JPH04372112A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPH04372112A JPH04372112A JP3148993A JP14899391A JPH04372112A JP H04372112 A JPH04372112 A JP H04372112A JP 3148993 A JP3148993 A JP 3148993A JP 14899391 A JP14899391 A JP 14899391A JP H04372112 A JPH04372112 A JP H04372112A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ＩＣやＬＳＩを
製造するためのＸ線露光に用いる高精度微細パタン形成
用Ｘ線マスクに関するものである。
製造するためのＸ線露光に用いる高精度微細パタン形成
用Ｘ線マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣやＬＳＩパタンの高集積化に
伴い、微細パタンを高精度にウエハ上に形成する技術の
進展が不可欠のものとなっている。Ｘ線露光法は、Ｘ線
感光性高分子にＸ線が照射されて生じた光・オージェ電
子が高分子の結合、切断を誘起し、Ｘ線照射部分と未照
射部分の高分子の溶剤に対する溶解速度が変化すること
を利用している。Ｘ線の直進性が優れていること、光・
オージェ電子のエネルギーが高分子に及ぼす相互作用範
囲が小さいなどの理由から、従来用いられてきた電子ビ
ーム露光、紫外線露光に比較して高精度微細パタンの形
成に有利である。Ｘ線マスクは、基本的にはＸ線に対し
て不透明なＸ線吸収層、これを支持するＸ線透過基板、
補強支柱から構成されている。図３は従来のＸ線マスク
の構造を模式的に示すもので、１はＸ線透過基板、２は
補強支柱、３はＸ線吸収層、４はマスクマーク、５は位
置合せ用透過窓である。Ｘ線透過基板１はＸ線の減衰が
小さい材料の薄膜で構成される。また、位置合せ用透過
窓５を通して半導体ウエハ上に設けたウエハマークとの
位置合せを行うために、例えば半導体レーザ光、Ｈｅ−
Ｎｅレーザ光などの可視光領域及び可視光領域付近の位
置検出光に対しても減衰が小さい材料の薄膜が要求され
る。検出に用いるＸ線の波長が４〜１５Åの場合、材料
としてはＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＳｉＯ２な
どが優れている。補強支柱２はＸ線透過基板１を平坦に
保ち、また実際の取扱いを容易にするように機械的強度
を持たせるためのもので材料としてはＳｉ、ＳｉＯ２な
どが用いられている。Ｘ線吸収層３は薄膜でＸ線の減衰
が大きいように、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔなどの重金属を用い
、イオンエッチング法、メッキ法などの方法で半導体集
積回路のパタンが形成される。マスクマーク４は半導体
集積回路パタンの周辺部に設けられ、Ｘ線吸収層から成
る。
伴い、微細パタンを高精度にウエハ上に形成する技術の
進展が不可欠のものとなっている。Ｘ線露光法は、Ｘ線
感光性高分子にＸ線が照射されて生じた光・オージェ電
子が高分子の結合、切断を誘起し、Ｘ線照射部分と未照
射部分の高分子の溶剤に対する溶解速度が変化すること
を利用している。Ｘ線の直進性が優れていること、光・
オージェ電子のエネルギーが高分子に及ぼす相互作用範
囲が小さいなどの理由から、従来用いられてきた電子ビ
ーム露光、紫外線露光に比較して高精度微細パタンの形
成に有利である。Ｘ線マスクは、基本的にはＸ線に対し
て不透明なＸ線吸収層、これを支持するＸ線透過基板、
補強支柱から構成されている。図３は従来のＸ線マスク
の構造を模式的に示すもので、１はＸ線透過基板、２は
補強支柱、３はＸ線吸収層、４はマスクマーク、５は位
置合せ用透過窓である。Ｘ線透過基板１はＸ線の減衰が
小さい材料の薄膜で構成される。また、位置合せ用透過
窓５を通して半導体ウエハ上に設けたウエハマークとの
位置合せを行うために、例えば半導体レーザ光、Ｈｅ−
Ｎｅレーザ光などの可視光領域及び可視光領域付近の位
置検出光に対しても減衰が小さい材料の薄膜が要求され
る。検出に用いるＸ線の波長が４〜１５Åの場合、材料
としてはＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＳｉＯ２な
どが優れている。補強支柱２はＸ線透過基板１を平坦に
保ち、また実際の取扱いを容易にするように機械的強度
を持たせるためのもので材料としてはＳｉ、ＳｉＯ２な
どが用いられている。Ｘ線吸収層３は薄膜でＸ線の減衰
が大きいように、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔなどの重金属を用い
、イオンエッチング法、メッキ法などの方法で半導体集
積回路のパタンが形成される。マスクマーク４は半導体
集積回路パタンの周辺部に設けられ、Ｘ線吸収層から成
る。
【０００３】図４は従来のＸ線マスクを用いたＸ線露光
法（特願昭６１−１０４１８６号）の説明図で６は半導
体ウエハ、７はウエハマーク、８、９は入射光、１０、
１１は所望の回折光、１２はＸ線感光性膜である。微細
パタンを高精度に半導体ウエハ６に形成するため、Ｘ線
感光性膜１２を半導体ウエハ６上に形成し、Ｘ線を用い
てＸ線透過基板１上に形成されたＸ線吸収層３から成る
微細ＬＳＩパタンをＸ線感光性膜１２に転写する。この
とき、半導体ウエハ６とＸ線マスクとの間隔をギャップ
と呼び、転写されるパタンの解像性はギャップに大きく
影響される。通常、０．１〜０．３μｍの微細パタンを
形成するためには、ギャップは、１０〜３０μｍに設定
する必要がある。また、Ｘ線透過基板１上に形成された
Ｘ線吸収層３から成る微細ＬＳＩパタンを半導体ウエハ
６上の所定の位置に精度良く転写する必要があり、半導
体ウエハ６とＸ線マスクとの位置合せ（アライメント）
が重要である。図４の例では、アライメント法として回
折格子を用いた光ヘテロダイン干渉法を利用しており、
半導体ウエハ６とＸ線マスクとの位置ずれ量を光ヘテロ
ダイン干渉した回折光のビート信号の位相差から検出し
高精度化を図っている。Ｘ線マスク上に形成したＸ線吸
収層３からなる回折格子（マスクマーク４）と半導体ウ
エハ６上に形成した基板段差からなる回折格子（ウエハ
マーク７）に２波長のレーザ光８、９を入射し、マスク
、及びウエハマークからそれぞれ出射する光ヘテロダイ
ン干渉回折光１０と１１との位相差を光電変換したビー
ト信号から検出し、位置合せを行っている。光ヘロテダ
イン干渉回折光１１を検出するために、ウエハマークに
対向したＸ線マスク側は位置合せ用透過窓５が形成され
ている。
法（特願昭６１−１０４１８６号）の説明図で６は半導
体ウエハ、７はウエハマーク、８、９は入射光、１０、
１１は所望の回折光、１２はＸ線感光性膜である。微細
パタンを高精度に半導体ウエハ６に形成するため、Ｘ線
感光性膜１２を半導体ウエハ６上に形成し、Ｘ線を用い
てＸ線透過基板１上に形成されたＸ線吸収層３から成る
微細ＬＳＩパタンをＸ線感光性膜１２に転写する。この
とき、半導体ウエハ６とＸ線マスクとの間隔をギャップ
と呼び、転写されるパタンの解像性はギャップに大きく
影響される。通常、０．１〜０．３μｍの微細パタンを
形成するためには、ギャップは、１０〜３０μｍに設定
する必要がある。また、Ｘ線透過基板１上に形成された
Ｘ線吸収層３から成る微細ＬＳＩパタンを半導体ウエハ
６上の所定の位置に精度良く転写する必要があり、半導
体ウエハ６とＸ線マスクとの位置合せ（アライメント）
が重要である。図４の例では、アライメント法として回
折格子を用いた光ヘテロダイン干渉法を利用しており、
半導体ウエハ６とＸ線マスクとの位置ずれ量を光ヘテロ
ダイン干渉した回折光のビート信号の位相差から検出し
高精度化を図っている。Ｘ線マスク上に形成したＸ線吸
収層３からなる回折格子（マスクマーク４）と半導体ウ
エハ６上に形成した基板段差からなる回折格子（ウエハ
マーク７）に２波長のレーザ光８、９を入射し、マスク
、及びウエハマークからそれぞれ出射する光ヘテロダイ
ン干渉回折光１０と１１との位相差を光電変換したビー
ト信号から検出し、位置合せを行っている。光ヘロテダ
イン干渉回折光１１を検出するために、ウエハマークに
対向したＸ線マスク側は位置合せ用透過窓５が形成され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
Ｘ線マスクを用いたＸ線露光では、前記Ｘ線マスクと半
導体ウエハとが数十μｍに近接して配置されているため
、入射光８，９或いは入射光によって生じた回折光の一
部は、Ｘ線マスク、半導体ウエハ面で多重反射し、回折
光１０、１１と同一方向に出射する。図５にマスクマー
ク４、及びウエハマーク７である回折格子部での多重反
射の様子を示す。図５（ａ）はマスクマーク部、（ｂ）
はウエハマーク部である。破線で示した回折光１３はＸ
線マスク上の回折格子で透過回折し半導体ウエハ面で反
射した回折光、回折光１４はマスク回折格子を透過し半
導体ウエハ面で反射しマスク回折格子で透過回折した回
折光、回折光１５はウエハ回折格子で反射回折した後、
マスク及びウエハ面で反射した回折光、回折光１６はマ
スク及びウエハ面で反射した後、ウエハ回折格子で反射
回折した回折光である。図５ではマスク及びウエハ面で
それぞれ１回反射した回折光のみを示したが実際にはさ
らに反射、回折した回折光が存在する。また、入射光９
についての多重反射の様子を示したが、左右対称の入射
光８についても同様のことが言える。
Ｘ線マスクを用いたＸ線露光では、前記Ｘ線マスクと半
導体ウエハとが数十μｍに近接して配置されているため
、入射光８，９或いは入射光によって生じた回折光の一
部は、Ｘ線マスク、半導体ウエハ面で多重反射し、回折
光１０、１１と同一方向に出射する。図５にマスクマー
ク４、及びウエハマーク７である回折格子部での多重反
射の様子を示す。図５（ａ）はマスクマーク部、（ｂ）
はウエハマーク部である。破線で示した回折光１３はＸ
線マスク上の回折格子で透過回折し半導体ウエハ面で反
射した回折光、回折光１４はマスク回折格子を透過し半
導体ウエハ面で反射しマスク回折格子で透過回折した回
折光、回折光１５はウエハ回折格子で反射回折した後、
マスク及びウエハ面で反射した回折光、回折光１６はマ
スク及びウエハ面で反射した後、ウエハ回折格子で反射
回折した回折光である。図５ではマスク及びウエハ面で
それぞれ１回反射した回折光のみを示したが実際にはさ
らに反射、回折した回折光が存在する。また、入射光９
についての多重反射の様子を示したが、左右対称の入射
光８についても同様のことが言える。
【０００５】このように、上記従来のＸ線マスクでは、
所望の回折光１０、或いは１１に不要の回折光１３，１
４、或いは１５，１６が干渉する。そして、これら多重
干渉回折光は、マスク、ウエハ回折格子の格子面に垂直
な方向に対しての間隔、即ちギャップの微小変動に敏感
となり、λ／２（λは位置検出に用いるレーザ光の波長
）のギャップ変動を周期として強度変動を生ずる。従っ
て、この強度変動はビート信号の振幅変動となって現れ
、位相差検出信号を不安定化させ、位置合せ精度を劣化
させるという欠点を有していた。
所望の回折光１０、或いは１１に不要の回折光１３，１
４、或いは１５，１６が干渉する。そして、これら多重
干渉回折光は、マスク、ウエハ回折格子の格子面に垂直
な方向に対しての間隔、即ちギャップの微小変動に敏感
となり、λ／２（λは位置検出に用いるレーザ光の波長
）のギャップ変動を周期として強度変動を生ずる。従っ
て、この強度変動はビート信号の振幅変動となって現れ
、位相差検出信号を不安定化させ、位置合せ精度を劣化
させるという欠点を有していた。
【０００６】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、位相差検出信号を安定化させて位置合せの高精度
を可能としたＸ線露光用マスクを提供することを目的と
している。
ので、位相差検出信号を安定化させて位置合せの高精度
を可能としたＸ線露光用マスクを提供することを目的と
している。
【０００７】
【課題を課題するための手段】前述の問題を解決するた
めに、本発明は、上記Ｘ線露用マスクの両面、或いはい
ずれか一方の面の全面、もしくはウエハマークと対向し
たＸ線透過窓領域を含む一部分に上記位置検出用レーザ
光を透過する物質からなる反射防止膜を形成し、且つ上
記Ｘ線露用マスクの前記Ｘ線感光性膜と対向する面の全
面、もしくはマスクマークを含む一部分に上記位置検出
用レーザ光の透過を妨げる物質からなる不透明膜を形成
し、多重反射の影響を軽減させて位置合せを行うことを
特徴とするものである。
めに、本発明は、上記Ｘ線露用マスクの両面、或いはい
ずれか一方の面の全面、もしくはウエハマークと対向し
たＸ線透過窓領域を含む一部分に上記位置検出用レーザ
光を透過する物質からなる反射防止膜を形成し、且つ上
記Ｘ線露用マスクの前記Ｘ線感光性膜と対向する面の全
面、もしくはマスクマークを含む一部分に上記位置検出
用レーザ光の透過を妨げる物質からなる不透明膜を形成
し、多重反射の影響を軽減させて位置合せを行うことを
特徴とするものである。
【０００８】
【作用】ウエハマークと対向したＸ線透過窓領域に反射
防止膜を形成することにより、位置検出用レーザ光に対
しマスク側の透過率が向上し、マスク面での反射光強度
が小さくなる。また、ウエハ側のＸ線感光性膜面と対向
するマスタマーク部に不透明膜を形成することにより、
マスク面を透過しウエハ側に達するレーザ光強度が小さ
くなる。従って、多重反対による干渉の影響が無くなり
、ビート信号の振幅変動が小さく信号処理が容易となり
安定した位相差信号が得られ、高精度の位置合せが可能
となる。
防止膜を形成することにより、位置検出用レーザ光に対
しマスク側の透過率が向上し、マスク面での反射光強度
が小さくなる。また、ウエハ側のＸ線感光性膜面と対向
するマスタマーク部に不透明膜を形成することにより、
マスク面を透過しウエハ側に達するレーザ光強度が小さ
くなる。従って、多重反対による干渉の影響が無くなり
、ビート信号の振幅変動が小さく信号処理が容易となり
安定した位相差信号が得られ、高精度の位置合せが可能
となる。
【０００９】
【実施例】以下、図１、図２を参照して本発明の実施例
を説明する。図１は、本発明に係わるＸ線露光用マスク
の一実施例、即ち半導体ＩＣやＬＳＩを製造するための
Ｘ線露光装置に適用するＸ線マスクを示した図である。 図１において、１はＸ線透過基板、２は補強支柱、３は
Ｘ線吸収層、４はマスクマーク、５は位置合せ用透過窓
、１７はＸ線吸収層でＬＳＩパタンを形成したデバイズ
領域、１８はＸ線透過基板の薄膜化領域（メンブレン領
域）、１９は反射防止膜領域、２０は不透明膜領域であ
る。Ｘ線マスクと半導体ウエハとの位置合せに用いるマ
スクマーク４と位置合せ用透過窓５は、デバイズ領域１
７の周辺４箇所に配置された例を示す。図２は、本発明
に係わるＸ線マスクの位置合せに用いるマスクマーク４
（回折格子部）と位置合せ用透過窓５及び半導体ウエハ
の位置合せマークである回折格子部の詳細を示した図で
ある。
を説明する。図１は、本発明に係わるＸ線露光用マスク
の一実施例、即ち半導体ＩＣやＬＳＩを製造するための
Ｘ線露光装置に適用するＸ線マスクを示した図である。 図１において、１はＸ線透過基板、２は補強支柱、３は
Ｘ線吸収層、４はマスクマーク、５は位置合せ用透過窓
、１７はＸ線吸収層でＬＳＩパタンを形成したデバイズ
領域、１８はＸ線透過基板の薄膜化領域（メンブレン領
域）、１９は反射防止膜領域、２０は不透明膜領域であ
る。Ｘ線マスクと半導体ウエハとの位置合せに用いるマ
スクマーク４と位置合せ用透過窓５は、デバイズ領域１
７の周辺４箇所に配置された例を示す。図２は、本発明
に係わるＸ線マスクの位置合せに用いるマスクマーク４
（回折格子部）と位置合せ用透過窓５及び半導体ウエハ
の位置合せマークである回折格子部の詳細を示した図で
ある。
【００１０】図２において（ａ）はマスク回折格子部、
（ｂ）はウエハ回折格子部である。１はＸ線透過基板、
３はＸ線吸収層、６は半導体ウエハ、１２はＸ線感光性
高分子膜、９は入射光、１０、１１は所望の回折光、１
９は反射防止膜、２０は不透明膜、２１、２２、２３、
２４は不要な多重反射回折光である。不透明膜２０、即
ち半導体製造プロセスで用いられているレジスト工程、
プロセス層堆積工程、エッチング工程、リフトオフ工程
等の技術を利用して、アライメント用の検出光に対して
光を透しにくく、不透明となるように構成された単一の
物質からなる単一層、或いは複数の物質からなる複数層
の膜領域を形成することにより、（ａ）で破線で示した
Ｘ線マスク上の回折格子で透過回折し半導体ウエハ面で
反射し、再びＸ線マスクを透過した回折光２１、マスク
回折格子を透過し半導体ウエハ面で反射しマスク回折格
子で透過回折した回折光２２、いずれもＸ線マスクを透
過、或いは透過回折する際に不透明膜領域により光強度
が減衰し、回折光１０との干渉にほとんど寄与しなくな
る。
（ｂ）はウエハ回折格子部である。１はＸ線透過基板、
３はＸ線吸収層、６は半導体ウエハ、１２はＸ線感光性
高分子膜、９は入射光、１０、１１は所望の回折光、１
９は反射防止膜、２０は不透明膜、２１、２２、２３、
２４は不要な多重反射回折光である。不透明膜２０、即
ち半導体製造プロセスで用いられているレジスト工程、
プロセス層堆積工程、エッチング工程、リフトオフ工程
等の技術を利用して、アライメント用の検出光に対して
光を透しにくく、不透明となるように構成された単一の
物質からなる単一層、或いは複数の物質からなる複数層
の膜領域を形成することにより、（ａ）で破線で示した
Ｘ線マスク上の回折格子で透過回折し半導体ウエハ面で
反射し、再びＸ線マスクを透過した回折光２１、マスク
回折格子を透過し半導体ウエハ面で反射しマスク回折格
子で透過回折した回折光２２、いずれもＸ線マスクを透
過、或いは透過回折する際に不透明膜領域により光強度
が減衰し、回折光１０との干渉にほとんど寄与しなくな
る。
【００１１】また、反射防止膜１９、即ち半導体製造プ
ロセスで用いられているレジスト工程、プロセス層堆積
工程、エッチング工程、リフトオフ工程等の技術を利用
して、アライメント用の検出光に対して光を透しやすく
、透過率の良くなるように構成された単一の物質からな
る単一層、或いは複数の物質からなる複数層の膜領域を
形成することにより、（ｂ）で破線で示したウエハ回折
格子で反射回折した後、マスク及びウエハ面で反射した
回折光２３、マスク及びウエハ面で反射した後、ウエハ
回折格子で反射回折した回折光２４、いずれも位置合せ
用透過窓５であるＸ線マスク面でほとんど反射せず透過
してしまうため、回折光１１との干渉に寄与しない。 従って、回折光１０，１１は、多重反射の影響を受けな
い安定なビート信号として検出できる。図２ではマスク
及びウエハ面でそれぞれ１回反射した回折光のみを示し
たが、２次以降の反射光についてはさらに反射防止膜、
不透明膜の効果は大となる。また、入射光９についての
多重反射の様子を示したが、左右対称の入射光８につい
ても同様のことが言える。
ロセスで用いられているレジスト工程、プロセス層堆積
工程、エッチング工程、リフトオフ工程等の技術を利用
して、アライメント用の検出光に対して光を透しやすく
、透過率の良くなるように構成された単一の物質からな
る単一層、或いは複数の物質からなる複数層の膜領域を
形成することにより、（ｂ）で破線で示したウエハ回折
格子で反射回折した後、マスク及びウエハ面で反射した
回折光２３、マスク及びウエハ面で反射した後、ウエハ
回折格子で反射回折した回折光２４、いずれも位置合せ
用透過窓５であるＸ線マスク面でほとんど反射せず透過
してしまうため、回折光１１との干渉に寄与しない。 従って、回折光１０，１１は、多重反射の影響を受けな
い安定なビート信号として検出できる。図２ではマスク
及びウエハ面でそれぞれ１回反射した回折光のみを示し
たが、２次以降の反射光についてはさらに反射防止膜、
不透明膜の効果は大となる。また、入射光９についての
多重反射の様子を示したが、左右対称の入射光８につい
ても同様のことが言える。
【００１２】図１の実施例では、反射防止膜領域１９と
して、マスクマーク４と位置合せ用透過窓５を含む領域
としたが、アライメント用の位置検出光を効率良く透過
させる、少なくとも位置合せ用透過窓５を含めば形成領
域に制約はなく、例えば、反射防止膜が露光に使用する
Ｘ線の透過の妨げにならなければマスク面全体に形成し
ても効果は変わらない。また、位置検出光に対して透過
率が良く、ウエハマークと対向するＸ線マスク側の面で
の反射率が小さいならば、位置合せ用透過窓５の両面に
反射防止膜を形成する必要はなく、いずれか一方の面に
のみ反射防止膜を形成しても同様の効果が得られる。位
置合せ用透過窓５での位置検出光の透過率としては少な
くとも７０〜８０％あれば十分である。また、第１の実
施例では、不透明膜領域２０として、マスクマーク４を
含む領域としたが、ウエハマークと対向するＸ線マスク
側の面について、少なくともマスクマーク４を含み位置
検出光のマスクマーク４からの透過を妨げ、位置検出光
の透過の妨げにならないように位置合せ用透過窓５を含
まないという条件を満たせば形成領域に制約はなく同様
の効果が得られる。さらに、第１の実施例では、反射防
止膜領域１９と不透明膜領域２０との両者をＸ線マスク
に適用した例について述べたが、Ｘ線透過基板１が位置
検出光に対して透過率が良ければ、不透明膜領域２０の
みを適用しても同様の効果が得られる。
して、マスクマーク４と位置合せ用透過窓５を含む領域
としたが、アライメント用の位置検出光を効率良く透過
させる、少なくとも位置合せ用透過窓５を含めば形成領
域に制約はなく、例えば、反射防止膜が露光に使用する
Ｘ線の透過の妨げにならなければマスク面全体に形成し
ても効果は変わらない。また、位置検出光に対して透過
率が良く、ウエハマークと対向するＸ線マスク側の面で
の反射率が小さいならば、位置合せ用透過窓５の両面に
反射防止膜を形成する必要はなく、いずれか一方の面に
のみ反射防止膜を形成しても同様の効果が得られる。位
置合せ用透過窓５での位置検出光の透過率としては少な
くとも７０〜８０％あれば十分である。また、第１の実
施例では、不透明膜領域２０として、マスクマーク４を
含む領域としたが、ウエハマークと対向するＸ線マスク
側の面について、少なくともマスクマーク４を含み位置
検出光のマスクマーク４からの透過を妨げ、位置検出光
の透過の妨げにならないように位置合せ用透過窓５を含
まないという条件を満たせば形成領域に制約はなく同様
の効果が得られる。さらに、第１の実施例では、反射防
止膜領域１９と不透明膜領域２０との両者をＸ線マスク
に適用した例について述べたが、Ｘ線透過基板１が位置
検出光に対して透過率が良ければ、不透明膜領域２０の
みを適用しても同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクとウエハ間での反射による多重干渉の影響を軽減さ
せることができるので位相差信号が安定化し、位置合せ
の高精度化という効果が得られる。
スクとウエハ間での反射による多重干渉の影響を軽減さ
せることができるので位相差信号が安定化し、位置合せ
の高精度化という効果が得られる。
【図１】本発明のＸ線マスクの断面構造模式図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明のＸ線露光法における
多重反射を説明する図である。
多重反射を説明する図である。
【図３】従来のＸ線マスクの断面構造模式図である。
【図４】従来のＸ線露光法を説明する図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は従来のＸ線露光法における多
重反射を説明する図である。
重反射を説明する図である。
１ Ｘ線透過基板
２ 補強支柱
３ Ｘ線吸収層
４ マスクマーク
５ 位置合せ用透過窓
６ 半導体ウエハ
７ ウエハマーク
８，９ 入射光
１０，１１ 所望の光ヘテロダイン干渉回折光１２
Ｘ線感光性高分子膜 １３，１４，１５，１６ 不要な多重反射回折光１７
デバイス領域 １８ メンブレン領域 １９ 反射防止膜領域 ２０ 不透明膜領域
Ｘ線感光性高分子膜 １３，１４，１５，１６ 不要な多重反射回折光１７
デバイス領域 １８ メンブレン領域 １９ 反射防止膜領域 ２０ 不透明膜領域
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｘ線透過基板にＸ線吸収層を備えてな
り、Ｘ線感光性膜が付着された半導体ウエハとの位置合
わせに用いられる位置検出光の透過を妨げる物質からな
る不透明膜領域を、前記Ｘ線感光性膜と対向する面の全
部もしくは一部に被覆してなることを特徴とするＸ線露
光用マスク。 - 【請求項２】 前記位置検出光を透過させる物質から
なる反射防止膜領域を、両面あるいは一方の面の全部も
しくは一部に被覆してなることを特徴とする請求項１記
載のＸ線露光用マスク。 - 【請求項３】 位置合わせ用に形成された前記半導体
ウエハのマーク領域と対向位置に設けられた透過窓領域
にのみ、前記反射防止膜領域を設けてなることを特徴と
する請求項２記載のＸ線露光用マスク。 - 【請求項４】 位置合わせ用に形成されたマーク領域
にのみ、前記不透明膜領域を設けてなることを特徴とす
る請求項１、２または３記載のＸ線露光用マスク。 - 【請求項５】 前記反射防止膜領域は、前記位置検出
光を透過しやすい物質からなる一層あるいは複数層の膜
から形成されてなることを特徴とする請求項２記載のＸ
線露光用マスク。 - 【請求項６】 前記不透明膜領域は、前記位置検出光
を透過しにくい物質からなる一層あるいは複数層の膜か
ら形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＸ線
露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14899391A JP2622318B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14899391A JP2622318B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372112A true JPH04372112A (ja) | 1992-12-25 |
| JP2622318B2 JP2622318B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=15465306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14899391A Expired - Fee Related JP2622318B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622318B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326002A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-11-25 | Toshiba Corp | 位置合せ装置 |
| US5553110A (en) * | 1993-11-19 | 1996-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, process for production thereof, apparatus and method for X-ray exposure with the X-ray mask structure, and semiconductor device produced by the X-ray exposure method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237013A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線マスク |
| JPH02241019A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Canon Inc | Ｘ線マスクブランクス、ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
| JPH02241020A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Canon Inc | Ｘ線マスクブランクス、ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
| JPH02293748A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Matsushita Electron Corp | マスクならびにマスクとウエーハとの位置合わせ方法 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14899391A patent/JP2622318B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237013A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線マスク |
| JPH02241019A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Canon Inc | Ｘ線マスクブランクス、ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
| JPH02241020A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Canon Inc | Ｘ線マスクブランクス、ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
| JPH02293748A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Matsushita Electron Corp | マスクならびにマスクとウエーハとの位置合わせ方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326002A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-11-25 | Toshiba Corp | 位置合せ装置 |
| US5553110A (en) * | 1993-11-19 | 1996-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, process for production thereof, apparatus and method for X-ray exposure with the X-ray mask structure, and semiconductor device produced by the X-ray exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2622318B2 (ja) | 1997-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |