JPH1053867A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
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- JPH1053867A JPH1053867A JP8209788A JP20978896A JPH1053867A JP H1053867 A JPH1053867 A JP H1053867A JP 8209788 A JP8209788 A JP 8209788A JP 20978896 A JP20978896 A JP 20978896A JP H1053867 A JPH1053867 A JP H1053867A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ガラス等のセラミックス基板上に
密着性良く金属層を設けることにより、基板に容易に剥
離しない金属配線を有する配線基板およびこの配線基板
の生産効率の良い製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 セラミックス基板上に金属配線を有する
配線基板において、該金属配線が、少なくとも１層の金
属層と、該金属層の下部に、前記セラミックス基板に接
して設けられた基板成分と金属成分からなるミキシング
層とを有することを特徴とする配線基板。
密着性良く金属層を設けることにより、基板に容易に剥
離しない金属配線を有する配線基板およびこの配線基板
の生産効率の良い製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 セラミックス基板上に金属配線を有する
配線基板において、該金属配線が、少なくとも１層の金
属層と、該金属層の下部に、前記セラミックス基板に接
して設けられた基板成分と金属成分からなるミキシング
層とを有することを特徴とする配線基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板などの
セラミックス基板の表面に金属配線を有する配線基板に
関し、特に、基板表面と密着性の良い金属配線を形成す
る方法に関する。
セラミックス基板の表面に金属配線を有する配線基板に
関し、特に、基板表面と密着性の良い金属配線を形成す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ガラス等のセラミックス基板
上に金属層を形成した電子回路基板を製造する方法が知
られている。
上に金属層を形成した電子回路基板を製造する方法が知
られている。
【０００３】特開平４−１７２１１には、加熱した基板
上にＺｎ金属塩を吹きかけるスプレーパイロリシス法
や、ＺｎＯを用いた真空蒸着、プラズマＣＶＤ法によっ
てまずＺｎＯ薄膜を形成し、このＺｎＯを核として無電
解めっきをのせる方法が提案されている。
上にＺｎ金属塩を吹きかけるスプレーパイロリシス法
や、ＺｎＯを用いた真空蒸着、プラズマＣＶＤ法によっ
てまずＺｎＯ薄膜を形成し、このＺｎＯを核として無電
解めっきをのせる方法が提案されている。
【０００４】また特公昭６３ー４３２８にはセラミック
ス基板上にＰｄ等貴金属ベーストを焼成し徴粒子層を形
成した後Ｎｉめっきを行う方法が提案されている。
ス基板上にＰｄ等貴金属ベーストを焼成し徴粒子層を形
成した後Ｎｉめっきを行う方法が提案されている。
【０００５】またガラス基板上にイオンプレーティング
でＩＴＯ膜を形成する技術が、Ａｐｐｌｙ Ｓｕｒｆａ
ｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ １９８８に提案されている。
でＩＴＯ膜を形成する技術が、Ａｐｐｌｙ Ｓｕｒｆａ
ｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ １９８８に提案されている。
【０００６】また特開昭６３−２５０４６６には、ガラ
ス基板上にＩＴＯ膜をスパッタリングで成膜した後、無
電解めっきによる配線を行うことが提案されている。
ス基板上にＩＴＯ膜をスパッタリングで成膜した後、無
電解めっきによる配線を行うことが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
では、ガラス等のセラミックス基板と金属層の密着力が
十分でないため、ガラスおよびセラミックス基板からの
金属層の剥離が生じやすい問題があった。
では、ガラス等のセラミックス基板と金属層の密着力が
十分でないため、ガラスおよびセラミックス基板からの
金属層の剥離が生じやすい問題があった。
【０００８】たとえば真空蒸着やスパッタリング法の場
合、ガラス界面とは強い結合では結ばれておらず、ある
膜応力（たとえば熱履歴による基板との熱膨張差）が発
生するとそのストレスで膜剥離が生じてしまう。
合、ガラス界面とは強い結合では結ばれておらず、ある
膜応力（たとえば熱履歴による基板との熱膨張差）が発
生するとそのストレスで膜剥離が生じてしまう。
【０００９】一方ペーストの焼成やスプレーパイロリシ
ス法の場合、基板との界面では拡散が進行し化学結合が
できるため、真空蒸着やスパッタリング法と比較して、
基板と金属層の界面にはより強い密着性が得られる。し
かし、これらの方法では加熱工程を必要とし、たとえば
トンネル炉やバッチ炉などの焼成炉を通す必要がある。
焼成のために、６００℃近くまで昇温しなければならな
い場合もあり、生産効率が良くない。
ス法の場合、基板との界面では拡散が進行し化学結合が
できるため、真空蒸着やスパッタリング法と比較して、
基板と金属層の界面にはより強い密着性が得られる。し
かし、これらの方法では加熱工程を必要とし、たとえば
トンネル炉やバッチ炉などの焼成炉を通す必要がある。
焼成のために、６００℃近くまで昇温しなければならな
い場合もあり、生産効率が良くない。
【００１０】本発明は、ガラス等のセラミックス基板上
に密着性良く金属層を設けることにより、基板に容易に
剥離しない金属配線を有する配線基板およびこの配線基
板の生産効率の良い製造方法を提供することを目的とす
る。
に密着性良く金属層を設けることにより、基板に容易に
剥離しない金属配線を有する配線基板およびこの配線基
板の生産効率の良い製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
基板上に金属配線を有する配線基板において、該金属配
線が、少なくとも１層の金属層と、該金属層の下部に、
前記セラミックス基板に接して設けられた基板成分と金
属成分からなるミキシング層とを有することを特徴とす
る配線基板に関する。
基板上に金属配線を有する配線基板において、該金属配
線が、少なくとも１層の金属層と、該金属層の下部に、
前記セラミックス基板に接して設けられた基板成分と金
属成分からなるミキシング層とを有することを特徴とす
る配線基板に関する。
【００１２】この配線基板は、セラミックス基板にイオ
ンビームにより加速された金属原子を照射しミキシング
層を形成し、該ミキシング層上に少なくとも１層の金属
層を形成することにより製造できる。
ンビームにより加速された金属原子を照射しミキシング
層を形成し、該ミキシング層上に少なくとも１層の金属
層を形成することにより製造できる。
【００１３】本発明では、基板に金属を蒸着する際に、
金属原子をイオンビームで加速し基板上に照射する（本
願ではイオンアシストともいう。）。このとき金属原子
が基板表面に衝突することにより、図２に示すように、
基板表面で基板成分１０１と金属成分１０２が混じりあ
った層（ミキシング層）が生じる。ミキシング層中にお
いて基板成分と金属成分が化学結合しているので、密着
性が優れ、同時に、このミキシング層は傾斜組成層の役
割を持つため応力緩和を図ることができる。従って、ミ
キシング層上に金属層を形成したときに、基板と金属層
の高い密着性を確保することができる。
金属原子をイオンビームで加速し基板上に照射する（本
願ではイオンアシストともいう。）。このとき金属原子
が基板表面に衝突することにより、図２に示すように、
基板表面で基板成分１０１と金属成分１０２が混じりあ
った層（ミキシング層）が生じる。ミキシング層中にお
いて基板成分と金属成分が化学結合しているので、密着
性が優れ、同時に、このミキシング層は傾斜組成層の役
割を持つため応力緩和を図ることができる。従って、ミ
キシング層上に金属層を形成したときに、基板と金属層
の高い密着性を確保することができる。
【００１４】一方、図１は従来の物理蒸着でガラス等の
セラミックス基板表面に金属層を設けた場合の模式図で
ある。この場合、金属成分は基板上に物理的に積層され
ているだけで基板成分と金属成分のミキシングは起こっ
ていない。スパッタリングを用いる場合は、スパッタリ
ングされた粒子が運動エネルギーを持っているだけ、蒸
着の場合よりはガラス等のセラミックス基板への食い付
きが良く密着性も良くなる。しかし、本発明のように基
板成分との深いミキシングが生じるわけではないので、
満足できる密着力は得られない。
セラミックス基板表面に金属層を設けた場合の模式図で
ある。この場合、金属成分は基板上に物理的に積層され
ているだけで基板成分と金属成分のミキシングは起こっ
ていない。スパッタリングを用いる場合は、スパッタリ
ングされた粒子が運動エネルギーを持っているだけ、蒸
着の場合よりはガラス等のセラミックス基板への食い付
きが良く密着性も良くなる。しかし、本発明のように基
板成分との深いミキシングが生じるわけではないので、
満足できる密着力は得られない。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明においては、ミキシング層
上に金属配線を形成するには、ミキシング層中の金属成
分を核として無電解めっき層を形成し、必要に応じて他
の金属の無電解めっきを施した後、無電解めっき層を下
地に用いて例えば銅の電気めっき層を形成する方法によ
って行うことができる。
上に金属配線を形成するには、ミキシング層中の金属成
分を核として無電解めっき層を形成し、必要に応じて他
の金属の無電解めっきを施した後、無電解めっき層を下
地に用いて例えば銅の電気めっき層を形成する方法によ
って行うことができる。
【００１６】また、ミキシング層を形成した後、引き続
き金属の蒸着層を形成し、必要に応じて他の金属の無電
解めっきを施した後、蒸着層（および無電解めっき層）
を下地に用いて例えば銅の電気めっき層を形成する方法
によって行うことができる。
き金属の蒸着層を形成し、必要に応じて他の金属の無電
解めっきを施した後、蒸着層（および無電解めっき層）
を下地に用いて例えば銅の電気めっき層を形成する方法
によって行うことができる。
【００１７】さらに本発明では、ミキシング層を形成し
た後、引き続き必要な厚さの金属の蒸着層を形成するこ
とで配線金属層を形成することができる。
た後、引き続き必要な厚さの金属の蒸着層を形成するこ
とで配線金属層を形成することができる。
【００１８】本発明において、回路パターンの形成は、
例えば、ミキシング層形成後、電気めっきの下地となる
層の形成後、配線金属層の形成後等のいずれかの適当な
時期に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより不
要部分の金属成分を除去することで行うことができる。
例えば、ミキシング層形成後、電気めっきの下地となる
層の形成後、配線金属層の形成後等のいずれかの適当な
時期に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより不
要部分の金属成分を除去することで行うことができる。
【００１９】基板材料のセラミックスとしては、ソーダ
ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス、アルミナ、窒
化アルミニウム、シリコン等を挙げることができる。
ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス、アルミナ、窒
化アルミニウム、シリコン等を挙げることができる。
【００２０】本発明の配線基板は、例えば、放熱性の良
好な高密度回路配線基板、フラットパネルディスプレイ
の基板、耐熱基板等として好適に用いることができる。
本発明において、ミキシング層を含む金属配線は、これ
らの基板において、一般的な配線の他に電極等としても
機能させることができるものである。また、シリコン基
板上に形成しうるマイクロファブリケーションの配線と
しても用いることができる。
好な高密度回路配線基板、フラットパネルディスプレイ
の基板、耐熱基板等として好適に用いることができる。
本発明において、ミキシング層を含む金属配線は、これ
らの基板において、一般的な配線の他に電極等としても
機能させることができるものである。また、シリコン基
板上に形成しうるマイクロファブリケーションの配線と
しても用いることができる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に
説明する。実施例１から実施例３までは、ミキシング層
を無電解めっきの核として用いる例を示し、実施例４か
ら実施例６までは、ミキシング層形成に引き続き、蒸着
により電気めっきの下地層を形成する例を示し、実施例
７から実施例９まではミキシング層形成後、引き続き蒸
着によって配線の金属層まで形成する例を示した。
説明する。実施例１から実施例３までは、ミキシング層
を無電解めっきの核として用いる例を示し、実施例４か
ら実施例６までは、ミキシング層形成に引き続き、蒸着
により電気めっきの下地層を形成する例を示し、実施例
７から実施例９まではミキシング層形成後、引き続き蒸
着によって配線の金属層まで形成する例を示した。
【００２２】［実施例１］まず基板となるフロートガラ
ス（日本板硝子製青板ガラス）の表面をよく洗浄した
後、図３に示すイオンビームアシスト成膜装置の中に設
置した。図３中５は真空槽、６はイオンビーム装置、７
はイオン化室、８はガス導入口、９はイオンビーム引き
出しグリッド、１０はイオンビーム、１１は取りつけら
れたガラス基板、１２はガラス基板取りつけ治具、１３
は基板ホルダー、１４は排気口、１５はバイアス電源、
１６は電子銃、１７は金属Ｐｄ、１８はイオンビーム側
シャッター、１９は蒸着源側シャッターである。
ス（日本板硝子製青板ガラス）の表面をよく洗浄した
後、図３に示すイオンビームアシスト成膜装置の中に設
置した。図３中５は真空槽、６はイオンビーム装置、７
はイオン化室、８はガス導入口、９はイオンビーム引き
出しグリッド、１０はイオンビーム、１１は取りつけら
れたガラス基板、１２はガラス基板取りつけ治具、１３
は基板ホルダー、１４は排気口、１５はバイアス電源、
１６は電子銃、１７は金属Ｐｄ、１８はイオンビーム側
シャッター、１９は蒸着源側シャッターである。
【００２３】まず真空槽５内を４×１０-3Ｐａまで減圧
し、ガス導入口８よりアルゴンガス１０ＳＣＣＭをイオ
ン化室７に導入しイオン化した後、イオンビーム引き出
しグリッドに５００Ｖの電圧を印加してイオンビームを
引き出し、基板バイアスとして−３００Ｖを基板ホルダ
１３にかけ、この段階でイオンビーム側シャッターを開
きガラス基板表面にアルゴンイオンビームを５分間照射
してガラス基板表面の洗浄を行った。
し、ガス導入口８よりアルゴンガス１０ＳＣＣＭをイオ
ン化室７に導入しイオン化した後、イオンビーム引き出
しグリッドに５００Ｖの電圧を印加してイオンビームを
引き出し、基板バイアスとして−３００Ｖを基板ホルダ
１３にかけ、この段階でイオンビーム側シャッターを開
きガラス基板表面にアルゴンイオンビームを５分間照射
してガラス基板表面の洗浄を行った。
【００２４】次にアルゴンガス３０ＳＣＣＭをイオン化
室７に導入してガス圧３．５×１０ -2Ｐａとし、電子線
の加速電圧９ｋｅＶ、エミッション電流２４０ｍＡの電
子線蒸着条件で金属パラジウムを蒸発させ、加速電圧９
ｋｅＶでアルゴンイオンビームを引き出し、この段階で
イオンビーム側シャッターと蒸着源側シャッターを開
き、ガラス基板表面に照射して２０ｎｍのガラス基板と
Ｐｄのミキシング層を得た。
室７に導入してガス圧３．５×１０ -2Ｐａとし、電子線
の加速電圧９ｋｅＶ、エミッション電流２４０ｍＡの電
子線蒸着条件で金属パラジウムを蒸発させ、加速電圧９
ｋｅＶでアルゴンイオンビームを引き出し、この段階で
イオンビーム側シャッターと蒸着源側シャッターを開
き、ガラス基板表面に照射して２０ｎｍのガラス基板と
Ｐｄのミキシング層を得た。
【００２５】次にミキシング処理を終えたガラス基板を
無電解Ｐｄめっき液につけガラス基板全面に０．１μｍ
のＰｄめっきを施した。この時のガラス基板とＰｄめっ
きの密着強度は４９Ｎ／２ｍｍ□であった。
無電解Ｐｄめっき液につけガラス基板全面に０．１μｍ
のＰｄめっきを施した。この時のガラス基板とＰｄめっ
きの密着強度は４９Ｎ／２ｍｍ□であった。
【００２６】この後、図４に示すようにフォトリソグラ
フィーおよびケミカルエッチングにより基板２０上の不
要部分の金属成分を除去することで、図４に示すミキシ
ング層２１と無電解Ｐｄめっき層２２を電子回路パター
ン形状に加工した。
フィーおよびケミカルエッチングにより基板２０上の不
要部分の金属成分を除去することで、図４に示すミキシ
ング層２１と無電解Ｐｄめっき層２２を電子回路パター
ン形状に加工した。
【００２７】次いで、この基板を無電解Ｃｕめっき液に
浸浸し、電子回路パターン形状のＰｄめっき層２２上に
厚さ０．１μｍの無電解Ｃｕめっき層２３を形成し、続
いて電気めっきにより電気Ｃｕめっき層２４を５μｍの
厚さで設けた後、さらに無電解Ｎｉめっき層２５を０．
５μｍの厚さで形成し、最後に配線表面に酸化防止膜層
として無電解金メッキ層２６を０．１μｍの厚さで設
け、配線基板を完成した。
浸浸し、電子回路パターン形状のＰｄめっき層２２上に
厚さ０．１μｍの無電解Ｃｕめっき層２３を形成し、続
いて電気めっきにより電気Ｃｕめっき層２４を５μｍの
厚さで設けた後、さらに無電解Ｎｉめっき層２５を０．
５μｍの厚さで形成し、最後に配線表面に酸化防止膜層
として無電解金メッキ層２６を０．１μｍの厚さで設
け、配線基板を完成した。
【００２８】このような構成のガラス製配線基板は配線
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
【００２９】［実施例２］ミキシング層の形成を、実施
例１で用いたＰｄ金属の代わりにＣｕを用いて行った。
このときの条件は、加速電圧９ｋｅＶ、エミッション電
流２００ｍＡの電子線蒸着条件で金属銅を蒸発させ、加
速電圧９ｋｅＶでアルゴンイオンビームを引き出してミ
キシング層を２０ｎｍの厚さに形成した。
例１で用いたＰｄ金属の代わりにＣｕを用いて行った。
このときの条件は、加速電圧９ｋｅＶ、エミッション電
流２００ｍＡの電子線蒸着条件で金属銅を蒸発させ、加
速電圧９ｋｅＶでアルゴンイオンビームを引き出してミ
キシング層を２０ｎｍの厚さに形成した。
【００３０】ミキシング処理を終えたガラス基板を無電
解Ｃｕめっき液につけガラス基板全面に０．１μｍのＣ
ｕめっきを施した。
解Ｃｕめっき液につけガラス基板全面に０．１μｍのＣ
ｕめっきを施した。
【００３１】この後、図５に示すようにフォトリソグラ
フィーおよびケミカルエッチングにより基板２７上の不
要部分の金属成分を除去することで、図５に示すミキシ
ング層２８と無電解Ｃｕめっき層２９を電子回路パター
ン形状に加工した。
フィーおよびケミカルエッチングにより基板２７上の不
要部分の金属成分を除去することで、図５に示すミキシ
ング層２８と無電解Ｃｕめっき層２９を電子回路パター
ン形状に加工した。
【００３２】次いで、電気めっきにより無電解Ｃｕめっ
き層２９上に電気Ｃｕめっき層３０を５μｍの厚さで設
けた後、さらに無電解Ｎｉめっき層３１を０．５μｍで
形成し、最後に配線表面に実施例１と同様に無電解金め
っき層３２を設け、配線基板を完成した。
き層２９上に電気Ｃｕめっき層３０を５μｍの厚さで設
けた後、さらに無電解Ｎｉめっき層３１を０．５μｍで
形成し、最後に配線表面に実施例１と同様に無電解金め
っき層３２を設け、配線基板を完成した。
【００３３】このような構成のガラス製配線基板は配線
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
【００３４】［実施例３］ミキシング層の形成を、実施
例１で用いたＰｄ金属の代わりにＮｉを用いて行った。
このときの条件は、加速電圧９ｋｅＶ、エミッション電
流２７０ｍＡの電子線蒸着条件で金属銅を蒸発させ、加
速電圧９ｋｅＶでアルゴンイオンビームを引き出してミ
キシング層を２０ｎｍの厚さに形成した。
例１で用いたＰｄ金属の代わりにＮｉを用いて行った。
このときの条件は、加速電圧９ｋｅＶ、エミッション電
流２７０ｍＡの電子線蒸着条件で金属銅を蒸発させ、加
速電圧９ｋｅＶでアルゴンイオンビームを引き出してミ
キシング層を２０ｎｍの厚さに形成した。
【００３５】ミキシング処理を終えたガラス基板を無電
解Ｎｉめっき液につけガラス基板全面に０．１μｍのＮ
ｉめっきを施した。
解Ｎｉめっき液につけガラス基板全面に０．１μｍのＮ
ｉめっきを施した。
【００３６】この後、図６に示すようにフォトリソグラ
フィーおよびケミカルエッチングにより基板３３上の不
要部分の金属成分を除去することで、図６に示すミキシ
ング層３４と無電解Ｎｉめっき層３５を電子回路パター
ン形状に加工した。
フィーおよびケミカルエッチングにより基板３３上の不
要部分の金属成分を除去することで、図６に示すミキシ
ング層３４と無電解Ｎｉめっき層３５を電子回路パター
ン形状に加工した。
【００３７】次いで、電気めっきにより無電解Ｎｉめっ
き層３５上に電気Ｎｉめっき層３６を５μｍの厚さで設
けた後、配線表面に実施例１と同様にして無電解金めっ
き層３７を設け、配線基板を完成した。
き層３５上に電気Ｎｉめっき層３６を５μｍの厚さで設
けた後、配線表面に実施例１と同様にして無電解金めっ
き層３７を設け、配線基板を完成した。
【００３８】このような構成のガラス製配線基板は配線
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
【００３９】［実施例４］実施例１と同様にして、フロ
ートガラス基板表面に２０ｎｍのガラス基板とＰｄのミ
キシング層を得、引き続きイオンビームの加速電圧を９
ｋｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下し、イオンビーム側
シャッターを閉じた。その後も、Ｐｄ蒸着を続けガラス
基板全面に０．１μｍのＰｄ膜を形成した。
ートガラス基板表面に２０ｎｍのガラス基板とＰｄのミ
キシング層を得、引き続きイオンビームの加速電圧を９
ｋｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下し、イオンビーム側
シャッターを閉じた。その後も、Ｐｄ蒸着を続けガラス
基板全面に０．１μｍのＰｄ膜を形成した。
【００４０】この後、図７に示すようにフォトリソグラ
フィーおよびケミカルエッチングにより基板７０上の不
要部分の金属成分を除去することで、図７に示すミキシ
ング層７１とＰｄ蒸着層７２を電子回路パターン形状に
加工した。
フィーおよびケミカルエッチングにより基板７０上の不
要部分の金属成分を除去することで、図７に示すミキシ
ング層７１とＰｄ蒸着層７２を電子回路パターン形状に
加工した。
【００４１】次いで、この基板を無電解Ｃｕめっき液に
浸浸し、電子回路パターン形状のＰｄ蒸着層７２上に無
電解Ｃｕめっき７３層を５０ｎｍの厚さで設け、続いて
電気Ｃｕめっき層７４を５μｍの厚さで設けた後、さら
に無電解Ｎｉめっき層７５を０．５μｍの厚さで形成
し、最後に配線表面に無電解金めっき層７６を設け、配
線基板を完成した。
浸浸し、電子回路パターン形状のＰｄ蒸着層７２上に無
電解Ｃｕめっき７３層を５０ｎｍの厚さで設け、続いて
電気Ｃｕめっき層７４を５μｍの厚さで設けた後、さら
に無電解Ｎｉめっき層７５を０．５μｍの厚さで形成
し、最後に配線表面に無電解金めっき層７６を設け、配
線基板を完成した。
【００４２】このような構成のガラス製配線基板は配線
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
【００４３】［実施例５］ミキシング層の形成を実施例
４において、Ｐｄ金属の代わりにＣｕを用いて行った。
このときの形成方法は実施例２と同様にして、ミキシン
グ層を２０ｎｍの厚さに形成し、引き続きイオンビーム
の加速電圧を９ｋｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下しイ
オンビーム側シャッターを閉じた。その後、Ｃｕ蒸着を
続けガラス基板全面に５０ｎｍのＣｕ膜を形成した。
４において、Ｐｄ金属の代わりにＣｕを用いて行った。
このときの形成方法は実施例２と同様にして、ミキシン
グ層を２０ｎｍの厚さに形成し、引き続きイオンビーム
の加速電圧を９ｋｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下しイ
オンビーム側シャッターを閉じた。その後、Ｃｕ蒸着を
続けガラス基板全面に５０ｎｍのＣｕ膜を形成した。
【００４４】この後、図８に示すようにフォトリソグラ
フィーおよびケミカルエッチングにより基板３８上の不
要部分の金属成分を除去することで、図８に示すミキシ
ング層３９とＣｕ蒸着層４０を電子回路パターン形状に
加工した。
フィーおよびケミカルエッチングにより基板３８上の不
要部分の金属成分を除去することで、図８に示すミキシ
ング層３９とＣｕ蒸着層４０を電子回路パターン形状に
加工した。
【００４５】次いで、電気めっきによりＣｕ蒸着層４０
上に電気Ｃｕめっき層４１を５μｍの厚さで設けた後、
無電解Ｎｉめっき層４２を０．５μｍで形成し、最後に
配線表面に無電解金めっき層４３を設け、配線基板を完
成した。このような構成のガラス製配線基板は配線との
密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得るこ
とが確認された。
上に電気Ｃｕめっき層４１を５μｍの厚さで設けた後、
無電解Ｎｉめっき層４２を０．５μｍで形成し、最後に
配線表面に無電解金めっき層４３を設け、配線基板を完
成した。このような構成のガラス製配線基板は配線との
密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得るこ
とが確認された。
【００４６】［実施例６］ミキシング層の形成を実施例
４において、Ｐｄ金属の代わりにＮｉを用いて行った。
このときの形成方法は実施例３と同様にして、ミキシン
グ層を２０ｎｍの厚さに形成し、引き続きイオンビーム
の加速電圧を９ｋｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下しイ
オンビーム側シャッターを閉じた。その後、Ｎｉ蒸着を
続けガラス基板全面に５０ｎｍのＮｉ膜を形成した。
４において、Ｐｄ金属の代わりにＮｉを用いて行った。
このときの形成方法は実施例３と同様にして、ミキシン
グ層を２０ｎｍの厚さに形成し、引き続きイオンビーム
の加速電圧を９ｋｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下しイ
オンビーム側シャッターを閉じた。その後、Ｎｉ蒸着を
続けガラス基板全面に５０ｎｍのＮｉ膜を形成した。
【００４７】この後、図９に示すようにフォトリソグラ
フィターン形状に加工するところまでを行い、ここまで
で形成されたパーおよびケミカルエッチングにより基板
４４上の不要部分の金属成分を除去することで、図９に
示すミキシング層４５とＮｉ蒸着層４６を電子回路パタ
ーン形状に加工した。
フィターン形状に加工するところまでを行い、ここまで
で形成されたパーおよびケミカルエッチングにより基板
４４上の不要部分の金属成分を除去することで、図９に
示すミキシング層４５とＮｉ蒸着層４６を電子回路パタ
ーン形状に加工した。
【００４８】次いで、電気めっきによりＮｉ蒸着層４６
上に電気Ｎｉめっき層４７を５μｍの厚さで設けた後、
最後に配線表面に実施例１と同様にして無電解金めっき
層４８を設け、配線基板を完成した。
上に電気Ｎｉめっき層４７を５μｍの厚さで設けた後、
最後に配線表面に実施例１と同様にして無電解金めっき
層４８を設け、配線基板を完成した。
【００４９】このような構成のガラス製配線基板は配線
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
との密着性も良好であり、かつ４８０℃の熱にも耐え得
ることが確認された。
【００５０】［実施例７］この実施例では、実施例６と
同様の工程により、Ｎｉを用いてミキシング層を形成し
た後、Ｎｉの蒸着層を５μｍの厚さで形成した。その後
フォトリソグラフィーおよびケミカルエッチングによっ
て電子回路パターンを金属配線として配線基板を完成し
た。
同様の工程により、Ｎｉを用いてミキシング層を形成し
た後、Ｎｉの蒸着層を５μｍの厚さで形成した。その後
フォトリソグラフィーおよびケミカルエッチングによっ
て電子回路パターンを金属配線として配線基板を完成し
た。
【００５１】このような構成のガラス製配線基板は配線
との密着性がきわめて良好である。また本発明によるガ
ラス性配線基板は大気中４８０℃の熱にも耐え得ること
が確認された。
との密着性がきわめて良好である。また本発明によるガ
ラス性配線基板は大気中４８０℃の熱にも耐え得ること
が確認された。
【００５２】［実施例８］本実施例では、実施例７にお
いてミキシング層の形成を、Ｎｉ金属の代わりにＰｔを
用いて行った。このときの条件は、加速電圧９ｋｅＶ、
エミッション電流３００ｍＡの電子線蒸着条件で金属Ｐ
ｔを蒸発させ、加速電圧９ｋｅＶでアルゴンイオンビー
ムを引き出してミキシング層を２０ｎｍの厚さに形成
し、引き続きイオンビームの加速電圧を９ｋｅＶから３
ｋｅＶまで徐々に低下しイオンビーム側シャッターを閉
じた。その後、Ｐｔ蒸着を続けガラス基板全面に０．１
μｍのＰｔ膜を形成した。
いてミキシング層の形成を、Ｎｉ金属の代わりにＰｔを
用いて行った。このときの条件は、加速電圧９ｋｅＶ、
エミッション電流３００ｍＡの電子線蒸着条件で金属Ｐ
ｔを蒸発させ、加速電圧９ｋｅＶでアルゴンイオンビー
ムを引き出してミキシング層を２０ｎｍの厚さに形成
し、引き続きイオンビームの加速電圧を９ｋｅＶから３
ｋｅＶまで徐々に低下しイオンビーム側シャッターを閉
じた。その後、Ｐｔ蒸着を続けガラス基板全面に０．１
μｍのＰｔ膜を形成した。
【００５３】この後、フォトリソグラフィーおよびケミ
カルエッチングにより基板上の不要部分の金属成分を除
去することで、ミキシング層中のＰｔおよびＰｔ蒸着層
を電子回路パターン形状に加工して金属配線を形成し、
配線基板を完成した。
カルエッチングにより基板上の不要部分の金属成分を除
去することで、ミキシング層中のＰｔおよびＰｔ蒸着層
を電子回路パターン形状に加工して金属配線を形成し、
配線基板を完成した。
【００５４】［実施例９］図１０に示すように、まず基
板となるフロートガラス５３（日本板硝子製青板ガラ
ス）の表面をよく洗浄した後、レジスト５４（例えば東
京応化工業製ＯＭＲ−８５等）を塗布し（ｂ）、フォト
レジストを塗布後、電子回路パターンのマスクを用いて
露光、現像し、（ｃ）に示すように金属配線を設けたい
部分に開口を設けた。
板となるフロートガラス５３（日本板硝子製青板ガラ
ス）の表面をよく洗浄した後、レジスト５４（例えば東
京応化工業製ＯＭＲ−８５等）を塗布し（ｂ）、フォト
レジストを塗布後、電子回路パターンのマスクを用いて
露光、現像し、（ｃ）に示すように金属配線を設けたい
部分に開口を設けた。
【００５５】続いて該基板をよく洗浄した後図３に示す
イオンビームアシスト成膜装置の中に設置した。図３に
示すイオンビームアシスト成膜装置に実施例１と同様に
設置した。まず真空層５内を４×１０-3Ｐａまで減圧
し、ガス導入口８よりアルゴンガス１０ＳＣＣＭをイオ
ン化室７に導入しイオン化した後、イオンビーム引き出
しグリッドに５００Ｖの電圧を印加してイオンビームを
引き出し、基板バイアスとして−３００Ｖを基板ホルダ
１３にかけ、この段階でイオンビーム側シャッターを開
きガラス基板表面にアルゴンイオンビームを５分間照射
してガラス基板表面の洗浄を行った。
イオンビームアシスト成膜装置の中に設置した。図３に
示すイオンビームアシスト成膜装置に実施例１と同様に
設置した。まず真空層５内を４×１０-3Ｐａまで減圧
し、ガス導入口８よりアルゴンガス１０ＳＣＣＭをイオ
ン化室７に導入しイオン化した後、イオンビーム引き出
しグリッドに５００Ｖの電圧を印加してイオンビームを
引き出し、基板バイアスとして−３００Ｖを基板ホルダ
１３にかけ、この段階でイオンビーム側シャッターを開
きガラス基板表面にアルゴンイオンビームを５分間照射
してガラス基板表面の洗浄を行った。
【００５６】次にアルゴンガス３０ＳＣＣＭをイオン化
室７に導入してガス圧３．５×１０ -2Ｐａとし、加速電
圧９ｋｅＶ、エミッション電流３００ｍＡの電子線蒸着
条件で金属Ｐｔを蒸発させ、加速電圧９ｋｅＶでアルゴ
ンイオンビームを引き出し、この段階でイオンビーム側
シャッターと蒸着源側シャッターを開き、ガラス基板表
面に照射して２０ｎｍのガラス基板とＰｄのミキシング
層を得（ｄ）、引き続きイオンビームの加速電圧を９ｋ
ｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下しイオンビーム側シャ
ッターを閉じた。その後、Ｐｔ蒸着を続け０．１μｍの
Ｐｔ膜を形成した（ｅ）。この後不要なレジストを除去
し配線基板を得た。
室７に導入してガス圧３．５×１０ -2Ｐａとし、加速電
圧９ｋｅＶ、エミッション電流３００ｍＡの電子線蒸着
条件で金属Ｐｔを蒸発させ、加速電圧９ｋｅＶでアルゴ
ンイオンビームを引き出し、この段階でイオンビーム側
シャッターと蒸着源側シャッターを開き、ガラス基板表
面に照射して２０ｎｍのガラス基板とＰｄのミキシング
層を得（ｄ）、引き続きイオンビームの加速電圧を９ｋ
ｅＶから３ｋｅＶまで徐々に低下しイオンビーム側シャ
ッターを閉じた。その後、Ｐｔ蒸着を続け０．１μｍの
Ｐｔ膜を形成した（ｅ）。この後不要なレジストを除去
し配線基板を得た。
【００５７】このような構成のガラス製配線基板は配線
との密着性がきわめて良好である。また本発明によるガ
ラス性配線基板は大気中４８０℃の熱にも耐え得ること
が確認された。
との密着性がきわめて良好である。また本発明によるガ
ラス性配線基板は大気中４８０℃の熱にも耐え得ること
が確認された。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス等のセラミック
ス基板上に密着性良く金属層を設けることにより、容易
に剥離せず、耐熱性の良い金属配線を有する配線基板を
製造することができる。
ス基板上に密着性良く金属層を設けることにより、容易
に剥離せず、耐熱性の良い金属配線を有する配線基板を
製造することができる。
【００５９】また、本発明では焼成炉などを使用しない
ので、生産性が良く低コストの製造方法を提供すること
ができる。
ので、生産性が良く低コストの製造方法を提供すること
ができる。
【図１】基板上に蒸着膜を形成したときの模式図であ
る。
る。
【図２】ミキシング層を形成したときの基板成分と金属
成分のミキシング状態を表す模式図である。
成分のミキシング状態を表す模式図である。
【図３】本発明に用いるイオンビームアシスト装置であ
る。
る。
【図４】実施例１の配線基板の模式図である。
【図５】実施例２の配線基板の模式図である。
【図６】実施例３の配線基板の模式図である。
【図７】実施例４の配線基板の模式図である。
【図８】実施例５の配線基板の模式図である。
【図９】実施例６の配線基板の模式図である。
【図１０】実施例９で示した配線基板の製造プロセスを
示す図である。
示す図である。
１ ガラス基板 ２ 核付与層 ３ めっき下地層 ４ めっき層 ５ 真空槽 ６ イオンビーム装置 ７ イオン化室 ８ ガス導入口 ９ イオンビーム引き出しグリッド １０ イオンビーム １１ ガラス基板 １２ ガラス基板取りつけ治具 １３ 基板ホルダー １４ 排気口 １５ バイアス電源 １６ 電子銃 １７ 金属Ｐｄ １８ イオンビーム側シャッタ− １９ 蒸着源側シャッター ２０ ガラス基板 ２１ ミキシング層 ２２ 無電解Ｐｄめっき層 ２３ 無電解Ｃｕめっき層 ２４ 電気Ｃｕめっき層 ２５ 無電解Ｎｉめっき層 ２６ 無電解金めっき層 ２７ ガラス基板 ２８ ミキシング層 ２９ 無電解Ｃｕめっき層 ３０ 電気Ｃｕめっき層 ３１ 無電解Ｎｉめっき層 ３２ 無電解金めっき層 ３３ ガラス基板 ３４ ミキシング層 ３５ 無電解Ｎｉめっき層 ３６ 電気Ｎｉめっき層 ３７ 無電解金めっき層 ３８ ガラス基板 ３９ ミキシング層 ４０ Ｃｕ蒸着層 ４１ 電気Ｃｕめっき層 ４２ 無電解Ｎｉめっき層 ４３ 無電解金めっき層 ４４ ガラス基板 ４５ ミキシング層 ４６ Ｎｉ蒸着層 ４７ 電気Ｎｉめっき層 ４８ 無電解金めっき層 ５３ ガラス基板 ５４ レジスト ５５ イオンビーム ５６ ミキシング層 ７０ ガラス基板 ７１ ミキシング層 ７２ Ｐｄ蒸着層 ７３ 無電解Ｃｕめっき層 ７４ 電気Ｃｕめっき層 ７５ 無電解Ｎｉめっき層 ７６ 無電解金めっき層 １０１ 基板成分 １０２ 金属成分
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックス基板上に金属配線を有する
配線基板において、 該金属配線が、少なくとも１層の金属層と、 該金属層の下部に、前記セラミックス基板に接して設け
られた基板成分と金属成分からなるミキシング層とを有
することを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】 セラミックス基板にイオンビームにより
加速された金属原子を照射しミキシング層を形成し、該
ミキシング層上に少なくとも１層の金属層を形成するこ
とを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 セラミックス基板にイオンビームにより
加速された金属原子を照射しミキシング層を形成する工
程と、 該ミキシング層上に無電解めっき金属層を形成する工程
と、を含む配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 セラミックス基板にイオンビームにより
加速された金属原子を照射しミキシング層を形成する工
程と、 該ミキシング層上に蒸着金属層を形成する工程と、を含
む配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8209788A JPH1053867A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8209788A JPH1053867A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1053867A true JPH1053867A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16578613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8209788A Pending JPH1053867A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1053867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245518A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 配線基板の製造方法、半導体チップ搭載基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法 |
| WO2016132681A1 (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-25 | 出光興産株式会社 | 積層体及び積層体の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP8209788A patent/JPH1053867A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245518A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 配線基板の製造方法、半導体チップ搭載基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法 |
| WO2016132681A1 (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-25 | 出光興産株式会社 | 積層体及び積層体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |