JPH11245371A - マスク、及びスキージ - Google Patents
マスク、及びスキージInfo
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- JPH11245371A JPH11245371A JP4759198A JP4759198A JPH11245371A JP H11245371 A JPH11245371 A JP H11245371A JP 4759198 A JP4759198 A JP 4759198A JP 4759198 A JP4759198 A JP 4759198A JP H11245371 A JPH11245371 A JP H11245371A
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Abstract
(57)【要約】
マスクのプリント回路基板からの離型時に半田ペースト
の形状くずれが起り易く、ひいては半田ペーストがプリ
ント回路基板上の隣接する導体回路基板に電気的に接続
してしまっていた。 【解決手段】 本発明のマスクは、その少なくとも一部
分に硬質炭素被膜が形成されたことを特徴とする。
の形状くずれが起り易く、ひいては半田ペーストがプリ
ント回路基板上の隣接する導体回路基板に電気的に接続
してしまっていた。 【解決手段】 本発明のマスクは、その少なくとも一部
分に硬質炭素被膜が形成されたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク、及びスキ
ージに関し、特に電子部品のプリント回路基板への表面
実装に際して用いる半田ペーストを該プリント回路基板
に加圧塗布印刷するときに使用するスクリーン印刷用の
マスク、及びその他エッチングのように部分的に材料を
除去、或いは材料を付着させる際に使用するマスク、並
びに該マスク上に配された半田ペーストをプリント回路
基板に形成された導体回路基板上に加圧塗布印刷する際
に使用するスキージに関する。
ージに関し、特に電子部品のプリント回路基板への表面
実装に際して用いる半田ペーストを該プリント回路基板
に加圧塗布印刷するときに使用するスクリーン印刷用の
マスク、及びその他エッチングのように部分的に材料を
除去、或いは材料を付着させる際に使用するマスク、並
びに該マスク上に配された半田ペーストをプリント回路
基板に形成された導体回路基板上に加圧塗布印刷する際
に使用するスキージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント回路基板への電子部品の
表面実装に際しては、予め所定パターンの導体回路基板
が形成されたプリント回路基板上に、その導体回路基板
の端子部分に相当する部分が穿設されたマスクを設置
し、その後、マスク上をスキージで往復運動させること
によって半田ペーストをその穿設された孔を介してプリ
ント回路基板上に形成された導体回路基板の端子部分に
加圧塗布印刷することにより行われている。
表面実装に際しては、予め所定パターンの導体回路基板
が形成されたプリント回路基板上に、その導体回路基板
の端子部分に相当する部分が穿設されたマスクを設置
し、その後、マスク上をスキージで往復運動させること
によって半田ペーストをその穿設された孔を介してプリ
ント回路基板上に形成された導体回路基板の端子部分に
加圧塗布印刷することにより行われている。
【０００３】プリント回路基板上に形成された導体回路
基板の端子部分に半田ペーストを加圧塗布印刷する技術
が、特開平６―１１５０４５号公報に開示されている。
基板の端子部分に半田ペーストを加圧塗布印刷する技術
が、特開平６―１１５０４５号公報に開示されている。
【０００４】該公報によれば、ポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素系樹脂の微粒子が
分散している所定金属の無電解めっき浴を用いて、メタ
ルマスクの表面、或いはそのマスクに穿設された孔の内
壁面に無電解めっきを施すことにより所定金属とフッ素
系樹脂微粒子との共析被膜を形成している。
レン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素系樹脂の微粒子が
分散している所定金属の無電解めっき浴を用いて、メタ
ルマスクの表面、或いはそのマスクに穿設された孔の内
壁面に無電解めっきを施すことにより所定金属とフッ素
系樹脂微粒子との共析被膜を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、前述したメ
タルマスクへのフッ素系樹脂の被膜形成をしたとしても
以下に掲げる問題点が生じていた。 （１） マスクのプリント回路基板からの離型時に半田
ペーストの形状くずれが起り易く、ひいては半田ペース
トがプリント回路基板上の隣接する導体回路基板に電気
的に接続してしまっていた。 （２） プリント回路基板への半田ペーストの加圧塗布
印刷時に、マスクの開孔部付近では、マスクとプリント
回路基板との間隙に半田ペーストが滲んでしまう結果、
印刷精度が低下してしまっていた。 （３） プリント回路基板への半田ペーストの加圧塗布
印刷に際して、半田ペーストがマスク表面に付着してい
ると、その付着した半田によりスキージがスムーズにマ
スク上を往復運動しなかったり、またマスクの開孔部へ
の半田ペーストが効率よく流入しなくなるため、定期的
に洗浄等のメンテナンスを必要としていた。更に、マス
ク開孔部に半田ペーストが残留し、頻繁にマスクを洗浄
する作業が必要となり、生産性が低下していた。 （４） マスク、又はスキージ自体の摩擦抵抗が高いた
めに寿命が短かった。
タルマスクへのフッ素系樹脂の被膜形成をしたとしても
以下に掲げる問題点が生じていた。 （１） マスクのプリント回路基板からの離型時に半田
ペーストの形状くずれが起り易く、ひいては半田ペース
トがプリント回路基板上の隣接する導体回路基板に電気
的に接続してしまっていた。 （２） プリント回路基板への半田ペーストの加圧塗布
印刷時に、マスクの開孔部付近では、マスクとプリント
回路基板との間隙に半田ペーストが滲んでしまう結果、
印刷精度が低下してしまっていた。 （３） プリント回路基板への半田ペーストの加圧塗布
印刷に際して、半田ペーストがマスク表面に付着してい
ると、その付着した半田によりスキージがスムーズにマ
スク上を往復運動しなかったり、またマスクの開孔部へ
の半田ペーストが効率よく流入しなくなるため、定期的
に洗浄等のメンテナンスを必要としていた。更に、マス
ク開孔部に半田ペーストが残留し、頻繁にマスクを洗浄
する作業が必要となり、生産性が低下していた。 （４） マスク、又はスキージ自体の摩擦抵抗が高いた
めに寿命が短かった。
【０００６】そこで、本発明は、このような従来の問題
点を解消し、高い膜硬度を有し、かつ対する密着性に優
れた被膜を形成したマスク、又はスキージを提供するこ
とにある。
点を解消し、高い膜硬度を有し、かつ対する密着性に優
れた被膜を形成したマスク、又はスキージを提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のマスクは、マス
ク基体の外周面、或いは該マスク基体に形成された貫通
孔の内壁面のうち少なくとも一部分に硬質被膜が形成さ
れたことを特徴とする。
ク基体の外周面、或いは該マスク基体に形成された貫通
孔の内壁面のうち少なくとも一部分に硬質被膜が形成さ
れたことを特徴とする。
【０００８】前記マスクは、半田ペーストをプリント回
路基板にスクリーン印刷する際に用いることを特徴とす
る。
路基板にスクリーン印刷する際に用いることを特徴とす
る。
【０００９】前記マスク基体の材料がNi、Fe、Alを主成
分とする材料、セラミックス、樹脂、ステンレス鋼、リ
ン青銅鋼、Ni-Co合金からなることを特徴とする。
分とする材料、セラミックス、樹脂、ステンレス鋼、リ
ン青銅鋼、Ni-Co合金からなることを特徴とする。
【００１０】前記マスク基体と硬質炭素被膜との間に中
間層が介在して形成されたことを特徴とする。
間層が介在して形成されたことを特徴とする。
【００１１】前記中間層に含まれる酸素、窒素、炭素の
うちの少なくとも１種の元素量が、マスク基体側に対し
て硬質炭素被膜側の方が多いことを特徴とする。
うちの少なくとも１種の元素量が、マスク基体側に対し
て硬質炭素被膜側の方が多いことを特徴とする。
【００１２】スキージ基体の外周面のうち少なくとも一
部分に硬質被膜が形成されたことを特徴とする。
部分に硬質被膜が形成されたことを特徴とする。
【００１３】前記スキージは、半田ペーストをプリント
回路基板にスクリーン印刷する際に用いることを特徴と
する。
回路基板にスクリーン印刷する際に用いることを特徴と
する。
【００１４】前記スキージ基体の材料が樹脂、あるいは
金属から構成されたことを特徴とする。
金属から構成されたことを特徴とする。
【００１５】前記硬質被膜の膜厚が５μm以下であるこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【００１６】前記硬質被膜は硬質炭素被膜からなること
を特徴とする。
を特徴とする。
【００１７】前記スキージ基体と硬質被膜との間に中間
層が介在して形成されたことを特徴とする。
層が介在して形成されたことを特徴とする。
【００１８】前記中間層は、Si、Ti、Zr、Ge、Ru、Mo、
W、又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくはこ
れらの炭化物から形成されていることを特徴とする。
W、又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくはこ
れらの炭化物から形成されていることを特徴とする。
【００１９】前記中間層は、該層内に含まれる酸素、窒
素、炭素のうちの少なくとも１種の元素量が、該中間層
内で傾斜配分されていることを特徴とする。
素、炭素のうちの少なくとも１種の元素量が、該中間層
内で傾斜配分されていることを特徴とする。
【００２０】前記中間層に含まれる酸素、窒素、炭素の
うちの少なくとも１種の元素量が、スキージ基体側に対
して硬質炭素被膜側の方が多いことを特徴とする。
うちの少なくとも１種の元素量が、スキージ基体側に対
して硬質炭素被膜側の方が多いことを特徴とする。
【００２１】前記硬質炭素被膜が、Zr、Ti、W、Mo、G
e、H、Si、N、Ta、Cr、F、及びBからなるグループより
選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有していること
を特徴とする。
e、H、Si、N、Ta、Cr、F、及びBからなるグループより
選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有していること
を特徴とする。
【００２２】前記硬質炭素被膜に含まれている少なくと
も１種の添加元素が膜内で傾斜配分されていることを特
徴とする。
も１種の添加元素が膜内で傾斜配分されていることを特
徴とする。
【００２３】前記硬質炭素被膜は、ダイヤモンド被膜、
ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、または
非晶質炭素被膜から構成されていることを特徴とする。
ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、または
非晶質炭素被膜から構成されていることを特徴とする。
【００２４】前記硬質被膜はセラミックス被膜であるこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【００２５】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の元素と
の化合物であることを特徴とする。
体と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の元素と
の化合物であることを特徴とする。
【００２６】前記セラミックス被膜の膜中に含まれる窒
素、酸素、炭素のうち少なくとも1種の元素が傾斜配分
されていることを特徴とする。
素、酸素、炭素のうち少なくとも1種の元素が傾斜配分
されていることを特徴とする。
【００２７】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体の供給と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を
含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルを用
いることによって形成されることを特徴とする。
体の供給と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を
含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルを用
いることによって形成されることを特徴とする。
【００２８】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1
種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラジカ
ルを照射することによって形成されることを特徴とす
る。
体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1
種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラジカ
ルを照射することによって形成されることを特徴とす
る。
【００２９】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1
種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラジカ
ルを照射して第1被膜層を形成する第1工程と、その第1
工程に続けて金属、或いは半導体を供給して窒素、酸
素、炭素のうち少なくとも1種類を含むガスの分子、又
は原子を供給して第2被膜層を形成する第2工程とからな
ることを特徴とする。
体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1
種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラジカ
ルを照射して第1被膜層を形成する第1工程と、その第1
工程に続けて金属、或いは半導体を供給して窒素、酸
素、炭素のうち少なくとも1種類を含むガスの分子、又
は原子を供給して第2被膜層を形成する第2工程とからな
ることを特徴とする。
【００３０】前記セラミックス被膜は、Zr、Ti、Hf、C
r、Fe、B、Al、Si、或いはGeの窒化物、酸化物、又は炭
化物であることを特徴とする。
r、Fe、B、Al、Si、或いはGeの窒化物、酸化物、又は炭
化物であることを特徴とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明におけるマスクに
硬質炭素被膜を形成するための形成装置の一例を示す概
略断面図である。
硬質炭素被膜を形成するための形成装置の一例を示す概
略断面図である。
【００３２】図１を参照して、真空チャンバ８には、プ
ラズマ発生室４が設けられており、このプラズマ発生室
４には、導波管２の一端が取り付けられている。その導
波管２の他端には、マイクロ波供給手段１が設けられて
おり、マイクロ波供給手段１で発生したマイクロ波は、
導波管２、及びマイクロ波導入窓３を通って、プラズマ
発生室４に導かれる。
ラズマ発生室４が設けられており、このプラズマ発生室
４には、導波管２の一端が取り付けられている。その導
波管２の他端には、マイクロ波供給手段１が設けられて
おり、マイクロ波供給手段１で発生したマイクロ波は、
導波管２、及びマイクロ波導入窓３を通って、プラズマ
発生室４に導かれる。
【００３３】プラズマ発生室４には、プラズマ発生室４
内にアルゴン（Ar）ガスなどの放電ガスとメタン（C
H4）などの原料ガスを導入させるためのガス導入管５が
設けられている。
内にアルゴン（Ar）ガスなどの放電ガスとメタン（C
H4）などの原料ガスを導入させるためのガス導入管５が
設けられている。
【００３４】また、プラズマ発生室４の周囲には、プラ
ズマ磁界発生装置６が設けられており、マイクロ波によ
る高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６からの磁界を
作用させることにより、プラズマ発生室４内に高密度の
ECRプラズマが形成される。
ズマ磁界発生装置６が設けられており、マイクロ波によ
る高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６からの磁界を
作用させることにより、プラズマ発生室４内に高密度の
ECRプラズマが形成される。
【００３５】真空チャンバ８内にはホルダー７が設けら
れており、本実施の形態では、サンプル９としてプリン
ト回路基板に半田ペーストをスクリーン印刷する際に用
いられる、マスク基体、又はスキージ基体を用いた。
れており、本実施の形態では、サンプル９としてプリン
ト回路基板に半田ペーストをスクリーン印刷する際に用
いられる、マスク基体、又はスキージ基体を用いた。
【００３６】また、中間層の形成が必要な場合はイオン
ビームスパッタ法、マグネトロンRFスパッタ法などによ
り、中間層の形成が可能となる。これらの手法において
は、ターゲットをアルゴンプラズマ中のイオンでスパッ
タし、膜形成を行うものであり、ターゲットとしては、
Si、Ti、Zr、W、Mo、Ru、Ge等を用いる。
ビームスパッタ法、マグネトロンRFスパッタ法などによ
り、中間層の形成が可能となる。これらの手法において
は、ターゲットをアルゴンプラズマ中のイオンでスパッ
タし、膜形成を行うものであり、ターゲットとしては、
Si、Ti、Zr、W、Mo、Ru、Ge等を用いる。
【００３７】また、スパッタと同時にチャンバー８内に
酸素、窒素、あるいは炭素を含むガスを導入するとSi、
Ti、Zr、W、Mo、Ru、Geの単体、あるいはこれらの酸化
物、窒化物、炭化物の形成が可能となる。
酸素、窒素、あるいは炭素を含むガスを導入するとSi、
Ti、Zr、W、Mo、Ru、Geの単体、あるいはこれらの酸化
物、窒化物、炭化物の形成が可能となる。
【００３８】更に、膜中にZr、Ti、W、Mo、Ge、H、Si、
N、Ta、Cr、F、及びBを含有させるためには、炭素被膜
形成と同時にこれらの元素を含有するガスを用いるか、
または前記スパッタを同時に行いそれらを供給すればよ
い。
N、Ta、Cr、F、及びBを含有させるためには、炭素被膜
形成と同時にこれらの元素を含有するガスを用いるか、
または前記スパッタを同時に行いそれらを供給すればよ
い。
【００３９】以下に挙げる第１乃至第４の実施の形態
は、半田ペーストをプリント回路基板にスクリーン印刷
する際に用いるマスク基体、又はスキージ基体に硬質炭
素被膜を形成する形態である。 ＜第１の実施の形態＞図1において、まず、マスク基体
９をホルダー７に設置した後、真空チャンバ８内を１０
-5〜１０-7Torrに排気する。 次に、チャンバ内にArガ
スを５．７×１０-4Torr供給して、ターゲット10とホル
ダー７との間にArプラズマを発生させ、プラズマ中のイ
オンにより、Siターゲットをスパッタし、マスク基体９
上にSi中間層を形成する。
は、半田ペーストをプリント回路基板にスクリーン印刷
する際に用いるマスク基体、又はスキージ基体に硬質炭
素被膜を形成する形態である。 ＜第１の実施の形態＞図1において、まず、マスク基体
９をホルダー７に設置した後、真空チャンバ８内を１０
-5〜１０-7Torrに排気する。 次に、チャンバ内にArガ
スを５．７×１０-4Torr供給して、ターゲット10とホル
ダー７との間にArプラズマを発生させ、プラズマ中のイ
オンにより、Siターゲットをスパッタし、マスク基体９
上にSi中間層を形成する。
【００４０】次に、マグネトロンスパッタ法によるSi中
間層形成プロセスを止めて、プラズマ発生室４内にArガ
ス２．５×１０-4Torr、CH4ガスを３．０×１０-4Torr
供給して、プラズマ発生室４にAr及びCH4のプラズマを
発生させ、マスク基体9の上に硬質炭素被膜を約２００
０Å形成した。
間層形成プロセスを止めて、プラズマ発生室４内にArガ
ス２．５×１０-4Torr、CH4ガスを３．０×１０-4Torr
供給して、プラズマ発生室４にAr及びCH4のプラズマを
発生させ、マスク基体9の上に硬質炭素被膜を約２００
０Å形成した。
【００４１】このようにして作製した硬質炭素被膜の硬
度は予め約１μmの膜厚で測定した結果、約３０００Hv
であることを確認した。
度は予め約１μmの膜厚で測定した結果、約３０００Hv
であることを確認した。
【００４２】また、密着性の評価をビッカース圧子によ
る押し込み試験（荷重：３００g）を行った結果、比較
例として行った「中間層なしの硬質炭素被膜」では４０
個の剥離個数が確認されたのに対して、本発明では全く
剥離しないことを確認した（試験サンプル個数：５０
個）。
る押し込み試験（荷重：３００g）を行った結果、比較
例として行った「中間層なしの硬質炭素被膜」では４０
個の剥離個数が確認されたのに対して、本発明では全く
剥離しないことを確認した（試験サンプル個数：５０
個）。
【００４３】この結果から本発明の膜は明らかに密着性
において、優れていることが分かる。
において、優れていることが分かる。
【００４４】更に、硬質炭素被膜をコーティングしたマ
スクと、コーティングしていないマスクをアルミナボー
ルを用いた耐摩耗性摺動試験を行った結果（荷重:１０
g、摺動回数：３０００回）、未コーティングのマスク
では傷が確認できたのに対し、硬質炭素被膜をコーティ
ングしたマスクでは全くその表面に変化はなく、大幅に
寿命の向上を確認した。
スクと、コーティングしていないマスクをアルミナボー
ルを用いた耐摩耗性摺動試験を行った結果（荷重:１０
g、摺動回数：３０００回）、未コーティングのマスク
では傷が確認できたのに対し、硬質炭素被膜をコーティ
ングしたマスクでは全くその表面に変化はなく、大幅に
寿命の向上を確認した。
【００４５】また、膜厚を５μm以上にすると、硬質炭
素被膜の持つ内部応力により、前記試験においても一
部、剥離が生じるとともに、マスクが未コーティングの
状態に比べて変形するため、膜厚は５μm以内が好まし
い。 ＜第２の実施の形態＞次に、マスク基体上に中間層、硬
質炭素被膜を順次形成し、その中間層に炭素が含まれ、
その炭素が傾斜化（傾斜配分）している実施の形態につ
いて述べる。
素被膜の持つ内部応力により、前記試験においても一
部、剥離が生じるとともに、マスクが未コーティングの
状態に比べて変形するため、膜厚は５μm以内が好まし
い。 ＜第２の実施の形態＞次に、マスク基体上に中間層、硬
質炭素被膜を順次形成し、その中間層に炭素が含まれ、
その炭素が傾斜化（傾斜配分）している実施の形態につ
いて述べる。
【００４６】図2において、まず、マグネトロンスパッ
タ法を用いて、５４０secかけてSi中間層をマスク基体
９上に形成する。このとき、その中間層の形成プロセス
の最後の１８０secにおいてはプラズマ発生室４にAr、
及びCH4のプラズマを発生させ、マスク基体9の上に硬質
炭素被膜を形成した。
タ法を用いて、５４０secかけてSi中間層をマスク基体
９上に形成する。このとき、その中間層の形成プロセス
の最後の１８０secにおいてはプラズマ発生室４にAr、
及びCH4のプラズマを発生させ、マスク基体9の上に硬質
炭素被膜を形成した。
【００４７】これに続けて、マスク基体９上に硬質炭素
被膜形成プロセスのみで膜形成を５４０sec間行った。
被膜形成プロセスのみで膜形成を５４０sec間行った。
【００４８】この膜をSIMS分析した結果、マスク基体９
の母材表面から硬質炭素被膜側に向かって、Si中間層中
の炭素が増加し、明らかに炭素量が傾斜配分されている
ことが分かった。
の母材表面から硬質炭素被膜側に向かって、Si中間層中
の炭素が増加し、明らかに炭素量が傾斜配分されている
ことが分かった。
【００４９】また、この膜についても第１の実施の形態
と同様の密着性の評価試験を行ったところ、密着性が優
れていることが明らかとなった。 ＜第３の実施の形態＞第３の実施の形態として、マスク
基体上に中間層、硬質炭素被膜を順次形成し、その硬質
炭素被膜中に窒素が含まれている実施の形態について述
べる。マグネトロンスパッタ法によってSi中間層を形成
するプロセス終了後に、プラズマ発生室４にAr（分圧：
２.５×１０-4Torr）、CH4（分圧：３.０×１０-4Tor
r）、及び窒素ガス（分圧：５.０×１０-5Torr）の混合
ガスのプラズマを発生させ、マスク基体9の上に硬質炭
素被膜を形成した。
と同様の密着性の評価試験を行ったところ、密着性が優
れていることが明らかとなった。 ＜第３の実施の形態＞第３の実施の形態として、マスク
基体上に中間層、硬質炭素被膜を順次形成し、その硬質
炭素被膜中に窒素が含まれている実施の形態について述
べる。マグネトロンスパッタ法によってSi中間層を形成
するプロセス終了後に、プラズマ発生室４にAr（分圧：
２.５×１０-4Torr）、CH4（分圧：３.０×１０-4Tor
r）、及び窒素ガス（分圧：５.０×１０-5Torr）の混合
ガスのプラズマを発生させ、マスク基体9の上に硬質炭
素被膜を形成した。
【００５０】この膜をSIMS分析した結果、明らかに硬質
炭素被膜中に窒素が存在していることが分かった。
炭素被膜中に窒素が存在していることが分かった。
【００５１】また、この膜についても第１の実施の形態
と同様に密着性の評価を行ったところ、密着性が優れて
いることが明らかとなった。
と同様に密着性の評価を行ったところ、密着性が優れて
いることが明らかとなった。
【００５２】更に、導入する窒素の量を変化させれば、
膜中に含まれる窒素量も変化し、容易にその窒素量を傾
斜配分させることができることも確認された。 ＜第４の実施の形態＞第１〜第３の実施の形態は、マス
ク基体への硬質炭素被膜のコーティングの実施の形態で
あるが、マスク基体の代わりにスキージ基体を用いるこ
とにより、スキージ基体に硬質炭素被膜を密着性良く形
成することができる。
膜中に含まれる窒素量も変化し、容易にその窒素量を傾
斜配分させることができることも確認された。 ＜第４の実施の形態＞第１〜第３の実施の形態は、マス
ク基体への硬質炭素被膜のコーティングの実施の形態で
あるが、マスク基体の代わりにスキージ基体を用いるこ
とにより、スキージ基体に硬質炭素被膜を密着性良く形
成することができる。
【００５３】なお、マスク基体、及びスキージ基体とも
少なくともその一部分に硬質炭素被膜が形成され、全面
に形成されている必要はなく、マスク基体においては、
片面、あるいは両面どちらでもかまわない。図２は硬質
炭素被膜をマスク基体に形成する箇所を示したものであ
り、種々のパターンが考えられる。
少なくともその一部分に硬質炭素被膜が形成され、全面
に形成されている必要はなく、マスク基体においては、
片面、あるいは両面どちらでもかまわない。図２は硬質
炭素被膜をマスク基体に形成する箇所を示したものであ
り、種々のパターンが考えられる。
【００５４】図2（ａ）、（ｃ）については、マスク基
体９の裏面側を、或いは表面側をホルダー7に設置する
ことにより作製される。また、図２（ｄ）については、
まず表面側をホルダー7に設置して硬質炭素被膜を形成
した後、次に裏面側をホルダー7に設置して硬質炭素被
膜を形成することにより作製される。尚、この工程は順
序を逆にしても同様な膜が形成される。
体９の裏面側を、或いは表面側をホルダー7に設置する
ことにより作製される。また、図２（ｄ）については、
まず表面側をホルダー7に設置して硬質炭素被膜を形成
した後、次に裏面側をホルダー7に設置して硬質炭素被
膜を形成することにより作製される。尚、この工程は順
序を逆にしても同様な膜が形成される。
【００５５】次に、図２（ｂ）、（ｅ）、及び（ｇ）に
ついては、開孔内壁面をマスクし、被膜が直接母材に形
成されないようにした後、表面、あるいは裏面、又は両
面に被膜を形成すればよい。
ついては、開孔内壁面をマスクし、被膜が直接母材に形
成されないようにした後、表面、あるいは裏面、又は両
面に被膜を形成すればよい。
【００５６】更に、図２（ｆ）については、表面、又は
裏面をマスクし、そのマスクした側から被膜のコーティ
ングを行えばよい。
裏面をマスクし、そのマスクした側から被膜のコーティ
ングを行えばよい。
【００５７】前述の実施の形態で形成される「硬質炭素
被膜」は、ダイヤモンド被膜、ダイヤモンド構造と非晶
質炭素構造との混合膜、または非晶質炭素被膜のいずれ
かから構成されており、特に「非晶質炭素構造」とは、
短距離秩序を有する炭素構造であればよく、また「非晶
質炭素被膜」は、その構造を含んでいればよい。 ＜第５の実施の形態＞第５の実施の形態として、 窒化
ジルコニウム（ZrN）被膜をマスク基体に形成する形成
方法について図面を用いて詳細に説明する。
被膜」は、ダイヤモンド被膜、ダイヤモンド構造と非晶
質炭素構造との混合膜、または非晶質炭素被膜のいずれ
かから構成されており、特に「非晶質炭素構造」とは、
短距離秩序を有する炭素構造であればよく、また「非晶
質炭素被膜」は、その構造を含んでいればよい。 ＜第５の実施の形態＞第５の実施の形態として、 窒化
ジルコニウム（ZrN）被膜をマスク基体に形成する形成
方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００５８】図３は窒化ジルコニウムの被膜を形成する
ための真空蒸着及びイオン注入装置を示し、１１は１０
-5〜１０-7Torrに排気される真空チャンバ、１２は該真
空チャンバ１１内に配置され、図３の矢印方向に１０〜
２０rpmの速度で回転可能にされたホルダー、１３はス
クリーン印刷に用いられるマスク基体、１４は電子ビー
ムによってジルコニウム（Zr）原子を蒸発させ、マスク
基体１３に向けて放射する蒸発源、１５はマスク基体１
３の方向に窒素イオン（Nイオン）を放射するか、或い
は窒素ガス（N2）を供給するかのいずれかを行うことが
できるアシストイオンガンである。
ための真空蒸着及びイオン注入装置を示し、１１は１０
-5〜１０-7Torrに排気される真空チャンバ、１２は該真
空チャンバ１１内に配置され、図３の矢印方向に１０〜
２０rpmの速度で回転可能にされたホルダー、１３はス
クリーン印刷に用いられるマスク基体、１４は電子ビー
ムによってジルコニウム（Zr）原子を蒸発させ、マスク
基体１３に向けて放射する蒸発源、１５はマスク基体１
３の方向に窒素イオン（Nイオン）を放射するか、或い
は窒素ガス（N2）を供給するかのいずれかを行うことが
できるアシストイオンガンである。
【００５９】次に前記装置を用いて、マスク基体１３の
表面にZrN被膜を形成する方法について説明する。
表面にZrN被膜を形成する方法について説明する。
【００６０】まず、真空チャンバ１１内を１０-5〜１０
-7Torrに排気し、アシストイオンガン１５にN2ガスを供
給し、Nイオンを取り出して、これをマスク基体１３の
表面に照射する。この時のNイオンの加速電圧は、７０
０eV、イオン電流密度は０．３８mA/cm2に設定した。
-7Torrに排気し、アシストイオンガン１５にN2ガスを供
給し、Nイオンを取り出して、これをマスク基体１３の
表面に照射する。この時のNイオンの加速電圧は、７０
０eV、イオン電流密度は０．３８mA/cm2に設定した。
【００６１】一方、 Nイオンの照射と同時に蒸発源１４
を駆動し、Zr原子を蒸発させてマスク基体１３の表面に
放射する。この時のZrの蒸発速度はマスク基体１３上で
の成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定した。
を駆動し、Zr原子を蒸発させてマスク基体１３の表面に
放射する。この時のZrの蒸発速度はマスク基体１３上で
の成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定した。
【００６２】以上の工程を３０秒から１分程度行い、マ
スク基体１３の表面に膜厚２５０Å〜５００ÅのZrNの
第１被膜層を形成した。
スク基体１３の表面に膜厚２５０Å〜５００ÅのZrNの
第１被膜層を形成した。
【００６３】次にNイオンの照射を止めて、イオンガン
１５よりイオン化されていないN2ガスをチャンバ１１内
に供給するとともに、このN2雰囲気中で蒸発源１４より
ZrN原子をマスク基体１３上の第１被膜層表面に向かっ
て放射した。この時のZrの蒸発速度は第１被膜層表面で
の成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定した。
１５よりイオン化されていないN2ガスをチャンバ１１内
に供給するとともに、このN2雰囲気中で蒸発源１４より
ZrN原子をマスク基体１３上の第１被膜層表面に向かっ
て放射した。この時のZrの蒸発速度は第１被膜層表面で
の成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定した。
【００６４】以上の工程を４分から４分３０秒程度行
い、ZrNの第１被膜層表面に、膜厚２６５０Å〜２９０
０Åを有するもう１層のZrNの第２被膜層を形成した。
以上の二つの工程の結果、３表面に膜厚３０００ÅのZr
N被膜が形成されることになる。
い、ZrNの第１被膜層表面に、膜厚２６５０Å〜２９０
０Åを有するもう１層のZrNの第２被膜層を形成した。
以上の二つの工程の結果、３表面に膜厚３０００ÅのZr
N被膜が形成されることになる。
【００６５】このZrN被膜の硬度は、１６００Ｈｖであ
り、ビッカース圧子による押し込み試験（３００ｇ）で
も剥離はなく、密着性においても優れていることを確認
している。また、硬質炭素被膜と同様に摺動試験を行っ
た。従来（荷重：１０ｇ）３０００回の摺動でも表面の
状態は変化がなく、大幅に寿命が向上したことを確認し
た。
り、ビッカース圧子による押し込み試験（３００ｇ）で
も剥離はなく、密着性においても優れていることを確認
している。また、硬質炭素被膜と同様に摺動試験を行っ
た。従来（荷重：１０ｇ）３０００回の摺動でも表面の
状態は変化がなく、大幅に寿命が向上したことを確認し
た。
【００６６】また、本実施の形態では二つの工程から被
膜形成法で述べているが、ZrN形成は必ずしも本方法に
限定されるものではなく、第１工程の方法、すなわち、
膜形成中終始窒素イオンを照射する方法でも何ら問題は
ない。 ＜第6の実施の形態＞Zrの蒸着とNイオン照射を同時に行
って、 ZrN被膜を形成するに際に、 Zrの蒸着速度は、
マスク基体１３上での成膜速度に換算して６５０Å／mi
n．に設定し、 Nイオンの加速電圧は７００ｅＶに設定
した。但し、イオン電流密度は当初０．６mA/cm2とし、
２分間で０．３８mA/cm2で一定とし、合計５分間のプロ
セスで約３１５０ÅのZrN被膜を形成した。
膜形成法で述べているが、ZrN形成は必ずしも本方法に
限定されるものではなく、第１工程の方法、すなわち、
膜形成中終始窒素イオンを照射する方法でも何ら問題は
ない。 ＜第6の実施の形態＞Zrの蒸着とNイオン照射を同時に行
って、 ZrN被膜を形成するに際に、 Zrの蒸着速度は、
マスク基体１３上での成膜速度に換算して６５０Å／mi
n．に設定し、 Nイオンの加速電圧は７００ｅＶに設定
した。但し、イオン電流密度は当初０．６mA/cm2とし、
２分間で０．３８mA/cm2で一定とし、合計５分間のプロ
セスで約３１５０ÅのZrN被膜を形成した。
【００６７】このようにして形成したZrN被膜の膜中窒
素量をSIMSで測定した結果、母材からZrN被膜表面側に
向かって減少し、その後、一定となっていることが分か
った。
素量をSIMSで測定した結果、母材からZrN被膜表面側に
向かって減少し、その後、一定となっていることが分か
った。
【００６８】この被膜については、密着性、摺動試験を
行った結果、優れていることが分かった。
行った結果、優れていることが分かった。
【００６９】また、同様の高硬度のZrN被膜は、イオン
のみならずＮラジカルを用いても形成できることは実験
において確認している。
のみならずＮラジカルを用いても形成できることは実験
において確認している。
【００７０】さらに、本実施の形態では、ZrN被膜につ
いて述べたが、本形態の膜としては、Zr以外にセラミッ
クス、Ti、Hf、Cr、Fe、B、Al、Si、Geの窒化物、或い
は酸化物、炭化物でもZrN被膜の効果と同様の効果を発
揮することを確認済みである。
いて述べたが、本形態の膜としては、Zr以外にセラミッ
クス、Ti、Hf、Cr、Fe、B、Al、Si、Geの窒化物、或い
は酸化物、炭化物でもZrN被膜の効果と同様の効果を発
揮することを確認済みである。
【００７１】ところで、マスク基体の大きさ、形につい
ては特に限定するものではないが、大面積のマスク基体
へのコーティングが必要な場合は、例えば、実施の形態
に示したECRプラズマCVD法においては、ECRの口径を大
きくしたり、また平行平板型のプラズマCVDを用いて電
極間にホルダーを置き、硬質炭素被膜、或いは窒化ジル
コニウム等をコーティングすることによっても、大面積
化が可能になる。
ては特に限定するものではないが、大面積のマスク基体
へのコーティングが必要な場合は、例えば、実施の形態
に示したECRプラズマCVD法においては、ECRの口径を大
きくしたり、また平行平板型のプラズマCVDを用いて電
極間にホルダーを置き、硬質炭素被膜、或いは窒化ジル
コニウム等をコーティングすることによっても、大面積
化が可能になる。
【００７２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、マスクの寿命、半田離形性、クリーニング
性、及び印刷精度が向上すると共に、半田滲みが減少
し、更には洗浄性等のメンテナンス性も向上する。一
方、スキージにおいては、マスクとの摩擦抵抗が減少す
るため、半田ペーストのローリング性が向上すると共
に、スキージの寿命が向上する。
によれば、マスクの寿命、半田離形性、クリーニング
性、及び印刷精度が向上すると共に、半田滲みが減少
し、更には洗浄性等のメンテナンス性も向上する。一
方、スキージにおいては、マスクとの摩擦抵抗が減少す
るため、半田ペーストのローリング性が向上すると共
に、スキージの寿命が向上する。
【００７３】更に、マスクとスキージを一対として、ス
クリーン印刷機で使用し、半田ペーストをスクリーン印
刷する場合においては、半田ペーストのスキージング速
度や、スキージング後のマスクとプリント回路基板の離
間速度を従来より速くすることが可能となり、種々の印
刷プロセスの条件設定値の幅をより広く取ることがで
き、これにより印刷機のスループットが短縮され、生産
性が向上する。
クリーン印刷機で使用し、半田ペーストをスクリーン印
刷する場合においては、半田ペーストのスキージング速
度や、スキージング後のマスクとプリント回路基板の離
間速度を従来より速くすることが可能となり、種々の印
刷プロセスの条件設定値の幅をより広く取ることがで
き、これにより印刷機のスループットが短縮され、生産
性が向上する。
【図１】図１は、本発明において、マスク基体に硬質炭
素被膜を形成するための形成装置の一例を示す概略断面
図である。
素被膜を形成するための形成装置の一例を示す概略断面
図である。
【図２】図２は、硬質炭素被膜をマスク基体に形成する
箇所を示した図である。
箇所を示した図である。
【図３】図３は、窒化ジルコニウムの被膜を形成するた
めの真空蒸着及びイオン注入装置を示した概略構成図で
ある。
めの真空蒸着及びイオン注入装置を示した概略構成図で
ある。
９…マスク基体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/12 ６１０ Ｈ０５Ｋ 3/12 ６１０Ｑ 3/34 ５０５ 3/34 ５０５Ｄ (72)発明者 樽井 久樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 福田 正行 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (38)
- 【請求項１】 マスク基体の外周面、或いは該マスク基
体に形成された貫通孔の内壁面のうち少なくとも一部分
に硬質被膜が形成されたことを特徴とするマスク。 - 【請求項２】 前記マスクは、半田ペーストをプリント
回路基板にスクリーン印刷する際に用いることを特徴と
する請求項１記載のマスク。 - 【請求項３】 前記マスク基体の材料がNi、Fe、Alを主
成分とする材料、セラミックス、樹脂、ステンレス鋼、
リン青銅鋼、Ni-Co合金からなることを特徴とする請求
項１、又は２のうちいずれかに記載のマスク。 - 【請求項４】 前記硬質被膜の膜厚が５μm以下である
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載
のマスク。 - 【請求項５】 前記硬質被膜は硬質炭素被膜からなるこ
とを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の
マスク。 - 【請求項６】 前記マスク基体と硬質炭素被膜との間に
中間層が介在して形成されたことを特徴とする請求項５
記載のマスク。 - 【請求項７】 前記中間層は、Si、Ti、Zr、Ge、Ru、M
o、W、又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくは
これらの炭化物から形成されていることを特徴とする請
求項６記載のマスク。 - 【請求項８】 前記中間層は、該層内に含まれる酸素、
窒素、炭素のうちの少なくとも１種の元素量が、該中間
層内で傾斜配分されていることを特徴とする請求項７記
載のマスク。 - 【請求項９】 前記中間層に含まれる酸素、窒素、炭素
のうちの少なくとも１種の元素量が、マスク基体側に対
して硬質炭素被膜側の方が多いことを特徴とする請求項
８記載のマスク。 - 【請求項１０】 前記硬質炭素被膜が、Zr、Ti、W、M
o、Ge、H、Si、N、Ta、Cr、F、及びBからなるグループ
より選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有している
ことを特徴とする請求項５，又は６のうちいずれかに記
載のマスク。 - 【請求項１１】 前記硬質炭素被膜に含まれている少な
くとも１種の添加元素が膜内で傾斜配分されていること
を特徴とする請求項１０記載のマスク。 - 【請求項１２】 前記硬質炭素被膜は、ダイヤモンド被
膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、ま
たは非晶質炭素被膜から構成されていることを特徴とす
る請求項５記載のマスク。 - 【請求項１３】 前記硬質被膜はセラミックス被膜であ
ることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記
載のマスク。 - 【請求項１４】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の元
素との化合物であることを特徴とする請求項１３記載の
マスク。 - 【請求項１５】 前記セラミックス被膜の膜中に含まれ
る窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種の元素が傾斜
配分されていることを特徴とする請求項１４記載のマス
ク。 - 【請求項１６】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体の供給と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種
類を含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカル
を用いることによって形成されることを特徴とする請求
項１３乃至１５のうちいずれかに記載のマスク。 - 【請求項１７】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくと
も1種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラ
ジカルを照射することによって形成されることを特徴と
する請求項１３乃至１５うちいずれかに記載のマスク。 - 【請求項１８】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくと
も1種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラ
ジカルを照射して第1被膜層を形成する第1工程と、その
第1工程に続けて金属、或いは半導体を供給して窒素、
酸素、炭素のうち少なくとも1種類を含むガスの分子、
又は原子を供給して第2被膜層を形成する第2工程とから
なることを特徴とする請求項１３乃至１５記載のマス
ク。 - 【請求項１９】 前記セラミックス被膜は、Zr、Ti、H
f、Cr、Fe、B、Al、Si、或いはGeの窒化物、酸化物、又
は炭化物であることを特徴とする請求項１３乃至１８の
うちいずれかに記載のマスク。 - 【請求項２０】 スキージ基体の外周面のうち少なくと
も一部分に硬質被膜が形成されたことを特徴とするスキ
ージ。 - 【請求項２１】 前記スキージは、半田ペーストをプリ
ント回路基板にスクリーン印刷する際に用いることを特
徴とする請求項２０記載のスキージ。 - 【請求項２２】 前記スキージ基体の材料が樹脂、ある
いは金属から構成されたことを特徴とする請求項２０、
又は２１のうちいずれかに記載のスキージ。 - 【請求項２３】 前記硬質被膜の膜厚が５μm以下であ
ることを特徴とする請求項２０乃至２２のうちいずれか
に記載のスキージ。 - 【請求項２４】 前記硬質被膜は硬質炭素被膜からなる
ことを特徴とする請求項２０乃至２３のうちいずれかに
記載のスキージ。 - 【請求項２５】 前記スキージ基体と硬質被膜との間に
中間層が介在して形成されたことを特徴とする請求項２
４記載のスキージ。 - 【請求項２６】 前記中間層は、Si、Ti、Zr、Ge、Ru、
Mo、W、又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしく
はこれらの炭化物から形成されていることを特徴とする
請求項２５記載のスキージ。 - 【請求項２７】 前記中間層は、該層内に含まれる酸
素、窒素、炭素のうちの少なくとも１種の元素量が、該
中間層内で傾斜配分されていることを特徴とする請求項
２６記載のスキージ。 - 【請求項２８】 前記中間層に含まれる酸素、窒素、炭
素のうちの少なくとも１種の元素量が、スキージ基体側
に対して硬質炭素被膜側の方が多いことを特徴とする請
求項２７記載のスキージ。 - 【請求項２９】 前記硬質炭素被膜が、Zr、Ti、W、M
o、Ge、H、Si、N、Ta、Cr、F、及びBからなるグループ
より選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有している
ことを特徴とする請求項２４，２５記載のスキージ。 - 【請求項３０】 前記硬質炭素被膜に含まれている少な
くとも１種の添加元素が膜内で傾斜配分されていること
を特徴とする請求項２９記載のスキージ。 - 【請求項３１】 前記硬質炭素被膜は、ダイヤモンド被
膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、ま
たは非晶質炭素被膜から構成されていることを特徴とす
る請求項２４記載のスキージ。 - 【請求項３２】 前記硬質被膜はセラミックス被膜であ
ることを特徴とする請求項２０乃至２３のうちいずれか
に記載のスキージ。 - 【請求項３３】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の元
素との化合物であることを特徴とする請求項３２記載の
スキージ。 - 【請求項３４】 前記セラミックス被膜の膜中に含まれ
る窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種の元素が傾斜
配分されていることを特徴とする請求項３３記載のスキ
ージ。 - 【請求項３５】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体の供給と窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種
類を含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカル
を用いることによって形成されることを特徴とする請求
項３２乃至３４のうちいずれかに記載のスキージ。 - 【請求項３６】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくと
も1種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラ
ジカルを照射することによって形成されることを特徴と
する請求項３２乃至３４のうちいずれかに記載のスキー
ジ。 - 【請求項３７】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体の供給と同時に窒素、酸素、炭素のうち少なくと
も1種類を含むガスの分子、又は原子のイオン或いはラ
ジカルを照射して第1被膜層を形成する第1工程と、その
第1工程に続けて金属、或いは半導体を供給して窒素、
酸素、炭素のうち少なくとも1種類を含むガスの分子、
又は原子を供給して第2被膜層を形成する第2工程とから
なることを特徴とする請求項３２乃至３４のうちいずれ
かに記載のスキージ。 - 【請求項３８】 前記セラミックス被膜は、Zr、Ti、H
f、Cr、Fe、B、Al、Si、或いはGeの窒化物、酸化物、又
は炭化物であることを特徴とする請求項３２乃至３７の
うちいずれかに記載のスキージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4759198A JPH11245371A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | マスク、及びスキージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4759198A JPH11245371A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | マスク、及びスキージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11245371A true JPH11245371A (ja) | 1999-09-14 |
Family
ID=12779506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4759198A Pending JPH11245371A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | マスク、及びスキージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11245371A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011094060A3 (en) * | 2010-01-29 | 2011-09-29 | Applied Materials, Inc. | Pump baffle design for integrated pump and sputter source |
| WO2011148718A1 (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-01 | 太陽化学工業株式会社 | 非晶質炭素膜を有するスクリーン印刷用孔版及びその製造方法 |
| JP2013161871A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 印刷装置及びそれを用いた太陽電池セルの製造方法 |
| JP2014004819A (ja) * | 2012-05-28 | 2014-01-16 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン形成方法及びその形成装置 |
| US20140130687A1 (en) * | 2011-07-01 | 2014-05-15 | Taiyo Chemical Industry Co., Ltd. | Primer composition, structure including primer layer composed of the composition, and method of producing the structure |
| JP2014168900A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | スキージ及びスクリーン印刷装置 |
| US20160361942A1 (en) * | 2011-08-10 | 2016-12-15 | Taiyo Yuden Chemical Technology Co., Ltd. | Structure including thin primer film and method of producing said structure |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP4759198A patent/JPH11245371A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TWI500518B (zh) * | 2010-05-28 | 2015-09-21 | Taiyo Yuden Chemical Technology Co Ltd | A stencil printing plate for an amorphous carbon film, and a method for manufacturing the same |
| US9186879B2 (en) | 2010-05-28 | 2015-11-17 | Taiyo Yuden Chemical Technology Co., Ltd. | Screen-printing stencil having amorphous carbon films and manufacturing method therefor |
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