JPH0547642A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPH0547642A JPH0547642A JP20056491A JP20056491A JPH0547642A JP H0547642 A JPH0547642 A JP H0547642A JP 20056491 A JP20056491 A JP 20056491A JP 20056491 A JP20056491 A JP 20056491A JP H0547642 A JPH0547642 A JP H0547642A
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- JP
- Japan
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- membrane
- film
- diamond
- ray
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド・メンブレンを用いたＸ線マス
クで高精度なパターン転写を可能にする。 【構成】 ダイヤモンド・メンブレン２Ａ又はＸ線吸収
体３上に吸光用薄膜６を塗布、形成し、ダイヤモンド・
メンブレンからの蛍光を吸収するようにした。
クで高精度なパターン転写を可能にする。 【構成】 ダイヤモンド・メンブレン２Ａ又はＸ線吸収
体３上に吸光用薄膜６を塗布、形成し、ダイヤモンド・
メンブレンからの蛍光を吸収するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線リソグラフィー
に用いられるＸ線マスクに関するものである。
に用いられるＸ線マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は「月刊セミコンダクタ・ワールド
（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ）」の１９
９１年５月号、第１０７〜１１１ページに掲載された従
来のＸ線マスクを示す断面図である。図において、１は
厚さ２ｍｍ程度のシリコン（Ｓｉ）基板、２はこのシリ
コン基板１の上下両面に形成され、厚さ２μｍのメンブ
レンであって、Ｘ線透過率が高く、しかも高剛性である
材料例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ケイ素（Ｓｉ
Ｎ）から成る。３は一方のメンブレン２の上面に形成さ
れてパターン化されたＸ線吸収体例えばタングステン
（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）等の重金属から成る。４は他
方のメンブレン２の下面に形成された支持枠例えば高剛
性のセラミックから成る。そして５はパターン化された
Ｘ線吸収体３上に形成された反射防止膜例えば二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2 ）等から成る。
（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ）」の１９
９１年５月号、第１０７〜１１１ページに掲載された従
来のＸ線マスクを示す断面図である。図において、１は
厚さ２ｍｍ程度のシリコン（Ｓｉ）基板、２はこのシリ
コン基板１の上下両面に形成され、厚さ２μｍのメンブ
レンであって、Ｘ線透過率が高く、しかも高剛性である
材料例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ケイ素（Ｓｉ
Ｎ）から成る。３は一方のメンブレン２の上面に形成さ
れてパターン化されたＸ線吸収体例えばタングステン
（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）等の重金属から成る。４は他
方のメンブレン２の下面に形成された支持枠例えば高剛
性のセラミックから成る。そして５はパターン化された
Ｘ線吸収体３上に形成された反射防止膜例えば二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2 ）等から成る。
【０００３】次に、図３にＸ線マスクを製造する方法に
ついて述べる。まず、シリコン基板１の上下両面にメン
ブレン２を堆積し、一方のメンブレン２上に例えばスパ
ッタ法によりＸ線吸収体３を一様に堆積し、その後Ｘ線
吸収体３上に反射防止膜５を堆積する。次に、半導体の
微細パターンを描画するために、反射防止膜５にレジス
ト（図示しない）を塗布してこのレジストをパターン化
する。その後、このパターン化されたレジストをマスク
として、その下にある反射防止膜５およびＸ線吸収体３
をドライエッチングしてパターン化する。次に、他方
の、すなわち下側のメンブレン２およびシリコン基板１
をバックエッチングする。最後に、バックエッチングで
残ったメンブレン２に支持枠４を接着する。
ついて述べる。まず、シリコン基板１の上下両面にメン
ブレン２を堆積し、一方のメンブレン２上に例えばスパ
ッタ法によりＸ線吸収体３を一様に堆積し、その後Ｘ線
吸収体３上に反射防止膜５を堆積する。次に、半導体の
微細パターンを描画するために、反射防止膜５にレジス
ト（図示しない）を塗布してこのレジストをパターン化
する。その後、このパターン化されたレジストをマスク
として、その下にある反射防止膜５およびＸ線吸収体３
をドライエッチングしてパターン化する。次に、他方
の、すなわち下側のメンブレン２およびシリコン基板１
をバックエッチングする。最後に、バックエッチングで
残ったメンブレン２に支持枠４を接着する。
【０００４】上述したようにして製造されたＸ線マスク
を用いる露光の原理図を図４に示す。図において、１０
はシリコン・ウエハ、１１はシリコン・ウエハ１０の一
面に塗布された被露光材１１であり、これらはＸ線マス
クと近接して平行に設置されている。シンクロトロン
（ＳＲ）放射光源等（図示しない）からのＸ線１２をＸ
線マスクの支持枠側から照射することにより、Ｘ線マス
ク上の微細半導体パターンをシリコン・ウエハ１０上に
転写することができる。Ｘ線マスク用のメンブレン材料
として、上述した炭化ケイ素や窒化ケイ素が従来より用
いられてきたが、近年更に高剛性な材料として微結晶ダ
イヤモンドの利用が検討されている。
を用いる露光の原理図を図４に示す。図において、１０
はシリコン・ウエハ、１１はシリコン・ウエハ１０の一
面に塗布された被露光材１１であり、これらはＸ線マス
クと近接して平行に設置されている。シンクロトロン
（ＳＲ）放射光源等（図示しない）からのＸ線１２をＸ
線マスクの支持枠側から照射することにより、Ｘ線マス
ク上の微細半導体パターンをシリコン・ウエハ１０上に
転写することができる。Ｘ線マスク用のメンブレン材料
として、上述した炭化ケイ素や窒化ケイ素が従来より用
いられてきたが、近年更に高剛性な材料として微結晶ダ
イヤモンドの利用が検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンドは高剛性
で熱伝導率が大きく、しかもＸ線透過率が高いため、Ｘ
線マスク用メンブレンとして最高であるが、ダイヤモン
ド結晶にＸ線や電子線があたると、紫外線〜可視光領域
にスペクトルを有する蛍光を発する。図５はこのような
蛍光スペクトルの計測例を示す図である。
で熱伝導率が大きく、しかもＸ線透過率が高いため、Ｘ
線マスク用メンブレンとして最高であるが、ダイヤモン
ド結晶にＸ線や電子線があたると、紫外線〜可視光領域
にスペクトルを有する蛍光を発する。図５はこのような
蛍光スペクトルの計測例を示す図である。
【０００６】このような発光はＸ線照射点より等方的に
広がるため、露光用シリコン・ウエハ１０上の被露光材
１１を感光させてシリコン・ウエハ１０への転写パター
ンににじみを生じ、パターン線巾の精度が悪くなった
り、極端な場合には半導体パターンが転写できないとい
う問題点があった。
広がるため、露光用シリコン・ウエハ１０上の被露光材
１１を感光させてシリコン・ウエハ１０への転写パター
ンににじみを生じ、パターン線巾の精度が悪くなった
り、極端な場合には半導体パターンが転写できないとい
う問題点があった。
【０００７】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、ダイヤモンド膜をメンブレンと
して用いたＸ線マスクにおける蛍光の悪影響を防止する
ことを目的とする。
ためになされたもので、ダイヤモンド膜をメンブレンと
して用いたＸ線マスクにおける蛍光の悪影響を防止する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＸ線マス
クは、ダイヤモンド・メンブレンに、波長３００〜７０
０ｎｍの光を吸収する吸光用薄膜を塗布したものであ
る。また、この発明は、ダイヤモンド・メンブレンおよ
びこのダイヤモンド・メンブレン上でパターン化された
Ｘ線吸収体に、波長３００〜７００ｎｍの光を吸収する
吸光用薄膜を塗布したものである。
クは、ダイヤモンド・メンブレンに、波長３００〜７０
０ｎｍの光を吸収する吸光用薄膜を塗布したものであ
る。また、この発明は、ダイヤモンド・メンブレンおよ
びこのダイヤモンド・メンブレン上でパターン化された
Ｘ線吸収体に、波長３００〜７００ｎｍの光を吸収する
吸光用薄膜を塗布したものである。
【０００９】
【作用】この発明では、ダイヤモンド・メンブレンの発
する波長３００〜７００ｎｍの蛍光を吸光用薄膜が吸収
して蛍光の悪影響を防止する。また、吸光用薄膜は、Ｘ
線吸収体にも塗布された場合に、Ｘ線マスクの保護膜と
しても働く。
する波長３００〜７００ｎｍの蛍光を吸光用薄膜が吸収
して蛍光の悪影響を防止する。また、吸光用薄膜は、Ｘ
線吸収体にも塗布された場合に、Ｘ線マスクの保護膜と
しても働く。
【００１０】
実施例１．図１はこの発明に係るＸ線マスクの一実施例
を示す断面図であり、図において１，３〜５は図３につ
いて説明したものと全く同じである。２Ａはメンブレン
であるが、その材質がダイヤモンドであるので、以後ダ
イヤモンド・メンブレンと云う。そして６は上側のダイ
ヤモンド・メンブレン２Ａにスピンコータ等の従来法に
よって塗布されてこれを被覆する吸光用薄膜例えばポリ
イミドのような高分子膜である。
を示す断面図であり、図において１，３〜５は図３につ
いて説明したものと全く同じである。２Ａはメンブレン
であるが、その材質がダイヤモンドであるので、以後ダ
イヤモンド・メンブレンと云う。そして６は上側のダイ
ヤモンド・メンブレン２Ａにスピンコータ等の従来法に
よって塗布されてこれを被覆する吸光用薄膜例えばポリ
イミドのような高分子膜である。
【００１１】Ｘ線マスクを用いた露光は図４と同様にし
て行われるが、この発明のＸ線マスクを用いた場合に
は、露光時にダイヤモンド・メンブレン２Ａから出た蛍
光が吸光用薄膜６で吸収されるため、パターン精度に影
響を及ぼすことなく、高精度な露光が可能となった。な
お、吸光用薄膜６には露光装置のアライメント用レーザ
光の反射防止膜としても機能するというメリットもあ
る。
て行われるが、この発明のＸ線マスクを用いた場合に
は、露光時にダイヤモンド・メンブレン２Ａから出た蛍
光が吸光用薄膜６で吸収されるため、パターン精度に影
響を及ぼすことなく、高精度な露光が可能となった。な
お、吸光用薄膜６には露光装置のアライメント用レーザ
光の反射防止膜としても機能するというメリットもあ
る。
【００１２】実施例２．図２はこの発明の他の実施例を
示す断面図であり、この例ではダイヤモンド・メンブレ
ン２Ａ上でパターン化されたＸ線吸収体３の上面より吸
光用薄膜６を塗布することにより、Ｘ線マスクの保護膜
としても利用できる。
示す断面図であり、この例ではダイヤモンド・メンブレ
ン２Ａ上でパターン化されたＸ線吸収体３の上面より吸
光用薄膜６を塗布することにより、Ｘ線マスクの保護膜
としても利用できる。
【００１３】なお、これら実施例１および２では、シリ
コン基板１の両面にダイヤモンド・メンブレン２Ａを形
成する場合を図示したが、成膜法によってはこの限りで
なく、シリコン基板上面にダイヤモンド・メンブレンが
形成されておれば、充分であることは当然である。
コン基板１の両面にダイヤモンド・メンブレン２Ａを形
成する場合を図示したが、成膜法によってはこの限りで
なく、シリコン基板上面にダイヤモンド・メンブレンが
形成されておれば、充分であることは当然である。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳述したように、この発明は、ダ
イヤモンド・メンブレンに、波長３００〜７００ｎｍの
光を吸収する吸光用薄膜を設けたので、ダイヤモンド・
メンブレンの発する蛍光を吸光してその悪影響を防止す
るという効果を奏する。また、パターン化されたＸ線吸
収体の上面より吸光用薄膜を塗布すると、この吸光用薄
膜が蛍光の悪影響を防止するのみならず、Ｘ線マスクの
保護膜にもなるという効果を奏する。
イヤモンド・メンブレンに、波長３００〜７００ｎｍの
光を吸収する吸光用薄膜を設けたので、ダイヤモンド・
メンブレンの発する蛍光を吸光してその悪影響を防止す
るという効果を奏する。また、パターン化されたＸ線吸
収体の上面より吸光用薄膜を塗布すると、この吸光用薄
膜が蛍光の悪影響を防止するのみならず、Ｘ線マスクの
保護膜にもなるという効果を奏する。
【図１】この発明の実施例１を示す断面図である。
【図２】この発明の実施例２を示す断面図である。
【図３】従来のＸ線マスクを示す断面図である。
【図４】Ｘ線マスクを用いた露光の原理図である。
【図５】ダイヤモンド・メンブレンからの蛍光のスペク
トル例を示す図である。
トル例を示す図である。
１ シリコン基板 ２Ａ ダイヤモンド・メンブレン ３ Ｘ線吸収体 ６ 吸光用薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 安次 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内 (72)発明者 橋本 素子 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板と、 このシリコン基板の少なくとも一面を被覆するダイヤモ
ンド・メンブレンと、 このダイヤモンド・メンブレンを被覆し、波長３００〜
７００ｎｍの光を吸収する吸光用薄膜と、 を備えたことを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】 シリコン基板と、 このシリコン基板の少なくとも一面を被覆するダイヤモ
ンド・メンブレンと、 このダイヤモンド・メンブレン上に形成されてパターン
化されたＸ線吸収体と、 このＸ線吸収体および前記ダイヤモンド・メンブレンを
被覆し、波長３００〜７００ｎｍの光を吸収する吸光用
薄膜と、 を備えたことを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20056491A JPH0547642A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20056491A JPH0547642A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547642A true JPH0547642A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16426420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20056491A Pending JPH0547642A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505014B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-08-01 | 전자부품연구원 | Ｘ-선 마스크 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP20056491A patent/JPH0547642A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505014B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-08-01 | 전자부품연구원 | Ｘ-선 마스크 및 그 제조방법 |
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