JPH0570711B2 - - Google Patents
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- JPH0570711B2 JPH0570711B2 JP60151158A JP15115885A JPH0570711B2 JP H0570711 B2 JPH0570711 B2 JP H0570711B2 JP 60151158 A JP60151158 A JP 60151158A JP 15115885 A JP15115885 A JP 15115885A JP H0570711 B2 JPH0570711 B2 JP H0570711B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- quartz substrate
- film
- forming
- high frequency
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- Expired - Lifetime
Links
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/40—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal all coatings being metal coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、超高周波回路用Cu薄膜付石英基板
の製造方法、詳しくは石英基板にCu薄膜を形成
する方法に関する。
の製造方法、詳しくは石英基板にCu薄膜を形成
する方法に関する。
（従来技術とその問題点）
従来の超高周波回路用Cu薄膜付基板は、石英
基板に直接マグネトロンスパツター法によりCu
薄膜を形成したものであるが、Cu薄膜の付着力
が弱いという問題点がある。
基板に直接マグネトロンスパツター法によりCu
薄膜を形成したものであるが、Cu薄膜の付着力
が弱いという問題点がある。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解消すべくなされたも
ので、石英基板に強固に超高周波回路用Cu薄膜
を付着形成することのできる方法を提供すること
を目的とするものである。
ので、石英基板に強固に超高周波回路用Cu薄膜
を付着形成することのできる方法を提供すること
を目的とするものである。
（発明の構成）
上記目的を達成するために本発明の石英基板に
超高周波回路用Cu薄膜を形成する方法は、石英
基板に、平均膜厚10〜1000ÅのMo膜を形成し、
然る後Cu薄膜を形成し、その後エツチングでパ
ターンを形成することを特徴とする石英基板に
Cu薄膜を形成することを特徴とする。
超高周波回路用Cu薄膜を形成する方法は、石英
基板に、平均膜厚10〜1000ÅのMo膜を形成し、
然る後Cu薄膜を形成し、その後エツチングでパ
ターンを形成することを特徴とする石英基板に
Cu薄膜を形成することを特徴とする。
石英基板に、中間層としてMo膜を形成する理
由は、MoがTi等のようにO2との親和性が強くな
い為、Cuが付着し易いからであり、またそのMo
膜を形成する際、スパツター装置の真空度は５×
10-5Torr程度で充分で操作し易いからである。
またエツチングでパターンを作る時、塩化第二鉄
（FeCl3）が使えるので、ホトレジストの耐薬品
性等を考慮しなくてもよいからである。
由は、MoがTi等のようにO2との親和性が強くな
い為、Cuが付着し易いからであり、またそのMo
膜を形成する際、スパツター装置の真空度は５×
10-5Torr程度で充分で操作し易いからである。
またエツチングでパターンを作る時、塩化第二鉄
（FeCl3）が使えるので、ホトレジストの耐薬品
性等を考慮しなくてもよいからである。
然して、Mo膜の平均膜厚を10〜1000Åとした
理由は、10Å未満ではCu膜の付着力が強くなら
ず、1000Åを超えると異層となつて、超高周波回
路に悪影響を及ぼすからである。
理由は、10Å未満ではCu膜の付着力が強くなら
ず、1000Åを超えると異層となつて、超高周波回
路に悪影響を及ぼすからである。
（実施例）
本発明による石英基板に超高周波回路用Cu薄
膜を形成する方法の一実施例について説明する。
先ず石英基板を洗浄した後、スパツタ装置にセツ
トする。この時、第１陰極にはMoを、第２陰極
にCuをセツトする、次にスパツト装置内を５×
10-5Torrの真空度に真空引きした後、３×
10-3TorrのArガス中で高周波エツチングを３分
間行つた。次いで第１陰極のMoをDC0.5Aで10
秒間スパツタした後、第２陰極よりCuをDC4Aで
８分間スパツタした。10分間冷却した後、スパツ
タ装置内よりCu薄膜付石英基板を取出した。こ
のCu薄膜付石英基板のCu層は1μｍ、Mo層は13
Åであつた。
膜を形成する方法の一実施例について説明する。
先ず石英基板を洗浄した後、スパツタ装置にセツ
トする。この時、第１陰極にはMoを、第２陰極
にCuをセツトする、次にスパツト装置内を５×
10-5Torrの真空度に真空引きした後、３×
10-3TorrのArガス中で高周波エツチングを３分
間行つた。次いで第１陰極のMoをDC0.5Aで10
秒間スパツタした後、第２陰極よりCuをDC4Aで
８分間スパツタした。10分間冷却した後、スパツ
タ装置内よりCu薄膜付石英基板を取出した。こ
のCu薄膜付石英基板のCu層は1μｍ、Mo層は13
Åであつた。
然してこのCu薄膜付石英基板をセロテープに
よる剥離試験をしたところCu薄膜は全く剥離す
ることが無かつた。
よる剥離試験をしたところCu薄膜は全く剥離す
ることが無かつた。
また他のMo厚６〜5000Åの場合についてセロ
テープによるCu薄膜の剥離試験をおこなつた処、
６Åで既に接着効果が現われ、前記実施例のMo
厚13Åでは全くCu薄膜が剥離しなかつた。これ
に対しMoの中間層を形成しなかつたCu薄膜付石
英基板のCu薄膜は何の抵抗も無くセロテープで
剥離した。
テープによるCu薄膜の剥離試験をおこなつた処、
６Åで既に接着効果が現われ、前記実施例のMo
厚13Åでは全くCu薄膜が剥離しなかつた。これ
に対しMoの中間層を形成しなかつたCu薄膜付石
英基板のCu薄膜は何の抵抗も無くセロテープで
剥離した。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明は、石英基板に
平均膜厚10〜1000ÅのMo膜を形成し、然る後Cu
薄膜を形成するので、そのCu薄膜はMo膜に強固
に付着し、またMo膜は石英基板に接着するの
で、結局Cu薄膜は石英基板に強固に付着されて
剥離することがない。又Mo膜は10〜1000Åと極
めて薄いので、超高周波回路に使用した際、悪影
響を及ぼすことがない等の効果がある。
平均膜厚10〜1000ÅのMo膜を形成し、然る後Cu
薄膜を形成するので、そのCu薄膜はMo膜に強固
に付着し、またMo膜は石英基板に接着するの
で、結局Cu薄膜は石英基板に強固に付着されて
剥離することがない。又Mo膜は10〜1000Åと極
めて薄いので、超高周波回路に使用した際、悪影
響を及ぼすことがない等の効果がある。
Claims (1)
- １ 石英基板に、平均膜厚10〜1000ÅのMo膜を
形成し、然る後Cu薄膜を形成し、その後エツチ
ングでパターンを形成することを特徴とする石英
基板に超高周波回路用Cu薄膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15115885A JPS6212185A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 石英基板に超高周波回路用Ｃｕ薄膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15115885A JPS6212185A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 石英基板に超高周波回路用Ｃｕ薄膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212185A JPS6212185A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0570711B2 true JPH0570711B2 (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=15512615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15115885A Granted JPS6212185A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 石英基板に超高周波回路用Ｃｕ薄膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212185A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02229742A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 遮音性合わせガラス |
| JP7326312B2 (ja) | 2018-03-21 | 2023-08-15 | カーギル インコーポレイテッド | 安定度を高めた天然生物由来油を含む誘電流体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5520228A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-13 | Sharp Corp | Forming method for selectively absorbing film |
| JPS5559793A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Printed circuit board |
| JPS5814078A (ja) * | 1981-07-18 | 1983-01-26 | Ricoh Elemex Corp | 体温・脈はく計付電子時計 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15115885A patent/JPS6212185A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5520228A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-13 | Sharp Corp | Forming method for selectively absorbing film |
| JPS5559793A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Printed circuit board |
| JPS5814078A (ja) * | 1981-07-18 | 1983-01-26 | Ricoh Elemex Corp | 体温・脈はく計付電子時計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6212185A (ja) | 1987-01-21 |
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