JPH0481854B2 - - Google Patents

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JPH0481854B2
JPH0481854B2 JP59242418A JP24241884A JPH0481854B2 JP H0481854 B2 JPH0481854 B2 JP H0481854B2 JP 59242418 A JP59242418 A JP 59242418A JP 24241884 A JP24241884 A JP 24241884A JP H0481854 B2 JPH0481854 B2 JP H0481854B2
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JP
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nitride film
film
aluminum nitride
boron nitride
mask holder
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JP59242418A
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JPS61121055A (ja
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Hideo Kato
Masaaki Matsushima
Keiko Matsuda
Hirofumi Shibata
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Canon Inc
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Publication of JPH0481854B2 publication Critical patent/JPH0481854B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はX線リソグラフイー法及びそれに使用
されるマスク保持体に関する。
[従来の技術] X線リソグラフイーは、X線固有の直進性、非
干渉性、低回折法などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
X線リソグラフイーは可視光や紫外光によるリ
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、X線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
その中でX線リソグラフイー用マスクを取上げ
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体(即ち光線透過体)としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、X線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が1
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのX線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も1〜2mmと厚くせざるを得ないためX線を充分
に透過させないので、これらはX線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
X線透過率は一般に物質の密度に依存するた
め、X線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
(Be)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
これらの物質をX線リソグラフイー用マスク保
持体の材料として実際に用いるためには、X線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μm以下、有
機物の場合で数十μm以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるX線リ
ソグラフイー用マスク(即ちX線吸収体)として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μm厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記X線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
しかして、以上の如き従来のX線リソグラフイ
ーにおいては、マスク保持体のX線透過率が低
く、このため十分なX線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
[発明の目的] 本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、X線透
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてX線
リソグラフイーを良好に実施することを目的とす
る。
[発明の概要] 本発明によれば、以上の如き目的は、マスク保
持体を少なくとも窒化アルミニウムと窒化ボロン
との積層体により形成することによつて達成され
る。
[実施例] 本発明によるマスク保持体を構成する積層体は
窒化アルミニウムと窒化ボロンとの2層からなる
ものであつてもよいし、または窒化アルミニウム
及び窒化ボロンの少なくとも一方を2層以上用い
て全体として3層以上からなるものとしてもよ
い。
本発明によるマスク保持体を構成する積層体に
おいて、特に耐薬品性の優れた窒化ボロンを窒化
アルミニウム膜の保護膜として積層させた場合に
は、X線透過性、光透過性、熱伝導性、電気伝導
性、耐薬品性等の膜特性に非常に優れた積層膜と
なる。
更に、本発明によるマスク保持体を構成する積
層体は窒化アルミニウムと窒化ボロンと無機物と
を用いて3層以上からなるものとしてもよい。無
機物としては少なくとも膜形成性及びX線透過性
を有するものを使用することができる。この様な
無機物としては、たとえば窒化シリコン、酸化シ
リコン、炭化シリコン、チタン等が例示される。
更に、本発明によるマスク保持体を構成する積
層体は窒化アルミニウムと窒化ボロンと有機物と
を用いて3層以上からなるものとしてもよい。有
機物としては少なくとも膜形成性及びX線透過性
を有するものを使用することができ、この様な有
機物としては、たとえばポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル、パリレン(ユニオンカーバイ
ド社製)等を例示することができる。
これらポリイミド等の有機物を積層させた場合
には、該積層体は特に強度の点で良好な膜特性を
示す。
更に、本発明によるマスク保持体を構成する積
層体は窒化アルミニウムと窒化ボロンと上記の様
な無機物と上記の様な有機物とを用いて4層以上
からなるものとしてもよい。
本発明によるマスク保持体の厚さは特に制限さ
れることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば2〜20μm程度とするのが有利であ
る。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
実施例 1 第1図aに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー1の両面に1μm厚の酸化シリコ
ン膜2を形成した。
次に、第1図bに示される様に、プラズマ
CVD法により、シリコンウエハー1の片面側の
酸化シリコン膜2上に0.5μm厚の窒化ボロン膜3
を形成した後、リアクテイブスパツタ法によりア
ルミニウム(Al)ターゲツト、アルゴン(Ar):
窒素(N2)=1:1の混合ガス、ガス圧8×
10-3Torr、放電電力200Wで1μm厚の窒化アルミ
ニウム膜4を形成した。
次に、第1図cに示される様に、窒化アルミニ
ウム膜4上に保護のためのタール系塗料層6を形
成した。
次に、第1図dに示される様に、露出している
酸化シリコン膜2の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜2を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス(シエル化学社製)の層7を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層7を除去した。
次に、第1図eに示される様に、3%フツ酸水
溶液中で電解エツチング(電流密度0.2A/dm2
を行ない、シリコンウエハー1の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第1図fに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜2を除去した。
次に、第1図gに示される様に、リングフレー
ム(パイレツクス製、内径7.5cm、外径9cm、厚
さ5mm)8の一面にエポキシ系接着剤9を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー1の
窒化ボロン膜3及び窒化アルミニウム膜4形成面
側と反対の面を接着した。
次に、第1図hに示される様に、アセトンでタ
ール系塗料層6を除去した。
かくしてリングフレーム8及びシリコンウエハ
ー1により固定された状態の窒化ボロン膜3及び
窒化アルミニウム膜4の積層体からなるX線リソ
グラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化ボロン膜;窒化
アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は特
に透光性、耐薬品性が良好であつた。
実施例 2 実施例1の工程において、窒化ボロン膜3及び
窒化アルミニウム膜4を形成した後に、窒化アル
ミニウム膜4上に保護のためのタール系塗料層を
形成した。
以下、実施例1と同様にして、酸化シリコン膜
2の所定の部分及びシリコンウエハー1の円形の
中央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、窒化アルミニウム膜4上にフオトレジス
トAZ−1370(シプレー社製)を塗布した。
次に、ステツパーを用いてマスクパターンを縮
小投影しレジストの焼付を行なつた後に所定の処
理を行ない、レジストパターンを得た。
次に、蒸着により上記レジストパターン上に
0.5μm厚にタンタル(Ta)層を形成した。
次に、アセトンを用いてレジストを除去し、タ
ンタル膜パターンを得た。
以下、実施例1と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化ボロン膜と窒化
アルミニウム膜との積層体からなるマスク保持体
を用いたX線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの窒化ボロン
膜;窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク保
持体は特に透光性、耐薬品性が良好であつた。
実施例 3 第2図aに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー1の両面に1μm厚の酸化シリコ
ン膜2を形成した。
次に、第2図bに示される様に、プラズマ
CVD法により、シリコンウエハー1の片面側の
酸化シリコン膜2上に0.5μm厚の窒化ボロン膜3
を形成した後、リアクテイブスパツタ法によりア
ルミニウム(Al)ターゲツト、アルゴン(Ar):
窒素(N2)=1:1の混合ガス、ガス圧8×
10-3Torr、放電電力200Wで1μm厚の窒化アルミ
ニウム膜4を形成し、更にその上に上記と同様に
してプラズマCVD法により0.5μm厚の窒化ボロ
ン膜5を形成した。
次に、第2図cに示される様に、窒化ボロン膜
5上に保護のためのタール系塗料層6を形成し
た。
次に、第2図dに示される様に、露出している
酸化シリコン膜2の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜2を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス(シエル化学社製)の層7を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層7を除去した。
次に、第2図eに示される様に、3%フツ酸水
溶液中で電解エツチング(電流密度0.2A/dm2
を行ない、シリコンウエハー1の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第2図fに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜2を除去した。
次に、第2図gに示される様に、リングフレー
ム(パイレツクス製、内径7.5cm、外径9cm、厚
さ5mm)8の一面にエポキシ系接着剤9を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー1の
窒化ボロン膜3,5及び窒化アルミニウム膜4形
成面側と反対の面を接着した。
次に、第2図hに示される様に、アセトンでタ
ール系塗料層6を除去した。
かくしてリングフレーム8及びシリコンウエハ
ー1により固定された状態の窒化ボロン膜3,5
及び窒化アルミニウム膜4の積層体からなるX線
リソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化ボロン膜;窒化
アルミニウム膜;窒化ボロン膜の構成を有するマ
スク保持体は特に透光性、耐薬品性が良好であつ
た。
実施例 4 実施例3の工程において、窒化ボロン膜3,5
及び窒化アルミニウム膜4を形成した後に、窒化
ボロン膜5上に保護のためのタール系塗料層を形
成した。
以下、実施例3と同様にして、酸化シリコン膜
2の所定の部分及びシリコンウエハー1の円形の
中央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、窒化シリコン膜5上にスピンコートによ
りフオトレジストRD−200N(日立化成社製)の
層を1.2μm厚に形成した。
次に、石英−クロムマスクを用いて遠紫外光に
よりをレジストの焼付を行なつた後に規定の処理
を行ない、マスクに対しネガ型のレジストパター
ンを得た。
次に、エレクトロンビーム蒸着機を用いて上記
レジストパターン上にタンタル(Ta)を0.5μm
厚に蒸着した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、
リフトオフ法によりタンタル膜パターンを得た。
以下、実施例3と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化ボロン膜と窒化
アルミニウム膜との積層体からなるマスク保持体
を用いたX線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの窒化ボロン
膜;窒化アルミニウム膜;窒化ボロン膜の構成を
有するマスク保持体は特に透光性、耐薬品性が良
好であつた。
実施例 5 実施例3と同様の方法により、但し窒化ボロン
膜5の形成にかえて窒化シリコン膜の形成を行な
うことにより、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化ボロン膜;窒化
アルミニウム膜;窒化シリコン膜の構成を有する
積層体からなるX線リソグラフイー用マスク保持
体を得た。
実施例 6 実施例3と同様の方法により、但し窒化ボロン
膜3の形成にかえて窒化シリコン膜の形成を行な
うことにより、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリコン膜;窒
化アルミニウム膜;窒化ボロン膜の構成を有する
積層体からなるX線リソグラフイー用マスク保持
体を得た。
実施例 7 実施例6と同様の方法により、但し窒化シリコ
ン膜の形成と窒化アルミニウム膜の形成との順序
を逆にして行なうことにより、リングフレーム及
びシリコンウエハーにより固定された状態の窒化
アルミニウム膜;窒化シリコン膜;窒化ボロン膜
の構成を有する積層体からなるX線リソグラフイ
ー用マスク保持体を得た。
実施例 8 実施例6と同様の方法により、但し窒化アルミ
ニウム膜の形成と窒化ボロン膜の形成との順序を
逆にして行なうことにより、リングフレーム及び
シリコンウエハーにより固定された状態の窒化シ
リコン膜;窒化ボロン膜;窒化アルミニウム膜の
構成を有する積層体からなるX線リソグラフイー
用マスク保持体を得た。
実施例 9 実施例1の工程において窒化アルミニウム膜上
に更にPIQ液(ポリイミド前駆体、日立化成社
製)をスピンコートした後に、50〜350℃で4時
間のキユアーを行なつて2μm厚のポリイミド膜
を形成することを除いて、実施例1と同様の工程
を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の窒化ボロン膜;窒化アル
ミニウム膜;ポリイミド膜の構成を有する積層体
からなるX線リソグラフイー用マスク保持体を得
た。
本実施例において得られた窒化ボロン膜;窒化
アルミニウム膜;ポリイミド膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度が良好であつた。
実施例 10 実施例9と同様の方法により、但し窒化ボロン
膜の形成と窒化アルミニウム膜の形成との順序を
逆にして行なうことにより、リングフレーム及び
シリコンウエハーにより固定された状態の窒化ア
ルミニウム膜;窒化ボロン膜;ポリイミド膜の構
成を有する積層体からなるX線リソグラフイー用
マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化アルミニウム
膜;窒化ボロン膜;ポリイミド膜の構成を有する
マスク保持体は特に強度が良好であつた。
実施例 11 実施例9と同様の方法により、但し窒化アルミ
ニウム膜の形成とポリイミド膜の形成との順序を
逆にして行なうことにより、リングフレーム及び
シリコンウエハーにより固定された状態の窒化ボ
ロン膜;ポリイミド膜;窒化アルミニウム膜の構
成を有する積層体からなるX線リソグラフイー用
マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化ボロン膜;ポリ
イミド膜;窒化アルミニウム膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度が良好であつた。
実施例 12 実施例6の工程において窒化ボロン膜を形成し
た後に更に実施例9におけると同様にして2μm
厚のポリイミド膜を形成することを除いて、実施
例6と同様の工程を行ない、リングフレーム及び
シリコンウエハーにより固定された状態の窒化シ
リコン膜;窒化アルミニウム膜;窒化ボロン膜;
ポリイミド膜の構成を有する積層体からなるX線
リソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化シリコン膜;窒
化アルミニウム膜;窒化ボロン膜;ポリイミド膜
の構成を有するマスク保持体は特に強度が良好で
あつた。
実施例 13 実施例1の工程において窒化ボロン膜3の形成
の前に実施例1におけると同様にして1μm厚の
窒化アルミニウム膜を形成しておくことを除い
て、実施例1と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の窒化アルミニウム膜;窒
化ボロン膜;窒化アルミニウム膜の構成を有する
積層体からなるX線リソグラフイー用マスク保持
体を得た。
本実施例において得られた窒化アルミニウム
膜;窒化ボロン膜;窒化アルミニウム膜の構成を
有するマスク保持体は特に透光性及び放熱性が良
好であつた。
[発明の効果] 以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構
成要素として用いられる窒化アルミニウムはX線
透過率及び可視光線透過率が高く(1μm厚の光
学濃度が約0.01)、熱膨張率が低く(3〜4×
10-6/℃)、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
(1) 窒化アルミニウムはX線透過率が高いので比
較的厚くしても比較的高いX線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
(2) 窒化アルミニウムは成膜性が良好であるので
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりX線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
(3) 窒化アルミニウムは可視光線の透過率が高い
ため、X線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
(4) 窒化アルミニウムの熱膨張係数はX線リソグ
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数(2〜3×10-6/℃)とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
(5) 窒化アルミニウムの熱伝導性が高いため、X
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。
(6) 窒化アルミニウムと窒化ボロンとの積層体を
用いることにより、上記の如き窒化アルミニウ
ムの特性に加えて窒化ボロンの有する特性を付
加したマスク保持体とすることができる。ま
た、特に耐薬品性の優れた窒化ボロンを窒化ア
ルミニウム膜の保護膜として積層させた場合に
は、X線透過性、光透過性、熱伝導性、電気伝
導性、耐薬品性等の膜特性に非常に優れた積層
膜となる。
【図面の簡単な説明】
第1図a〜h及び第2図a〜hは本発明による
X線リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を
示す図である。 1:シリコンウエハー、2:酸化シリコン膜、
3,5:窒化ボロン膜、4:窒化アルミニウム
膜、6:タール系塗料層、7:ワツクス層、8:
リングフレーム、9:接着剤。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 少なくとも窒化アルミニウムと窒化ボロンと
    の積層体からなる保持体により保持されたマスク
    を用いることを特徴とする、X線リソグラフイー
    法。 2 少なくとも窒化アルミニウムと窒化ボロンと
    の積層体からなることを特徴とする、X線リソグ
    ラフイー用マスク保持体。
JP59242418A 1984-11-05 1984-11-19 X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体 Granted JPS61121055A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59242418A JPS61121055A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体
US06/794,180 US4677042A (en) 1984-11-05 1985-11-01 Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method
DE19853539201 DE3539201A1 (de) 1984-11-05 1985-11-05 Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren

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