JP3792291B2 - マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、Siウエハなど基体の表面に形成された細く深い溝の底面にも基体表面とほぼ同じ厚さの成膜を行うことができるマグネトロンスパッタリング用Tiターゲットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、雰囲気ガスとしてN2 やO2 などの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、マグネットによりTiターゲットの表面に垂直方向の磁界を印加しながら前記Tiターゲット表面をスパッタしてSiウエハなど基体の表面にTiN膜などのスパッタ膜を形成するマグネトロンスパッタリング法は知られている。
【0003】
従来のTiターゲットは、(002)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶粒の30〜40%を占めて(002)配向を主体とし、(103)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶粒の20〜30%を占めて次に多く配向し、その他、(011)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶粒の5〜20%を占め、(010)面、(012)面および(112)面に対して垂直方向に配向した結晶粒がそれぞれ全体の結晶粒の2〜10%を占めていた。
【0004】
この従来のTiターゲットを用い、図1に示されるような、幅a、深さbの溝1があるSiウエハなど基体2の表面にマグネトロンスパッタリングすると、基体2の表面に形成されたTiN膜3は、図2に示されるように、溝1の底面に形成された膜厚yと基体2の表面に形成された膜厚xとに差が生じ、均一な膜厚が得られない。溝1の深さbに対する幅aの比(b/a)をアスペクト比と言い、膜厚yに対する膜厚xの比(y/x)をカバレッジという。
【0005】
カバレッジ(y/x)は、1に近いほど溝の底面に形成された膜厚yと基体表面に形成された膜厚xとに差がなく均一な膜厚となる。しかし、溝のアスペクト比(b/a)が大きくなるほど、膜のカバレッジ(y/x)は小さくなって膜厚が不均一となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
この従来のTiターゲットを用いて細く深い溝(アスペクト比が大きい溝)がある基体に成膜すると、基体の表面に形成された膜厚と細く深い溝の底部に形成された膜厚とは、厚さが異なり、細く深い溝の底面ほど膜厚が薄くなる(カバレッジが小さくなる)ことは避けられず、これが原因で不良品に至るのが現状であった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、基体の表面に形成された膜厚と細く深い溝の底面の膜厚との差が少ない(カバレッジが1に近い)マグネトロンスパッタリング用Tiターゲットを開発すべく研究を行なった結果、
(1)Tiターゲットの結晶粒の配向が基体に形成された細く深い溝の底面の膜厚に影響を及ぼし、(103)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が多いほど基体の表面に形成された膜厚と細く深い溝の底部に形成された膜厚との差が小さくなる(カバレッジが1に近くなる)、
(2)(103)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶粒の50〜90%を占めるとよく、この配向性を有するTiターゲットは従来よりも高加工度で加工し、高温で熱処理することにより得られる、
などの研究結果が得られたのである。
【0008】
この発明は、上記の研究結果にもとづいてなされたものであって、
(103)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶粒の50〜90%を占めるマグネトロンスパッタリング用Tiターゲットに特徴を有するものである。
【0009】
この発明の(103)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶粒の50〜90%を占めるマグネトロンスパッタリング用Tiターゲットは、圧下率:50〜90%で冷間圧延したのち、温度:500〜600℃、1〜3時間保持の熱処理を施すことにより得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
電子ビーム溶解した純度:99.999%の純Tiインゴットに表1に示される加工度の冷間加工を施し、ついで表1に示される条件の熱処理を施したのち機械加工することにより、直径:300mm×厚さ:6.35mmの寸法をもった表2に示される配向分布を有する本発明Tiターゲット1〜10および従来Tiターゲット1を作製した。
【0011】
なお、(103)面の配向分布を求める方法は、
(011)面の回折強度を100に規格化した時に(103)面の強度をIS(103)とし、標準配向(ランダム配向)の場合の(011)面の回折強度を100に規格化した時に(103)面の強度をIR(103)とし、
(011)面の回折強度を100に規格化した時に(002)面の強度をIS(002)とし、標準配向(ランダム配向)の場合の(011)面の回折強度を100に規格化した時に(002)面の強度をIR(002)とし、
(011)面の回折強度を100に規格化した時に(010)面の強度をIS(010)とし、標準配向(ランダム配向)の場合の(011)面の回折強度を100に規格化した時に(010)面の強度をIR(010)とし、
(011)面の回折強度を100に規格化した時に(011)面の強度をIS(011)とし、標準配向(ランダム配向)の場合の(011)面の回折強度を100に規格化した時に(011)面の強度をIR(011)とし、
(011)面の回折強度を100に規格化した時に(012)面の強度をIS(012)とし、標準配向(ランダム配向)の場合の(011)面の回折強度を100に規格化した時に(012)面の強度をIR(012)とし、
さらに(011)面の回折強度を100に規格化した時に(112)面の強度をIS(112)とし、標準配向(ランダム配向)の場合の(011)面の回折強度を100に規格化した時に(112)面の強度をIR(112)としたとき、
(103)面の配向分布は、
【数1】
として求めた。その他、
(002)面の配向分布は、
【数2】
として求め、
(010)面の配向分布は、
【数3】
として求め、
(011)面の配向分布は、
【数4】
として求め、
(012)面の配向分布は、
【数5】
として求め、
(112)面の配向分布は、
【数6】
として求めた。
【0012】
これら本発明Tiターゲット1〜10および従来Tiターゲット1を直径:350mm×厚さ:15mmの寸法をもったアルミニウム合金(JIS A5052)製円板からなる冷却用バッキングプレートに拡散接合したのち、直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、出力:12KW、雰囲気:Ar/N2 =1:1の気流下で、スパッタ圧力:8mTorr、スパッタ時間:2分/ウエハの条件下で、表面にアスペクト比(b/a)が3の溝を有する直径:150mmSiウエハの上に厚さ:0.5μmのTiN膜を形成し、膜のカバレッジ(y/x)を測定し、これらの測定結果を表2に示した。
【0013】
【表1】
【0014】
【表2】
【0015】
【発明の効果】
表1〜表2に示される結果から、配向分布:50〜90%の本発明Tiターゲット1〜10は、従来Tiターゲット1よりもカバレッジが1に近い値を示すところから、細く深い溝の底面にも基体表面とほぼ同じ厚さの成膜を行うことができることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【図1】基体表面に形成された溝の断面説明図である。
【図2】溝を有する基体表面に形成されたTiN膜の断面説明図である。
【符号の説明】
1 溝
2 基体
3 TiN膜
Claims (1)
- (103)面に対して垂直方向に配向した結晶粒が、(103)面に対して垂直方向に配向した結晶粒、(002)面に対して垂直方向に配向した結晶粒、(010)面に対して垂直方向に配向した結晶粒、(011)面に対して垂直方向に配向した結晶粒、(012)面に対して垂直方向に配向した結晶粒および(112)面に対して垂直方向に配向した結晶粒の全体の結晶粒の50〜90%を占めることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用Tiターゲット。
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---|---|---|---|
JP07890696A JP3792291B2 (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP07890696A JP3792291B2 (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH09268368A JPH09268368A (ja) | 1997-10-14 |
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Family
ID=13674882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07890696A Expired - Lifetime JP3792291B2 (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
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Families Citing this family (2)
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US9339991B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-05-17 | Kyocera Corporation | Metal-ceramic joined body |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP07890696A patent/JP3792291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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