JPS6219513B2 - - Google Patents
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- JPS6219513B2 JPS6219513B2 JP58180860A JP18086083A JPS6219513B2 JP S6219513 B2 JPS6219513 B2 JP S6219513B2 JP 58180860 A JP58180860 A JP 58180860A JP 18086083 A JP18086083 A JP 18086083A JP S6219513 B2 JPS6219513 B2 JP S6219513B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、材料の積層化に係り、更に具体的に
云えば、銅表面への被膜の機械的及び化学的結合
による付着性を増すために、銅表面を粗面化する
ための室温による乾式方法に係る。
云えば、銅表面への被膜の機械的及び化学的結合
による付着性を増すために、銅表面を粗面化する
ための室温による乾式方法に係る。
銅の表面は、平滑であり、又銅が化学反応に対
して耐性を有しているために、その上の更に材料
を付着するには、概して不適当である。銅にプラ
スチツク材料を積層化する場合には、出来れば機
械的及び化学的結合を設けることが望ましい。
して耐性を有しているために、その上の更に材料
を付着するには、概して不適当である。銅にプラ
スチツク材料を積層化する場合には、出来れば機
械的及び化学的結合を設けることが望ましい。
銅の表面積を増加させて、銅をプラスチツクに
機械的に係合させることにより機械的結合を設け
るために、研摩技術を用いることが知られてい
る。
機械的に係合させることにより機械的結合を設け
るために、研摩技術を用いることが知られてい
る。
又、銅の表面を食刻し、その表面積を増加させ
て、機械的結合を設けるために、湿式食刻技術を
用いることも知られており、その様な技術は、例
えば、ソ連発明者証第530486号、Maximov and
Fedorov、“Precision Etching of Correr−by
dipping in iodine and potassium iodide
solution followed by ammonia solution”に記
載されている。
て、機械的結合を設けるために、湿式食刻技術を
用いることも知られており、その様な技術は、例
えば、ソ連発明者証第530486号、Maximov and
Fedorov、“Precision Etching of Correr−by
dipping in iodine and potassium iodide
solution followed by ammonia solution”に記
載されている。
湿式食刻技術は、エツチング浴からの汚染を受
け易く、殆どの場合に電気接点を必要とする。
け易く、殆どの場合に電気接点を必要とする。
プラスチツクに強く付着し且つその上に更に層
が付着される界面層を得るために、プラスチツク
に純粋に化学的な処理を施すことが、例えば米国
特許第3445264号明細書に記載されている。この
種の方法は、プラスチツク−銅−プラスチツクの
サンドイツチ体として銅のパターンがプラスチツ
クの層で被覆される様な場合に於ては、電気的短
絡回路の問題並びにプラスチツク−プラスチツク
間及びプラスチツク−銅間の付着の問題が生じる
ので、実用的でない。
が付着される界面層を得るために、プラスチツク
に純粋に化学的な処理を施すことが、例えば米国
特許第3445264号明細書に記載されている。この
種の方法は、プラスチツク−銅−プラスチツクの
サンドイツチ体として銅のパターンがプラスチツ
クの層で被覆される様な場合に於ては、電気的短
絡回路の問題並びにプラスチツク−プラスチツク
間及びプラスチツク−銅間の付着の問題が生じる
ので、実用的でない。
沃素イオンは、例えば米国特許第4264813号明
細書に記載されている如く、高強度のイオン衝撃
に関連して知られている。イオン衝撃は、必要と
される状況に於ては極めて有用であるが、本発明
の方法に於ける化学的メカニズムとは異なり、本
質的に機械的なメカニズムである。例えば、キセ
ノン・イオンの如き他のイオンも同様な粗面化効
果を有することが、例えば、J.Vac.Sci.Technol.
、第14巻、第１号、1977年１月／２月、第286頁
乃至289頁に於けるHudsonによる“Ion Beam
Texturing”と題する文献に於て、報告されてい
る。その様なイオン・ビーム処理装置に於ては、
酸化タングステン又は酸化アルミニウムの如き種
材料が通常必要とされ、又500乃至2000Vの範囲
の加速電位が必要である。
細書に記載されている如く、高強度のイオン衝撃
に関連して知られている。イオン衝撃は、必要と
される状況に於ては極めて有用であるが、本発明
の方法に於ける化学的メカニズムとは異なり、本
質的に機械的なメカニズムである。例えば、キセ
ノン・イオンの如き他のイオンも同様な粗面化効
果を有することが、例えば、J.Vac.Sci.Technol.
、第14巻、第１号、1977年１月／２月、第286頁
乃至289頁に於けるHudsonによる“Ion Beam
Texturing”と題する文献に於て、報告されてい
る。その様なイオン・ビーム処理装置に於ては、
酸化タングステン又は酸化アルミニウムの如き種
材料が通常必要とされ、又500乃至2000Vの範囲
の加速電位が必要である。
300℃以上の平衡温度に於て、真空中で、アル
ゴンを用いて、300Vでスパツタリング食刻する
ことにより、銅表面を粗面化することが、例えば
J.Vac.Sci.Technol.、第17巻、第６号、1980年11
月／12月、第1320頁乃至第1325頁に於けるCurmi
及びHardingによる“Surface Texturing of
Copper by Sputter Etching With Applications
for Solar Selective Absorbing Surface”と題
する文献、及びAppl.Phys.Lett.26、557（1975）
に於けるCuomo、Ziegler及びWoodallによる文献
に記載されている。その様な銅表面の粗面化は、
高温を用いるため、それとともにプラスチツクが
用いられる場合には、不適当である。
ゴンを用いて、300Vでスパツタリング食刻する
ことにより、銅表面を粗面化することが、例えば
J.Vac.Sci.Technol.、第17巻、第６号、1980年11
月／12月、第1320頁乃至第1325頁に於けるCurmi
及びHardingによる“Surface Texturing of
Copper by Sputter Etching With Applications
for Solar Selective Absorbing Surface”と題
する文献、及びAppl.Phys.Lett.26、557（1975）
に於けるCuomo、Ziegler及びWoodallによる文献
に記載されている。その様な銅表面の粗面化は、
高温を用いるため、それとともにプラスチツクが
用いられる場合には、不適当である。
本発明は、銅表面への被膜の機械的及び化学的
結合による付着性を増すために銅表面を粗面化す
るための室温（50℃迄の温度を含む）による乾式
方法を提供する。排気されたチエンバを沃素で充
填して高周波電位を加えることにより、沃素プラ
ズマが形成される。そのり沃素プラズマは、正及
び負の両方の沃素イオンを含む。銅の保護されて
いない表面領域が沃化銅を形成し、その沃化銅が
除去されたとき、著しく粗面化された表面が残さ
れる。関連する重合体は何ら損傷されない。沃化
銅は、関連する金属又は銅で積層化された関連す
るプラスチツクを何ら損傷しない、10％塩酸溶液
で簡便に除去される。
結合による付着性を増すために銅表面を粗面化す
るための室温（50℃迄の温度を含む）による乾式
方法を提供する。排気されたチエンバを沃素で充
填して高周波電位を加えることにより、沃素プラ
ズマが形成される。そのり沃素プラズマは、正及
び負の両方の沃素イオンを含む。銅の保護されて
いない表面領域が沃化銅を形成し、その沃化銅が
除去されたとき、著しく粗面化された表面が残さ
れる。関連する重合体は何ら損傷されない。沃化
銅は、関連する金属又は銅で積層化された関連す
るプラスチツクを何ら損傷しない、10％塩酸溶液
で簡便に除去される。
〔実施例〕
本発明の方法に従つて、金属銅上に沃化銅の表
面が形成され、それから該沃化銅が除去されて、
プラスチツクが容易に結合する、清浄な粗面化さ
れた表面が残される。
面が形成され、それから該沃化銅が除去されて、
プラスチツクが容易に結合する、清浄な粗面化さ
れた表面が残される。
上記銅は、既にポリエステルに結合されている
銅のパターンであつても、又はパターンを画成す
るフオトレジストを有している一時的基板上の銅
であつてもよい。他の状態の銅も用いられる。上
記銅は、充分に清浄化されていないならば、沃素
化される前に予め清浄化される。
銅のパターンであつても、又はパターンを画成す
るフオトレジストを有している一時的基板上の銅
であつてもよい。他の状態の銅も用いられる。上
記銅は、充分に清浄化されていないならば、沃素
化される前に予め清浄化される。
銅が排気されたチエンバ内に配置され、又は銅
が沃素化されるために排気されたチエンバ内を通
される様な配置が設けられる。排気されたチエン
バを沃素ガスで充填しそして高周波プラズマ中で
正及び負の沃素イオンを活性化するために高周波
電位を加えることにより、沃素プラズマが形成さ
れる。
が沃素化されるために排気されたチエンバ内を通
される様な配置が設けられる。排気されたチエン
バを沃素ガスで充填しそして高周波プラズマ中で
正及び負の沃素イオンを活性化するために高周波
電位を加えることにより、沃素プラズマが形成さ
れる。
第１図は、本発明の方法を実施するための装置
を概略的に示している。真空チエンバ１には、高
周波アノード２及び接地アノード３が設けられて
いる。沃素供給フラスコ４は、沃素結晶５の源を
含み、加熱及び真空状態の下で、沃素結晶５は昇
華して沃素ガス６を形成する。真空ポンプ７によ
り真空チエンバ１が適当な動作圧力に排気され、
バルブ８が開かれて、沃素ガスが真空チエンバ１
内に供給される。高周波発生装置９により、銅の
試料１０が配置されているアノード２に、動作電
位が加えられる。正及び負の両方の沃素イオンが
充満した沃素プラズマ１１が生じ、その結果得ら
れた電気化学的活性が保護されていない銅表面に
迅速な反応を生ぜしめて、沃化銅の反応生成物が
形成される。
を概略的に示している。真空チエンバ１には、高
周波アノード２及び接地アノード３が設けられて
いる。沃素供給フラスコ４は、沃素結晶５の源を
含み、加熱及び真空状態の下で、沃素結晶５は昇
華して沃素ガス６を形成する。真空ポンプ７によ
り真空チエンバ１が適当な動作圧力に排気され、
バルブ８が開かれて、沃素ガスが真空チエンバ１
内に供給される。高周波発生装置９により、銅の
試料１０が配置されているアノード２に、動作電
位が加えられる。正及び負の両方の沃素イオンが
充満した沃素プラズマ１１が生じ、その結果得ら
れた電気化学的活性が保護されていない銅表面に
迅速な反応を生ぜしめて、沃化銅の反応生成物が
形成される。
それから、沃化銅が10％HCl溶液で洗浄されて
除去される。沃化銅が除去された後、著しく粗面
化された表面が残される。
除去される。沃化銅が除去された後、著しく粗面
化された表面が残される。
本発明の方法の好実施例に於ては、次に示す動
作パラメータが用いられる。
作パラメータが用いられる。
真空チエンバ圧力（I2） 30μTorr
基板温度 約20℃
I2源の温度 30℃
高周波電圧 300V、13.56MHz
電 力 50W
CuI2成長速度 1.4μｍ／分
銅の厚さ 任意
プラスチツク（ポリイミド、ポリメタクリル酸
メチル等） 任意 この方法は、銅表面への被膜の付着性を増すた
めの簡単な乾式処理方法である。銅及びプラスチ
ツクの両方の表面を同時に粗面化することが出来
る。反応の副生成物は、凝縮可能である。
メチル等） 任意 この方法は、銅表面への被膜の付着性を増すた
めの簡単な乾式処理方法である。銅及びプラスチ
ツクの両方の表面を同時に粗面化することが出来
る。反応の副生成物は、凝縮可能である。
プラスチツク上に既に付着されている銅のパタ
ーンが、真空チエンバの特性により限定される連
続的又は半連続的なバツチ処理方式で粗面化され
てもよい。
ーンが、真空チエンバの特性により限定される連
続的又は半連続的なバツチ処理方式で粗面化され
てもよい。
銅の厚さも、プラスチツクの厚さも、何ら厳密
である必要はない。
である必要はない。
ポリメタクリル酸メチル、ポリイミド、及び他
のプラスチツクのホスト材料を含む、種々のプラ
スチツクが用いられる。沃素は、強力な酸化剤で
あり、CI4の形式によりプラスチツク表面を粗面
化する様にも、又はそのまま変化させずに残す様
にも用いられる。形成されたCI4は、HClで洗浄
することにより容易に除去される。
のプラスチツクのホスト材料を含む、種々のプラ
スチツクが用いられる。沃素は、強力な酸化剤で
あり、CI4の形式によりプラスチツク表面を粗面
化する様にも、又はそのまま変化させずに残す様
にも用いられる。形成されたCI4は、HClで洗浄
することにより容易に除去される。
第２図は、表面が荒い、初めの銅表面の金属組
織を示す顕微鏡写真であり、第３図は本発明によ
る沃素プラズマ処理が施された後に於ける第２図
の銅表面の金属組織を示す顕微鏡写真であり、第
４図は表面が滑らかな、初めの銅表面の金属組織
を示す顕微鏡写真であり、第５図は本発明による
沃素プラズマ処理が施された後に於ける第４図の
銅表面の金属組織を示す顕微鏡写真である。
織を示す顕微鏡写真であり、第３図は本発明によ
る沃素プラズマ処理が施された後に於ける第２図
の銅表面の金属組織を示す顕微鏡写真であり、第
４図は表面が滑らかな、初めの銅表面の金属組織
を示す顕微鏡写真であり、第５図は本発明による
沃素プラズマ処理が施された後に於ける第４図の
銅表面の金属組織を示す顕微鏡写真である。
第１図は本発明の方法を実施するための装置を
示す図、第２図及び第３図は本発明による沃素プ
ラズマ処理が施される前及び施された後に於け
る、初めの表面が荒い銅表面の金属組織を各々示
す図、第４図及び第５図は本発明による沃素プラ
ズマ処理が施される前及び施された後に於ける、
初めの表面が滑らかな銅表面の金属組織を各々示
す図である。 １……真空チエンバ、２……高周波アノード、
３……接地アノード、４……沃素供給フラスコ、
５……沃素結晶、６……沃素ガス、７……真空ポ
ンプ、８……バルブ、９……高周波発生装置、１
０……銅の試料、１１……沃素プラズマ。
示す図、第２図及び第３図は本発明による沃素プ
ラズマ処理が施される前及び施された後に於け
る、初めの表面が荒い銅表面の金属組織を各々示
す図、第４図及び第５図は本発明による沃素プラ
ズマ処理が施される前及び施された後に於ける、
初めの表面が滑らかな銅表面の金属組織を各々示
す図である。 １……真空チエンバ、２……高周波アノード、
３……接地アノード、４……沃素供給フラスコ、
５……沃素結晶、６……沃素ガス、７……真空ポ
ンプ、８……バルブ、９……高周波発生装置、１
０……銅の試料、１１……沃素プラズマ。
Claims (1)
- １ 銅の試料を沃素の蒸気で充填された真空チエ
ンバ内に配置し、上記試料を室温に保ち、上記試
料上に沃化銅の層を成長させるために高周波電圧
を加え、成長された上記沃化銅の層を除去するこ
とを含む、銅表面への被膜の付着性を増すために
銅表面を粗面化するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/454,922 US4416725A (en) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | Copper texturing process |
| US454922 | 1982-12-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126779A JPS59126779A (ja) | 1984-07-21 |
| JPS6219513B2 true JPS6219513B2 (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=23806622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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