JPH03134184A - アルミニウム材及びその製造方法 - Google Patents
アルミニウム材及びその製造方法Info
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- JPH03134184A JPH03134184A JP27112389A JP27112389A JPH03134184A JP H03134184 A JPH03134184 A JP H03134184A JP 27112389 A JP27112389 A JP 27112389A JP 27112389 A JP27112389 A JP 27112389A JP H03134184 A JPH03134184 A JP H03134184A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
a、産業上の利用分野
本発明は、アルミニウム又はアルミニ、ラム合金製の基
材を表面処理して成るアルミニウム材、及びその製造方
法に関する。
材を表面処理して成るアルミニウム材、及びその製造方
法に関する。
b、従来の技術
アルミニウム材の耐食性及び耐摩耗性を向上させるため
に、従来では、陽極酸化処理法によりアルミニウム又は
アルミニウム合金の基材(以下、アルミ基材という)の
表面に酸化物層(Affi□03層)を形成するように
している。すなわち、アルミ基材を適当な電解液で陽極
酸化(分極)することにより、下記の反応を生ぜしめて
その表面に酸化物の層を形成するようにしている。
に、従来では、陽極酸化処理法によりアルミニウム又は
アルミニウム合金の基材(以下、アルミ基材という)の
表面に酸化物層(Affi□03層)を形成するように
している。すなわち、アルミ基材を適当な電解液で陽極
酸化(分極)することにより、下記の反応を生ぜしめて
その表面に酸化物の層を形成するようにしている。
2A j! + 3HzOA l z(h + 6H”
+ 6ed=6Fρ 但し、 d ρ ■ を 層の厚さ ファラデ一定数 ^2 to、の密度 Af、0.の分子量 電流 電解時間 ・ I−t なお、酸化物層は通過電気量に比例して生成されてゆく
ことが知られている。そして、この酸化物層を防食等の
目的のために利用する場合には、常温付近(20°〜3
0℃程度)の電解温度で電解することにより、数ミクロ
ンから30ミクロン程度の厚さの酸化物層を得るように
している。また、上述した通常の酸化物層の場合よりも
耐食性及び耐摩耗性に優れたものを要求される場合には
、電解温度を特に低温に設定して高電流密度の電解によ
り50〜200 ミクロン程度の厚さの硬質の酸化物層
を形成させる硬質陽極酸化処理方法を採用している。
+ 6ed=6Fρ 但し、 d ρ ■ を 層の厚さ ファラデ一定数 ^2 to、の密度 Af、0.の分子量 電流 電解時間 ・ I−t なお、酸化物層は通過電気量に比例して生成されてゆく
ことが知られている。そして、この酸化物層を防食等の
目的のために利用する場合には、常温付近(20°〜3
0℃程度)の電解温度で電解することにより、数ミクロ
ンから30ミクロン程度の厚さの酸化物層を得るように
している。また、上述した通常の酸化物層の場合よりも
耐食性及び耐摩耗性に優れたものを要求される場合には
、電解温度を特に低温に設定して高電流密度の電解によ
り50〜200 ミクロン程度の厚さの硬質の酸化物層
を形成させる硬質陽極酸化処理方法を採用している。
C0発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述の硬質陽極酸化処理法により得られ
たアルミニウム材には、次のような大きな問題点がある
。
たアルミニウム材には、次のような大きな問題点がある
。
すなわち、アルミ基材の表面に形成される酸化物層(硬
質陽極酸化被膜)は亀裂(クランキング)を生じ易いた
め、防食効果が低下する。また、酸化物層は多孔性であ
り、かつその硬度は内部よりも表面の方が低く、さらに
硬質処理により疲れ強さがかなり減少するため、繰返し
大きな荷重を受けるような部分にこのアルミニウム材を
使用する場合は特に注意を要する。さらに、アルミ基材
と酸化物層との硬度差があまりにも大き過ぎるので(ア
ルミ基材のビッカース硬度:50〜80程度、A j!
zOxのビッカース硬度:3,000程度)、高応力
負荷の状態で使用されると酸化物層の剥離が発生する場
合がある。
質陽極酸化被膜)は亀裂(クランキング)を生じ易いた
め、防食効果が低下する。また、酸化物層は多孔性であ
り、かつその硬度は内部よりも表面の方が低く、さらに
硬質処理により疲れ強さがかなり減少するため、繰返し
大きな荷重を受けるような部分にこのアルミニウム材を
使用する場合は特に注意を要する。さらに、アルミ基材
と酸化物層との硬度差があまりにも大き過ぎるので(ア
ルミ基材のビッカース硬度:50〜80程度、A j!
zOxのビッカース硬度:3,000程度)、高応力
負荷の状態で使用されると酸化物層の剥離が発生する場
合がある。
本発明は、このような種々の問題点を解消すべくなされ
たものであって、その目的は、最表面の硬度が大きく、
耐食性及び耐摩耗性に優れ、表層部分(メッキ部分)の
剥離や割れ等を生じ難いようなアルミニウム材及びその
製造方法を提供することにある。
たものであって、その目的は、最表面の硬度が大きく、
耐食性及び耐摩耗性に優れ、表層部分(メッキ部分)の
剥離や割れ等を生じ難いようなアルミニウム材及びその
製造方法を提供することにある。
d、 課題を解決するための手段
上述の目的を達成するために、本発明においては、アル
ミニウム又はアルミニウム合金から成る基材の表面上に
ニッケルメッキ層を形成し、さらにこのニッケルメッキ
層の表面に硬質金属化合物層を形成するようにしている
。また、本発明においては、上述のアルミニウム材を製
造するに際し、アルミニウム又はアルミニウム合金から
成る基材の表面上に無電解メッキ法によりニッケルメッ
キ層を形成し、このニッケルメッキ層の表面上に気相メ
ッキ法により硬質金属化合物層を形成するようにしてい
る。
ミニウム又はアルミニウム合金から成る基材の表面上に
ニッケルメッキ層を形成し、さらにこのニッケルメッキ
層の表面に硬質金属化合物層を形成するようにしている
。また、本発明においては、上述のアルミニウム材を製
造するに際し、アルミニウム又はアルミニウム合金から
成る基材の表面上に無電解メッキ法によりニッケルメッ
キ層を形成し、このニッケルメッキ層の表面上に気相メ
ッキ法により硬質金属化合物層を形成するようにしてい
る。
以下、本発明の一実施例に付き図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第1図は、本発明に係るアルミニウム材lの構成を示す
ものであって、アルミニウム又はアルミニウム合金から
成る基材2(以下、アルミ基材2という)の表面2a上
にニッケルメッキ層3を有すると共に、このニッケルメ
ッキ層3の表面3a上に硬質金属化合物の一種であるT
iNから成る層4を有している。このような構成のアル
ミニウム材1を製造するに当たっては、まず始めに無電
解ニッケルメッキ法によりニッケルメッキ層3を形成し
、次いでニッケルメッキ層3の硬化処理し、しかる後に
気相メッキ法によりTiN層4を硬質金属化合物層とし
て形成する。
ものであって、アルミニウム又はアルミニウム合金から
成る基材2(以下、アルミ基材2という)の表面2a上
にニッケルメッキ層3を有すると共に、このニッケルメ
ッキ層3の表面3a上に硬質金属化合物の一種であるT
iNから成る層4を有している。このような構成のアル
ミニウム材1を製造するに当たっては、まず始めに無電
解ニッケルメッキ法によりニッケルメッキ層3を形成し
、次いでニッケルメッキ層3の硬化処理し、しかる後に
気相メッキ法によりTiN層4を硬質金属化合物層とし
て形成する。
ここで、各工程を順に説明する。
<i> 無電解ニッケルメッキ工程
アルミニウムは両性金属で電気化学的にも活性的であり
、その表面には再生容易な強い酸化被膜を生成するため
、特殊な前処理を必要とする。この前処理法としては、
■置換メッキ法、■直接メッキ法、■陽極酸化法、■自
己触媒メッキ法、■その他に大別される。
、その表面には再生容易な強い酸化被膜を生成するため
、特殊な前処理を必要とする。この前処理法としては、
■置換メッキ法、■直接メッキ法、■陽極酸化法、■自
己触媒メッキ法、■その他に大別される。
本実施例では置換メッキ法を採用し、アルミ基材2の表
面2aに亜鉛を置換形成させてその上にメッキを施すよ
うにしている。
面2aに亜鉛を置換形成させてその上にメッキを施すよ
うにしている。
すなわち、本工程は次の手順にて行われる。
脱脂 −アルカリ洗浄 −水洗 −酸洗□アルカリエツ
チング −→水洗 □酸洗□水洗 □亜鉛置換 □水洗
□酸洗 −水洗 −亜鉛置換 −水洗 −酸洗 −水洗 −無電解ニッケルメッキ −水洗次に、前記各
工程における処理条件を以下に示す。
チング −→水洗 □酸洗□水洗 □亜鉛置換 □水洗
□酸洗 −水洗 −亜鉛置換 −水洗 −酸洗 −水洗 −無電解ニッケルメッキ −水洗次に、前記各
工程における処理条件を以下に示す。
0脱 脂:1.1.1.)リクottxタン使
用Oアルカリ洗滌:炭酸ナトリウム 5g/ 1メ
タケイ酸ナトリウム 15g/l第三リン酸ナトリ
ウム 15g/ l、 及び適量の界面活性剤
から成る混 合液中に、液温500℃で1分間 浸漬 O酸 洗:50%容量硝酸 常温で10秒間処理 0アルカリIフチング : 炭酸ナトリウムと第三リン
酸ナトリウム各20〜25g/ 12の混合液中に、7
0℃で20秒浸漬 O亜鉛置換:水酸化ナトリウム 120g/ l、酸化
亜鉛 20g/ j! 。
用Oアルカリ洗滌:炭酸ナトリウム 5g/ 1メ
タケイ酸ナトリウム 15g/l第三リン酸ナトリ
ウム 15g/ l、 及び適量の界面活性剤
から成る混 合液中に、液温500℃で1分間 浸漬 O酸 洗:50%容量硝酸 常温で10秒間処理 0アルカリIフチング : 炭酸ナトリウムと第三リン
酸ナトリウム各20〜25g/ 12の混合液中に、7
0℃で20秒浸漬 O亜鉛置換:水酸化ナトリウム 120g/ l、酸化
亜鉛 20g/ j! 。
結晶性塩化第二鉄 2g/ ffi、ロッセル塩50
g/ 1、及び硝酸ナ トリウム1g/Ilから成る混合液 中に、22℃で20秒間浸漬 本実施例では、置換被膜を緻密化し、密着性及び被覆力
を高めるために二重置換を行なった。二重置換の場合、
この後工程の酸洗は50%硝酸に浸漬して置換被膜を剥
離し、再度、亜鉛置換を行なうが、2回目の浸漬時間は
1回目のA程度で行なった。
g/ 1、及び硝酸ナ トリウム1g/Ilから成る混合液 中に、22℃で20秒間浸漬 本実施例では、置換被膜を緻密化し、密着性及び被覆力
を高めるために二重置換を行なった。二重置換の場合、
この後工程の酸洗は50%硝酸に浸漬して置換被膜を剥
離し、再度、亜鉛置換を行なうが、2回目の浸漬時間は
1回目のA程度で行なった。
O無電解ニッケルメッキ:ジアリン酸塩2.5%、錯化
剤 2.28%、 硫酸塩 1.7%、 ニッケルイオン 0.495%、 水酸化ナトリウム微量及び水か ら成る組成のメッキ液中に、液 温90℃で150分間浸漬 < ii > ニッケル層硬化処理 無電解ニッケルメッキ法によるニッケルメッキ層は非晶
質であり、硝子と同様な分子の液状配列に起因するとさ
れている。この非晶質であるニッケルメッキ層は400
℃以上に加熱すると急速に変態を起こして結晶化し、安
定な被膜となる。
剤 2.28%、 硫酸塩 1.7%、 ニッケルイオン 0.495%、 水酸化ナトリウム微量及び水か ら成る組成のメッキ液中に、液 温90℃で150分間浸漬 < ii > ニッケル層硬化処理 無電解ニッケルメッキ法によるニッケルメッキ層は非晶
質であり、硝子と同様な分子の液状配列に起因するとさ
れている。この非晶質であるニッケルメッキ層は400
℃以上に加熱すると急速に変態を起こして結晶化し、安
定な被膜となる。
メッキ状態におけるニッケルメッキ層のビッカース硬度
は500〜550程度であり、400〜600”Cの熱
処理によって最大硬度1 、000前後となる。
は500〜550程度であり、400〜600”Cの熱
処理によって最大硬度1 、000前後となる。
本方法における熱処理温度は後工程の気相メッキ処理温
度と同じか或いはそれより高い温度で10− ”Tor
rの真空中で行なった。
度と同じか或いはそれより高い温度で10− ”Tor
rの真空中で行なった。
<m> 気相メッキ
気相メッキは、物理的プロセスによるメッキ方法(PV
D)と、化学的プロセスによるメッキ方法(CVD)と
を総称するものであるが、本実施例ではPVD法として
イオンブレーティング法、CVD法としてプラズマCV
D法を用い、TiN層(硬質金属化合物層)を合成した
。
D)と、化学的プロセスによるメッキ方法(CVD)と
を総称するものであるが、本実施例ではPVD法として
イオンブレーティング法、CVD法としてプラズマCV
D法を用い、TiN層(硬質金属化合物層)を合成した
。
(a) イオンブレーティング法
イオンブレーティング法は、蒸発物質のイオン及びガス
のイオン衝撃を行ないながら、サブストレート(被処理
物基材)上に蒸発物質を堆積させる方法である。
のイオン衝撃を行ないながら、サブストレート(被処理
物基材)上に蒸発物質を堆積させる方法である。
本実施例においては、第2図に示すように5〜25XI
O−”Torrのアルゴン雰囲気中で蒸発ボード(陽極
)5から金属を蒸発させる一方、この蒸発ボード5や容
器の壁(接地電位)に対して負の高電圧(−500〜−
5oooボルト程度)をサブストレート(陰極)6に印
加する。これにより、サブストレート6と周囲の間にグ
ロー放電が生じ、サブストレート6の周囲にダークスペ
ース7ができる。グロー放電のプラズマ領域8で生成し
たガスや金属イオンはダークスペース7で加速されて第
2図に示す如く多様な粒子が生成される。そのなかで、
イオンブレーティング膜の性質を決めるのに大きな役割
を占めているのは熱運動している蒸発金属原子、ガス分
子、金属イオン、ガスイオン、プラズマ中で励起された
金属原子とガス分子である。電子はプラズマ中でイオン
と釣り合うだけ存在している。
O−”Torrのアルゴン雰囲気中で蒸発ボード(陽極
)5から金属を蒸発させる一方、この蒸発ボード5や容
器の壁(接地電位)に対して負の高電圧(−500〜−
5oooボルト程度)をサブストレート(陰極)6に印
加する。これにより、サブストレート6と周囲の間にグ
ロー放電が生じ、サブストレート6の周囲にダークスペ
ース7ができる。グロー放電のプラズマ領域8で生成し
たガスや金属イオンはダークスペース7で加速されて第
2図に示す如く多様な粒子が生成される。そのなかで、
イオンブレーティング膜の性質を決めるのに大きな役割
を占めているのは熱運動している蒸発金属原子、ガス分
子、金属イオン、ガスイオン、プラズマ中で励起された
金属原子とガス分子である。電子はプラズマ中でイオン
と釣り合うだけ存在している。
イオンや励起粒子およびプラズマからの光子の照射によ
って、サブスレート6から二次電子が放出される。サブ
ストレート回路中の電流計9には、サブストレート6に
入射するイオンと放出する電子の数の和に相当する電流
が流れる。圧力の高い方(〜25×1O−3Torr)
では、蒸発した金属原子が途中でガス分子と幾皿か衝突
を繰り返した後にサブストレート6に到着するために、
ガス散乱効果を受けて、サブストレート6の蒸発ボード
5に面していない箇所にも堆積する。
って、サブスレート6から二次電子が放出される。サブ
ストレート回路中の電流計9には、サブストレート6に
入射するイオンと放出する電子の数の和に相当する電流
が流れる。圧力の高い方(〜25×1O−3Torr)
では、蒸発した金属原子が途中でガス分子と幾皿か衝突
を繰り返した後にサブストレート6に到着するために、
ガス散乱効果を受けて、サブストレート6の蒸発ボード
5に面していない箇所にも堆積する。
イオンブレーティングの手法は、イオン化或いは蒸発の
仕方によっていくつかの方法があるが、本実施例では第
3図に示す如き高周波励起イオンブレーティング装置1
0を用いて成膜した。
仕方によっていくつかの方法があるが、本実施例では第
3図に示す如き高周波励起イオンブレーティング装置1
0を用いて成膜した。
なお、第3図において、11は基台、12は蓋体、13
はRFコイル、14はサブストレート6を支持する支持
台、16は可変リークパルプ、17は真空計、18は高
周波電源、19はマツチングボックス、20は加速用直
流電源、21は蒸発用電源である。
はRFコイル、14はサブストレート6を支持する支持
台、16は可変リークパルプ、17は真空計、18は高
周波電源、19はマツチングボックス、20は加速用直
流電源、21は蒸発用電源である。
本実施例のイオンブレーティングのコーティングプロセ
スは次の通りである。
スは次の通りである。
洗浄及びサブストレート取付け −排気一一加熱 −
→ボンバードクリーニング −一コーティング □冷却
□サブストレート取出しO洗浄 サブストレートの表面に油分が残っていると密着性が損
なわれるため、通常、有機溶剤や中性洗剤でサブストレ
ートを洗浄後に水洗する。洗浄は非常に重要であり不充
分な場合は剥離の原因となる。
→ボンバードクリーニング −一コーティング □冷却
□サブストレート取出しO洗浄 サブストレートの表面に油分が残っていると密着性が損
なわれるため、通常、有機溶剤や中性洗剤でサブストレ
ートを洗浄後に水洗する。洗浄は非常に重要であり不充
分な場合は剥離の原因となる。
本実施例では、有機溶剤による超音波洗浄を行なった。
Oボンバードクリーニング
サブストレートの表面はC,O,S等で覆われており、
洗浄により除去できないが、Arイオン衝撃はそれらの
除去に有効な手段である。なお、それに要する時間は、
サブストレートの材質、電力密度、ガス圧力等により異
なる。
洗浄により除去できないが、Arイオン衝撃はそれらの
除去に有効な手段である。なお、それに要する時間は、
サブストレートの材質、電力密度、ガス圧力等により異
なる。
本実施例では、サブストレートを負の電位とし、アルゴ
ン雰囲気(I Xl0−’Torr)中でグロー放電さ
せた。これにより、アルゴンがイオン化され、サブスト
レート表面が衝撃を受け、その結果、サブストレート表
面の不純物が良く除去された。
ン雰囲気(I Xl0−’Torr)中でグロー放電さ
せた。これにより、アルゴンがイオン化され、サブスト
レート表面が衝撃を受け、その結果、サブストレート表
面の不純物が良く除去された。
(ハ)プラズマCVD法
CVD法は、常温では反応が起こらない原料ガスを高温
のサブストレート上に流し、その表面に反応生成物を膜
状に析出させる方法であり、プラズマCVD法は、気体
プラズマを利用して薄膜成長を行なわしめる方法である
。
のサブストレート上に流し、その表面に反応生成物を膜
状に析出させる方法であり、プラズマCVD法は、気体
プラズマを利用して薄膜成長を行なわしめる方法である
。
プラズマCVD法は、基本的には、減圧下において原料
ガスを含むガスを高電界による電気的エネルギーで放電
させて分解し、これにより生成される物質を気相中又は
サブストレート上での化学反応を経て堆積させる方法で
ある。プラズマ状態は、通常、グロー放電によって実現
されるが、プラズマ中での電子温度はガス粒子の温度に
比べて相当に高く、熱的に非平衡状態であり、この状態
の下で多様な反応が進む。
ガスを含むガスを高電界による電気的エネルギーで放電
させて分解し、これにより生成される物質を気相中又は
サブストレート上での化学反応を経て堆積させる方法で
ある。プラズマ状態は、通常、グロー放電によって実現
されるが、プラズマ中での電子温度はガス粒子の温度に
比べて相当に高く、熱的に非平衡状態であり、この状態
の下で多様な反応が進む。
このグロー放電による成膜機構は次の3つの過程に分け
られる。
られる。
i) 原料ガス分解過程
高電界によって加速された電子とガスの非弾性衝突によ
って電子の運動エネルギーが原料ガスに移され、原料ガ
スの励起やイオン化解離反応などが進む。
って電子の運動エネルギーが原料ガスに移され、原料ガ
スの励起やイオン化解離反応などが進む。
この電子−分子反応過程でラジカルやイオン種が生成さ
れるが、グロー放電プラズマは弱電離状態にあり、電離
度は10−4程度でそのほとんどが中性種によって占め
られている。
れるが、グロー放電プラズマは弱電離状態にあり、電離
度は10−4程度でそのほとんどが中性種によって占め
られている。
ii) 輸送、気相反応過程
分解生成した中性種は、原料ガスとの衝突で気相反応を
引き起こし、原料ガスの種類に応じて様々な化学反応が
進行して新たな反応種が生成される。そして、それらの
2次反応種は中性種やラジカルなどと共に反応容器内を
拡散によ、1移動し、サブストレートに到達する。
引き起こし、原料ガスの種類に応じて様々な化学反応が
進行して新たな反応種が生成される。そして、それらの
2次反応種は中性種やラジカルなどと共に反応容器内を
拡散によ、1移動し、サブストレートに到達する。
ii) 表面反応過程
サブストレート上の成長膜表面ではインサージョン(i
nsertion)反応やダングリングボンドへの付加
反応、最表面層原子の置換や離脱反応が行なわれる。
nsertion)反応やダングリングボンドへの付加
反応、最表面層原子の置換や離脱反応が行なわれる。
この場合の膜成長速度は、サブストレートの温度や表面
状態によって影響を受ける。
状態によって影響を受ける。
プラズマCVD装置としては、直流グロー放電、高周波
グロー放電、マイクロ波放電等を利用する3通りの型式
のものがあるが、本実施例では直流グロー放電を利用す
る型式のものを用いた。第4図は本実施例で用いた直流
グロー放電プラズマCVD装置22の構成を示すもので
あって、同図において、23は電気炉、24はサブスト
レート支持台、25は直流電源、26はTi(:14発
生機である。
グロー放電、マイクロ波放電等を利用する3通りの型式
のものがあるが、本実施例では直流グロー放電を利用す
る型式のものを用いた。第4図は本実施例で用いた直流
グロー放電プラズマCVD装置22の構成を示すもので
あって、同図において、23は電気炉、24はサブスト
レート支持台、25は直流電源、26はTi(:14発
生機である。
第5図はこの種の直流グロー放電プラズマCVD装置の
模式図を示すものであって、サブストレートを陰極にす
ることにより反応ガス中で放電により生じたプラズマイ
オンを引き寄せ、サブストレート近傍の陰極暗部の電圧
降下の大きな部分で加速してサブストレートに衝突させ
、これにより反応が生ぜしめられる。
模式図を示すものであって、サブストレートを陰極にす
ることにより反応ガス中で放電により生じたプラズマイ
オンを引き寄せ、サブストレート近傍の陰極暗部の電圧
降下の大きな部分で加速してサブストレートに衝突させ
、これにより反応が生ぜしめられる。
以上、本発明に係るアルミニウム材の製造方法の概略を
述べたが、以下にその具体例を例示する。
述べたが、以下にその具体例を例示する。
l生■土
サブストレート(アルミ基材)としてJIS 1050
(純アルミ系)を用い、無電解メッキ法により膜厚20
μ−のニッケルメッキ層を形成し、圧力10−2Tor
rの真空中で温度300°Cの下で1時間にわたりニッ
ケルメッキ層の硬化処理を行なった。その後、サブスト
レートの温度を250℃にしてアルゴンイオンボンバー
ド処理を30分間行ない、蒸発物質としてチタン、反応
ガスとして窒素ガス(Nz)を用いてイオンブレーティ
ング法により膜厚1.5 μ剛の窒化チタン膜(TiN
層)を形成した。
(純アルミ系)を用い、無電解メッキ法により膜厚20
μ−のニッケルメッキ層を形成し、圧力10−2Tor
rの真空中で温度300°Cの下で1時間にわたりニッ
ケルメッキ層の硬化処理を行なった。その後、サブスト
レートの温度を250℃にしてアルゴンイオンボンバー
ド処理を30分間行ない、蒸発物質としてチタン、反応
ガスとして窒素ガス(Nz)を用いてイオンブレーティ
ング法により膜厚1.5 μ剛の窒化チタン膜(TiN
層)を形成した。
l生■又
サブストレートとしてJIS 1050 (純アルミ系
)を用い、無電解メッキ法により膜厚20μ請のニッケ
ルメッキ層を形成し、真空引き後にアルゴン雰囲気中で
温度450℃の下で1時間にわたって硬化処理を行なっ
た。その後、サブストレートの温度を250℃、圧力を
0.5Torr 、直流電流密度を0.In+A/c+
jとし、塩化チタン(TiCfn)含有水素ガス(H2
)と窒素ガス(N2)との混合ガスにより直流プラズマ
下でプラズマCvDを行ない2μmの窒化チタン膜(T
iN層)を形成した。
)を用い、無電解メッキ法により膜厚20μ請のニッケ
ルメッキ層を形成し、真空引き後にアルゴン雰囲気中で
温度450℃の下で1時間にわたって硬化処理を行なっ
た。その後、サブストレートの温度を250℃、圧力を
0.5Torr 、直流電流密度を0.In+A/c+
jとし、塩化チタン(TiCfn)含有水素ガス(H2
)と窒素ガス(N2)との混合ガスにより直流プラズマ
下でプラズマCvDを行ない2μmの窒化チタン膜(T
iN層)を形成した。
以上の具体例の各処理工程におけるサブストレート表面
のX線回折結果を第5図〜第7図に示す。
のX線回折結果を第5図〜第7図に示す。
第6図はニッケルメッキ層の硬化処理によるニッケルメ
ッキ層表面のX線回折パターンの変化を示すものであっ
て、第6図(a)は無電解メッキ状態の非晶質ニッケル
メッキ層表面の回折パターンである。非晶質構造の材料
は完全に周期性の欠けた構造をもち、また、原子は互い
に相当よく詰まっており、統計的にある特定の原子間距
離を示す程度に秩序配列をとろうとする傾向を持ってい
るため、第6図(a)に示されるように、X線散乱曲線
は一つの幅の広い極大領域を有する。
ッキ層表面のX線回折パターンの変化を示すものであっ
て、第6図(a)は無電解メッキ状態の非晶質ニッケル
メッキ層表面の回折パターンである。非晶質構造の材料
は完全に周期性の欠けた構造をもち、また、原子は互い
に相当よく詰まっており、統計的にある特定の原子間距
離を示す程度に秩序配列をとろうとする傾向を持ってい
るため、第6図(a)に示されるように、X線散乱曲線
は一つの幅の広い極大領域を有する。
第6図(b)は具体例1の場合(300℃×1時間)、
第6図(C)は具体例2の場合(450°CX1時間)
の硬化処理によって得られた硬化ニッケルメッキ層の表
面の回折パターンをそれぞれ示している。これらの図に
示されるように、強度に高低のあるニッケルの回折線が
みられ、450℃×1時間の硬化処理により非晶質ニッ
ケルメッキ層は完全に結晶形となっているが、300℃
×1時間の硬化処理では不完全な結晶形となっている。
第6図(C)は具体例2の場合(450°CX1時間)
の硬化処理によって得られた硬化ニッケルメッキ層の表
面の回折パターンをそれぞれ示している。これらの図に
示されるように、強度に高低のあるニッケルの回折線が
みられ、450℃×1時間の硬化処理により非晶質ニッ
ケルメッキ層は完全に結晶形となっているが、300℃
×1時間の硬化処理では不完全な結晶形となっている。
下記の表1は、硬化処理によるニッケルメッキ層のビッ
カース硬度の測定結果である。
カース硬度の測定結果である。
表 1
て設定することが可能である。
第7図及び第8図はイオンブレーティング及びプラズマ
CVD後のサブストレート最上層の表面の回折パターン
をそれぞれ示す、これらの図から明らかなように、何れ
の方法でも、強度に高低にある窒化チタンTiNの回折
線がみられ、従って最上層がTiN層であることが確認
された。
CVD後のサブストレート最上層の表面の回折パターン
をそれぞれ示す、これらの図から明らかなように、何れ
の方法でも、強度に高低にある窒化チタンTiNの回折
線がみられ、従って最上層がTiN層であることが確認
された。
下記の表2はサブストレート上の各層のビッカース硬度
の測定結果である。
の測定結果である。
表 2
この表1かられかるように、温度に応じて選定すること
によりニッケルメッキ層の硬度を必要に応じこの表2か
ら明らかなように、母材であるサブストレート、ニッケ
ルメッキ層、硬質金属化合物の一種であるTiN層から
成るアルミニウム材はその表面に向かって順次に硬度が
段階的に増大する層を有する構成となっていることが確
認された。
によりニッケルメッキ層の硬度を必要に応じこの表2か
ら明らかなように、母材であるサブストレート、ニッケ
ルメッキ層、硬質金属化合物の一種であるTiN層から
成るアルミニウム材はその表面に向かって順次に硬度が
段階的に増大する層を有する構成となっていることが確
認された。
以上、本発明の実施例に付き述べたが、本発明は既述の
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づいて各種の変更が可能である。
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づいて各種の変更が可能である。
例えば、TiN層に限らず、TiC,T1CN、 Ti
1t、 SiC。
1t、 SiC。
Si、N、等から成る硬質金属化合物層を形成する場合
にも本発明を通用し得ることは言う迄もない。
にも本発明を通用し得ることは言う迄もない。
e9発明の効果
本発明に係るアルミニウム材は、アルミニウム又はアル
ミニウム合金から成る基材の表面上に無電解メッキ法に
てニッケルメッキ層を形成し、このニッケルメッキ層の
表面上に気相メッキ法により硬質金属化合物層を形成す
るようにしたものであるから、基材、ニッケルメッキ層
及び硬質金属化合物層の3層構造となり、最表面の強度
が非常に高くできて耐食性及び耐摩耗性の向上を図り得
ると共に、表面に向かって硬度が段階的に増大すること
となるため表層部分すなわち硬質金属化合物層の剥離が
効果的に抑制される。さらに、無電解メッキ法にて形成
されたニッケルメッキ層を硬化処理することが可能であ
り、中間層であるニッケルメッキ層の硬度を適宜に設定
することにより種々の用途や使用条件等に対応するアル
ミニウム材を提供することができる。
ミニウム合金から成る基材の表面上に無電解メッキ法に
てニッケルメッキ層を形成し、このニッケルメッキ層の
表面上に気相メッキ法により硬質金属化合物層を形成す
るようにしたものであるから、基材、ニッケルメッキ層
及び硬質金属化合物層の3層構造となり、最表面の強度
が非常に高くできて耐食性及び耐摩耗性の向上を図り得
ると共に、表面に向かって硬度が段階的に増大すること
となるため表層部分すなわち硬質金属化合物層の剥離が
効果的に抑制される。さらに、無電解メッキ法にて形成
されたニッケルメッキ層を硬化処理することが可能であ
り、中間層であるニッケルメッキ層の硬度を適宜に設定
することにより種々の用途や使用条件等に対応するアル
ミニウム材を提供することができる。
図面は本発明の詳細な説明するためのものであって、第
1図は本発明に係るアルミニウム材の断面図、第2図は
イオンブレーティング法の原理及び構成を示す概念図、
第3図は高周波励起イオンブレーティング装置の概略構
成図、第4図は直流グロー放電プラズマCVD後置の概
略構成図、第5図は直流プラズマCVD反応の模式図、
第6図(a)、 (b)及び(C)は真空熱処理による
ニッケルメッキ層のX線回折パターンをそれぞれ示す特
性図、第7図はイオンブレーティング後のサブストレー
ト最上層の表面の回折パターンを示す特性図、第8図は
プラズマCVD後のサブストレート最上層の表面の回折
パターンを示す特性図である。 1・・・アルミニウム材、 2・・・基材(アルミ基材)、 2a・・・表面、3・
・・ニッケルメッキ層、 3a・・・表面、4・・・
TiN層(硬質金属化合物層)、lO・・・高周波励起
イオンブレーティング装置、22・・・直流グロー放電
プラズマCVD後置。 第2図
1図は本発明に係るアルミニウム材の断面図、第2図は
イオンブレーティング法の原理及び構成を示す概念図、
第3図は高周波励起イオンブレーティング装置の概略構
成図、第4図は直流グロー放電プラズマCVD後置の概
略構成図、第5図は直流プラズマCVD反応の模式図、
第6図(a)、 (b)及び(C)は真空熱処理による
ニッケルメッキ層のX線回折パターンをそれぞれ示す特
性図、第7図はイオンブレーティング後のサブストレー
ト最上層の表面の回折パターンを示す特性図、第8図は
プラズマCVD後のサブストレート最上層の表面の回折
パターンを示す特性図である。 1・・・アルミニウム材、 2・・・基材(アルミ基材)、 2a・・・表面、3・
・・ニッケルメッキ層、 3a・・・表面、4・・・
TiN層(硬質金属化合物層)、lO・・・高周波励起
イオンブレーティング装置、22・・・直流グロー放電
プラズマCVD後置。 第2図
Claims (3)
- (1)アルミニウム又はアルミニウム合金から成る基材
の表面上にニッケルメッキ層を有し、さらにこのニッケ
ルメッキ層の表面に硬質金属化合物層を有することを特
徴とするアルミニウム材。 - (2)アルミニウム又はアルミニウム合金から成る基材
の表面上に無電解メッキ法によりニッケルメッキ層を形
成し、このニッケルメッキ層の表面上に気相メッキ法に
より硬質金属化合物層を形成するようにしたことを特徴
とするアルミニウム材の製造方法。 - (3)前記ニッケルメッキ層を所要の加熱温度で所要の
加熱時間に亘って加熱して硬化処理することによって、
前記基材、ニッケルメッキ層及び硬質金属化合物層の硬
度を順次にかつ段階的に増大せしめるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のアルミニウム
材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27112389A JP2934263B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | アルミニウム材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27112389A JP2934263B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | アルミニウム材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03134184A true JPH03134184A (ja) | 1991-06-07 |
JP2934263B2 JP2934263B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=17495650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27112389A Expired - Fee Related JP2934263B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | アルミニウム材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2934263B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100345809B1 (ko) * | 1999-09-14 | 2002-07-27 | 주식회사 케이피티 | 알루미늄 압출금형의 플라즈마 질화처리 방법 |
JP2007100133A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 硬質皮膜被覆部材およびその製造方法 |
JP2008122715A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | 現像ローラの製造方法、現像ローラ、現像装置および画像形成装置 |
WO2011105392A1 (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | 太陽化学工業株式会社 | アルミニウム又はアルミニウム合金を基板とする多層膜積層体及びその積層方法 |
JP2012112476A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Nitto Seiko Co Ltd | 高硬度アルミ製タッピンねじ及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP27112389A patent/JP2934263B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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