JPH06204066A - 耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法 - Google Patents
耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法Info
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- JPH06204066A JPH06204066A JP4358195A JP35819592A JPH06204066A JP H06204066 A JPH06204066 A JP H06204066A JP 4358195 A JP4358195 A JP 4358195A JP 35819592 A JP35819592 A JP 35819592A JP H06204066 A JPH06204066 A JP H06204066A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚にムラがなく、永久磁石表面のチタン化
合物被膜が均一に形成され、磁石表面からのガス発生が
防止され、真空中でも使用可能とした耐食性のすぐれた
永久磁石を得る製造方法の提供。 【構成】 イオンプレーティングの前工程として、所定
時間加熱保持した後、Ｈ2ガスを導入してイオン化し、
加熱した永久磁石に負の電荷を印加して磁石表面を清浄
化する清浄化することにより、磁石表面に吸着したガス
を離脱させ、蒸着物質の磁石表面への拡散や化学反応を
促進させ、また表面の酸化層や異物が還元されて清浄化
された表面が得られ、被覆するチタン化合物被膜が均一
かつ緻密となり、磁石表面からのガス発生が防止され
る。
合物被膜が均一に形成され、磁石表面からのガス発生が
防止され、真空中でも使用可能とした耐食性のすぐれた
永久磁石を得る製造方法の提供。 【構成】 イオンプレーティングの前工程として、所定
時間加熱保持した後、Ｈ2ガスを導入してイオン化し、
加熱した永久磁石に負の電荷を印加して磁石表面を清浄
化する清浄化することにより、磁石表面に吸着したガス
を離脱させ、蒸着物質の磁石表面への拡散や化学反応を
促進させ、また表面の酸化層や異物が還元されて清浄化
された表面が得られ、被覆するチタン化合物被膜が均一
かつ緻密となり、磁石表面からのガス発生が防止され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｆｅ−Ｂ−Ｒ系など
の希土類系永久磁石の製造方法に係り、イオン化したＨ
2ガスにより表面を清浄化した永久磁石に高真空雰囲気
中でイオンプレーティング法によりチタン系化合物を被
覆させ、磁石表面からのガス発生を防止して、真空中で
も使用可能とした耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法
に関する。
の希土類系永久磁石の製造方法に係り、イオン化したＨ
2ガスにより表面を清浄化した永久磁石に高真空雰囲気
中でイオンプレーティング法によりチタン系化合物を被
覆させ、磁石表面からのガス発生を防止して、真空中で
も使用可能とした耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、希土類磁石として、アルニコ磁石
やハードフェライト磁石と比べ磁気特性が格段に高い希
土類コバルト磁石が用いられてきたが、Ｒ（ＲはＹを含
む希土類元素のうち少なくとも１種）としてＮｄやＰｒ
を中心とする資源的に豊富な軽希土類を用い、加工性に
すぐれ、Ｆｅを主成分として３０ＭＧＯｅ以上の極めて
高いエネルギー積を示すＦｅ−Ｂ−Ｒ系永久磁石が広く
用いられている。
やハードフェライト磁石と比べ磁気特性が格段に高い希
土類コバルト磁石が用いられてきたが、Ｒ（ＲはＹを含
む希土類元素のうち少なくとも１種）としてＮｄやＰｒ
を中心とする資源的に豊富な軽希土類を用い、加工性に
すぐれ、Ｆｅを主成分として３０ＭＧＯｅ以上の極めて
高いエネルギー積を示すＦｅ−Ｂ−Ｒ系永久磁石が広く
用いられている。
【０００３】しかしながら、上記のすぐれた磁気特性を
有するＦｅ−Ｂ−Ｒ系磁気異方性焼結体からなる永久磁
石は、主成分として空気中で酸化し次第に安定な酸化物
を生成し易い希土類元素及び鉄を含有するため、例えば
磁気回路に組み込んだ場合に、磁石表面に生成する酸化
物により、磁気回路の出力低下及び磁気回路間のばらつ
きを惹起し、また、表面酸化物の脱落による周辺機器へ
の汚染の問題があった。
有するＦｅ−Ｂ−Ｒ系磁気異方性焼結体からなる永久磁
石は、主成分として空気中で酸化し次第に安定な酸化物
を生成し易い希土類元素及び鉄を含有するため、例えば
磁気回路に組み込んだ場合に、磁石表面に生成する酸化
物により、磁気回路の出力低下及び磁気回路間のばらつ
きを惹起し、また、表面酸化物の脱落による周辺機器へ
の汚染の問題があった。
【０００４】従来、イオンプレーティング法で作成した
被膜は、密着性にすぐれ、密度が高いため、耐食性、潤
滑性、耐磨耗性、耐熱性の向上を図り色々な工業分野で
利用されている。特に、ＴｉＮ、ＴｉＣ膜は耐食性、耐
磨耗性に優れているため、工具への耐磨耗性被膜や装飾
品の被膜として広く用いられている。
被膜は、密着性にすぐれ、密度が高いため、耐食性、潤
滑性、耐磨耗性、耐熱性の向上を図り色々な工業分野で
利用されている。特に、ＴｉＮ、ＴｉＣ膜は耐食性、耐
磨耗性に優れているため、工具への耐磨耗性被膜や装飾
品の被膜として広く用いられている。
【０００５】出願人は先に、イオンプレーティング法に
より、Ｆｅ−Ｂ−Ｒ系正方晶永久磁石体表面に、Ａｌ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｃｏ等の金属あるいはその合金、ま
たＡｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＣ等から
なる耐食性気相めっき層を有した永久磁石（特開昭６１
−１５０２０１号）を提案した。例えば具体的には、永
久磁石を１×１０-2Ｔｏｒｒ以下の真空容器内に入れ、
Ｔｉ薄片をアーク放電により蒸発させると共に、Ｎ2ガ
スを容器内に導入して、Ｔｉ蒸発とＮ2ガスイオン照射
を３時間行い、永久磁石表面にＴｉＮ薄膜を形成するも
のである。この方法により得られる被膜は、膜厚が均一
で、永久磁石材料表面に生成する酸化物が抑制され、磁
気特性が劣化することなく腐蝕性の薬品等を使用しても
残留させることがないため、長期にわたって安定な永久
磁石が得られる。
より、Ｆｅ−Ｂ−Ｒ系正方晶永久磁石体表面に、Ａｌ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｃｏ等の金属あるいはその合金、ま
たＡｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＣ等から
なる耐食性気相めっき層を有した永久磁石（特開昭６１
−１５０２０１号）を提案した。例えば具体的には、永
久磁石を１×１０-2Ｔｏｒｒ以下の真空容器内に入れ、
Ｔｉ薄片をアーク放電により蒸発させると共に、Ｎ2ガ
スを容器内に導入して、Ｔｉ蒸発とＮ2ガスイオン照射
を３時間行い、永久磁石表面にＴｉＮ薄膜を形成するも
のである。この方法により得られる被膜は、膜厚が均一
で、永久磁石材料表面に生成する酸化物が抑制され、磁
気特性が劣化することなく腐蝕性の薬品等を使用しても
残留させることがないため、長期にわたって安定な永久
磁石が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】被覆前の永久磁石材料
表面の汚染が被膜の付着力を減少させることはよく知ら
れており、この洗浄が不十分な場合は、被膜の剥離の原
因となる。従来法では、洗浄に関する具体的な方法が提
示されていないが、通常では、有機溶剤や中性洗剤での
洗浄の後水洗したり、Ａｒ雰囲気中でＡｒイオンの衝撃
を与えて表面の不純物を除去していた。しかし、これら
の洗浄方法では不十分であるためか、被膜がうまく付か
ない場合が多くあった。
表面の汚染が被膜の付着力を減少させることはよく知ら
れており、この洗浄が不十分な場合は、被膜の剥離の原
因となる。従来法では、洗浄に関する具体的な方法が提
示されていないが、通常では、有機溶剤や中性洗剤での
洗浄の後水洗したり、Ａｒ雰囲気中でＡｒイオンの衝撃
を与えて表面の不純物を除去していた。しかし、これら
の洗浄方法では不十分であるためか、被膜がうまく付か
ない場合が多くあった。
【０００７】さらに、耐酸化性被膜を有する永久磁石で
あっても、永久磁石体が焼結体でありかつ有孔性のた
め、磁石より微量のガスが発生することは避けられず、
ドリフトチューブ型線形加速器やアンジュレータ装置等
の、永久磁石を超高真空中に配置する装置にチタン系被
膜を被覆された永久磁石を使用する場合では、永久磁石
表面のチタン化合物被膜が剥離したり均一についていな
い場合、永久磁石のガスが磁石表面からもれ、使用でき
ないことがある。また、イオンプレーティングは被膜の
つきまわりが良いとはいえ、被膜の形成は主に永久磁石
の蒸発源に面した部分に限られるため、永久磁石を大量
に表面処理すると、膜厚にムラが生成することがある。
あっても、永久磁石体が焼結体でありかつ有孔性のた
め、磁石より微量のガスが発生することは避けられず、
ドリフトチューブ型線形加速器やアンジュレータ装置等
の、永久磁石を超高真空中に配置する装置にチタン系被
膜を被覆された永久磁石を使用する場合では、永久磁石
表面のチタン化合物被膜が剥離したり均一についていな
い場合、永久磁石のガスが磁石表面からもれ、使用でき
ないことがある。また、イオンプレーティングは被膜の
つきまわりが良いとはいえ、被膜の形成は主に永久磁石
の蒸発源に面した部分に限られるため、永久磁石を大量
に表面処理すると、膜厚にムラが生成することがある。
【０００８】この発明は、焼結永久磁石などのイオンプ
レーティング法にてチタン系化合物被膜を形成した希土
類系永久磁石における従来の問題点を解消し、膜厚にム
ラがなく、永久磁石表面のチタン化合物被膜が均一に形
成され、磁石表面からのガス発生が防止され、真空中で
も使用可能とした耐食性のすぐれた永久磁石を得る製造
方法の提供を目的としている。
レーティング法にてチタン系化合物被膜を形成した希土
類系永久磁石における従来の問題点を解消し、膜厚にム
ラがなく、永久磁石表面のチタン化合物被膜が均一に形
成され、磁石表面からのガス発生が防止され、真空中で
も使用可能とした耐食性のすぐれた永久磁石を得る製造
方法の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、希土類系永
久磁石表面にイオンプレーティング法にてチタン系化合
物被膜を形成する耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法
において、有機溶剤で表面洗浄した該永久磁石を、加熱
真空雰囲気において、導入したＨ2ガスをイオン化し、
かつ永久磁石に負の電荷を印加して磁石表面を清浄化し
た後、所要ガス雰囲気または真空雰囲気において、Ｔｉ
を蒸発あるいはイオン化してイオンプレーティングを行
い、永久磁石表面にチタン系化合物を被覆することを特
徴とする耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法である。
久磁石表面にイオンプレーティング法にてチタン系化合
物被膜を形成する耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法
において、有機溶剤で表面洗浄した該永久磁石を、加熱
真空雰囲気において、導入したＨ2ガスをイオン化し、
かつ永久磁石に負の電荷を印加して磁石表面を清浄化し
た後、所要ガス雰囲気または真空雰囲気において、Ｔｉ
を蒸発あるいはイオン化してイオンプレーティングを行
い、永久磁石表面にチタン系化合物を被覆することを特
徴とする耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法である。
【００１０】また、この発明は、上記の構成において、
４００℃〜６００℃に加熱し所定時間保持した後、Ｈ2
ガスを導入してグロー放電によりイオン化し、加熱した
永久磁石に負の電荷を印加して磁石表面を清浄化するこ
とを特徴とする耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法で
ある。
４００℃〜６００℃に加熱し所定時間保持した後、Ｈ2
ガスを導入してグロー放電によりイオン化し、加熱した
永久磁石に負の電荷を印加して磁石表面を清浄化するこ
とを特徴とする耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法で
ある。
【００１１】また、この発明は、上記の各構成におい
て、１×１０-4Ｔｏｒｒ以上の高真空中でＮ2ガスを導
入し、Ｔｉを蒸発あるいはイオン化してイオンプレーテ
ィングを行うことを特徴とする記載の耐食性のすぐれた
永久磁石の製造方法である。
て、１×１０-4Ｔｏｒｒ以上の高真空中でＮ2ガスを導
入し、Ｔｉを蒸発あるいはイオン化してイオンプレーテ
ィングを行うことを特徴とする記載の耐食性のすぐれた
永久磁石の製造方法である。
【００１２】この発明において、チタン系化合物を被膜
する永久磁石は、ＲとしてＮｄやＰｒを中心とする資源
的に豊富な軽希土類を用い、Ｂ、Ｆｅを主成分として３
０ＭＧＯｅ以上の極めて高いエネルギー積を示すＦｅ−
Ｂ−Ｒ系永久磁石や、希土類コバルト磁石等の希土類系
永久磁石である。
する永久磁石は、ＲとしてＮｄやＰｒを中心とする資源
的に豊富な軽希土類を用い、Ｂ、Ｆｅを主成分として３
０ＭＧＯｅ以上の極めて高いエネルギー積を示すＦｅ−
Ｂ−Ｒ系永久磁石や、希土類コバルト磁石等の希土類系
永久磁石である。
【００１３】この発明で使用するイオンプレーティング
法は、例えば、高真空中での蒸発物質の蒸気圧を利用し
アーク放電を行い、蒸発物をイオン化して被膜される永
久磁石表面に被膜を強く生成させる物理的蒸着法であ
る。イオンプレーティング法は、蒸発あるいはイオン化
方法により種々の方法に区分されるが、蒸発物質のイオ
ンおよびガスのイオンの衝撃を行いながら、基板上に蒸
発物質を堆積させる方法であり、蒸発した分子または原
子をイオン化しその運動エネルギーを増大することで膜
質や密着性、複雑な基板へのつきまわりを高めた方法で
ある。永久磁石表面上に被膜するチタン系化合物は、Ｔ
ｉＮ，ＴｉＣ等であるが、この方法により、Ｓｉ3Ｎ4、
Ｃ−ＢＮ、ＨｆＮ、ＡｌＮ等の窒化物でも耐酸化性被膜
を生成させることが可能である。
法は、例えば、高真空中での蒸発物質の蒸気圧を利用し
アーク放電を行い、蒸発物をイオン化して被膜される永
久磁石表面に被膜を強く生成させる物理的蒸着法であ
る。イオンプレーティング法は、蒸発あるいはイオン化
方法により種々の方法に区分されるが、蒸発物質のイオ
ンおよびガスのイオンの衝撃を行いながら、基板上に蒸
発物質を堆積させる方法であり、蒸発した分子または原
子をイオン化しその運動エネルギーを増大することで膜
質や密着性、複雑な基板へのつきまわりを高めた方法で
ある。永久磁石表面上に被膜するチタン系化合物は、Ｔ
ｉＮ，ＴｉＣ等であるが、この方法により、Ｓｉ3Ｎ4、
Ｃ−ＢＮ、ＨｆＮ、ＡｌＮ等の窒化物でも耐酸化性被膜
を生成させることが可能である。
【００１４】チタン系化合物の永久磁石への密着性向上
のために、永久磁石表面の清浄化がきわめて重要であ
る。この洗浄が不十分であると磁石表面の密着性が損な
われ、蒸着層の剥離が起こってしまう。この発明では、
清浄化工程において、永久磁石をＨ2雰囲気中でボンバ
ードクリーニングすることを特徴とする。洗浄方法とし
ては、まず、希土類系永久磁石表面を有機溶剤等で洗浄
する。その後、水洗あるいは洗剤による超音波洗浄、蒸
気洗浄等を施すことが好ましい。しかし、これでは必ず
しも十分ではない。次に洗浄された該永久磁石を蒸着室
に挿入するが、蒸着室内の排気を十分に行う必要がある
ため、超高真空排気装置にて行うことが好ましい。この
発明における蒸着室内の排気は、１０-3〜１０-5Ｔｏｒ
ｒまで、４０〜５０分行うことが望ましい。
のために、永久磁石表面の清浄化がきわめて重要であ
る。この洗浄が不十分であると磁石表面の密着性が損な
われ、蒸着層の剥離が起こってしまう。この発明では、
清浄化工程において、永久磁石をＨ2雰囲気中でボンバ
ードクリーニングすることを特徴とする。洗浄方法とし
ては、まず、希土類系永久磁石表面を有機溶剤等で洗浄
する。その後、水洗あるいは洗剤による超音波洗浄、蒸
気洗浄等を施すことが好ましい。しかし、これでは必ず
しも十分ではない。次に洗浄された該永久磁石を蒸着室
に挿入するが、蒸着室内の排気を十分に行う必要がある
ため、超高真空排気装置にて行うことが好ましい。この
発明における蒸着室内の排気は、１０-3〜１０-5Ｔｏｒ
ｒまで、４０〜５０分行うことが望ましい。
【００１５】また、Ｈ2ガスを用いた清浄化前に永久磁
石を真空中で加熱する。加熱は磁石表面に吸着したガス
を離脱させ、蒸着物質の磁石表面への拡散や化学反応の
促進に役立つ。加熱温度は４００℃から６００℃、加熱
保持時間は１〜２時間程度が好ましい。清浄化処理前の
加熱で４００℃未満では十分なガス放出がなく、特に磁
石に蓄積される水素を放出させるには６００℃を超える
加熱は不要であり、また保持時間を１〜２時間とするの
は、磁石表面だけでなく磁石内部に結び付く水素を放出
させるためである。
石を真空中で加熱する。加熱は磁石表面に吸着したガス
を離脱させ、蒸着物質の磁石表面への拡散や化学反応の
促進に役立つ。加熱温度は４００℃から６００℃、加熱
保持時間は１〜２時間程度が好ましい。清浄化処理前の
加熱で４００℃未満では十分なガス放出がなく、特に磁
石に蓄積される水素を放出させるには６００℃を超える
加熱は不要であり、また保持時間を１〜２時間とするの
は、磁石表面だけでなく磁石内部に結び付く水素を放出
させるためである。
【００１６】Ｈ2ガスを用いた清浄化に際し、加熱保持
後真空室内にＨ2ガスを挿入してグロー放電によりイオ
ン化しつつ、加熱した永久磁石に負の電荷を印加する。
すると永久磁石基板表面にイオンが照射され、表面の酸
化層や異物が還元されて清浄化された表面が得られる。
蒸着室内に挿入されるガスはＨ2である。Ｈ2ガスの方が
Ａｒガスよりもイオンプレーティングの際の基板表面へ
の被膜のつきまわりがよいため、より均一な被膜が得ら
れる。磁石表面を清浄化した後、蒸着室内を排気し、所
定の真空度１×１０-4Ｔｏｒｒ以上を保つようにする。
真空度が１×１０-4Ｔｏｒｒ未満では、蒸着室内に存在
する水素などのガスを完全に除去できないため、１×１
０-4Ｔｏｒｒ以上とすることが好ましい。
後真空室内にＨ2ガスを挿入してグロー放電によりイオ
ン化しつつ、加熱した永久磁石に負の電荷を印加する。
すると永久磁石基板表面にイオンが照射され、表面の酸
化層や異物が還元されて清浄化された表面が得られる。
蒸着室内に挿入されるガスはＨ2である。Ｈ2ガスの方が
Ａｒガスよりもイオンプレーティングの際の基板表面へ
の被膜のつきまわりがよいため、より均一な被膜が得ら
れる。磁石表面を清浄化した後、蒸着室内を排気し、所
定の真空度１×１０-4Ｔｏｒｒ以上を保つようにする。
真空度が１×１０-4Ｔｏｒｒ未満では、蒸着室内に存在
する水素などのガスを完全に除去できないため、１×１
０-4Ｔｏｒｒ以上とすることが好ましい。
【００１７】蒸着物質であるＴｉは蒸着室内の陽の電極
に配置され、高電圧の直流プラズマ放電または電子ビー
ム等により溶融され、イオン化するが、被膜される永久
磁石との間にはマスキング部材が介在している。さら
に、蒸着室内の排気を続けて真空度を高めながら、露点
−７０℃〜−６０℃のＮ2ガスを導入し、蒸着物質のイ
オン化が安定したところでマスキングを外し、永久磁石
に接近させる。すると蒸発した蒸着物質のイオンは、途
中でＮ2ガスの分子と幾回か衝突を繰り返したのち、永
久磁石表面に到着するために、ガス散乱効果を受けて、
永久磁石表面の蒸着物質に面していない位置にも堆積す
る。この間の蒸着時間は２〜３時間が好ましい。アーク
電流の電圧を変えることにより蒸着物質の蒸発量をコン
トロールできるため、蒸着物質の所要の付着量を求める
ことができる。
に配置され、高電圧の直流プラズマ放電または電子ビー
ム等により溶融され、イオン化するが、被膜される永久
磁石との間にはマスキング部材が介在している。さら
に、蒸着室内の排気を続けて真空度を高めながら、露点
−７０℃〜−６０℃のＮ2ガスを導入し、蒸着物質のイ
オン化が安定したところでマスキングを外し、永久磁石
に接近させる。すると蒸発した蒸着物質のイオンは、途
中でＮ2ガスの分子と幾回か衝突を繰り返したのち、永
久磁石表面に到着するために、ガス散乱効果を受けて、
永久磁石表面の蒸着物質に面していない位置にも堆積す
る。この間の蒸着時間は２〜３時間が好ましい。アーク
電流の電圧を変えることにより蒸着物質の蒸発量をコン
トロールできるため、蒸着物質の所要の付着量を求める
ことができる。
【００１８】この発明のイオンプレーティング法は、例
えばＮ2ガスによる散乱効果のため被膜のつきまわりが
良いとはいえ、被膜の生成は主に蒸着物質に面した部分
に偏るため、膜圧むらのない被膜を得るための治具を使
用することが好ましい。この治具は、被膜する永久磁石
が取り付けられた治具の軸回転により、永久磁石がイオ
ン化した蒸着物質を全面で受けるように自転及び公転す
るものが望ましい。この治具は被膜する永久磁石の種
類、寸法、形状等に合わせて適宜選定すればよいが、永
久磁石表面の全体に被膜を生成させる必要性から、多軸
自転治具、自公転治具等が使用できる。さらに、永久磁
石と治具の接着部分に被膜のムラが生成しやすいため、
永久磁石をネット状の治具に入れ、永久磁石の全面に蒸
着物質のイオンがまわり込むようにする等の工夫をする
ことが望ましい。
えばＮ2ガスによる散乱効果のため被膜のつきまわりが
良いとはいえ、被膜の生成は主に蒸着物質に面した部分
に偏るため、膜圧むらのない被膜を得るための治具を使
用することが好ましい。この治具は、被膜する永久磁石
が取り付けられた治具の軸回転により、永久磁石がイオ
ン化した蒸着物質を全面で受けるように自転及び公転す
るものが望ましい。この治具は被膜する永久磁石の種
類、寸法、形状等に合わせて適宜選定すればよいが、永
久磁石表面の全体に被膜を生成させる必要性から、多軸
自転治具、自公転治具等が使用できる。さらに、永久磁
石と治具の接着部分に被膜のムラが生成しやすいため、
永久磁石をネット状の治具に入れ、永久磁石の全面に蒸
着物質のイオンがまわり込むようにする等の工夫をする
ことが望ましい。
【００１９】
【作用】この発明では、イオンプレーティングの前工程
として、所定時間加熱保持した後、Ｈ2ガスを導入して
イオン化し、加熱した永久磁石に負の電荷を印加して磁
石表面を清浄化する清浄化処理することにより、磁石表
面に吸着したガスを離脱させ、蒸着物質の磁石表面への
拡散や化学反応を促進させ、また表面の酸化層や異物が
還元されて清浄化された表面が得られ、被覆するチタン
化合物被膜が均一かつ緻密となり、磁石表面からのガス
発生が防止される。
として、所定時間加熱保持した後、Ｈ2ガスを導入して
イオン化し、加熱した永久磁石に負の電荷を印加して磁
石表面を清浄化する清浄化処理することにより、磁石表
面に吸着したガスを離脱させ、蒸着物質の磁石表面への
拡散や化学反応を促進させ、また表面の酸化層や異物が
還元されて清浄化された表面が得られ、被覆するチタン
化合物被膜が均一かつ緻密となり、磁石表面からのガス
発生が防止される。
【００２０】この発明の高真空イオンプレーティング法
により、希土類系永久磁石に均一かつ緻密なチタン化合
物被膜を被覆することができ、真空中で使用してもガス
を発生しない耐食性のすぐれた永久磁石を得ることが可
能である。また、このチタン化合物被膜は金色で装飾性
にとみ、耐食性、耐水性を有し、さらにピッカース硬度
Ｈｖ＝１９００〜２４００以上の硬度が得られた強固な
被膜であるため、超高真空装置部品として長期の使用に
耐えることが可能である。
により、希土類系永久磁石に均一かつ緻密なチタン化合
物被膜を被覆することができ、真空中で使用してもガス
を発生しない耐食性のすぐれた永久磁石を得ることが可
能である。また、このチタン化合物被膜は金色で装飾性
にとみ、耐食性、耐水性を有し、さらにピッカース硬度
Ｈｖ＝１９００〜２４００以上の硬度が得られた強固な
被膜であるため、超高真空装置部品として長期の使用に
耐えることが可能である。
【００２１】
【実施例】希土類系磁石としてＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石合
金から切り出した寸法１２ｍｍ×１０ｍｍ×９ｍｍの試
験片を用い、この発明によるイオンプレーティングによ
る被膜を行った。前処理として上記試験片をアルカリ洗
浄、水洗浄および有機溶剤による洗浄を施した。図１は
この実施例に使用したイオンプレーディング装置の概略
説明図である。真空容器１には導入ガス用の吸気系路２
と排気及び真空ポンプに接続した排気系路３が設けら
れ、水平軸で回転する回転円盤４の円周部に所定間隔で
複数のステンレス製の棒状自転治具５が、水平軸で自転
可能に立設され、さらに自転治具５の回転軸を中心に放
射状の突起部６先端に試験片７が固着され、回転円盤４
で自転治具５が公転、さらに自転治具５自体が自転する
構成からなる。また、加熱装置を備えたルツボ８が支持
装置９にて水平移動可能に保持され、棒状自転治具５が
装着された回転円盤４の外側にマスキング部１０が配置
され、その下部でルツボ８内のＴｉ薄片を加熱溶融し、
十分な蒸発状態に保持された際に、支持装置９にて回転
円盤４の回転軸中心方向へ移動する構成からなる。
金から切り出した寸法１２ｍｍ×１０ｍｍ×９ｍｍの試
験片を用い、この発明によるイオンプレーティングによ
る被膜を行った。前処理として上記試験片をアルカリ洗
浄、水洗浄および有機溶剤による洗浄を施した。図１は
この実施例に使用したイオンプレーディング装置の概略
説明図である。真空容器１には導入ガス用の吸気系路２
と排気及び真空ポンプに接続した排気系路３が設けら
れ、水平軸で回転する回転円盤４の円周部に所定間隔で
複数のステンレス製の棒状自転治具５が、水平軸で自転
可能に立設され、さらに自転治具５の回転軸を中心に放
射状の突起部６先端に試験片７が固着され、回転円盤４
で自転治具５が公転、さらに自転治具５自体が自転する
構成からなる。また、加熱装置を備えたルツボ８が支持
装置９にて水平移動可能に保持され、棒状自転治具５が
装着された回転円盤４の外側にマスキング部１０が配置
され、その下部でルツボ８内のＴｉ薄片を加熱溶融し、
十分な蒸発状態に保持された際に、支持装置９にて回転
円盤４の回転軸中心方向へ移動する構成からなる。
【００２２】前処理洗浄の後、該試験片７を図１のＣに
示すステンレス製の自転治具５に取り付け、また複数の
自転治具５を回転円盤４の円周上に取り付けた。その
後、真空容器１を真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ真空度とな
るように排気した後、該試験片７を約４００℃、１時間
加熱保持した。また、容器内を１×１０-4Ｔｏｒｒ台の
真空度を保持しながら吸気系路２よりＨ2ガスを導入
し、さらに、試験片に５００Ｖ〜１ｋＶの電圧を印加
し、水素イオンにより磁石表面を還元して清浄化した。
さらに、再度１０-4Ｔｏｒｒを保つよう排気を行いなが
ら、マスキング部１０内でコーティング材のＴｉ薄片を
ルツボ８で５００Ｖ〜１ｋＶのアーク放電により溶融さ
せ、Ｔｉの蒸発が安定したところで、露点−７０℃のＮ
2ガスを引出電圧４０Ｖ、イオン化電流１００ｍＡ、ビ
ームサイズ４×１０ｃｍ2で加速し、マスキング部１０
からルツボ８を回転円盤４の中心側へ移動させ、蒸着角
度±５０°でＴｉ蒸発とＮ2ガスイオン照射を３時間行
い、３〜４μｍ厚のＴｉＮ薄膜を形成した。さらに真空
容器１内で４時間保持したあと、ＴｉＮ被膜された試験
片を取り出したところ、剥がれ、膨れ等のない均一な膜
が得られており、温度８０℃、湿度９０％、１０００時
間の試験において腐食の発生は全くなく、良好な結果が
得られた。
示すステンレス製の自転治具５に取り付け、また複数の
自転治具５を回転円盤４の円周上に取り付けた。その
後、真空容器１を真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ真空度とな
るように排気した後、該試験片７を約４００℃、１時間
加熱保持した。また、容器内を１×１０-4Ｔｏｒｒ台の
真空度を保持しながら吸気系路２よりＨ2ガスを導入
し、さらに、試験片に５００Ｖ〜１ｋＶの電圧を印加
し、水素イオンにより磁石表面を還元して清浄化した。
さらに、再度１０-4Ｔｏｒｒを保つよう排気を行いなが
ら、マスキング部１０内でコーティング材のＴｉ薄片を
ルツボ８で５００Ｖ〜１ｋＶのアーク放電により溶融さ
せ、Ｔｉの蒸発が安定したところで、露点−７０℃のＮ
2ガスを引出電圧４０Ｖ、イオン化電流１００ｍＡ、ビ
ームサイズ４×１０ｃｍ2で加速し、マスキング部１０
からルツボ８を回転円盤４の中心側へ移動させ、蒸着角
度±５０°でＴｉ蒸発とＮ2ガスイオン照射を３時間行
い、３〜４μｍ厚のＴｉＮ薄膜を形成した。さらに真空
容器１内で４時間保持したあと、ＴｉＮ被膜された試験
片を取り出したところ、剥がれ、膨れ等のない均一な膜
が得られており、温度８０℃、湿度９０％、１０００時
間の試験において腐食の発生は全くなく、良好な結果が
得られた。
【００２３】さらに、この発明によるＴｉＮ被膜された
試験片と、実施例で使用した試験片と同様の磁石でコー
ティングしていない試験片を真空容器に入れて５０時間
の排気を行ったところ、到達真空度に差を生じた。Ｔｉ
Ｎ被膜を行った磁石のガス放出度は、コートしていない
磁石に比べ３分の１以下に減少しており、高真空中でも
ガスを発生せず、使用に耐えることが分かった。
試験片と、実施例で使用した試験片と同様の磁石でコー
ティングしていない試験片を真空容器に入れて５０時間
の排気を行ったところ、到達真空度に差を生じた。Ｔｉ
Ｎ被膜を行った磁石のガス放出度は、コートしていない
磁石に比べ３分の１以下に減少しており、高真空中でも
ガスを発生せず、使用に耐えることが分かった。
【００２４】
【発明の効果】この発明は、イオン化したＨ2ガスによ
り表面を清浄化した永久磁石に高真空雰囲気中でイオン
プレーティング法によりチタン系化合物を被覆させる高
真空イオンプレーティング法により、希土類系永久磁石
に均一かつ緻密なチタン化合物被膜を被覆することがで
き、密着性、防食性、耐水性にすぐれた永久磁石を得る
ことができる。さらに、このチタン化合物被膜がドッグ
ボーンや剥がれのない均一被膜であることから、高真空
中で使用してもガスを発生しない耐食性のすぐれた永久
磁石が得られる。
り表面を清浄化した永久磁石に高真空雰囲気中でイオン
プレーティング法によりチタン系化合物を被覆させる高
真空イオンプレーティング法により、希土類系永久磁石
に均一かつ緻密なチタン化合物被膜を被覆することがで
き、密着性、防食性、耐水性にすぐれた永久磁石を得る
ことができる。さらに、このチタン化合物被膜がドッグ
ボーンや剥がれのない均一被膜であることから、高真空
中で使用してもガスを発生しない耐食性のすぐれた永久
磁石が得られる。
【図１】この発明によるイオンプレーディング装置の概
略説明図であり、ＡはＴｉ薄片を加熱溶融中、Ｂはイオ
ンプレーディング中、Ｃは自転治具を示す。
略説明図であり、ＡはＴｉ薄片を加熱溶融中、Ｂはイオ
ンプレーディング中、Ｃは自転治具を示す。
１ 真空容器 ２ 吸気系路 ３ 排気系路 ４ 回転円盤 ５ 自転治具 ６ 突起部 ７ 試験片 ８ ルツボ ９ 支持装置 １０ マスキング部
Claims (3)
- 【請求項１】 希土類系永久磁石表面にイオンプレーテ
ィング法にてチタン系化合物被膜を形成する耐食性のす
ぐれた永久磁石の製造方法において、有機溶剤で表面洗
浄した該永久磁石を、加熱真空雰囲気において、導入し
たＨ2ガスをイオン化し、かつ永久磁石に負の電荷を印
加して磁石表面を清浄化した後、所要ガス雰囲気または
真空雰囲気において、Ｔｉを蒸発あるいはイオン化して
イオンプレーティングを行い、永久磁石表面にチタン系
化合物を被覆することを特徴とする耐食性のすぐれた永
久磁石の製造方法。 - 【請求項２】 ４００℃〜６００℃に加熱し所定時間保
持した後、Ｈ2ガスを導入してグロー放電によりイオン
化し、加熱した永久磁石に負の電荷を印加して磁石表面
を清浄化することを特徴とする請求項１記載の耐食性の
すぐれた永久磁石の製造方法。 - 【請求項３】 １×１０-4Ｔｏｒｒ以上の高真空中でＮ
2ガスを導入し、Ｔｉを蒸発あるいはイオン化してイオ
ンプレーティングを行うことを特徴とする請求項１また
は請求項２記載の耐食性のすぐれた永久磁石の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35819592A JP3305786B2 (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35819592A JP3305786B2 (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204066A true JPH06204066A (ja) | 1994-07-22 |
| JP3305786B2 JP3305786B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=18458027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35819592A Expired - Lifetime JP3305786B2 (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 耐食性のすぐれた永久磁石の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3305786B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023884A1 (fr) * | 1995-12-25 | 1997-07-03 | Sumitomo Special Metals Company Limited | Aimant permanent destine a des applications dans des conditions d'ultravide et procede de fabrication |
| EP0991085A1 (en) * | 1998-04-16 | 2000-04-05 | Sumitomo Special Metals Company Limited | Corrosion-resisting permanent magnet and method for producing the same |
| JP2002363734A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 金属蒸着被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法 |
| JP2006179829A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 永久磁石体の製造方法、製造装置 |
| JP2006179830A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 永久磁石体及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-12-26 JP JP35819592A patent/JP3305786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023884A1 (fr) * | 1995-12-25 | 1997-07-03 | Sumitomo Special Metals Company Limited | Aimant permanent destine a des applications dans des conditions d'ultravide et procede de fabrication |
| KR100302929B1 (ko) * | 1995-12-25 | 2001-11-02 | 오카모토 유지 | 초고 진공용 영구자석 |
| CN1091537C (zh) * | 1995-12-25 | 2002-09-25 | 住友特殊金属株式会社 | 用于超高真空的永磁体及其制造方法 |
| EP0991085A1 (en) * | 1998-04-16 | 2000-04-05 | Sumitomo Special Metals Company Limited | Corrosion-resisting permanent magnet and method for producing the same |
| EP0991085A4 (en) * | 1998-04-16 | 2000-07-12 | Sumitomo Spec Metals | CORROSION RESISTANT PERMANENT MAGNET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| KR100354371B1 (ko) * | 1998-04-16 | 2002-09-28 | 스미토모 도큐슈 긴조쿠 가부시키가이샤 | 내식성 영구 자석 및 그 제조 방법 |
| JP2002363734A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 金属蒸着被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法 |
| JP2006179829A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 永久磁石体の製造方法、製造装置 |
| JP2006179830A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 永久磁石体及びその製造方法 |
| JP4697580B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-06-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 永久磁石体の製造方法、製造装置 |
| JP4697581B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-06-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 永久磁石体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3305786B2 (ja) | 2002-07-24 |
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