JPH0330409A - 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 - Google Patents

電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法

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JPH0330409A
JPH0330409A JP16576889A JP16576889A JPH0330409A JP H0330409 A JPH0330409 A JP H0330409A JP 16576889 A JP16576889 A JP 16576889A JP 16576889 A JP16576889 A JP 16576889A JP H0330409 A JPH0330409 A JP H0330409A
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JP
Japan
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arc
palladium
cathode
aluminum
target
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JP16576889A
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English (en)
Inventor
Yutaka Yokoyama
豊 横山
Susumu Ando
進 安藤
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Nippon Chemi Con Corp
Original Assignee
Nippon Chemi Con Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
この発明は電解コンデンサに用いられるアルミニウム電
極の製造方法に関し、さらに詳しくは陰掻用電掻に用い
られる高純度アルミニウムの表面に蒸着によってパラジ
ウム層を形成させるアルミニウム電極の製造方法に関す
る。
【従来の技術】
電解コンデンサは、小型、大容量、安価で整流出力の平
滑用などの用途に優れた特性を示し、各種の電気・電子
機器の重要な構成要素の一つである。 電解コンデンサは、−Sにアルミニウム等の絶縁性酸化
皮膜が形成され得る、いわゆる弁金属を陽極に用い、前
記絶縁性酸化皮膜を誘電体層として、集電用の陰極電極
との間に電解液を介在させて作成される。 陽極材料は前述したように、アルミニウム壱はしめ、タ
ンクル、ニオブ、チタンなどが使用される。また集電の
ための陰極電極材料には、陽極材料と同種の金属が用い
られる。 ところが、弁金属は一般に自然酸化による酸(ヒ皮膜層
が表面に形成される。この傾向はアルミニウムにおいて
特に顕著である。そしてこの自然酸化皮膜は極めて薄い
匁色縁層のため、陰極側にも静電容量が形成され、電解
コンデンサは陽極側の静電容量および、陰掘側の静電容
量が直列に接続された合成容量となり、所望の静電容量
が得られない場合がある。また所望の静電容量を得るた
め、陽極側の静電容量を必要以上に大きく設定する必要
がある。 これの影響を少なくするためには、陽極側の静電容量値
に比べ陰極側の静電容量値を著しく高くすれば、陰極側
の静電容量による影響は殆ど無視できることになるが、
低電圧用の電解コンデンサの陽極はの単位面積あたりの
静電容量は相当に高く合成容量による静電容量値の低下
は免れ得ない。 そこで陰極側の静電容量値をより高くするために、陰極
電極表面をエツチング処理して表面積を拡大する方法が
ある。しかしこの表面積を拡大する技術は、現在では高
度に洗練されているが、この技術のみによって電解コン
デンサの静電容量を増加させるのは次第に困難になりつ
つある。 むしろ陰極との合成容量による静電容量の低下の問題は
、少なくとも陰極の表面部に自然酸化皮膜が形成されな
い形態をとるのが望ましい。 このためには、陰極材料に弁金属以外の金属を用いれば
、絶縁性の酸化皮膜が形成されない。しかし、電解コン
デンサは内部に電解液が含浸されており、電解液との反
応によって腐食等の不都合が発生することから、陰極材
料として弁金属以外にはパラジウム、白金、金等の安定
性の高い貴金属に限られる。しかしこれら貴金属を集電
用の陰極としてそのまま用いることは、経済的理由ゆえ
まず不可能である。 そごでこれを解決する手段として、アルミニウムの表面
に、これら貴金属を付着または溶着させることが考えら
れている(例えば特開昭601.826号公報)。この
ような手段としては、例えば真空蒸着法、イオンブレー
ティング法またはスパッタリング法のような物理的方法
により、アルミニウム表面に所望の蒸着金属層を形成す
ることで、電解コンデンサの静電容量を増加させること
ができる。 しかしながら、前述した方法では、アルミニウム表面に
おける白金等の金属の蒸着膜の密着性は必ずしも十分で
はなく、特に蒸着技術を改良してより優れた電解コンデ
ンサ用アルミニウム陰極電極を製造する余地が残されて
いた。 また前記した蒸着技術を用いる方法では、処理時間が長
くかかるため、生産効率の点でも不十分であった。
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、高純度アルミニウムの表面に蒸着によりパ
ラジウムを付着させて、表面にパラジウム層の蒸着膜を
形成させることからなる、電解コンデンサ用アルミニウ
ム電極の製造方法を改良することにより、蒸着膜の密着
性および緻密性を向上させ、処理時間を大幅に短縮させ
ることを目的とするとともに、静電容量を増加させ得る
電解コンデンサ用アルミニウム!極を得ることを目的と
している。
【課題を解決するための手段】
この発明によれば、電解コンデンサ用アルミニウム電極
を製造するに際し、高純度アルミニウム表面に、陰極ア
ーク蒸着法によってパラジウムの蒸着層を形成すること
を特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造
方法が提供される。 陰極アーク蒸着法は、ターゲット側を陰極とした陰極ア
ーク放電現象を利用して、ターゲット材料を局所的に溶
融蒸発させ、被処理材料表面に蒸着をおこなうもので、
陰極アーク放電の特性として、陰極側(ターゲット)に
非常に小さな陰極輝点を生じ、大きなアーク電流がこの
小さい点に流れ込むことから、陰極点の近傍は極めて高
温に熱せられて、パラジウム等の高融点材料も瞬時に溶
融蒸発させる。 そして溶融蒸発した、ターゲツト材は同時に金属イオン
となり、真空中に放出される。この際バイアス電圧を被
処理材料に印加することにより、この金属イオンは、加
速された反応ガス粒子と共に被処理材料の表面に密着し
、機密な蒸着膜を化成する。 この発明によれば、被処理材料としては、通常の電解コ
ンデンサの陰極に用いる高純度で箔状あるいは板状のア
ルミニウムを用いることができる。 このアルミニウム表面は、あらかじめ脱脂処理等にをよ
り表面を清浄化しておく。またアルミニウム表面はエツ
チング処理を施しても良いし、プレーンのままであうで
もよい。 この発明における、陰極アーク蒸着の好ましい条件とし
ては、真空度については、10づないし1F ”Tor
rの圧力でおこなえば好適である。また不活性ガスとし
ては、アルゴン、ヘリウム、窒素ガスの雰囲気中でおこ
なえばよい。蒸発距離は100ないし500mm、ター
ゲットの蒸発速度はlXl0−”ないしI Xl0−’
mg/c+fl +秒、蒸着量は1×10″コないしl
 mg / c+晶で蒸着をおこなえば好適である。更
に蒸着■りの厚さは、o、oosないし3μm、蒸着時
間は、0.05分ないし30分である。
【作  用】
この発明の陰極アーク蒸着法によりパラジウムの蒸着層
を高純度アルミニウムの表面に形成できる。 この発明の方法によれば、粒子のイオン化率が高いため
、イオンボンバード効果が強く、またコーティング中の
バイアス効果も強いため、被処理材との密着性が極めて
高い皮膜が低温で容易に得られる。 この発明の陰極アーク蒸着法と、従来のイオンブレーテ
ィング法およびスパッタリング法について、パラジウム
の被処理材上のイオン化率および粒子エネルギーを比I
TGしたものを、第1表に示す。 第  1  表 このように、陰極アーク蒸着法によれば、イオン化率が
他の方法に比べて著しく大きく、高イオンエネルギであ
るため、反応効率が向上し、アルミニウム電極とパラジ
ウムとの密着性ならびに緻密性を顕著に向上させること
ができる。 また処理時間についても、この発明の陰極アーク蒸着法
によれば長くとも100分間で処理が終わるのに対し、
イオンブレーティング法では20分程度、スパッタリン
グ法によれば50分程度と、何れもこの発明の方法に比
べ相当の時間を要する。
【実 施 例】
以下実施例に基づいて、この発明を更に詳細に説明する
。 一夫旌±よ− まずこの発明の実施例として、高純度のアルミニウム箔
(純度99.95%)を50X 100mmに切断した
ものを被処理材として使用し、この表面にパラジウムを
蒸着した。 図面は、陰極アーク蒸着に使用する装置の概略を説明し
たものである。この発明は図面の装置により、実質的に
真空でパラジウムからなる金属ターゲット(蒸発源)1
0を陰極としてアーク放電を起こすと、アークはターゲ
ラ1−10の表面にアークスポットを形成し、アークス
ポットに集中するアーク電流のエネルギーにより、ター
ゲツト材10は瞬時に溶融蒸発すると同時に金属イオン
12となり、真空中に放出される。 この際、高純度のアルミニウムからなる被処理材14に
対しバイアス電圧を印加することにより、この金属イオ
ン12は、加速された反応ガス粒子16と共に被処理材
14の表面に密着し、緻密な膜を生成する。なお、図面
中18および20はアーク電源、22はバイアス電源、
24は回転テーブル、26はガス入口、28はガス出口
、30は真空チャンバである。 1・−タルのチャンバ圧力を5 Xl0−3Torr、
蒸発距離200m、アーク電源の電流値100A、形成
速度011μm7分とし、5分間陰極アーク蒸着をおこ
ない、パラジウム蒸着膜4約0.05μmの蒸着膜を形
成させた。 一止較貫上一 被処理材の高純度アルミニウムは実施例1と同一のもの
を使用し、これをI X 10−’Torrのアルゴン
雰囲気中で、蒸発距M 200mm、形成速度0.05
μm/分として、イオンブレーティング法によるパラジ
ウム蒸着をおこない蒸着膜を形成させた。 −止較拠l− スパッタリング法による以外は、比較例1と同様にパラ
ジウムの蒸着膜を形成させた。 形成条件は、I X 10−”Torrのアルゴン雰囲
気中で、パラジウムターゲットを用い形成速度0.02
μm/分でスパッタリングをおこなった。 −止笠尉主一 被処理材の高純度アルミニウムは、実施例1と同一のを
用いた。この比較例では、表面に蒸着膜を形成せず、常
法によってアルミニウム箔表面をエツチング処理し、表
面積を拡大して、単位面積あたりの静電容量を増大させ
た。この比較例では、400 u F / c+aであ
った。 これら実施例および比較例のアルミニウム箔について、
まず蒸着処理をしたものについて、蒸着されたパラジウ
ム膜の付着力を測定し、密着性を調べた。この結果を第
2表に示す。 第2表 この結果かられかるように、この発明の方法による蒸着
膜は、比較例に比べ密着性に優れることがわかる。 次に、これら実施例、各比較例の箔の静電容量を測定し
た結果を第3表に示す。 第3表 ごの結果から明らかなように、この発明の方法により作
成された電解コンデンサは高い静電容量を得られること
がわかる。
【発明の効果】
以上述べたようにこの発明によれば、電解コンデンサ用
アルミニウム電極の表面にパラジウムを付着させて蒸着
膜の形成する製造方法を改良することにより、蒸着膜の
密着性ならびに緻密性を向上させ、しかも処理時間を大
幅に短縮させることができる。 またアルミニウム電極表面に自然酸化皮膜によって形成
される静電容量によって電解コンデンサの静電容量値が
減少することが防止でき、小型大容量の電解コンデンサ
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明で用いる陰極アーク薫看装置の概略を表
した説明図である。 10・・・パラジウムからなる 金属ターゲット (蒸発源) 12・・・金属イオン   14・・・被処理材16・
・・反応ガス粒子  18・・・アーク電源20・・・
アーク電源   22・・・バイアス電源24・・・回
転テーブル  26・・・ガス入口28・・・ガス出口
    30・・・真空チャンバ18:アーク電源

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高純度アルミニウム表面に、陰極アーク蒸着法に
    よってパラジウムの蒸着層を形成することを特徴とする
    電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法。
JP16576889A 1989-06-28 1989-06-28 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 Pending JPH0330409A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7237324B2 (en) 2002-01-15 2007-07-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing chip resistor
JP2009302509A (ja) * 2008-05-14 2009-12-24 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法ならびに集合部品
CN103361692A (zh) * 2013-07-15 2013-10-23 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 中高压电子铝箔电沉积弥散锡晶核的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009302509A (ja) * 2008-05-14 2009-12-24 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法ならびに集合部品
CN103361692A (zh) * 2013-07-15 2013-10-23 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 中高压电子铝箔电沉积弥散锡晶核的方法
CN103361692B (zh) * 2013-07-15 2016-03-30 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 中高压电子铝箔电沉积弥散锡晶核的方法

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