JPH0481853B2 - - Google Patents
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- JPH0481853B2 JPH0481853B2 JP59239455A JP23945584A JPH0481853B2 JP H0481853 B2 JPH0481853 B2 JP H0481853B2 JP 59239455 A JP59239455 A JP 59239455A JP 23945584 A JP23945584 A JP 23945584A JP H0481853 B2 JPH0481853 B2 JP H0481853B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線リソグラフイー法及びそれに使用
されるマスク保持体に関する。
されるマスク保持体に関する。
［従来の技術］
Ｘ線リソグラフイーは、Ｘ線固有の直進性、非
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
Ｘ線リソグラフイーは可視光や紫外光によるリ
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
その中でＸ線リソグラフイー用マスクを取上げ
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するた
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
これらの物質をＸ線リソグラフイー用マスク保
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μｍ以下、有
機物の場合で数十μｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μｍ以下、有
機物の場合で数十μｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるＸ線リ
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μｍ厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μｍ厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
しかして、以上の如き従来のＸ線リソグラフイ
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
［発明の目的］
本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、Ｘ線透
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてＸ線
リソグラフイーを良好に実施することを目的とす
る。
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてＸ線
リソグラフイーを良好に実施することを目的とす
る。
［発明の概要］
本発明によれば、以上の如き目的は、マスク保
持体を少なくとも窒化アルミニウムと無機物との
積層体により形成することによつて達成される。
持体を少なくとも窒化アルミニウムと無機物との
積層体により形成することによつて達成される。
［実施例］
本発明において積層体を構成する無機物として
は少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有するも
のを使用することができる。この様な無機物とし
ては、たとえば窒化シリコン、酸化シリコン、炭
化シリコン、チタン等が例示される。
は少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有するも
のを使用することができる。この様な無機物とし
ては、たとえば窒化シリコン、酸化シリコン、炭
化シリコン、チタン等が例示される。
本発明によるマスク保持体を構成する積層体は
窒化アルミニウムと無機物との２層からなるもの
であつてもよいし、または窒化アルミニウム及び
無機物の少なくとも一方を２層以上用いて全体と
して３層以上からなるものとしてもよい。
窒化アルミニウムと無機物との２層からなるもの
であつてもよいし、または窒化アルミニウム及び
無機物の少なくとも一方を２層以上用いて全体と
して３層以上からなるものとしてもよい。
更に、本発明によるマスク保持体を構成する積
層体は窒化アルミニウムと無機物と有機物とを用
いて３層以上からなるものとしてもよい。有機物
としては少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有
するものを使用することができ、この様な有機物
としては、たとえばポリイミド、ポリアミド、ポ
リエステル、パリレン（ユニオンカーバイド社
製）等を例示することができる。
層体は窒化アルミニウムと無機物と有機物とを用
いて３層以上からなるものとしてもよい。有機物
としては少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有
するものを使用することができ、この様な有機物
としては、たとえばポリイミド、ポリアミド、ポ
リエステル、パリレン（ユニオンカーバイド社
製）等を例示することができる。
本発明によるマスク保持体の厚さは特に制限さ
れることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜20μｍ程度とするのが有利であ
る。
れることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜20μｍ程度とするのが有利であ
る。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
第１図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第１図ｂに示される様に、プラズマ
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5μｍ厚の窒化シリコン膜
３を形成した後、リアクテイブスパツタ法により
アルミニウム（Al）ターゲツト、アルゴン
（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧
８×10-3Torr、放電電力200Wで1μｍ厚の窒化ア
ルミニウム膜４を形成した。
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5μｍ厚の窒化シリコン膜
３を形成した後、リアクテイブスパツタ法により
アルミニウム（Al）ターゲツト、アルゴン
（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧
８×10-3Torr、放電電力200Wで1μｍ厚の窒化ア
ルミニウム膜４を形成した。
次に、第１図ｃに示される様に、窒化アルミニ
ウム膜４上に保護のためのタール系塗料層６を形
成した。
ウム膜４上に保護のためのタール系塗料層６を形
成した。
次に、第１図ｄに示される様に、露出している
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
次に、第１図ｅに示される様に、３％フツ酸水
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第１図ｆに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第１図ｇに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３及び窒化アルミニウム膜４形成
面側と反対の面を接着した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３及び窒化アルミニウム膜４形成
面側と反対の面を接着した。
次に、第１図ｈに示される様に、アセトンでタ
ール系塗料層６を除去した。
ール系塗料層６を除去した。
かくしてリングフレーム８及びシリコンウエハ
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３及
び窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ線リ
ソグラフイー用マスク保持体を得た。
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３及
び窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ線リ
ソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化シリコン膜；窒
化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であつた。
化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であつた。
実施例 ２
直径10cmの円形のシリコンウエハーの片面に
CVD法により0.5μｍ厚の酸化シリコン膜を形成
した後、実施例１と同様にして該酸化シリコン膜
上に1μｍ厚の窒化アルミニウム膜を形成した。
CVD法により0.5μｍ厚の酸化シリコン膜を形成
した後、実施例１と同様にして該酸化シリコン膜
上に1μｍ厚の窒化アルミニウム膜を形成した。
次に、実施例１と同様にして窒化アルミニウム
膜上に保護のためのタール系塗料層を形成した。
膜上に保護のためのタール系塗料層を形成した。
次に、実施例１と同様にしてシリコンウエハー
の直径7.5cmの円形の中央部分を電界エツチング
により除去した。尚、この際、リング状にシリコ
ンウエハーを残すため、その部分に保護のための
タール系塗料層を形成し、シリコンウエハーの中
央部分を除去した後、該塗料層を除去した。
の直径7.5cmの円形の中央部分を電界エツチング
により除去した。尚、この際、リング状にシリコ
ンウエハーを残すため、その部分に保護のための
タール系塗料層を形成し、シリコンウエハーの中
央部分を除去した後、該塗料層を除去した。
次に、実施例１と同様にして、シリコンウエハ
ーの酸化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜形成
面側と反対の面に、リングフレームを接着し、タ
ール系塗料層を除去した。
ーの酸化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜形成
面側と反対の面に、リングフレームを接着し、タ
ール系塗料層を除去した。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の酸化シリコン膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
により固定された状態の酸化シリコン膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；窒
化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であつた。
化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であつた。
実施例 ３
実施例１の工程において、窒化シリコン膜３及
び窒化アルミニウム膜４を形成した後に、窒化ア
ルミニウム膜４上に保護のためのタール系塗料層
を形成した。
び窒化アルミニウム膜４を形成した後に、窒化ア
ルミニウム膜４上に保護のためのタール系塗料層
を形成した。
以下、実施例１と同様にして、酸化シリコン膜
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、窒化アルミニウム膜４上にフオトレジス
トAZ−1370（シプレー社製）を塗布した。
トAZ−1370（シプレー社製）を塗布した。
次に、ステツパーを用いてマスクパターンを縮
小投影しレジストの焼付を行なつた後に所定の処
理を行ない、レジストパターンを得た。
小投影しレジストの焼付を行なつた後に所定の処
理を行ない、レジストパターンを得た。
次に、蒸着により上記レジストパターン上に
0.5μｍ厚にタンタル（Ta）層を形成した。
0.5μｍ厚にタンタル（Ta）層を形成した。
次に、アセトンを用いてレジストを除去し、タ
ンタル膜パターンを得た。
ンタル膜パターンを得た。
以下、実施例１と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリコン膜と窒
化アルミニウム膜との積層体からなるマスク保持
体を用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリコン膜と窒
化アルミニウム膜との積層体からなるマスク保持
体を用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの窒化シリコ
ン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク
保持体は特に透光性が良好であつた。
ン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク
保持体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ４
実施例２の工程において、酸化シリコン膜及び
窒化アルミニウム膜を形成した後に、窒化アルミ
ニウム膜上に保護のためのタール系塗料層を形成
した。
窒化アルミニウム膜を形成した後に、窒化アルミ
ニウム膜上に保護のためのタール系塗料層を形成
した。
以下、実施例３と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の酸化シリコン膜と窒化ア
ルミニウム膜との積層体からなるマスク保持体を
用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
により固定された状態の酸化シリコン膜と窒化ア
ルミニウム膜との積層体からなるマスク保持体を
用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの酸化シリコ
ン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク
保持体は特に透光性が良好であつた。
ン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク
保持体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ５
第２図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第２図ｂに示される様に、プラズマ
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5μｍ厚の窒化シリコン膜
３を形成した後、リアクテイブスパツタ法により
アルミニウム（Al）ターゲツト、アルゴン
（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧
８×10-3Torr、放電電力200Wで1μｍ厚の窒化ア
ルミニウム膜４を形成し、更にその上に上記と同
様にしてプラズマCVD法により0.5μｍ厚の窒化
シリコン膜５を形成した。
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5μｍ厚の窒化シリコン膜
３を形成した後、リアクテイブスパツタ法により
アルミニウム（Al）ターゲツト、アルゴン
（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧
８×10-3Torr、放電電力200Wで1μｍ厚の窒化ア
ルミニウム膜４を形成し、更にその上に上記と同
様にしてプラズマCVD法により0.5μｍ厚の窒化
シリコン膜５を形成した。
次に、第２図ｃに示される様に、窒化シリコン
膜５上に保護のためのタール系塗料層６を形成し
た。
膜５上に保護のためのタール系塗料層６を形成し
た。
次に、第２図ｄに示される様に、露出している
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
次に、第２図ｅに示される様に、３％フツ酸水
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第２図ｆに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第２図ｇに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３，５及び窒化アルミニウム膜４
形成面側と反対の面を接着した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３，５及び窒化アルミニウム膜４
形成面側と反対の面を接着した。
次に、第２図ｈに示される様に、アセトンでタ
ール系塗料層６を除去した。
ール系塗料層６を除去した。
かくしてリングフレーム８及びシリコンウエハ
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３，
５及び窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ
線リソグラフイー用マスク保持体を得た。
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３，
５及び窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ
線リソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化シリコン膜；窒
化アルミニウム膜；窒化シリコン膜の構成を有す
るマスク保持体は特に透光性が良好であつた。
化アルミニウム膜；窒化シリコン膜の構成を有す
るマスク保持体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ６
実施例２の工程において窒化アルミニウム膜を
形成した後に更にCVD法により0.5μｍ厚の酸化
シリコン膜を形成し該酸化シリコン膜上に保護の
ためのタール系塗料層を形成することを除き、実
施例２と同様の工程を行なつた。
形成した後に更にCVD法により0.5μｍ厚の酸化
シリコン膜を形成し該酸化シリコン膜上に保護の
ためのタール系塗料層を形成することを除き、実
施例２と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の酸化シリコン膜；窒化ア
ルミニウム膜；酸化シリコン膜の構成を有する積
層体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体
を得た。
により固定された状態の酸化シリコン膜；窒化ア
ルミニウム膜；酸化シリコン膜の構成を有する積
層体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体
を得た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；窒
化アルミニウム膜；酸化シリコン膜の構成を有す
るマスク保持体は特に透光性が良好であつた。
化アルミニウム膜；酸化シリコン膜の構成を有す
るマスク保持体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ７
実施例１の工程において窒化シリコン膜３の形
成の前に実施例１におけると同様にして1μｍ厚
の窒化アルミニウム膜を形成しておくことを除い
て、実施例１と同様の工程を行なつた。
成の前に実施例１におけると同様にして1μｍ厚
の窒化アルミニウム膜を形成しておくことを除い
て、実施例１と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；窒
化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有す
る積層体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保
持体を得た。
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；窒
化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有す
る積層体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保
持体を得た。
本実施例において得られた窒化アルミニウム
膜；窒化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成
を有するマスク保持体は特に放熱性が良好であつ
た。
膜；窒化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成
を有するマスク保持体は特に放熱性が良好であつ
た。
実施例 ８
実施例２の工程において酸化シリコン膜の形成
の前に実施例２におけると同様にして1μｍ厚の
窒化アルミニウム膜を形成しておくことを除い
て、実施例２と同様の工程を行なつた。
の前に実施例２におけると同様にして1μｍ厚の
窒化アルミニウム膜を形成しておくことを除い
て、実施例２と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；酸
化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有す
る積層体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保
持体を得た。
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；酸
化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有す
る積層体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保
持体を得た。
本実施例において得られた窒化アルミニウム
膜；酸化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成
を有するマスク保持体は特に放熱性が良好であつ
た。
膜；酸化シリコン膜；窒化アルミニウム膜の構成
を有するマスク保持体は特に放熱性が良好であつ
た。
実施例 ９
実施例５の工程において、窒化シリコン膜３，
５及び窒化アルミニウム膜４を形成した後に、窒
化シリコン膜５上に保護のためのタール系塗料層
を形成した。
５及び窒化アルミニウム膜４を形成した後に、窒
化シリコン膜５上に保護のためのタール系塗料層
を形成した。
以下、実施例５と同様にして、酸化シリコン膜
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、窒化シリコン膜５上にスピンコートによ
りフオトレジストRD−200N（日立化成社製）の
層を1.2μｍ厚に形成した。
りフオトレジストRD−200N（日立化成社製）の
層を1.2μｍ厚に形成した。
次に、石英−クロムマスクを用いて遠紫外光に
よりをレジストの焼付を行なつた後に規定の処理
を行ない、マスクに対しネガ型のレジストパター
ンを得た。
よりをレジストの焼付を行なつた後に規定の処理
を行ない、マスクに対しネガ型のレジストパター
ンを得た。
次に、エレクトロンビーム蒸着機を用いて上記
レジストパターン上にタンタル（Ta）を0.5μｍ
厚に蒸着した。
レジストパターン上にタンタル（Ta）を0.5μｍ
厚に蒸着した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、
リフトオフ法によりタンタル膜パターンを得た。
リフトオフ法によりタンタル膜パターンを得た。
以下、実施例５と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリコン膜と窒
化アルミニウム膜との積層体からなるマスク保持
体を用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリコン膜と窒
化アルミニウム膜との積層体からなるマスク保持
体を用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの窒化シリコ
ン膜；窒化アルミニウム膜；窒化シリコン膜の構
成を有するマスク保持体は特に透光性が良好であ
つた。
ン膜；窒化アルミニウム膜；窒化シリコン膜の構
成を有するマスク保持体は特に透光性が良好であ
つた。
実施例 10
実施例５と同様にして、シリコンウエハーの両
面に酸化シリコン膜を形成した後、その片面に実
施例５と同様にして窒化アルミニウム膜を形成し
た。
面に酸化シリコン膜を形成した後、その片面に実
施例５と同様にして窒化アルミニウム膜を形成し
た。
次に、窒化アルミニウム膜上に保護のためのタ
ール系塗料層を形成した。
ール系塗料層を形成した。
以下、実施例５と同様にして、酸化シリコン膜
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、抵抗加熱蒸着機を用いて窒化アルミニウ
ム膜上に一様に300Å厚のクロム（Cr）膜を形成
し次いで一様に0.5μｍ厚の金（Au）膜を形成し
た。
ム膜上に一様に300Å厚のクロム（Cr）膜を形成
し次いで一様に0.5μｍ厚の金（Au）膜を形成し
た。
次に、該金膜上に一様にフオトレジストAZ−
1350を0.5μｍ厚に塗布した。
1350を0.5μｍ厚に塗布した。
次に、レジスト上にマスターマスクを密着せし
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
次に、ヨウ素（I2）系金エツチヤントを使用し
て金膜のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
て金膜のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
以下、実施例５と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化アルミニウム膜
とクロム膜との積層体からなるマスク保持体を用
いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化アルミニウム膜
とクロム膜との積層体からなるマスク保持体を用
いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの窒化アルミ
ニウム膜；クロム膜の構成を有するマスク保持体
は特にＸ線透過性が良好であつた。
ニウム膜；クロム膜の構成を有するマスク保持体
は特にＸ線透過性が良好であつた。
実施例 11
窒化アルミニウム膜を形成する際にスパツタ法
により焼結窒化アルミニウムターゲツトを用いて
行なうことを除いて、実施例10と同様の工程を行
ない、Ｘ線リソグラフイー用マスクを得た。
により焼結窒化アルミニウムターゲツトを用いて
行なうことを除いて、実施例10と同様の工程を行
ない、Ｘ線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例においては、窒化アルミニウム膜の成
膜速度が大きかつた。
膜速度が大きかつた。
実施例 12
実施例２の工程において窒化アルミニウム膜上
に更にPIQ液（ポリイミド前駆体、日立化成社
製）をスピンコートした後に、50〜350℃で４時
間のキユアーを行なつて2μｍ厚のポリイミド膜
を形成することを除いて、実施例２と同様の工程
を行なつた。
に更にPIQ液（ポリイミド前駆体、日立化成社
製）をスピンコートした後に、50〜350℃で４時
間のキユアーを行なつて2μｍ厚のポリイミド膜
を形成することを除いて、実施例２と同様の工程
を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の酸化シリコン膜；窒化ア
ルミニウム膜；ポリイミド膜の構成を有する積層
体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
により固定された状態の酸化シリコン膜；窒化ア
ルミニウム膜；ポリイミド膜の構成を有する積層
体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；窒
化アルミニウム膜；ポリイミド膜の構成を有する
マスク保持体は特に強度が大きかつた。
化アルミニウム膜；ポリイミド膜の構成を有する
マスク保持体は特に強度が大きかつた。
実施例 13
実施例12と同様の方法により、但し酸化シリコ
ン膜の形成と窒化アルミニウム膜の形成との順序
を逆にして行なうことにより、リングフレーム及
びシリコンウエハーにより固定された状態の窒化
アルミニウム膜；酸化シリコン膜；ポリイミド膜
の構成を有する積層体からなるＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体を得た。
ン膜の形成と窒化アルミニウム膜の形成との順序
を逆にして行なうことにより、リングフレーム及
びシリコンウエハーにより固定された状態の窒化
アルミニウム膜；酸化シリコン膜；ポリイミド膜
の構成を有する積層体からなるＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化アルミニウム
膜；酸化シリコン膜；ポリイミド膜の構成を有す
るマスク保持体は特に強度が大きかつた。
膜；酸化シリコン膜；ポリイミド膜の構成を有す
るマスク保持体は特に強度が大きかつた。
実施例 14
実施例12と同様の方法により、但し窒化アルミ
ニウム膜の形成とポリイミド膜の形成との順序を
逆にして行なうことにより、リングフレーム及び
シリコンウエハーにより固定された状態の酸化シ
リコン膜；ポリイミド膜；窒化アルミニウム膜の
構成を有する積層体からなるＸ線リソグラフイー
用マスク保持体を得た。
ニウム膜の形成とポリイミド膜の形成との順序を
逆にして行なうことにより、リングフレーム及び
シリコンウエハーにより固定された状態の酸化シ
リコン膜；ポリイミド膜；窒化アルミニウム膜の
構成を有する積層体からなるＸ線リソグラフイー
用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；ポ
リイミド膜；窒化アルミニウム膜の構成を有する
マスク保持体は特に強度が大きかつた。
リイミド膜；窒化アルミニウム膜の構成を有する
マスク保持体は特に強度が大きかつた。
［発明の効果］
以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構
成要素として用いられる窒化アルミニウムはＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（1μｍ厚の光
学濃度が約0.01）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
成要素として用いられる窒化アルミニウムはＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（1μｍ厚の光
学濃度が約0.01）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
(1) 窒化アルミニウムはＸ線透過率が高いので比
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
(2) 窒化アルミニウムは成膜性が良好であるので
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
(3) 窒化アルミニウムは可視光線の透過率が高い
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
(4) 窒化アルミニウムの熱膨張係数はＸ線リソグ
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
(5) 窒化アルミニウムの熱伝導性が高いため、Ｘ
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。また、窒化
アルミニウムは電気伝導性が高いためマスク保
持体の帯電を防止することができる。
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。また、窒化
アルミニウムは電気伝導性が高いためマスク保
持体の帯電を防止することができる。
(6) 窒化アルミニウムと無機物との積層体を用い
ることにより、上記の如き窒化アルミニウムの
特性に加えて該無機物の有する特性を付加した
マスク保持体とすることができる。即ち、本発
明に係るマスク保持体は透光性、熱伝導性に優
れ、強度、耐薬品性も比較的大きいといつた無
機物の特長をあわせもつものである。また、更
に有機物が積層されると強度が大きく、ストレ
スが実質的にないといつた有機物の特長が加え
られる。
ることにより、上記の如き窒化アルミニウムの
特性に加えて該無機物の有する特性を付加した
マスク保持体とすることができる。即ち、本発
明に係るマスク保持体は透光性、熱伝導性に優
れ、強度、耐薬品性も比較的大きいといつた無
機物の特長をあわせもつものである。また、更
に有機物が積層されると強度が大きく、ストレ
スが実質的にないといつた有機物の特長が加え
られる。
第１図ａ〜ｈ及び第２図ａ〜ｈは本発明による
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を
示す図である。 １：シリコンウエハー、２：酸化シリコン膜、
３，５：窒化シリコン膜、４：窒化アルミニウム
膜、６：タール系塗料層、７：ワツクス層、８：
リングフレーム、９：接着剤。
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を
示す図である。 １：シリコンウエハー、２：酸化シリコン膜、
３，５：窒化シリコン膜、４：窒化アルミニウム
膜、６：タール系塗料層、７：ワツクス層、８：
リングフレーム、９：接着剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも窒化アルミニウムと無機物との積
層体からなる保持体により保持されたマスクを用
いることを特徴とする、Ｘ線リソグラフイー法。 ２ 少なくとも窒化アルミニウムと無機物との積
層体からなることを特徴とする、Ｘ線リソグラフ
イー用マスク保持体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239455A JPS61118754A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | Ｘ線リソグラフイ−法及びｘ線リソグラフイ−用マスク保持体 |
| US06/794,180 US4677042A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-01 | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
| DE19853539201 DE3539201A1 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239455A JPS61118754A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | Ｘ線リソグラフイ−法及びｘ線リソグラフイ−用マスク保持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61118754A JPS61118754A (ja) | 1986-06-06 |
| JPH0481853B2 true JPH0481853B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17045017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59239455A Granted JPS61118754A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-15 | Ｘ線リソグラフイ−法及びｘ線リソグラフイ−用マスク保持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61118754A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP59239455A patent/JPS61118754A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61118754A (ja) | 1986-06-06 |
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