JP2802181B2 - セラミック回路板における導体膜の形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】この発明は、セラミック回路板に
おける導体膜の形成方法に関し、詳しくは、セラミック
基板を用いて、その表面に銅膜などからなる導体回路を
形成するセラミック回路板における導体膜の形成方法に
関するものである。 【０００２】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】セラ
ミック回路板における導体膜の形成方法には、厚膜
法、薄膜法、酸化銅共晶法、湿式めっき法などが
実用化されている。 厚膜法では、Ａｇ、Ｐｄなどの金属導体粉およびガ
ラス粉をビヒクルと混合してペーストとし、スクリーン
印刷の後に焼成して回路形成を行う。この方法は、比較
的簡便で安価に実施できるが、形成された回路の導体抵
抗が大きく、回路の微細化が困難である等の欠点があ
る。 【０００３】 薄膜法では、真空蒸着、イオンプレー
ティング、スパッタリングなどのＰＶＤ法により、Ａｕ
やＮｉ−Ｃｒなどを成膜した後、パターンエッチングに
より回路を形成する。この方法では、導体膜と基板の密
着力を確保するため、Ｃｒ、Ｔｉ等を下地層として成膜
する必要があるが、この下地層の抵抗が大きいため、高
周波特性が損なわれるという欠点がある。また、パター
ンエッチングの際に、導体膜のエッチング液と下地層の
エッチング液が異なるため、工程が複雑になるという欠
点もあった。 【０００４】 酸化銅共晶法では、セラミック基板上
に銅箔または銅板を載せ、ごく微量の酸素を含む窒素雰
囲気中で加熱し、銅箔または銅板の表面に酸化銅の膜を
形成させ、銅と酸化銅の共晶温度１０６４℃以上かつ銅
の融点１０８３℃以下の温度で、銅箔または銅板の表面
の酸化銅融液とセラミック基板とを反応させることによ
り、セラミック基板に銅膜を形成する。この方法は、銅
を厚く付けるのに適しているが、１００μｍ以下の薄い
銅膜を形成するのは困難であり、そのため微細な回路形
成は出来ないという欠点がある。 【０００５】 湿式めっき法では、化学エッチングに
より基板表面を粗化した後、核付け、めっきを行って、
銅等の導体膜を形成する。導体膜とセラミック基板の密
着力を確保するには、基板表面の粗化が不可欠である。
ところが、基板表面を粗化すると、高周波に対する導体
膜の表皮抵抗が大きくなり、高周波特性が劣化するとい
う欠点がある。 【０００６】そこで、発明者らは、電気抵抗の小さな銅
を、スパッタリングにより、セラミック基板に直接成膜
する方法を開発した。この方法は、セラミック基板を真
空中でイオンエッチングによりクリーニングした後、ス
パッタリングで銅を成膜する方法であり、銅膜の厚みを
任意にコントロールできるとともに、下地層が必要ない
ので高周波特性に優れ、パターンエッチングも行い易
い。 【０００７】ところが、上記方法では、銅膜の厚みが薄
い場合には、ハンダ付けを行うと、ハンダ食われを生
じ、密着力が低下するという問題がある。ハンダ付け後
の密着力を確保するには、銅とセラミック（特に、アル
ミナ）との界面に酸化銅を介在させると効果が高いとの
報告があり、また、前記酸化銅共晶法と同様に、セラミ
ックと銅の間に酸化銅を挟んで加熱すると、高い密着力
で接合できることも知られている。すなわち、密着力、
特にハンダ付け後の密着力を向上させるには、セラミッ
ク基板に、まず酸化銅膜を形成し、さらにその上に銅膜
を形成した後、加熱処理を行えば、基板と銅膜とを強固
に接合させることができるというものである。 【０００８】しかし、上記方法では、成膜後に加熱処理
を行うことになるため、セラミック基板と銅膜との熱膨
張率の違いによって、加熱中に剥離してしまうという問
題がある。そこで、この発明の課題は、基板表面を粗化
することなく、密着力、特にハンダ付け後の密着力が高
く、高周波特性にも優れているとともに、製造工程で加
熱処理中にセラミック基板から銅膜が剥離する心配のな
いセラミック回路板における導体膜の形成方法を提供す
ることにある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決する、こ
の発明にかかるセラック回路板における導体膜の形成方
法は、セラミック基板に酸化銅膜を介して銅膜を形成す
るセラミック回路板における導体膜の形成方法におい
て、セラミック基板に酸化銅膜を形成する第１の工程
と、セラミック基板および酸化銅膜を加熱して反応接合
させる第２の工程と、酸化銅膜の上にスパッタリング等
のＰＶＤ法で銅膜を形成する第３の工程を含む。 【００１０】セラミック基板は、アルミナ等の通常のセ
ラミック材料からなり、既知のセラミック回路板などに
も使用されている通常のセラミック基板が用いられる。
セラミック基板に酸化銅膜を形成する第１の工程には、
従来の回路形成技術等で利用されている各種の膜形成手
段を用いることができる。例えば、ＰＶＤ法などの薄膜
形成手段で、酸化銅を直接セラミック基板に形成しても
よいし、セラミック基板に銅膜を形成すると同時に酸化
させて酸化銅膜にしたり、銅膜を形成した後、別の工程
で銅膜を酸化させて酸化銅膜にしてもよい。また、銅ま
たは酸化銅を含むペースト、あるいは、銅金属錯体をセ
ラミック基板に塗布または印刷した後、これを大気中で
焼成して酸化銅膜を形成させることもできる。酸化銅膜
の厚みは、その上に形成する銅膜とセラミック基板との
密着力を向上させることができれば、銅膜の機能に悪影
響を与えない範囲で任意に設定できる。具体的には、５
０００Å以下の薄い膜を形成するのが好ましい。 【００１１】セラミック基板および酸化銅膜を加熱して
反応接合させる第２の工程では、セラミック基板に酸化
銅膜を形成した後、これを加熱してもよいし、酸化銅膜
の形成工程が加熱を伴うものであれば、セラミック基板
に酸化銅膜を形成すると同時に加熱することもできる。
加熱温度および加熱時間は、セラミック基板を構成する
アルミナ等と酸化銅とが反応して十分な接合力が生じる
とともに、セラミック基板や酸化銅膜の品質に悪影響を
与えない範囲に設定される。 【００１２】ＰＶＤ法は、酸化銅膜の形成および銅膜の
形成の両方に用いることができ、スパッタリングのほ
か、真空蒸着、イオンビームアシスト蒸着、イオンクラ
スタビーム蒸着など、回路板製造その他の薄膜形成処理
技術で採用されている通常のＰＶＤ法のなかから、必要
に応じて適当な手段を採用することができる。ＰＶＤ法
を実施する装置も、通常の薄膜形成で用いられている装
置が利用できる。 【００１３】酸化銅膜の形成と、銅膜の形成は、同じ薄
膜形成手段あるいは装置を用いて行ってもよいし、それ
ぞれに適した別々の手段および装置を、前記した各種の
膜形成手段および装置の中で、任意に組み合わせること
もできる。つぎに、ＰＶＤ法による酸化銅膜および銅膜
形成工程の前に、セラミック基板の表面をイオンクリー
ニングしておくと、良好な膜形成が行える。イオンクリ
ーニングの具体的手段には、ＲＦプラズマやイオンビー
ムを用いる方法その他、通常の薄膜形成技術におけるイ
オンクリーニング手段が適用できる。また、ＰＶＤ法に
よる酸化銅膜もしくは銅膜形成工程の前に、セラミック
基板を予備加熱しておくことも好ましい。予備加熱の加
熱温度は、処理条件によっても異なり、通常の予備加熱
温度範囲で自由に設定できるが、例えば、２００〜２５
０℃程度に設定する。酸化銅膜の形成から銅膜の形成ま
での間で、基板を大気にさらした場合には、銅膜の形成
工程を行う前に、基板の表面に吸着されたガスや水蒸気
を除去しておくことが好ましい。 【００１４】 【作用】セラミック基板に酸化銅膜を形成し、この酸化
銅膜とともにセラミック基板を加熱すると、セラミック
基板を構成するアルミナ等と酸化銅が化学反応を起こし
て強く結合することになる。その結果、セラミック基板
と酸化銅膜とが強固に接合される。このようにして、セ
ラミック基板の表面に酸化銅膜が強固に接合された状態
で、その上に銅膜を形成すれば、銅膜と酸化銅膜との密
着力は十分に強力であるので、セラミック基板に対する
銅膜の密着力も向上する。 【００１５】酸化銅膜および銅膜が形成された後で加熱
処理を行うのでなく、酸化銅膜のみの段階で加熱処理を
行っておくので、加熱時の熱応力による銅膜の剥離が生
じない。セラミック基板に酸化銅または銅を含むペース
トを塗布し、大気中で加熱焼成すれば、一度の加熱処理
で、酸化銅膜の形成と、酸化銅膜とセラミック基板との
反応接合が同時に行える。 【００１６】ペーストに、銅と接合し難いガラス成分を
含まないようにしておけば、酸化銅膜および銅膜とセラ
ミック基板との密着力がより向上する。ペーストに含ま
れる酸化銅粉または銅粉の体積分率が、酸化銅粉または
銅粉／バインダ（溶剤を含む）≦５／９５となるように
調整しておくと、ペースト中の酸化銅粉または銅粉の割
合が少ないので、バインダが除去されて形成される酸化
銅膜の厚みが薄くなる。その結果、酸化銅粉または銅粉
の割合が多いものに比べて、より薄い酸化銅膜を形成す
ることをできる。酸化銅膜が薄いほど、銅膜とセラミッ
ク基板との密着力は高くなる。 【００１７】ペーストに配合する酸化銅または銅とし
て、平均粒径が５μｍ以下の微粉を用いると、形成され
る酸化銅膜の厚みが薄くなり、前記同様に、銅膜とセラ
ミック基板の密着力を高くできる。セラミック基板に銅
金属錯体を含む液を塗布し、大気中で加熱焼成して、酸
化銅膜の形成および反応接合を行わせると、薄く均一な
酸化銅膜が形成でき、セラミック基板と酸化銅膜との密
着力を向上できる。 【００１８】 【実施例】ついで、この発明の実施例を図面を参照しな
がら以下に説明する。 −実施例１− この実施例は、前記第１の工程と第２の工程を別々に行
う。 ＜酸化銅膜の形成＞図１の(a) に示すように、アルミナ
等からなるセラミック基板１０の表面に、極く薄い酸化
銅膜２２、例えば１００Å程度の酸化銅膜２２を形成す
る。酸化銅膜２２の形成方法は、後述するスパッタリン
グ装置などを用いて、セラミック基板１０の表面に銅膜
を形成した後、この銅膜を酸化させて酸化銅膜にする方
法(1) と、銅膜の形成と同時に酸化させる方法(2) があ
る。両方法の具体的手順について、以下に説明する。 【００１９】(1) 図２に示すスパッタリング装置を用
いる。スパッタリング装置の基本的な構造は通常のスパ
ッタリング装置と同様である。真空槽６０内に、セラミ
ック基板１０を装着する基板ホルダー４０と、スパッタ
リングする銅材料からなるターゲット３０が対向して配
置されている。真空槽６０には、真空ポンプ（図示せ
ず）につながる排気口６２やガス供給口６４が設けられ
ている。基板ホルダー４０とターゲット３０の間には開
閉自在なシャッタ６６が設けられている。 【００２０】セラミック基板１０は、有機溶剤による超
音波洗浄を行った後、大気中で１１００℃に加熱してバ
ーンアウトする等のクリーニング処理を行ったものを、
真空槽６０の基板ホルダー４０に装着する。まず、真空
槽６０内を、１×１０^-5Torr以下まで排気する。その
後、Ａｒガスを、例えば２×１０^-1Torrまで導入する。
シャッタ６６を閉じたままで、シャッタ６６と基板ホル
ダー４０の間でＲＦプラズマを発生させ、基板１０をク
リーニングする。このときのＲＦパワーは、例えば５０
０ｗ程度にして、３分間ぐらい処理する。 【００２１】つぎに、Ａｒガス圧を２×１０^-3Torrにし
てＤＣスパッタリングを行い、基板１０の上に１００Å
程度の銅膜を形成する。このとき、プレスパッタリング
の段階ではシャッタ６６を閉じておいて、基板１０上に
銅が付着しないようにしておき、その後、シャッタ６６
を開けば、基板１０に銅が付着して銅膜が形成される。 【００２２】銅膜が形成された基板１０を、大気中で、
例えば２００℃に加熱して銅を酸化させれば、基板１０
の上に酸化銅膜２２が形成される。 (2) 図３に示すように、イオンガンを備えた真空蒸着
装置を用いる。真空槽６０には、蒸発材料である銅３４
を収容した蒸発源３２、基板１０を保持する基板ホルダ
ー４０、真空排気用の排気口６２、および、イオンを照
射するイオンガン９０が備えられている。イオンガン９
０は、活性ガスの酸素イオンを得ることのてきるもの、
例えばマイクロ波イオン源を用いる。 【００２３】セラミック基板１０は、前記方法と同様に
クリーニングしておく。前記方法と同じように、真空槽
６０内を真空排気した後、蒸発源３２を加熱し、蒸発材
料すなわち銅３４を蒸発させる。この銅３４の蒸発と同
時に、イオンガン９０から酸素イオンビームを照射し
て、基板１０上で、銅と酸素の化学反応を行わせて、酸
化銅膜を形成させる。 ＜加熱による反応接合＞前工程で得られたセラミック基
板１０を、５００〜１１００℃、好ましくは８００〜１
０００℃の温度に加熱する。加熱雰囲気は大気中でもよ
いし、真空あるいは窒素等の不活性雰囲気中でもよい。
図１の(b) に示すように、加熱により、酸化銅膜２２と
セラミック基板１０の境界で、酸化銅とアルミナ等が反
応を起こし、酸化銅膜２２とセラミック基板１０が強固
に接合Ｂされる。 ＜銅膜の形成＞前工程で得られたセラミック基板１０に
対して、さらにＰＶＤ法等で銅膜２２を形成する。具体
的には、前記図２に示すようなスパッタリング装置を用
いればよい。スパッタリングパワーやスパッタリング時
間を調節することによって、図１の(c) に示すように、
所望の膜厚を有する銅膜２０が形成できる。 【００２４】上記実施例において、セラミック基板１０
は、アルミナ以外のセラミック材料からなるものでもよ
いし、酸化銅膜２２および銅膜２０の形成手段も、例示
した以外の手段を用いてもよい。スパッタリング装置や
真空蒸着装置の構造も、必要に応じて変更することがで
きる。不活性ガスもＡｒガス以外の任意のガスが使用で
きる。ガス圧や温度の設定も、必要に応じて変更でき
る。 【００２５】−実施例２− この実施例は、酸化銅膜の形成をペーストの塗布および
焼成により行う。図４の(a) に示すように、前記したよ
うなクリーニング処理を施したセラミック基板１０に、
酸化銅２６を含むペースト２４を、スクリーン印刷等の
通常の塗布手段を用いて、厚み５０〜１００μｍに塗布
する。ついで、１００℃程度で乾燥させ、６５０℃に加
熱して脱脂を行った後、大気中において１０００℃で１
０分間焼成すれば、ペースト中のバインダや溶剤などが
除去されて、酸化銅２６のみが残り、図４の(b) に示す
ように、酸化銅膜２２が得られると同時に、このときの
加熱によって、酸化銅とアルミナ等が反応を起こし、酸
化銅膜２２とセラミック基板１０が強固に接合Ｂされ
る。 【００２６】酸化銅２６を含むペースト２４は、通常、
酸化銅粉２６に、有機バインダや水系バインダなどのバ
インダおよび溶剤などを加えて作製される。酸化銅粉の
代わりに銅粉を含ませたペーストを用いることもでき
る。この場合は、前記脱脂工程において、バインダの酸
化、分解、蒸発飛散除去と同時に銅粉を酸化させて酸化
銅にする。その後の加熱焼成による酸化銅膜２２とセラ
ミック基板の反応接合は前記実施例と同様に行われる。 【００２７】酸化銅膜２２が反応接合されたセラミック
基板に、銅膜２０を形成するのは、前記実施例と同様で
ある。上記実施例において、ペーストの配合成分や塗布
方法あるいは塗布厚みなどの実施条件は、上記した以外
にも必要に応じて自由に変更できる。 −実施例３−この実施例では、前記実施例２において、
酸化銅または銅を含むペーストとして、ガラス成分を含
まないものを用いる。 【００２８】具体的には、ペースト２４の配合成分とし
て、酸化銅粉２６または銅粉と、ポリビニルブチラール
樹脂からなるバインダ、メチルエチルケトンからなる溶
剤を用い、これらの体積分率が、酸化銅粉または銅粉：
バインダ：溶剤＝２０：１５：６５となるように配合し
たものを用いる。このペースト２４には、ガラス成分は
全く含まれていない。 【００２９】このようなペースト２４を用い、前記実施
例２と同様の処理工程で、セラミック基板１０に酸化銅
膜２２を形成させ、酸化銅膜２２とセラミック基板１０
を反応接合させる。その後の銅膜の形成なども、前記実
施例２と同様である。この実施例では、ペースト２４に
ガラス成分が含まれていないことによって、銅膜２０と
セラミック基板１０との密着力がより高まる。本実施例
において、ペーストの配合比率、バインダー、溶剤の種
類、塗布方法、塗布厚み、加熱温度などの条件は、必要
に応じて自由に変更できる。 【００３０】−実施例４− この実施例は、前記実施例３において、ペーストの配合
等が一部異なる。すなわち、ペースト２４の成分が、酸
化銅粉と、有機バインダであるエチルセルロース、溶剤
であるブチルカルビトールアセテートからなり、その体
積比率を、酸化銅：有機バインダ：溶剤＝２：１４：８
４に調整したものを用いる。この場合にも、ペースト２
４にはガラス成分を含まない。 【００３１】ペースト２４の塗布および焼成による酸化
銅膜２４の形成工程、および、その後の銅膜の形成工程
は、前記実施例と同様に行える。具体的には、例えば、
セラミック基板１０にペースト２４を塗布した後の加熱
を、約１００℃での乾燥工程で溶剤を蒸発除去し、約６
５０℃での脱脂工程でバインダを酸化分解して除去し、
約９５０℃での焼成工程で酸化銅膜２２とセラミック基
板１０の反応接合を行う。これらの加熱工程を、順次連
続的に行ってもよいし、各工程毎に別々に行ってもよ
い。脱脂工程において、ボイド等の発生を防止するに
は、昇温を１２０℃／Hr程度の速度で行うのが好まし
い。また、焼成工程において、酸化銅粉２６同士が凝集
するのを防ぐには、昇温を１００℃／Hr程度の比較的遅
い速度で行うのが好ましい。本実施例において、ペース
トの配合比率を、酸化銅粉または銅粉／バインダー（溶
剤を含む）≦５／９５の範囲で変更したり、バインダー
や溶剤の種類、ペーストの塗布方法、塗布厚み、加熱温
度などの条件を変更したりすることは、必要に応じて自
由に行える。 【００３２】−実施例５− この実施例では、ペーストにアルミナ粉を配合してお
く。すなわち、図５の(a) に示すように、ペースト２４
の配合成分として、酸化銅粉または銅粉２６と、バイン
ダとなるポリビニルブチラール樹脂、溶剤となるメチル
エチルケトン、および、アルミナ粉１２からなるものを
用い、これらの成分の体積分率を、酸化銅粉または銅
粉：バインダ：溶剤：アルミナ粉＝１５：１５：６０：
１０に調整する。 【００３３】このようなペースト２４を使用する以外
は、前記実施例２と同様の工程で、セラミック基板１０
に酸化銅膜２２および銅膜２０を形成する。この実施例
では、セラミック基板１０にペースト２４を塗布し焼成
すると、ペースト２４に含まれるアルミナ粉１２によ
り、図５の(b) に示すように、酸化銅膜２２として、ア
ルミナと酸化銅との混合膜が形成される。 【００３４】その結果、セラミック基板１０と酸化銅膜
２２を加熱して反応接合させる際に、アルミナと酸化銅
との反応が生じ易くなり、セラミック基板１０と酸化銅
膜２２との接合がより強固になる。本実施例において、
ペーストの配合比率、バインダー、溶剤の種類、塗布方
法、塗布厚み、加熱温度などの条件は、必要に応じて自
由に変更できる。 −実施例６− この実施例は、前記実施例３等とペーストの配合が異な
る。 【００３５】すなわち、ペースト２４の配合成分とし
て、平均粒径５μｍ以下の酸化銅粉、有機バインダであ
るメチルセルロース、溶剤であるメチルエチルケトンを
用い、これらの成分の体積分率を、酸化銅粉：メチルセ
ルロース、メチルエチルケトン＝５：１０：８５に調整
したものを用いる。ペースト２４を塗布したセラミック
基板１０の加熱処理として、例えば、約１２０℃での乾
燥工程、約６００℃での脱脂工程、および、約１０００
℃での焼成工程を行う。本実施例において、ペーストの
配合比率、バインダー、溶剤の種類、塗布方法、塗布厚
み、加熱温度などの条件は、必要に応じて自由に変更で
きる。 【００３６】上記以外の処理条件は、前記各実施例と同
様に行える。 −実施例７− この実施例では、前記実施例におけるペーストの代わり
に、セラミック基板に銅金属錯体を含む液を塗布して酸
化銅膜を形成させる。前記実施例と同様に、クリーニン
グ処理を行ったセラミック基板１０に、例えば、エタノ
ールに溶解させた Cu(CH₃COO)₂・H₂O を、スピンコータ
で１μｍの厚みに塗布する。これを大気中で、 Cu(CH₃C
OO)₂・H₂O の分解温度である２４０℃以上、例えば８０
０℃に加熱焼成する。この加熱によって、 Cu(CH₃COO)₂
・H₂Oの水分は蒸発し、有機成分も大気中の酸素と反応
して大気中に放出され、銅のみが残ることになる。この
銅は、大気中の酸素により酸化されて酸化銅になるとと
もに、セラミック基板１０を構成するアルミナと化学反
応を起こすので、セラミック基板１０と酸化銅膜２２と
が強固に接合される。このようにして形成された酸化銅
膜２２は、有機成分が無くなったので、塗布時の厚み１
μｍが、半分以下の３０００〜４０００Åになる。 【００３７】酸化銅膜２２が反応接合されたセラミック
基板１０に対する、その後の処理工程は、前記した各実
施例と同様に行われる。上記実施例において、銅金属錯
体としては、Cu(DPM)₂、Cu(C₆H₅)、 Cu(NH₃)₄SO₄・H₂O
等も使用できる。セラミック基板１０に塗布する銅金属
錯体の厚みや加熱温度などの処理条件も、必要に応じ
て、自由に変更することができる。 【００３８】 【発明の効果】以上に述べた、この発明にかかるセラミ
ック回路板における導体膜の形成方法によれば、セラミ
ック基板の表面に酸化銅膜を介して銅膜を形成する方法
において、セラミック基板に形成された酸化銅膜を加熱
して、セラミック基板と酸化銅膜を反応接合しておくこ
とによって、銅膜とセラミック基板の表面との密着力を
大幅に向上させることができる。 【００３９】そして、従来の湿式めっき法などのよう
に、基板表面を粗化させる必要がないため、密着力が高
いと同時に、高周波特性にも非常に優れたセラミック回
路板を提供することができる。さらに、銅膜形成工程自
体は、通常のＰＶＤ法と基本的に同じでよいので、余分
な工程が増えたり、複雑な作業を行う必要がなく、銅膜
の形成を少ない工程数で能率的に行うことができ、生産
性向上に大きく貢献できる。 【００４０】しかも、セラミック基板の表面に酸化銅膜
を介して銅膜を形成することにより、銅膜のみからなる
場合に比べて、密着力を向上させることができるととも
に、成膜後に加熱を行うのでなく、酸化銅膜とセラミッ
ク基板の密着力を良好にした状態で、その上に銅膜を形
成するので、酸化銅膜および銅膜がセラミック基板から
剥離する問題も解消される。

【図面の簡単な説明】 【図１】 この発明の実施例を、工程毎に段階的に示す
模式的工程図 【図２】 この発明の実施に用いるスパッタリング装置
の概略構造図 【図３】 この発明の実施に用いる真空蒸着装置の概略
構造図 【図４】 別の実施例における酸化銅膜の形成工程を段
階的に示す模式的断面図 【図５】 別の実施例における酸化銅膜の形成工程を段
階的に示す模式的断面図 【符号の説明】 １０ セラミック基板 ２０ 銅膜 ２２ 酸化銅膜

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−36892（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−164784（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05K 1/03

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 セラミック基板に酸化銅膜を介して銅膜
   を形成するセラミック回路板における導体膜の形成方法
   において、セラミック基板に酸化銅膜を形成する第１の
   工程と、セラミック基板および酸化銅膜を加熱して反応
   接合させる第２の工程と、酸化銅膜の上にスパッタリン
   グ等のＰＶＤ法で銅膜を形成する第３の工程を含むこと
   を特徴とするセラミック回路板における導体膜の形成方
   法。 【請求項２】 請求項１記載の発明において、第１の工
   程および第２の工程として、セラミック基板に酸化銅ま
   たは銅を含むペーストを塗布し、大気中で加熱焼成する
   セラミック回路板における導体膜の形成方法。 【請求項３】 請求項２記載の発明において、ペースト
   として、酸化銅粉または銅粉とバインダおよび溶剤を含
   み、ガラス成分を含まないペーストを用いるセラミック
   回路板における導体膜の形成方法。【 請求項４】 請求項２記載の発明において、ペースト
   として、酸化銅粉または銅粉とセラミック粉、バインダ
   および溶剤を含み、ガラス成分を含まないペーストを用
   いるセラミック回路板における導体膜の形成方法。 【請求項５】 請求項２記載の発明において、酸化銅ま
   たは銅として、平均粒径が５μｍ以下の微粉を用いるセ
   ラミック回路板における導体膜の形成方法。 【請求項６】 請求項１記載の発明において、第１の工
   程および第２の工程として、セラミック基板に銅金属錯
   体を含む液を塗布し、大気中で加熱焼成するセラミック
   回路板における導体膜の形成方法。