JPH0481856B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0481856B2 JPH0481856B2 JP59261838A JP26183884A JPH0481856B2 JP H0481856 B2 JPH0481856 B2 JP H0481856B2 JP 59261838 A JP59261838 A JP 59261838A JP 26183884 A JP26183884 A JP 26183884A JP H0481856 B2 JPH0481856 B2 JP H0481856B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- holder
- aluminum nitride
- ray
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 23
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はリソグラフイー用マスク構造体に関す
る。
る。
[従来の技術]
X線リソグラフイーは、X線固有の直進性、非
干渉性、低回折法などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
干渉性、低回折法などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
X線リソグラフイーは可視光や紫外光によるリ
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、X線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、X線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
その中でX線リソグラフイー用マスクを取上げ
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体(即ち光線透過体)としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、X線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が1
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのX線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も1〜2mmと厚くせざるを得ないためX線を充分
に透過させないので、これらはX線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体(即ち光線透過体)としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、X線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が1
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのX線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も1〜2mmと厚くせざるを得ないためX線を充分
に透過させないので、これらはX線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
X線透過率は一般に物質の密度に依存するた
め、X線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
(Be)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
め、X線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
(Be)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
これらの物質をX線リソグラフイー用マスク保
持体の材料として実際に用いるためには、X線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μm以下、有
機物の場合で数十μm以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
持体の材料として実際に用いるためには、X線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μm以下、有
機物の場合で数十μm以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるX線リ
ソグラフイー用マスク(即ちX線吸収体)として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μm厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記X線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
ソグラフイー用マスク(即ちX線吸収体)として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μm厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記X線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
しかして、以上の如き従来のX線リソグラフイ
ーにおいては、マスク保持体のX線透過率が低
く、このため十分なX線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になり、特にマスク保持体の十分な平面
性を得ることが困難であつた。
ーにおいては、マスク保持体のX線透過率が低
く、このため十分なX線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になり、特にマスク保持体の十分な平面
性を得ることが困難であつた。
更に、一般に上記マスク保持体はリング状で且
つ両端面が平坦なマスクフレームの片側の平端面
に接着されたマスク構造体として使用されるが、
この様な使用形態においてはマスクフレームの一
端面へのマスク保持体の接着の際の接着剤の塗布
のしかたによつては接着剤層の厚さに不均一が生
じたり、更には接着後のマスク保持体のマスクフ
レームからのはみ出し部分の切除の際に該マスク
保持体がめくれ上つたりするため、マスク保持体
の平面性を十分に保つことが困難であつた。
つ両端面が平坦なマスクフレームの片側の平端面
に接着されたマスク構造体として使用されるが、
この様な使用形態においてはマスクフレームの一
端面へのマスク保持体の接着の際の接着剤の塗布
のしかたによつては接着剤層の厚さに不均一が生
じたり、更には接着後のマスク保持体のマスクフ
レームからのはみ出し部分の切除の際に該マスク
保持体がめくれ上つたりするため、マスク保持体
の平面性を十分に保つことが困難であつた。
かくして、従来のX線リソグラフイーにおいて
は必ずしも十分な精度が実現されているとはいえ
ない。
は必ずしも十分な精度が実現されているとはいえ
ない。
[発明の目的]
本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、X線透
過性が良好なマスク保持体を十分な平面性をもつ
てリング状マスクフレームに接着支持してなるリ
ソグラフイー用マスク構造体を提供することを目
的とする。
過性が良好なマスク保持体を十分な平面性をもつ
てリング状マスクフレームに接着支持してなるリ
ソグラフイー用マスク構造体を提供することを目
的とする。
[発明の概要]
本発明によれば、以上の如き目的は、マスク保
持体が窒化アルミニウムからなるかまたは少なく
とも窒化アルミニウムを含む積層体からなり、且
つリング状マスクフレームの最上部平端面より低
い位置において前記マスク保持体と前記リング状
マスクフレームとの接着がなされていることを特
徴とする、リソグラフイー用マスク構造体により
達成される。
持体が窒化アルミニウムからなるかまたは少なく
とも窒化アルミニウムを含む積層体からなり、且
つリング状マスクフレームの最上部平端面より低
い位置において前記マスク保持体と前記リング状
マスクフレームとの接着がなされていることを特
徴とする、リソグラフイー用マスク構造体により
達成される。
[実施例]
本発明マスク構造体の具体的形状を第1図a及
びbに示す。第1図aはマスク構造体の中央縦断
面図であり、第1図bはマスクフレームの平面図
である。図において、2はマスク保持体であり、
該マスク保持体2の周辺部がリング状マスクフレ
ーム3の上端面上に支持されている。
びbに示す。第1図aはマスク構造体の中央縦断
面図であり、第1図bはマスクフレームの平面図
である。図において、2はマスク保持体であり、
該マスク保持体2の周辺部がリング状マスクフレ
ーム3の上端面上に支持されている。
本発明マスク構造体におけるマスク保持体2
は、窒化アルミニウムの単層からなるものでもよ
いし、あるいは窒化アルミニウムと他の無機物及
び/または有機物との積層体からなるものでもよ
い。
は、窒化アルミニウムの単層からなるものでもよ
いし、あるいは窒化アルミニウムと他の無機物及
び/または有機物との積層体からなるものでもよ
い。
積層体を構成する無機物としては少なくとも膜
形成性及びX線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な無機物としては、たとえば
窒化ボロン、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化
シリコン、チタン等が例示される。
形成性及びX線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な無機物としては、たとえば
窒化ボロン、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化
シリコン、チタン等が例示される。
積層体を構成する有機物としては少なくとも膜
形成性及びX線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な有機物としては、たとえば
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パレリ
ン(ユニオンカーバイド社製)等が例示される。
形成性及びX線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な有機物としては、たとえば
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パレリ
ン(ユニオンカーバイド社製)等が例示される。
積層体は窒化アルミニウムと無機物及び/また
は有機物との2層または3層からなるものであつ
てもよいし、または窒化アルミニウムと無機物及
び/または有機物との少なくとも一方を2層以上
用いて全体として3層以上からなるものとしても
よい。
は有機物との2層または3層からなるものであつ
てもよいし、または窒化アルミニウムと無機物及
び/または有機物との少なくとも一方を2層以上
用いて全体として3層以上からなるものとしても
よい。
本発明マスク構造体におけるマスク保持体2の
厚さは特に制限されることはなく適宜の厚さとす
ることができるが、たとえば2〜20μm程度とす
るのが有利である。
厚さは特に制限されることはなく適宜の厚さとす
ることができるが、たとえば2〜20μm程度とす
るのが有利である。
尚、本発明マスク構造体においては、マスク保
持体2上に所望のパターンのマスク1が形成され
ていてもよいことはもちろんである。
持体2上に所望のパターンのマスク1が形成され
ていてもよいことはもちろんである。
マスク1としてはたとえば金、白金、ニツケ
ル、パラジウム、ロジウム、インジウム、タング
ステン、タンタル、銅などの0.5〜1μm厚程度の
薄膜が用いられる。
ル、パラジウム、ロジウム、インジウム、タング
ステン、タンタル、銅などの0.5〜1μm厚程度の
薄膜が用いられる。
本発明マスク構造体においては、マスクフレー
ム3の最上部平端面3aにはマスク保持体接着の
ための接着剤が塗布されておらず、該平端面3a
の外側に角度θにて交わる斜面3bにのみ接着剤
4が塗布されている。角度θは0度を越える値で
あれば特に制限はないが、好ましくは5〜90度、
より好ましくは5〜60度、最適には5〜30度であ
る。
ム3の最上部平端面3aにはマスク保持体接着の
ための接着剤が塗布されておらず、該平端面3a
の外側に角度θにて交わる斜面3bにのみ接着剤
4が塗布されている。角度θは0度を越える値で
あれば特に制限はないが、好ましくは5〜90度、
より好ましくは5〜60度、最適には5〜30度であ
る。
本発明マスク構造体におけるマスクフレーム3
はたとえばシリコン、ガラス、石英、リン青銅、
黄銅、ニツケル、ステンレス等からなる。
はたとえばシリコン、ガラス、石英、リン青銅、
黄銅、ニツケル、ステンレス等からなる。
また、本発明マスク構造体における接着剤4と
しては、たとえば溶剤型接着剤(ブタジエン系合
成ゴム接着剤、クロロプレン系合成ゴム接着剤
等)、無溶剤型接着剤(エポキシ系接着剤、シア
ノアクリレート系接着剤等)が用いられる。
しては、たとえば溶剤型接着剤(ブタジエン系合
成ゴム接着剤、クロロプレン系合成ゴム接着剤
等)、無溶剤型接着剤(エポキシ系接着剤、シア
ノアクリレート系接着剤等)が用いられる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 1
第2図aに示される様に、リングフレーム(パ
イレツクス製、内径7.5cm、外径9cm、厚さ5mm、
但し最上部平端面の外側に該平端面に対し角度15
度で交わる斜面が形成されている)3の斜面部分
にエポキシ系接着剤4を塗布し、該接着剤4を介
して等方延伸したポリイミド膜(厚さ7μm)2
−1をマスクフレーム3に接着固定し、該マスク
フレーム3からはみ出したポリイミド膜を切除し
た。
イレツクス製、内径7.5cm、外径9cm、厚さ5mm、
但し最上部平端面の外側に該平端面に対し角度15
度で交わる斜面が形成されている)3の斜面部分
にエポキシ系接着剤4を塗布し、該接着剤4を介
して等方延伸したポリイミド膜(厚さ7μm)2
−1をマスクフレーム3に接着固定し、該マスク
フレーム3からはみ出したポリイミド膜を切除し
た。
次に、第2図bに示される様に、リアクテイブ
スパツタ法により、アルミニウム(Al)ターゲ
ツト、アルゴン(Ar):窒素(N2)=1:1の混
合ガス、ガス圧5×10-3Torr、放電電力200W
で、ポリイミド膜2−1の上に3μm厚の窒化ア
ルミニウム膜2−2を形成した。
スパツタ法により、アルミニウム(Al)ターゲ
ツト、アルゴン(Ar):窒素(N2)=1:1の混
合ガス、ガス圧5×10-3Torr、放電電力200W
で、ポリイミド膜2−1の上に3μm厚の窒化ア
ルミニウム膜2−2を形成した。
次に、第2図cに示される様に、抵抗加熱蒸着
機を用いて窒化アルミニウム膜2−2上にμm厚
の金(Au)膜1′を一様に形成した。
機を用いて窒化アルミニウム膜2−2上にμm厚
の金(Au)膜1′を一様に形成した。
次に、第2図dに示される様に、金膜1′上に
一様にフオトレジストAZ−1350(シプレー社製)
5を0.5μm厚に塗布した。
一様にフオトレジストAZ−1350(シプレー社製)
5を0.5μm厚に塗布した。
次に、第2図eに示される様に、レジスト上に
マスターマスクを密着せしめ遠紫外光を用いてレ
ジストの焼付を行なつた後に規定の処理を行な
い、マスターマスクに対しポジ型のレジストパタ
ーンを得た。
マスターマスクを密着せしめ遠紫外光を用いてレ
ジストの焼付を行なつた後に規定の処理を行な
い、マスターマスクに対しポジ型のレジストパタ
ーンを得た。
次に、第2図fに示される様に、ヨウ素(I2)
系金エツチヤントを使用して金膜1′のエツチン
グを行ない、マスターマスクに対しポジ型の金膜
パターンを得た。
系金エツチヤントを使用して金膜1′のエツチン
グを行ない、マスターマスクに対しポジ型の金膜
パターンを得た。
次に、ケトン系溶剤でレジストを除去し、金膜
パターンからなるマスク1を形成し、第2図gに
示される様に、ポリイミド膜2−1と窒化アルミ
ニウム2−2との積層体をマスク保持体とし該マ
スク保持体上にマスク1の形成されているX線リ
ソグラフイー用マスク構造体を得た。
パターンからなるマスク1を形成し、第2図gに
示される様に、ポリイミド膜2−1と窒化アルミ
ニウム2−2との積層体をマスク保持体とし該マ
スク保持体上にマスク1の形成されているX線リ
ソグラフイー用マスク構造体を得た。
実施例 2
実施例1の工程において窒化アルミニウム膜2
−2を形成した後に更に酸素プラズマ中において
リアクテイブイオンエツチング法でポリイミド膜
2−1の露出部分を除去し次いで窒化アルミニウ
ム膜2−2上に金膜1′を形成することを除いて、
実施例1と同様の工程を行なつた。
−2を形成した後に更に酸素プラズマ中において
リアクテイブイオンエツチング法でポリイミド膜
2−1の露出部分を除去し次いで窒化アルミニウ
ム膜2−2上に金膜1′を形成することを除いて、
実施例1と同様の工程を行なつた。
かくして、窒化アルミニウム膜をマスク保持体
とし該マスク保持体上にマスクの形成されている
X線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
とし該マスク保持体上にマスクの形成されている
X線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
実施例 3
実施例1において得られたX線リソグラフイー
用マスク構造体のリングフレーム3の上部斜面3
b上の窒化アルミニウム膜2−2上に更に第3図
に示される様に接着剤9を介して押えリング10
を接着した。該押えリング10の窒化アルミニウ
ム膜2−2との接着面はリングフレーム3の上部
斜面3bと平行に形成されている。
用マスク構造体のリングフレーム3の上部斜面3
b上の窒化アルミニウム膜2−2上に更に第3図
に示される様に接着剤9を介して押えリング10
を接着した。該押えリング10の窒化アルミニウ
ム膜2−2との接着面はリングフレーム3の上部
斜面3bと平行に形成されている。
本実施例のX線リソグラフイー用マスク構造体
においては、リングフレーム3と押えリング10
との間に圧力をかけて支持することによりマスク
保持体のリングフレーム3への支持をより強固な
ものとすることができる。
においては、リングフレーム3と押えリング10
との間に圧力をかけて支持することによりマスク
保持体のリングフレーム3への支持をより強固な
ものとすることができる。
以上の実施例においてはリング状マスクフレー
ム3の最上部平端面3aの外側に該最上部平端面
3aと一定の角度で交わる斜面3bが形成されて
おり、該斜面3bにおいて接着がなされている
が、本発明マスク構造体はこれに限定されること
はない。
ム3の最上部平端面3aの外側に該最上部平端面
3aと一定の角度で交わる斜面3bが形成されて
おり、該斜面3bにおいて接着がなされている
が、本発明マスク構造体はこれに限定されること
はない。
第4図aはマスクフレーム3の他の形状を示す
ための本発明によるマスク構造体の中央縦断面図
であり、第4図bはそのマスクフレーム3の平面
図である。ここでは、マスクフレーム3の最上部
平端面3aの外側には該最上部平端面1aと滑ら
かに連なる斜面3bが形成されており、該斜面3
bにおいて接着がなされている。
ための本発明によるマスク構造体の中央縦断面図
であり、第4図bはそのマスクフレーム3の平面
図である。ここでは、マスクフレーム3の最上部
平端面3aの外側には該最上部平端面1aと滑ら
かに連なる斜面3bが形成されており、該斜面3
bにおいて接着がなされている。
第5図はマスクフレーム3の更に他の形状を示
すための本発明によるマスク構造体の中央縦断面
図である。ここでは、マスクフレーム3の最上部
平端面3aの外側には該最上部平端面3aと直角
をなす斜面3bが形成されており、該斜面3bの
更に外側には上記最上部平端面3aよりも低い位
置に平面3cが形成されており、該平面3cにお
いて接着がなされている。
すための本発明によるマスク構造体の中央縦断面
図である。ここでは、マスクフレーム3の最上部
平端面3aの外側には該最上部平端面3aと直角
をなす斜面3bが形成されており、該斜面3bの
更に外側には上記最上部平端面3aよりも低い位
置に平面3cが形成されており、該平面3cにお
いて接着がなされている。
[発明の効果]
以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構
成要素として用いられる窒化アルミニウムはX線
透過率及び可視光線透過率が高く(1μm厚の光
学濃度が約0.01)、熱膨張率が低く(3〜4×
10-6/℃)、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
成要素として用いられる窒化アルミニウムはX線
透過率及び可視光線透過率が高く(1μm厚の光
学濃度が約0.01)、熱膨張率が低く(3〜4×
10-6/℃)、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
(1) 窒化アルミニウムはX線透過率が高く比較的
厚くしても比較的高いX線透過量が得られるの
で、マスク構造体の製造を容易且つ良好に行な
うことができる。
厚くしても比較的高いX線透過量が得られるの
で、マスク構造体の製造を容易且つ良好に行な
うことができる。
(2) 窒化アルミニウムは成膜性が良好であるので
極めて薄い膜からなるマスク保持体を有するマ
スク構造体を製造することができ、これにより
X線透過量を高め焼付のスループツトを向上さ
せることができる。
極めて薄い膜からなるマスク保持体を有するマ
スク構造体を製造することができ、これにより
X線透過量を高め焼付のスループツトを向上さ
せることができる。
(3) 窒化アルミニウムは可視光線の透過率が高い
ため、X線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
ため、X線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
(4) 窒化アルミニウムの熱膨張係数はX線リソグ
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数(2〜3×10-6/℃)とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数(2〜3×10-6/℃)とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
(5) 窒化アルミニウムの熱伝導性が高いため、X
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。
また、以上の如き本発明のマスク構造体によれ
ば、マスク保持体とマスクフレームとの接着はマ
スク保持体のマスク保持平面外において行なわれ
るので、接着剤の塗布及びマスク保持体のマスク
周辺部の切除によつてはマスク保持体のマスク保
持面の平面性は何ら悪影響を受けず、マスク保持
体は良好な平面性を保つことができる。
ば、マスク保持体とマスクフレームとの接着はマ
スク保持体のマスク保持平面外において行なわれ
るので、接着剤の塗布及びマスク保持体のマスク
周辺部の切除によつてはマスク保持体のマスク保
持面の平面性は何ら悪影響を受けず、マスク保持
体は良好な平面性を保つことができる。
第1図aは本発明マスク構造体の縦断面図であ
り、第1図bはそのマスクフレームの平面図であ
る。第2図a〜gは本発明マスク構造体の製造工
程を示す図である。第3図は本発明マスク構造体
の縦断面図である。第4図aは本発明マスク構造
体の縦断面図であり、第4図bはそのマスクフレ
ームの平面図である。第5図は本発明マスク構造
体の縦断面図である。 1:マスク、2−1:ポリイミド膜、2−2:
窒化アルミニウム膜、3:マスクフレーム、3
a:最上部平端面、3b:斜面、3c:平面、
4:接着剤、5:フオトレジスト。
り、第1図bはそのマスクフレームの平面図であ
る。第2図a〜gは本発明マスク構造体の製造工
程を示す図である。第3図は本発明マスク構造体
の縦断面図である。第4図aは本発明マスク構造
体の縦断面図であり、第4図bはそのマスクフレ
ームの平面図である。第5図は本発明マスク構造
体の縦断面図である。 1:マスク、2−1:ポリイミド膜、2−2:
窒化アルミニウム膜、3:マスクフレーム、3
a:最上部平端面、3b:斜面、3c:平面、
4:接着剤、5:フオトレジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスク保持体をリング状マスクフレームに支
持せしめてなるリソグラフイー用マスク構造体に
おいて、前記マスク保持体が窒化アルミニウムか
らなるかまたは少なくとも窒化アルミニウムを含
む積層体からなり、且つ前記リング状マスクフレ
ームの最上部平端面より低い位置において前記マ
スク保持体と前記リング状マスクフレームとの接
着がなされていることを特徴とする、リソグラフ
イー用マスク構造体。 2 マスク保持体にマスクが形成されている、特
許請求の範囲第1項のリソグラフイー用マスク構
造体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59261838A JPS61140942A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
US06/794,180 US4677042A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-01 | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
DE19853539201 DE3539201A1 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59261838A JPS61140942A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61140942A JPS61140942A (ja) | 1986-06-28 |
JPH0481856B2 true JPH0481856B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17367442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59261838A Granted JPS61140942A (ja) | 1984-11-05 | 1984-12-13 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61140942A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | X線露光マスク |
JP2638080B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1997-08-06 | 日新電機株式会社 | X線露光用マスク素材の製造方法 |
JPH0316116A (ja) * | 1989-03-09 | 1991-01-24 | Canon Inc | X線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたx線露光方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59261838A patent/JPS61140942A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61140942A (ja) | 1986-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4677042A (en) | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method | |
US4837123A (en) | Mask structure for lithography, method of preparation thereof and lithographic method | |
JPH0481856B2 (ja) | ||
JPS6238818B2 (ja) | ||
JPH0481855B2 (ja) | ||
JPH0481852B2 (ja) | ||
JPS61249056A (ja) | リソグラフイ−用マスク構造体 | |
JPH0481853B2 (ja) | ||
JPH0481854B2 (ja) | ||
JPH0482047B2 (ja) | ||
JPH0690998B2 (ja) | X線リソグラフィー用マスク構造体の製造方法 | |
JPH11307442A (ja) | X線マスク及びx線マスクブランク並びにそれらの製造方法 | |
JPH0482048B2 (ja) | ||
JPH0563933B2 (ja) | ||
JPH0563932B2 (ja) | ||
JPS63196036A (ja) | リソグラフイ−用マスク構造体 | |
JPS62108522A (ja) | リソグラフィー用マスク構造体の製造方法、及び薄膜の製造方法 | |
JPH0481851B2 (ja) | ||
JPS61173250A (ja) | フオトマスク材料 | |
JP2962049B2 (ja) | X線マスク | |
JPS61134764A (ja) | リソグラフイ−用マスク構造体 | |
JPS6118953A (ja) | X線リソグラフイ−用マスク構造体 | |
JPH0799151A (ja) | X線マスクおよびその製造方法 | |
JPS61160747A (ja) | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 | |
JPH053131B2 (ja) |