JP3218698B2 - 銅のメタライズ方法 - Google Patents

銅のメタライズ方法

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JP3218698B2
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兼一 内山
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  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガラス板、セラミック板
などの表面が平滑な基材に銅をメタライズする方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、ガラスやセラミックスに銅をメタ
ライズする方法としては、スパッタ法、ペースト印刷
法、メッキ法などが用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タ法は、装置の価格が高く、メタライズ速度が遅いため
にコストが高くなる。ペースト印刷法は、配線板を作成
する場合にはスクリーン印刷法でパターンを作るために
微細配線を作ることが難しい。メッキ法は、図2に示す
ようにセラミック板10の表面に粗面化処理を施して細
かな凹凸10aを形成した後、銅をメタライズすること
でCu層11が凹凸10a内に入り込んで物理的に密着
力を得るため、平滑表面を持つようにラップ加工したセ
ラミック板やガラス板には適用することができない。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、セラミック板やガラス板等の基材上にZn
O−CuO層を形成した後、このZnO−CuO層上に
Cu層を形成するようにした。
【0005】
【作用】ガラス、セラミック等の基材と銅との間に接着
層となるZnO−CuO層を設けることで強い密着力が
得られる。
【0006】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面を参照して
説明する。図1は本発明に係る銅のメタライズの工程図
であり、本発明にあっては先ず、同図(a)に示すよう
にガラス板、セラミック板等の表面が平滑な基材1上に
ZnO層2をスプレー法あるいはCVD(ケミカル・ベ
ーパ・デポジション)法等によって形成し、同図(b)
に示すようにこのZnO層2上にCu薄膜3を無電解メ
ッキ法にて形成する。ここで、ZnO層2及びCu薄膜
3はスパッタ法でも形成可能ではあるが、前記したよう
にスパッタ法はコスト的に不利となるので好ましくな
い。
【0007】そして、前記Cu薄膜3の酸化処理を、例
えば大気中200℃で酸化させて行なうことにより、同
図(c)に示すように酸化後はZnO−CuO層4とな
り、褐色の半透明の膜でシート抵抗は1Ω程度になる。
【0008】その後、同図(d)に示すようにZnO−
CuO層4上に電解銅メッキを行ってCu層5を形成す
る。このとき、ZnO−CuO層4のシート抵抗は上記
したように小さいために、直接電解銅メッキを行うこと
ができる。そして、密着力を出すために、例えばCu層
5に450℃で20分間、窒素中又は真空中等の無酸化
雰囲気で熱処理を施し、目的とするメタライズ層を得
る。又、この熱処理は無くても実用に耐える密着強度を
得ることができる。
【0009】このようにして銅をメタライズすることに
より、スパッタ法を用いないでもガラス、セラミックス
等に密着力の高い銅をメタライズすることができ、平滑
基板上に線幅30μm以下の配線が可能になり、銅の配
線が可能になることで電気特性も向上し、半田付けも可
能になる。
【0010】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
基材上にZnO−CuO層を形成した後、このZnO−
CuO層上にCu層を形成するようにしたので、その表
面が平滑なガラス板、セラミック板に銅を強い密着力で
メタライズすることができ、またスパッタ法を用いる必
要もないのでコストが廉価になる。また、ZnO−Cu
O層は銅のエッチング液で容易にエッチングできるため
ファインパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による銅のメタライズの工程図
【図2】従来のメッキ法の説明図
【符号の説明】
1…基材、2…ZnO層、3…Cu層、4…ZnO−C
uO層、6…Cu層。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03C 15/00 - 23/00 C04B 41/90 C23C 18/18

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス板或いはセラミック板等の表面が
    平滑な基板上にZnO−CuO層を形成した後、このZ
    nO−CuO層上にCu層を形成することを特徴とする
    銅のメタライズ方法。
  2. 【請求項2】 前記ZnO−CuO層は先ず基板上にス
    プレー法にてZnO層を形成し、次いでZnO層の上に
    無電解メッキ法にてCu薄膜を形成し、このCu薄膜を
    酸化せしめてZnO−CuO層を形成し、更にこのZn
    O−CuO層上に形成される前記Cu層は電解銅メッキ
    にて形成され且つ無酸化雰囲気で熱処理されることを特
    徴とする請求項1に記載の銅のメタライズ方法。
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