JP3033780B2 - 基板への薄膜形成方法 - Google Patents
基板への薄膜形成方法Info
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- JP3033780B2 JP3033780B2 JP2277220A JP27722090A JP3033780B2 JP 3033780 B2 JP3033780 B2 JP 3033780B2 JP 2277220 A JP2277220 A JP 2277220A JP 27722090 A JP27722090 A JP 27722090A JP 3033780 B2 JP3033780 B2 JP 3033780B2
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- Japan
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- film
- sputtering
- forming
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、Si、Al2O3等の基板へ薄膜を形成する方法
に関する。
に関する。
（従来の技術） 近年、半導体をはじめ各種の技術分野で、スパッタリ
ング法による薄膜形成が行われている。
ング法による薄膜形成が行われている。
スパッタリング法には、直流スパッタリング、直流マ
グネトロンスパッタリング、高周波スパッタリング等の
方法があり、直流スパッタリングや直流マグネトロンス
パッタリングでは付着速度が大きく、高周波スパッタリ
ングでは絶縁物の薄膜も形成できるという利点がある。
グネトロンスパッタリング、高周波スパッタリング等の
方法があり、直流スパッタリングや直流マグネトロンス
パッタリングでは付着速度が大きく、高周波スパッタリ
ングでは絶縁物の薄膜も形成できるという利点がある。
金属薄膜の形成では付着速度が大きいということで直
流スパッタリング法が主に行われてきた。また付着強度
を増す為に、下地としてTi、Cr、Pd等の接着層を設ける
ことがある。
流スパッタリング法が主に行われてきた。また付着強度
を増す為に、下地としてTi、Cr、Pd等の接着層を設ける
ことがある。
（発明が解決しようとする課題） ところで、Al2O3基板にPt膜を付着させる場合、直流
スパッタリング法では膜付着強度が弱い。またSi基板や
酸化Si基板にCr/Pt/Auの多層膜を直流スパッタリング法
で形成したものでも膜付着強度が弱い場合があり、膜付
着強度が安定しない。
スパッタリング法では膜付着強度が弱い。またSi基板や
酸化Si基板にCr/Pt/Auの多層膜を直流スパッタリング法
で形成したものでも膜付着強度が弱い場合があり、膜付
着強度が安定しない。
そこで本発明は、基板との膜付着強度を高めることの
できる薄膜形成方法を提供しようとするものである。
できる薄膜形成方法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するための本発明の基板への薄膜形成
方法は、Si、Al2O3等の基板へ薄膜を形成するに於い
て、基板の洗浄、イオンエッチングを行った後、第１層
目を高周波スパッタリング法により金属薄膜を形成し、
第２層目以降を直流スパッタリング法により第１層目と
異なる金属薄膜を形成することを特徴とするものであ
る。
方法は、Si、Al2O3等の基板へ薄膜を形成するに於い
て、基板の洗浄、イオンエッチングを行った後、第１層
目を高周波スパッタリング法により金属薄膜を形成し、
第２層目以降を直流スパッタリング法により第１層目と
異なる金属薄膜を形成することを特徴とするものであ
る。
（作用） 上記のように本発明の基板への薄膜形成方法は、第１
層目を高周波スパッタリング法により金属薄膜を形成す
るので、直流スパッタリング法に比べ基板側に僅かなバ
イアスがかかり、一度付着した膜がイオンボンバードさ
れる為、付着の弱い粒子、ガス分子等が逆スパッタさ
れ、付着強度の高い薄膜が形成される。尚、高周波スパ
ッタリング法により薄膜を形成する際、低パワー（RF50
0W以下）で行うと、膜のひずみが緩和され、付着力が高
まるので、好ましい。
層目を高周波スパッタリング法により金属薄膜を形成す
るので、直流スパッタリング法に比べ基板側に僅かなバ
イアスがかかり、一度付着した膜がイオンボンバードさ
れる為、付着の弱い粒子、ガス分子等が逆スパッタさ
れ、付着強度の高い薄膜が形成される。尚、高周波スパ
ッタリング法により薄膜を形成する際、低パワー（RF50
0W以下）で行うと、膜のひずみが緩和され、付着力が高
まるので、好ましい。
（実施例） 本発明の基板への薄膜形成方法の実施例を、従来例と
共に説明する。
共に説明する。
実施例１ 表面酸化された厚さ0.5mmのSi基板を洗浄し、イオン
エッチングした後、高周波スパッタリング法（RF200W）
により厚さ1500ÅのCr膜を形成し、直流スパッタリング
法により厚さ3000ÅのPt膜を形成し、次いで直流スパッ
タリング法により厚さ3000ÅのAu膜を形成した。
エッチングした後、高周波スパッタリング法（RF200W）
により厚さ1500ÅのCr膜を形成し、直流スパッタリング
法により厚さ3000ÅのPt膜を形成し、次いで直流スパッ
タリング法により厚さ3000ÅのAu膜を形成した。
従来例１ 表面酸化された厚さ0.5mmのSi基板を洗浄し、イオン
エッチングした後、直流スパッタリング法（1500W）に
より厚さ1500ÅのCr膜を形成し、次に直流スパッタリン
グ法により厚さ3000ÅのPt膜を形成し、次いで直流スパ
ッタリング法により厚さ3000ÅのAu膜を形成した。
エッチングした後、直流スパッタリング法（1500W）に
より厚さ1500ÅのCr膜を形成し、次に直流スパッタリン
グ法により厚さ3000ÅのPt膜を形成し、次いで直流スパ
ッタリング法により厚さ3000ÅのAu膜を形成した。
こうしてSi基板へ形成した実施例１及び従来例１の薄
膜の膜付着強度を測定する為に、ピールテストを行った
処、従来例１の薄膜は部分的な剥離が生じたのに対し、
実施例１の薄膜は全く剥離が生じなかった。
膜の膜付着強度を測定する為に、ピールテストを行った
処、従来例１の薄膜は部分的な剥離が生じたのに対し、
実施例１の薄膜は全く剥離が生じなかった。
実施例２ 厚さ1.0mmのAl2O3基板を洗浄し、イオンエッチングし
た後、高周波スパッタリング法（RF500W）により厚さ20
00ÅのPt膜を形成し、次に直流スパッタリング法により
厚さ1.0μｍのPt膜を形成した。
た後、高周波スパッタリング法（RF500W）により厚さ20
00ÅのPt膜を形成し、次に直流スパッタリング法により
厚さ1.0μｍのPt膜を形成した。
従来例２ 厚さ1.0mmのAl2O3基板を洗浄し、イオンエッチングを
行った後、直流スパッタリング法により厚さ1.2μｍのP
t膜を形成した。
行った後、直流スパッタリング法により厚さ1.2μｍのP
t膜を形成した。
こうしてAl2O3基板へ形成した実施例２及び従来例２
の薄膜の膜付着強度を測定するために、ピールテストを
行った処、従来例２の薄膜は部分的な剥離が生じたが、
実施例２の薄膜は全く剥離が生じなかった。また従来例
２の薄膜は加熱した処全面剥離したが、実施例２の薄膜
は加熱しても全く剥離が生じなかった。
の薄膜の膜付着強度を測定するために、ピールテストを
行った処、従来例２の薄膜は部分的な剥離が生じたが、
実施例２の薄膜は全く剥離が生じなかった。また従来例
２の薄膜は加熱した処全面剥離したが、実施例２の薄膜
は加熱しても全く剥離が生じなかった。
（発明の効果） 以上の通り本発明の基板への金属薄膜形成方法によれ
ば、基板との膜付着強度の高い薄板を形成することがで
きる。
ば、基板との膜付着強度の高い薄板を形成することがで
きる。
Claims (1)
- 【請求項１】Si、Al2O3等の基板へ薄膜を形成するに於
いて、基板の洗浄、イオンエッチングを行った後、第１
層目を高周波スパッタリング法により金属薄膜を形成
し、第２層目以降を直流スパッタリング法により第１層
目と異なる金属薄膜を形成することを特徴とする基板へ
の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277220A JP3033780B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 基板への薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277220A JP3033780B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 基板への薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154965A JPH04154965A (ja) | 1992-05-27 |
| JP3033780B2 true JP3033780B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=17580490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2277220A Expired - Lifetime JP3033780B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 基板への薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3033780B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP2277220A patent/JP3033780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04154965A (ja) | 1992-05-27 |
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