JP2001510639A - パターンを転写する装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、パターン化すべき層にパターンを転写する装置に関する。本発明による装置は、ベース素子３とベース素子３から突出する少なくとも１つのビームガイド構造体１２とが設けられており、このビームガイド構造体によりビームがベース素子３とは反対側の出射アパーチャ８へ案内され、出射アパーチャは転写すべきパターンの形状に適合されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】 パターンを転写する装置 本発明は、パターンを転写する装置、この装置の製造方法、およびこの装置の 半導体技術の分野における使用法に関する。 前述の分野では寸法の微細化がますます重要な役割を果たすようになってきて いる。とりわけメモリモジュールではより高いメモリ密度を達成するために縮小 化が目指されてきた。この種のメモリモジュールを製造する際には、所望のパタ ーンないし構造を結像するためのフォトリソグラフィによる露光がきわめて重要 である。特に０.２５μｍ以下の構造幅を達成するためには従来の露光法の分解 能を著しく改善しなければならない。 今日までの従来技術によれば（例えば“Silicon Processing for the VLSI Er a Volume 1−Process Technology”，S.Wolf，R.N.Tauber，Lattice Press，Sun set Beach，Califormia USAを参照）、例えば０.３５μｍでのパターン作成のた めにプロジェクションマスクが使用され、このマスクはステッパを用いて係数５ または１０だけ縮小され、フォトレジストでコーティングされたウェハに転写さ れる。この場合分解能は波動光学によって定められる限界で制限されている。 ここでは回折現象とアッベの分解能基準とを指摘しておかねばならない。従来の 光学的リソグラフィでは、露光に使用される光の波長程度の寸法よりも小さい寸 法のパターンを形成することができない。 分解能を改善し０.２５μｍ以下の構造幅を可能にするために、基本的には２ つの解決手段が提案されている。 その１つは短波長の光を使用して、改善された分解能をもたらすことである。 例として２４８ｎｍ、１９５ｎｍまたは１５７ｎｍの波長を有するエキシマレー ザを使用することが挙げられる（例えば“Nanolithography and its prospects as a manufacturing technology”，R.F.W.Pease，J.Vac.Sci.Technol．B10(1)1 992 278頁〜284頁を参照）。ただしこの解決手段は大きな装置コスト、すなわち 専用の光学系を有するエキシマレーザを必要とし、相応して高価である。さらに 使用される波長に対して高感度の専用のフォトレジストを使用しなければならな い。 分解能を改善するもう１つの選択手段はフェーズマスクを使用することである 。このフェーズマスクは位相回転部材を意図的に組み合わせることにより、光が 種々の厚さの光透過性の媒体または部分的に吸収性の媒体を通過する際に位相シ フトさせる。位相シフトによって生じる干渉性の増幅および消光により改善され た分解能での結像が得られる。 ただしこのようなフェーズマスクの製造はマスクの基本的な設計を構想するの に非常に大きな計算コストを必要とする。さらにこのマスクは実験による調査を 介してさらに最適化しなければならない。したがって分解能を改善するためのこ の後者の手段も手間がかかり高価である。 光学的な分解能を改善可能なさらに新しい開発分野として、例えばＳＴＭ（走 査型トンネル顕微鏡）技術で利用される走査型プローブ技術が存在する。この技 術は例えば“Patterning of an electron beam resist with a scanning tunnel ing microscope operating in air”，K.Kragler，E.Guenter，R.Leuschner，G. Falk，H.von Seggern，G.Saemann-Ischenko，Thin Solid Films 264 1995 259頁 〜263頁、および前掲のR.F.W．Peaceによる文献に説明されている。 “Near-field optics:light for the world of nano-scale science”，D.W.P ohl，Thin Solid films 264 1995 250頁〜254頁にはアッベの分解能限界を走査 型近接場光学顕微鏡によって克服する手段が説明されている。この場合試料表面 は細い尖端部（いわゆる探針）で走査され、この尖端部はきわめて小さい光学ア パーチャを有しており、僅かな間隔を置いて試料表面の上方を案内される。この 尖端部は一般的には金属蒸着されたガラスファイバである。達成可能な分解能は アパーチャの光学的直径および試料への距離に依存し 、λ／２０以下まで改善することができる。ただしこのためにアパーチャと試料 表面との距離を数ｎｍまで正確に調整し、光学的近接場での作業が保証されるよ うにする必要がある。ガラスファイバを使用する際には距離コントロールのため に剪断応力検出法が適している。 この種のガラスファイバの尖端部はパターンの露光にも使用されている。この 場合尖端部は露光すべき基板例えばフォトレジストの上方を案内され、この基板 は局所的に露光される。達成可能な構造幅は空気中で約８０ｎｍであり（“Scan ning near-field optical lithography”(SNOL)，S.Wegscheider，A.Kirsch，J. Mlynek，G.Krausch，Thin Solid Filnls 264 1995 264頁〜267頁）、真空中で５ ０ｎｍである（“Optical near-field lithography on hydrogen-passivated si licons urfaces”，S.Madsen，M.Muellenborn，K.Birkelund，F.Grey;Appl．Phy s．Lett．69(4)1996 544頁〜546頁）。分解能の更なる改善もガラスファイバの 尖端部の製造法の改善により可能である。 試料表面を個別にこの種の尖端部を用いて露光しようとする試みには極端に手 間がかかり、半導体技術の分野での連続的な操作にとって考慮の対象とならない 。さらにこの場合にも剪断応力検出方による距離コントロールが必要となる。 ガラスファイバの尖端部の製造プロセスはしかもき わめて再現性が低く、そのため所定の光学アパーチャに一致する尖端部を得るこ とが非常に困難である。これにより複数の尖端部から成る尖端部アレイを利用す ることが殆ど不可能である。この種のアレイでは、各尖端部への光供給を個別に 制御し、かつ個別の各尖端部と試料表面との距離を個別に調整しなければならな い。これにかかる装置コストは非常に大きくなる。 W.Noell，M.Abraham，K.Mayr，A.Ruf，J.Barenz，O.Hollrichter，O.Marti & P.Guethner;“Michromachined Aperture Probe Tip for Multifunctional Scann ing Probe Microscopy”，Appl．phys．Lett．70 1997 1236頁〜1238頁、および ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５０９９０３号明細書から、走査型近接場 顕微鏡のための尖端部の簡単化された製造法が公知である。尖端部は薄膜技術を 用いて窒化ケイ素層からエッチング形成される。ただし上述の個々の尖端部また は尖端部アレイに関連して説明された問題がここでも存在する。 したがって本発明の課題は、パターン化すべき基板を光学的に露光する手段を 提供し、できる限り良好な分解能と有利には３５０ｎｍ以下の構造幅とを達成す ることである。その際に露光をできる限り簡単、迅速かつ低コストに行い、大き な装置コストがかからないようにしなければならない。 この課題を解決する手段は、請求項１記載のパター ン化すべき層にパターンを転写する装置によって達成される。この装置は請求項 １２記載の方法により簡単に製造可能である。本発明はさらに請求項２０に記載 の装置の使用法に関する。有利な実施形態および変形態様は従属請求項、以下の 説明、および添付の図面から得られる。 特に本発明は、きわめて微細な構造をフォトリソグラフィにより基板上に転写 するのに好適な装置に関している。露光はこの場合走査型近接場光学顕微鏡に適 用されている技術を使用して行われる。この技術では光学的な分解能限界すなわ ちアッベ限界がきわめて小さな光学アパーチャの近接場が基板表面近傍へ移動さ れることにより克服できる。こうしたきわめて高い分解能の前提となるのはでき る限り小さい光学アパーチャである。 本発明の装置ではパターン化すべき層を抜群の分解能で効率的に露光すること ができ、有利には２５０ｎｍ以下のアパーチャ幅を有するきわめて小さいアパー チャがビームガイドの１つまたは複数の出射アパーチャを通して形成される。装 置底面とは反対側の上方の領域ではビームガイド構造体は有利には２５０ｎｍよ り小さい構造幅を有する。 有利にはビームガイド構造体はビーム媒体を有しており、このビーム媒体はビ ームを透過しない材料から成る層によって包囲されている。ただしビーム媒体が 充分な屈折率を有する場合には、ビームガイド構造体としてのビーム不透過層を 使用しなくてもよい。 ビームを透過しない材料から成る層が設けられている場合、出射アパーチャを ビームを透過しない材料から成るこの層を通して規定することができる。装置に はビームガイド構造体の側にビームを透過しない層が設けられており、ビームガ イド構造体の上方領域に所望の構造幅の出射アパーチャが露出したまま残る。 屈折率が高いため窒化ケイ素Ｓｉ₃Ｎ₄がビーム媒体の材料として有利である。 好適な別の材料は二酸化ケイ素および炭化ケイ素である。特に有利にはビーム透 過性の材料が化学的な気相堆積法、特にＰＥＣＶＤすなわちプラズマ化学蒸着法 によって堆積される。 ビーム透過性の材料はベース素子（支持体）に接合して使用してもよいし、ま たこのような素子なしで使用することもできる。例えばビーム透過性の材料を同 様にビーム透過性の支持体の上に堆積することができる。有利な支持体はガラス から形成される。ただしフォトリソグラフィの分野で使用されている他の一般的 な全ての材料も、必要な光透過性への要求を満足する限り使用可能である。 光学的に不透明な材料から成る支持体が使用される場合、この支持体は装置の 出射アパーチャまたはマスクに対向する領域に同様に透過開口部を有する。 またマスクの製造中に支持体を作業台として使用し 、マスクの完成後これを再び除去することができる。 別の変形態様ではビームガイド構造体が中空体として構成される。媒体を通し て露光ビームはエッジの間を通過し、このエッジは光学的に不透明な材料から成 る隆起した構造体によって区切られている。したがってこの媒体は一般には空気 ないし大気であり、その中で基板の露光が行われる。ただし媒体は屈折率を適合 させるために流体であってもよい。 装置をカバーするビーム透過性の材料として特に金属が適しており、特にプラ ズマ活性金属、例えばアルミニウム、チタン、白金または銀などである。有利な 金属はアルミニウムである。有利にはこの金属はビームガイドを有するマスクに 蒸着されるか、またはスパッタリングされる。 ビームを透過しない材料は付加的に例えば酸化物、炭化物、または窒化物によ ってコーティングすることができる。適切な材料は例えば二酸化ケイ素または窒 化ケイ素である。 本発明の装置はきわめて微細なパターンを連続的な方法で転写することに特に 適しており、走査尖端部が広義に考慮される。パターンを１００ｎｍ以下の構造 幅で問題なく形成することができ、相応して装置のアパーチャ幅を１００ｎｍよ り小さくすることができる。有利には本発明の装置におけるビームガイド構造体 は曲率半径が装置底面とは反対側の上方の領域で５０ ｎｍとなるように構成されている。 本発明の装置の別の利点は、２５０ｎｍより小さい開口幅のアパーチャの他に 、２５０ｎｍ以上の開口幅のアパーチャも有することができることである。２つ のタイプのパターンは本発明の装置により唯一の露光ステップでパターン化すべ き層へ転写される。従来のナノストラクチャは本発明のマスクと共にきわめて効 率的かつ低コストに形成することができる。 特に有利には本発明のナノストラクチャマスクの製造は、２５０ｎｍより小さ いアパーチャおよび２５０ｎｍ以上のアパーチャが同時ないし並行に製造される ように行われる。 走査型近接場光学顕微鏡の分解能は、光学アパーチャの大きさの他に試料に対 する距離によっても定められる。良好な分解能を達成するには、試料に対する距 離を数ｎｍまで正確に調整しなければならない。周知の走査尖端部では距離コン トロールが上述のように剪断応力検出法によって行われる。相応して本発明の装 置とパターン化すべき層との間隔も制御することができる。 さらにパターン化してはならない層の個所では干渉測定法による距離コントロ ールも可能である。 しかも特に有利な実施形態では本発明の装置はビーム媒体の上方領域がビーム を透過しない材料から成るコーティングの上方に突出し、パターン化すべき層に 対するスペーサとして利用されるように構成されている。突出部の高さは有利に は基板を露光する際に必要なマスクと層との間隔に相応するように選択される。 そうすれば露光に対してマスクを簡単にパターン化すべき層の上に装着すること ができる。複雑な距離コントロールは必要ない。 本発明の装置は次の方法により製造できる。すなわちビーム透過性の材料から 成る層を調製するステップと、このビーム透過性の材料から成る層の上にマスク を堆積するステップと、このマスクを用いてビーム透過性の材料から成る層をパ ターン化し、装置底面とは反対側に出射アパーチャを有するビームガイド構造体 を形成するステップと、マスクを除去するステップとを有する方法によって製造 される。 その際に有利には、ビーム透過性の材料から成るパターン化された層の上にビ ームを透過しない材料から成る層を堆積し、装置底面とは反対側の出射アパーチ ャを維持する。 また有利には、ビーム透過性の材料から成る層を等方性エッチングによりパタ ーン化し、マスクをアンダカットし、形成されたビーム媒体が出射アパーチャの 個所で２５０ｎｍ以下の構造幅、特に１００ｎｍより小さい構造幅を有するよう に構成する。 有利にはビーム透過性の材料から成る層をパターン化するためのマスクとして フォトレジスト層を使用す ることができる。 フォトレジスト層をパターン化するためのマスクはこの場合従来の手段で製造 できる。なぜなら構造幅は３５０ｎｍより大きいオーダであり、これは従来の露 光法を用いて形成できるからである。構造パターンは扱われる基板内で形成すべ き所望の構造パターンに拡大された形状で相応する。本発明の装置を製造する際 のフォトレジストの露光に適したマスクは例えば３５０ｎｍより大きい幅のパタ ーンを有する従来のクロムマスクである。 マスクのパターンは有利には標準のフォトプロセスによりフォトレジスト層へ 転写することができる。このフォトレジスト層は有利にはパターン化すべき層の 上に堆積されている。続いてマスキングパターンが等方性のウェットエッチング またはドライエッチングプロセスでアンダカットされ、パターン化すべき層から エッチング形成されるビーム媒体はフォトレジストの構造幅よりもはるかに小さ い幅を有する。有利には上方のエッジ領域のビーム媒体の構造幅は２５０ｎｍよ りも小さく、ビーム媒体のエッジの曲率半径は５０ｎｍである。 ビーム媒体をエッチングするために有利には反応性イオンエッチングＲＩＥを 使用することができる。適切なエッチング法は当業者には基本的に周知である。 好適なエッチング剤の例としてフッ化化合物または塩 化化合物が挙げられる。エッチング時間は例えばマスキングパターンの形および エッチングすべき層の厚さに依存している。 エッチング過程は一方ではパターン化される材料の連続する層が維持されるよ うに行われる。この連続層は装置底面によって規定される。他方ではパターン化 すべき層は材料がビーム媒体の領域においてのみ残留するような幅でエッチング される。後者の変形態様は特に装置底面がベース素子によって規定される場合に 適している。 有利には金属材料である光学的に不透明な層の堆積は有利には蒸着またはスパ ッタリングにより行われる。アパーチャおよび／またはビームガイドがこの光学 的に不透明な層の上方に突出する高さを所望の大きさに調整するために、光学的 に不透明な材料および／またはビーム媒体をそれ自体では周知の手段でエッチバ ックすることができる。金属層のスパッタバックないしスパッタエッチバック（ Ruecksputtern）も可能である。 出射アパーチャを所定のアパーチャ幅で形成する別の手段は、化学的機械的研 磨ＣＭＰを装置の表面に対して光学的に不透明な材料の堆積後に行うことである 。この場合その間に装置底面とは反対側の上方の領域における金属層は出射アパ ーチャが所望のアパーチャ幅を有するまで除去される。特に有利にはＣＭＰ処理 の前にまず光学的に不透明な材料に金属酸化物、金属炭化物または金属窒化物か ら成る別の層が設けられる。この金属は不透明な層の金属に限定されない。 ＣＭＰ処理はそれぞれの層に対して選択的に行うことができるので、例えば金 属酸化物、金属炭化物または金属窒化物から成る外側の層は下方に位置する光学 的に不透明な層またはビーム媒体とは異なる速度で除去される。選択的な除去の 際に所定の高さのスペーサが維持される。これとは逆にＣＭＰ処理が非選択的に 行われると、光学的に不透明な材料、およびこれによって包囲されているビーム 媒体の材料、場合によっては金属酸化物、金属炭化物または金属窒化物も除去さ れてしまう。この場合には基板に対する距離のコントロールが光学的に不透明な 材料の上方に突出して隆起している構造体によっては実現できない。ただしＣＭ Ｐ処理は露光すべき基板に対する距離コントロールが従来の手法例えば剪断応力 検出法または干渉測定法に従えばきわめて容易な非常に平坦な装置表面を得るこ とができる利点を提供する。 個々の前述の方法ステップは当業者には基本的に知られており、詳細な説明を ここで必要としないものである。尖端部の製造またはアンダカットされた窒化ケ イ素から成る構造体の製造の個々の方法ステップの詳細は例えばA.Ruf“Neue Se nsoren fuer die Rasterkraftmikroskopie”，Dissertation TH Darmstadt，D issertation Druck Darmstadt GmbH 1996，ISBN 3-931713-04-0に記載されてい る。金属でコーティングされた窒化ケイ素の尖端部の製造法はW.Noell et al.， APPI．Phys．Lett．70 1997 1236頁〜1238頁に記載されている。 本発明の装置がビームガイド構造体を中空体とした構成で製造される場合、と りあえず基本的には前述のように行われる。光学的に不透明な材料を堆積した後 の製造段階で例えば所定の大きさのアパーチャを形成した後に、ビームガイド構 造体内で光学的に不透明な材料から成るエッジによって包囲された材料が除去さ れる。これは適切なエッチングプロセスにより行うことができる。ここでは包囲 されている材料は完全に除去されるかまたは部分的に除去され、出射アパーチャ が適切な大きさで形成される。 ビームガイド構造体が光学的に不透明な材料から成るベース素子の上に構成さ れている場合、相応する透過開口部がこのベース素子を通して延在する。 ビームガイド構造体を中空体として構成する前述の場合、本発明の方法では最 初に製造されるパターン化すべき層を光透過性の材料から形成する必要はない。 これに対してパターン化すべき層が維持され、ビーム媒体がパターン化すべき 層の材料から形成される場合には光透過性の材料が使用される。 本発明の装置は従来と同様に基板を露光するための クロムマスクを半導体技術の分野から導入することができ、しかも近接場分光器 およびサブ波長サイズのアパーチャによりきわめて良好な分解能を達成し、相応 に著しく精細なパターニングを行うことができる。１００ｎｍよりも小さい構造 幅が容易に可能となる。 露光のために本発明の装置はパターン化すべき層、例えばフォトレジスト層の 上方に配置され、装置の後ろ側から例えばサブ波長サイズの出射アパーチャを介 してパターン化すべき層へ入射する光が放射される。このようにして所定の形態 および大きさのパターンを１回の露光ステップでパターン化すべき層へ転写する ことができる。近接場光学分光器の分野で必要とされる小さな空隙、すなわちア パーチャとパターン化すべき層との間の小さな空隙は、従来の手段例えば剪断応 力検出法によっても、またはスペーサとして構成されたビーム媒体を用いても保 持することができる。後者の場合にはマスクは直接にパターン化すべき層の上に 装着される。この変形実施例ではさらにアパーチャを機械的な損傷から保護でき 、ひいては正確に再現可能な露光を行える利点を有する。また本発明の装置を使 用すれば露光に対して例えばＤＵＶ（Deep Ultraviolet）リソグラフィで使用さ れる高価なレーザを省略することができる。 本発明の装置を製造する際にもこの装置を使用する際にも従来の装置および手 法を使用することができる 。フェーズマスクを製造する場合のような計算コストは必要ない。本発明の装置 はさらにきわめて精細で相互に密に配置されるパターン、例えばＤＲＡＭセルフ ィールドに設けられるパターンを形成するために用いることができる。この種の パターンは、本発明の装置の製造において２つのランドまたはホール間のアンダ カットに対するマスキングパターンの作成時に充分なスペースが残らない場合に のみ製造可能である。この場合露光すべきパターンの周期性を利用し、複数回連 続して同じ装置を露光することができる。ここで２回目の露光では本発明の装置 を必要な格子間隔だけオフセットする。装置のオフセットは周知の手段、例えば 干渉測定法で監視されるシフトユニットを有するオフセット作業台で行うことが できる。 本発明を以下に図に即して詳細に説明する。ここでは概略的に 図１に本発明の装置が部分断面図で示されており、 図２〜図６には本発明の装置を製造するための本発明の方法の説明が示されてい る。 図１には本発明の装置１が示されている。この装置は光透過性のベース素子３ を有する。このベース素子は装置底面９全体にわたって延在しており、この場合 にはガラスプレートである。このガラスプレート上にビーム媒体５が構成されて おり、このビーム媒体は窒化ケイ素から成っている。ビーム媒体５の側にナノス トラクチャマスク１が光学的に不透明な材料でコーティングされている。材料は 有利にはプラズマ活性材料６であり、ここではアルミニウムである。プラズマ活 性材料６では表面波を形成することができ、これにより付加的なビームが出射ア パーチャへ案内される。ビーム媒体５およびこれをカバーする層６はビームガイ ド構造体１２を形成している。 上方の領域ではビーム媒体５はアルミニウムでコーティングされておらず、出 射アパーチャ８が２５０ｎｍ以下のアパーチャ幅７で形成されている。ビーム媒 体５はアルミニウム層６から上方へ幾らか突出しており、本発明の装置の（この 場合にはライン形の）構造体がフォトレジスト層または類似の層の上に転写され る際にスペーサとして利用することができる。このために出射アパーチャ８を有 する本発明の装置はフォトレジストに向かう方向で直接にこのフォトレジスト上 に装着され、これによりアパーチャ８はレジストに対して所望の間隔で配置され る。 図２〜図６には本発明の装置を製造するための本発明の方法が示されている。 図２には断面図でベース素子３を有する出発材料が示されている。ベース素子 は光透過性の材料、ここではガラスから成っており、このベース素子の上にそれ 自体は周知の手段で光透過性の窒化ケイ素から成る層２とフォトレジスト層４と が堆積されている。 図３には続くステップが示されており、このステップではフォトレジスト層４ が従来のように例えばクロムマスクを用いた露光によってパターン化されている 。 次に続くステップで窒化ケイ素層がエッチングされる。本発明によればここで フォトレジスト層４がアンダカットされ、パターン化可能な層２のうちビームガ イド５が維持されたまま残る。このビームガイドの構造幅はフォトレジストパタ ーンの幅よりも小さく、２５０ｎｍ以下である。 図５には次のステップが示されており、ここではフォトレジスト４が除去され ている。 図６にはさらに本発明により光学的に不透明な層６（ここではアルミニウムか ら成る）を堆積した後の様子が示されている。この層は一方では２５０ｎｍ以下 のアパーチャ幅７が達成され、他方ではビーム媒体５の金属の上方に突出する高 さが実質的にアパーチャ８と基板表面との所望の間隔に相応する形状に堆積され ている。基板はナノストラクチャマスクを用いて露光される。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 装置底面（９）から突出する少なくとも１つのビームガイド構造体（１２ ）が設けられており、 該ビームガイド構造体によりビームが装置底面（９）とは反対側の出射アパ ーチャ（８）へ案内され、 該出射アパーチャは転写すべきパターンの形状に適合されている、 ことを特徴とするパターン化すべき層にパターンを転写する装置。 ２． 前記ビームガイド構造体（１２）はビーム媒体（５）を有しており、該ビ ーム媒体は有利には窒化ケイ素、炭化ケイ素または二酸化ケイ素を含む、請求項 １記載の装置。 ３． 前記ビームガイド構造体（１２）はビームを透過しない層（６）、有利に はプラズマ活性層を有する、請求項１または２記載の装置。 ４． 前記ビームを透過しない層（６）は金属、例えばアルミニウム、チタン、 白金または銀を含む、請求項３記載の装置。 ５． 前記金属は蒸着されているかまたはスパッタリングされている、請求項４ 記載の装置。 ６． 前記ビームを透過しない層（６）上に酸化物、炭化物または窒化物から成 る層が堆積されている、 請求項３から５までのいずれか１項記載の装置。 ７． 前記ビームガイド構造体（１２）は中空体として形成されている、請求項 １から６までのいずれか１項記載の装置。 ８． ベース素子（３）が設けられており、該ベース素子は有利にはビーム透過 性の材料を有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。 ９． 前記出射アパーチャ（８）の構造幅（７）は装置の所定の領域で２５０ｎ ｍより小さく、例えば１００ｎｍ以下である、請求項１から８までのいずれか１ 項記載の装置。 １０． 前記ビームガイド構造体（１２）は所定の領域の出射アパーチャ（８） の個所で５０ｎｍのエッジ曲率半径を有する、請求項１から９までのいずれか１ 項記載の装置。 １１． 前記出射アパーチャ（８）の領域で前記ビーム媒体（５）は前記ビーム を透過しない層（６）に対して突出しており、突出の幅は前記ビームを透過しな い層（６）によってカバーされていないビーム媒体（５）の高さが実質的に所望 の露光間隔に相応するように定められている、請求項３から１０までのいずれか １項記載の装置。 １２． ビーム透過性の材料から成る層（２）を調製するステップと、 該ビーム透過性の材料から成る層（２）の上にマ スク（４）を堆積するステップと、 該マスク（４）を用いて前記ビーム透過性の材料から成る層（２）をパター ン化し、装置底面（９）とは反対側に出射アパーチャ（８）を有するビームガイ ド構造体（５、１２）を形成するステップと、 前記マスク（４）を除去するステップとを有することを特徴とする請求項１ から１１までのいずれか１項記載の装置の製造方法。 １３． ビーム透過性の材料から成るパターン化された層（２）の上にビームを 透過しない材料から成る層（６）を堆積し、装置底面（９）とは反対側の出射ア パーチャ（８）を維持したまま残す、請求項１２記載の方法。 １４． 前記ビーム透過性の材料から成る層（２）を等方性エッチングによりパ ターン化し、前記マスク（４）をアンダカットし、形成されたビーム媒体（５） は出射アパーチャ（８）の個所で２５０ｎｍより小さい構造幅（７）、例えば１ ００ｎｍ以下の構造幅を有する、請求項１２または１３記載の方法。 １５． 前記ビーム透過性の材料から成る層（２）のエッチングを反応性イオン エッチングにより行う、請求項１４記載の方法。 １６． 前記ビームを透過しない材料から成る層（６）の上に酸化物、炭化物ま たは窒化物から成る層を堆積する、請求項１５から１８までのいずれか１項 記載の方法。 １７． 前記出射アパーチャ（８）を化学的機械的研磨により形成する、請求項 １２から１６までのいずれか１項記載の方法。 １８． ビームを透過しない材料（６）の上方に突出するパターン化された層（ ２）の領域の高さを、該パターン化された層（２）のエッチバックおよび／また は前記ビームを透過しない材料（６）のスパッタバックにより調整する、請求項 １３から１７までいずれか１項記載の方法。 １９． 前記ビーム透過性の材料から成る層（２）をベース素子（３）の上に調 製する、請求項１２から１８までのいずれか１項記載の方法。 ２０． 半導体技術の分野でパターン化された層を形成する、請求項１から１１ までのいずれか１項記載装置の使用。 ２１． 出射アパーチャ（８）とパターン化すべき層の表面との間に所定の距離 を維持して光学的近接場で露光する、請求項２０記載の装置の使用。 ２２． パターン化すべき層を複数回露光するために装置を露光の間に所定の距 離だけオフセットする、請求項２０または２１記載の装置の使用。