく、ビーム媒体
のエッジの曲率半径は50nmである。

ビーム媒体をエッチングするために有利には反応性イ
オンエッチングRIEを使用することができる。適切なエ
ッチング法は当業者には基本的に周知である。好適なエ
ッチング剤の例としてフッ化化合物または塩化化合物が
挙げられる。エッチング時間は例えばマスキングパター
ンの形およびエッチングすべき層の厚さに依存してい
る。

エッチング過程は一方ではパターン化される材料の連
続する層が維持されるように行われる。この連続層は装
置底面によって規定される。他方ではパターン化すべき
層は材料がビーム媒体の領域においてのみ残留するよう
な幅でエッチングされる。後者の変形態様は特に装置底
面がベース素子によって規定される場合に適している。

有利には金属材料である光学的に不透明な層の堆積は
有利には蒸着またなスパッタリングにより行われる。ア
パーチャおよび／またはビームガイドがこの光学的に不
透明な層の上方に突出する高さを所望の大きさに調整す
るために、光学的に不透明な材料および／またはビーム
媒体をそれ自体では周知の手段でエッチバックすること
ができる。金属層のスパッタバックないしスパッタエッ
チバック（Ruecksputtern）も可能である。

出射アパーチャを所定のアパーチャ幅で形成する別の
手段は、化学的機械的研磨CMPを装置の表面に対して光
学的に不透明な材料の堆積後に行うことである。この場
合その間に装置底面とは反対側の上方の領域における金
属層は出射アパーチャが所望のアパーチャ幅を有するま
で除去される。特に有利にはCMP処理の前にまず光学的
に不透明な材料に金属酸化物、金属炭化物または金属窒
化物から成る別の層が設けられる。この金属は不透明な
層の金属に限定されない。

CMP処理はそれぞれの層に対して選択的に行うことが
できるので、例えば金属酸化物、金属炭化物または金属
窒化物から成る外側の層は下方に位置する光学的に不透
明な層またはビーム媒体とは異なる速度で除去される。
選択的な除去の際に所定の高さのスペーサが維持され
る。これとは逆にCMP処理が非選択的に行われると、光
学的に不透明な材料、およびこれによって包囲されてい
るビーム媒体の材料、場合によっては金属酸化物、金属
炭化物または金属窒化物も除去されてしまう。この場合
には基板に対する距離のコントロールが光学的に不透明
な材料の上方に突出して隆起している構造体によっては
実現できない。ただしCMP処理は露光すべき基板に対す
る距離コントロールが従来の手法例えば剪断応力検出法
または干渉測定法に従えばきわめて容易な非常に平坦な
装置表面を得ることができる利点を提供する。

個々の前述の方法ステップは当業者には基本的に知ら
れており、詳細な説明をここで必要としないものであ
る。尖端部の製造またはアンダカットされた窒化ケイ素
から成る構造体の製造の個々の方法ステップの詳細は例
えばA.Ruf“Neue Sensoren fuer die Rasterkraftmikro
skopie",Dissertation TH Darmstadt,Dissertation Dru
ck Darmstadt GmbH 1996,ISBN 3−931713−04−０に記
載されている。金属でコーティングされた窒化ケイ素の
尖端部の製造法はW.Noell et al.,Appl.Phys.Lett.70 1
997 1236頁〜1238頁に記載されている。

本発明の装置がビームガイド構造体を中空体とした構
成で製造される場合、とりあえず基本的には前述のよう
に行われる。光学的に不透明な材料を堆積した後の製造
段階で例えば所定の大きさのアパーチャを形成した後
に、ビームガイド構造体内で光学的に不透明な材料から
成るエッジによって包囲された材料が除去される。これ
は適切なエッチングプロセスにより行うことができる。
ここでは包囲されている材料は完全に除去されるかまた
は部分的に除去され、出射アパーチャが適切な大きさで
形成される。

ビームガイド構造体が光学的に不透明な材料から成る
ベース素子の上に構成されている場合、相応する透過開
口部がこのベース素子を通して延在する。

ビームガイド構造体を中空体として構成する前述の場
合、本発明の方法では最初に製造されるパターン化すべ
き層を光透過性の材料から形成する必要はない。

これに対してパターン化すべき層が維持され、ビーム
媒体がパターン化すべき層の材料から形成される場合に
は光透過性の材料が使用される。

本発明の装置は従来と同様に基板を露光するためのク
ロムマスクを半導体技術の分野から導入することがで
き、しかも近接場分光器およびサブ波長サイズのアパー
チャによりきわめて良好な分解能を達成し、相応に著し
く精細なパターニングを行うことができる。100nmより
も小さい構造幅が容易に可能となる。

露光のために本発明の装置はパターン化すべき層、例
えばフォトレジスト層の上方に配置され、装置の後ろ側
から例えばサブ波長サイズの出射アパーチャを介してパ
ターン化すべき層へ入射する光が放射される。このよう
にして所定の形態および大きさのパターンを１回の露光
ステップでパターン化すべき層へ転写することができ
る。近接場光学分光器の分野で必要とされる小さな空
隙、すなわちアパーチャとパターン化すべき層との間の
小さな空隙は、従来の手段例えば剪断応力検出法によっ
ても、またはスペーサとして構成されたビーム媒体を用
いても保持することができる。後者の場合にはマスクは
直接にパターン化すべき層の上に装着される。この変形
実施例ではさらにアパーチャを機械的な損傷から保護で
き、ひいては正確に再現可能な露光を行える利点を有す
る。また本発明の装置を使用すれば露光に対して例えば
DUV（Deep Ultraviolet）リソグラフィで使用される高
価なレーザを省略することができる。

本発明の装置を製造する際にもこの装置を使用する際
にも従来の装置および手法を使用することができる。フ
ェーズマスクを製造する場合のような計算コストは必要
ない。本発明の装置はさらにきわめて精細で相互に密に
配置されるパターン、例えばDRAMセルフィールドに設け
られるパターンを形成するために用いることができる。
この種のパターンは、本発明の装置の製造において２つ
のランドまたはホール間のアンダカットに対するマスキ
ングパターンの作成時に充分なスペースが残らない場合
にのみ製造可能である。この場合露光すべきパターンの
周期性を利用し、複数回連続して同じ装置を露光するこ
とができる。ここで２回目の露光では本発明の装置を必
要な格子間隔だけオフセットする。装置のオフセットは
周知の手段、例えば干渉測定法で監視されるシフトユニ
ットを有するオフセット作業台で行うことができる。

本発明を以下に図に即して詳細に説明する。ここでは
概略的に図１に本発明の装置が部分断面図で示されており、図２〜図６には本発明の装置を製造するための本発明の
方法の説明が示されている。

図１には本発明の装置１が示されている。この装置は
光透過性のベース素子３を有する。このベース素子は装
置底面９全体にわたって延在しており、この場合にはガ
ラスプレートである。このガラスプレート上にビーム媒
体５が構成されており、このビーム媒体は窒化ケイ素か
ら成っている。ビーム媒体５の側にナノストラクチャマ
スク１が光学的に不透明な材料でコーティングされてい
る。材料は有利にはプラズマ活性材料６であり、ここで
はアルミニウムである。プラズマ活性材料６では表面波
を形成することができ、これにより付加的なビームが出
射アパーチャへ案内される。ビーム媒体５およびこれを
カバーする層６はビームガイド構造体12を形成してい
る。

上方の領域ではビーム媒体５はアルミニウムでコーテ
ィングされておらず、出射アパーチャ８が250nm以下の
アパーチャ幅７で形成されている。ビーム媒体５はアル
ミニウム層６から上方へ幾らか突出しており、本発明の
装置の（この場合にはライン形の）構造体がフォトレジ
スト層または類似の層の上に転写される際にスペーサと
して利用することができる。このために出射アパーチャ
８を有する本発明の装置はフォトレジストに向かう方向
で直接にこのフォトレジスト上に装着され、これにより
アパーチャ８はレジストに対して所望の間隔で配置され
る。

図２〜図６には本発明の装置を製造するための本発明
の方法が示されている。

図２には断面図でベース素子３を有する出発材料が示
されている。ベース素子は光透過性の材料、ここではガ
ラスから成っており、このベース素子の上にそれ自体は
周知の手段で光透過性の窒化ケイ素から成る層２とフォ
トレジスト層４とが堆積されている。

図３には続くステップが示されており、このステップ
ではフォトレジスト層４が従来のように例えばクロムマ
スクを用いた露光によってパターン化されている。

次に続くステップで窒化ケイ素層がエッチングされ
る。本発明によればここでフォトレジスト層４がアンダ
カットされ、パターン化可能な層２のうちビームガイド
５が維持されたまま残る。このビームガイドの構造幅は
フォトレジストパターンの幅よりも小さく、250nm以下
である。

図５には次のステップが示されており、ここではフォ
トレジスト４が除去されている。

図６にはさらに本発明により光学的に不透明な層６
（ここではアルミニウムから成る）を堆積した後の様子
が示されている。この層は一方では250nm以下のアパー
チャ幅７が達成され、他方ではビーム媒体５の金属の上
方に突出する高さが実質的にアパーチャ８と基板表面と
の所望の間隔に相応する形状に堆積されている。基板は
ナノストラクチャマスクを用いて露光される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平10−326742（ＪＰ，Ａ) 特開平８−262038（ＪＰ，Ａ) 特開平８−212910（ＪＰ，Ａ) 特開平５−224396（ＪＰ，Ａ) 特開平８−194102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 501

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】装置底面（９）から突出する少なくとも１
つのビームガイド構造体（12）が設けられており、該ビームガイド構造体によりビームが装置底面（９）と
は反対側の出射アパーチャ（８）へ案内され、該出射アパーッチャは転写すべきパターンの形状に適合
されている、ことを特徴とするパターン化すべき層にパターンを転写
する装置。
【請求項２】前記ビームガイド構造体（12）はビーム媒
体（５）を有しており、該ビーム媒体は有利には窒化ケ
イ素、炭化ケイ素または二酸化ケイ素を含む、請求項１
記載の装置。
【請求項３】前記ビームガイド構造体（12）はビームを
透過しない層（６）、有利にはプラズマ活性層を有す
る、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】前記ビームを透過しない層（６）は金属、
例えばアルミニウム、チタン、白金または銀を含む、請
求項３記載の装置。
【請求項５】前記金属は蒸着されているかまたはスパッ
タリングされている、請求項４記載の装置。
【請求項６】前記ビームを透過しない層（６）上に酸化
物、炭化物または窒化物から成る層が堆積されている、
請求項３から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】前記ビームガイド構造体（12）は中空体と
して形成されている、請求項１から６までのいずれか１
項記載の装置。
【請求項８】ベース素子（３）が設けられており、該ベ
ース素子は有利にはビーム透過性の材料を有する、請求
項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】前記出射アパーチャ（８）の構造幅（７）
は装置の所定の領域で250nmより小さく、例えば100nm以
下である、請求項１から８までのいずれか１項記載の装
置。
【請求項１０】前記ビームガイド構造体（12）は所定の
領域の出射アパーチャ（８）の個所で50nmのエッジ曲率
半径を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載
の装置。
【請求項１１】前記出射アパーチャ（８）の領域で前記
ビーム媒体（５）は前記ビームを透過しない層（６）に
対して突出しており、突出の幅は前記ビームを透過しな
い層（６）によってカバーされていないビーム媒体
（５）の高さが実質的に所望の露光間隔に相応するよう
に定められている、請求項３から10までのいずれか１項
記載の装置。
【請求項１２】ビーム透過性の材料から成る層（２）を
調製するステップと、該ビーム透過性の材料から成る層（２）の上にマスク
（４）を堆積するステップと、該マスク（４）を用いて前記ビーム透過性の材料から成
る層（２）をパターン化し、装置底面（９）とは反対側
に出射アパーチャ（８）を有するビームガイド構造体
（５、12）を形成するステップと、前記マスク（４）を除去するステップとを有することを
特徴とする請求項１から11までのいずれか１項記載の装
置の製造方法。
【請求項１３】ビーム透過性の材料から成るパターン化
された層（２）の上にビームを透過しない材料から成る
層（６）を堆積し、装置底面（９）とは反対側の出射ア
パーチャ（８）を維持したまま残す、請求項12記載の方
法。
【請求項１４】前記ビーム透過性の材料から成る層
（２）を等方性エッチングによりパターン化し、前記マ
スク（４）をアンダカットし、形成されたビーム媒体
（５）は出射アパーチャ（８）の個所で250nmより小さ
い構造幅（７）、例えば100nm以下の構造幅を有する、
請求項12または13記載の方法。
【請求項１５】前記ビーム透過性の材料から成る層
（２）のエッチングを反応性イオンエッチングにより行
う、請求項14記載の方法。
【請求項１６】前記ビームを透過しない材料から成る層
（６）の上に酸化物、炭化物または窒化物から成る層を
堆積する、請求項15から18までのいずれか１項記載の方
法。
【請求項１７】前記出射アパーチャ（８）を化学的機械
的研磨により形成する、請求項12から16までのいずれか
１項記載の方法。
【請求項１８】ビームを透過しない材料（６）の上方に
突出するパターン化された層（２）の領域の高さを、該
パターン化された層（２）のエッチバックおよび／また
は前記ビームを透過しない材料（６）のスパッタバック
により調整する、請求項13から17までのいずれか１項記
載の方法。
【請求項１９】前記ビーム透過性の材料から成る層
（２）をベース素子（３）の上に調製する、請求項12か
ら18までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】半導体技術の分野でパターン化された層
を形成する、請求項１から11までのいずれか１項記載の
装置の使用。
【請求項２１】出射アパーチャ（８）とパターン化すべ
き層の表面との間に所定の距離を維持して光学的近接場
で露光する、請求項20記載の装置の使用。
【請求項２２】パターン化すべき層を複数回露光するた
めに装置を露光の間に所定の距離だけオフセットする、
請求項20または21記載の装置の使用。