JPS6212184A - 石英板に銅をスパツタめつきする方法 - Google Patents
石英板に銅をスパツタめつきする方法Info
- Publication number
- JPS6212184A JPS6212184A JP15115685A JP15115685A JPS6212184A JP S6212184 A JPS6212184 A JP S6212184A JP 15115685 A JP15115685 A JP 15115685A JP 15115685 A JP15115685 A JP 15115685A JP S6212184 A JPS6212184 A JP S6212184A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- quartz plate
- sputtering
- plating
- quartz
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
- C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、石英板に銅をスパッタめっきする方法の改良
に関する。
に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、石英板に銅をスパッタめっきする場合には、接合
力を出す為にバインダーとして、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属層
を設けているが、最近の電子回路、とりわけ高周波回路
では、この金属バインダ一層が悪影響を与える為、銅を
スパッタめっきした石英板を回路基板として使用するこ
とを避けている。
力を出す為にバインダーとして、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属層
を設けているが、最近の電子回路、とりわけ高周波回路
では、この金属バインダ一層が悪影響を与える為、銅を
スパッタめっきした石英板を回路基板として使用するこ
とを避けている。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解消すべくなされたもので、金
属バインダ一層を設けなくとも接合力を高めることがで
きるように改善した石英板に銅をスパッタめっきする方
法を提供することを目的とするものである。
属バインダ一層を設けなくとも接合力を高めることがで
きるように改善した石英板に銅をスパッタめっきする方
法を提供することを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明による石英板に銅をスパッタめっきする方法は、
スパッタリング装置内に、ターゲットとして銅をセット
すると共に石英板を回転テーブルに取付けてセットし、
次にスパッタリング装置内を所要の真空度まで真空引き
した後石英板をエツチングし、次いでＡｒガスとＯｔガ
スの減圧混合雰囲気中で銅をスパッタし乍ら石英板をエ
ツチングするプリスパッタを所要時間行い、次に所要時
間冷却後本スパッタを行い、次いで所要時間冷却するこ
とを特徴とする。
スパッタリング装置内に、ターゲットとして銅をセット
すると共に石英板を回転テーブルに取付けてセットし、
次にスパッタリング装置内を所要の真空度まで真空引き
した後石英板をエツチングし、次いでＡｒガスとＯｔガ
スの減圧混合雰囲気中で銅をスパッタし乍ら石英板をエ
ツチングするプリスパッタを所要時間行い、次に所要時
間冷却後本スパッタを行い、次いで所要時間冷却するこ
とを特徴とする。
（実施例）
本発明による石英板に銅をスバ・ツタめっきする方法の
一実施例を説明する。先ずスバ・ツタリング装置内に、
ターゲットとして直径１２７璽鳳、厚さ５龍の銅板をセ
ットすると共に縦２５鰭、横２５龍、厚さ１．０鶴の石
英板 枚を直径３００ ｍｍの回転テーブルにセットし
て相対向させた。この時の銅ターゲツトと石英板との間
隔を１００ ｍｍとなした。次にスパッタリング装置内
を４Ｘ１０−５Ｔ。
一実施例を説明する。先ずスバ・ツタリング装置内に、
ターゲットとして直径１２７璽鳳、厚さ５龍の銅板をセ
ットすると共に縦２５鰭、横２５龍、厚さ１．０鶴の石
英板 枚を直径３００ ｍｍの回転テーブルにセットし
て相対向させた。この時の銅ターゲツトと石英板との間
隔を１００ ｍｍとなした。次にスパッタリング装置内
を４Ｘ１０−５Ｔ。
ｒｒ以上の真空度まで真空引きした後、３ＸＩＱ−’Ｔ
ｏｒｒＡｒガス雰囲気中で回転テーブルを回転数２Ｏｒ
ｐｍで回転し乍ら石英板を高周波１３．５６Ｍ Ｈｚ、
ｌｋｗで１０分間エツチングした。次いで銅板をＤＣｌ
ＩＡ、２８０Ｖでスパッタし乍ら石英板を高周波１３．
５６ＭＨ２、ｌｋｗで工・ノチングするプリスパッタを
３Ｘ１０”３Ｔｏ ｒ ｒＡｒガスと０．５Ｘ１０−’
ＴｏｒｒＯ□ガスとの混合雰囲気中で１分間行った。こ
の時、０□ガスは最初の３０秒で止めた。次にスパッタ
リング装置内を冷却し、石英板を１５分間冷却した。尚
、この冷却時間が少ないと、銅の結晶が荒れて変色（茶
紫）する。次いで銅板をＤＣ１４Ａ、４４０■で３ＸＩ
Ｏ−’ＴｏｒｒＡｒガス雰囲気中で８分間本スパッタし
て、回転数２Ｏｒｐｍで回転中の石英板に銅めっきを１
．０μ施した。然る後スパッタリング装置内を冷却し、
石英板を１５分間冷却して銅めっきを酸化防止した。尚
、この冷却時間が少ないと、結晶荒れは無いが銅めっき
が酸化変色する。
ｏｒｒＡｒガス雰囲気中で回転テーブルを回転数２Ｏｒ
ｐｍで回転し乍ら石英板を高周波１３．５６Ｍ Ｈｚ、
ｌｋｗで１０分間エツチングした。次いで銅板をＤＣｌ
ＩＡ、２８０Ｖでスパッタし乍ら石英板を高周波１３．
５６ＭＨ２、ｌｋｗで工・ノチングするプリスパッタを
３Ｘ１０”３Ｔｏ ｒ ｒＡｒガスと０．５Ｘ１０−’
ＴｏｒｒＯ□ガスとの混合雰囲気中で１分間行った。こ
の時、０□ガスは最初の３０秒で止めた。次にスパッタ
リング装置内を冷却し、石英板を１５分間冷却した。尚
、この冷却時間が少ないと、銅の結晶が荒れて変色（茶
紫）する。次いで銅板をＤＣ１４Ａ、４４０■で３ＸＩ
Ｏ−’ＴｏｒｒＡｒガス雰囲気中で８分間本スパッタし
て、回転数２Ｏｒｐｍで回転中の石英板に銅めっきを１
．０μ施した。然る後スパッタリング装置内を冷却し、
石英板を１５分間冷却して銅めっきを酸化防止した。尚
、この冷却時間が少ないと、結晶荒れは無いが銅めっき
が酸化変色する。
上記の如く銅をスパッタめっきした石英板を、スパッタ
リング装置内より取り出し、銅めっきの厚さのばらつき
を検査した処、１．０〜１．２μの範囲のばらつきであ
った。また、この銅めっき面にセロテープを接着し、こ
のセロテープを引きはがして銅めっきを石英板より剥離
するテストを行った処、銅めっきは全く剥離することが
無（、接合力が高いものであった。
リング装置内より取り出し、銅めっきの厚さのばらつき
を検査した処、１．０〜１．２μの範囲のばらつきであ
った。また、この銅めっき面にセロテープを接着し、こ
のセロテープを引きはがして銅めっきを石英板より剥離
するテストを行った処、銅めっきは全く剥離することが
無（、接合力が高いものであった。
このように銅めっきの接合力が高いのは、本スパッタの
前に銅をスパッタし乍ら石英板をエッチチングするプリ
スパッタを３Ｘ１０−３ＴｏｒｒのＡｒガスと０．２〜
０．５ Ｘ ｌ Ｏ−’Ｔｏ ｒ ｒｏｚガスとの混合
雰囲気中で行うことにより、石英と銅の境界に薄い銅の
酸化物層が形成され、この銅酸化物を介して本スパッタ
による銅めっきが強固に石英板に接合されるからに他な
らない。
前に銅をスパッタし乍ら石英板をエッチチングするプリ
スパッタを３Ｘ１０−３ＴｏｒｒのＡｒガスと０．２〜
０．５ Ｘ ｌ Ｏ−’Ｔｏ ｒ ｒｏｚガスとの混合
雰囲気中で行うことにより、石英と銅の境界に薄い銅の
酸化物層が形成され、この銅酸化物を介して本スパッタ
による銅めっきが強固に石英板に接合されるからに他な
らない。
尚、プリスパッタを行うに於いて、０２ガスを例えば２
Ｘ１０−’Ｔｏｒｒと少なくすると、接合力がやや落ち
るものである。
Ｘ１０−’Ｔｏｒｒと少なくすると、接合力がやや落ち
るものである。
（発明の効果）
以上詳記した通り本発明による石英板に銅をスパッタめ
っきする方法は、本スパッタの前に銅をスパッタし乍ら
石英板をエツチングするプリスパッタを３Ｘ１０−３Ｔ
ｏｒｒのＡｒガスと０．２〜０．−５ＸＩＯ−’Ｔｏｒ
ｒの０２ガスとの混合雰囲気中で行うので、石英と銅の
境界に薄い銅酸化物層が形成されこの薄い銅酸化物を介
して本スパッタによる銅めっきが強固に石英板に接合さ
れる。従って、従来のよう−に石英板に接合力向上の為
のＴｉ、Ｃｒ等の金属バインダ一層を形成する必要が無
く、電子回路とりわけ高周波回路の回路基板に採用して
も何ら支障の無い銅めっきされた石英板を得ることがで
きるという効果がある。
っきする方法は、本スパッタの前に銅をスパッタし乍ら
石英板をエツチングするプリスパッタを３Ｘ１０−３Ｔ
ｏｒｒのＡｒガスと０．２〜０．−５ＸＩＯ−’Ｔｏｒ
ｒの０２ガスとの混合雰囲気中で行うので、石英と銅の
境界に薄い銅酸化物層が形成されこの薄い銅酸化物を介
して本スパッタによる銅めっきが強固に石英板に接合さ
れる。従って、従来のよう−に石英板に接合力向上の為
のＴｉ、Ｃｒ等の金属バインダ一層を形成する必要が無
く、電子回路とりわけ高周波回路の回路基板に採用して
も何ら支障の無い銅めっきされた石英板を得ることがで
きるという効果がある。
また、本発明の方法では、プリスパッタ後冷却してから
本スパッタを行うので、石英板と銅めっき薄膜の熱膨張
率の差による歪の発生が減少せしめら−れると同時に、
銅の異常結晶成長（茶紫色になる）が防止されるという
効果もある。
本スパッタを行うので、石英板と銅めっき薄膜の熱膨張
率の差による歪の発生が減少せしめら−れると同時に、
銅の異常結晶成長（茶紫色になる）が防止されるという
効果もある。
Claims (1)
- スパッタリング装置内に、ターゲットとして銅をセッ
トすると共に石英板を回転テーブルに取付けてセットし
、次にスパッタリング装置内を所要の真空度まで真空引
きした後石英板をエッチングし、次いでＡｒガスとＯ＿
２ガスの減圧混合雰囲気中で銅をスパッタし乍ら石英板
をエッチングするプリスパッタを所要時間行い、次に所
要時間冷却後本スパッタを行い、次いで所要時間冷却す
ることを特徴とする石英板に銅をスパッタめっきする方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15115685A JPS6212184A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 石英板に銅をスパツタめつきする方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15115685A JPS6212184A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 石英板に銅をスパツタめつきする方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212184A true JPS6212184A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15512576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15115685A Pending JPS6212184A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 石英板に銅をスパツタめつきする方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212184A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625190A1 (fr) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Trt Telecom Radio Electr | Procede de metallisation d'un substrat en silice, quartz, verre, ou en saphir et substrat obtenu par ce procede |
| WO1992012274A1 (en) * | 1991-01-01 | 1992-07-23 | Tadahiro Ohmi | Method of forming oxide film |
| CN111020507A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-17 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种靶材绑定装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5380380A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-15 | Tsuneo Nishida | Vacuum coating formation |
| JPS58134127A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラスチツク基体への金属膜形成方法 |
| JPS6086265A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-05-15 | ピ−ピ−ジ−・インダストリ−ズ・インコ−ポレ−テツド | カソ−ドスパツタリング法による製品の製造法およびその製品 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15115685A patent/JPS6212184A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5380380A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-15 | Tsuneo Nishida | Vacuum coating formation |
| JPS58134127A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラスチツク基体への金属膜形成方法 |
| JPS6086265A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-05-15 | ピ−ピ−ジ−・インダストリ−ズ・インコ−ポレ−テツド | カソ−ドスパツタリング法による製品の製造法およびその製品 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625190A1 (fr) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Trt Telecom Radio Electr | Procede de metallisation d'un substrat en silice, quartz, verre, ou en saphir et substrat obtenu par ce procede |
| WO1992012274A1 (en) * | 1991-01-01 | 1992-07-23 | Tadahiro Ohmi | Method of forming oxide film |
| CN111020507A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-17 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种靶材绑定装置 |
| CN111020507B (zh) * | 2019-12-18 | 2021-08-20 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种靶材绑定装置 |
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