JPH09268368A - マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット - Google Patents

マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット

Info

Publication number
JPH09268368A
JPH09268368A JP7890696A JP7890696A JPH09268368A JP H09268368 A JPH09268368 A JP H09268368A JP 7890696 A JP7890696 A JP 7890696A JP 7890696 A JP7890696 A JP 7890696A JP H09268368 A JPH09268368 A JP H09268368A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal grains
thickness
target
coating
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7890696A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3792291B2 (ja
Inventor
Terushi Mishima
昭史 三島
Munetaka Mashima
宗位 真嶋
Shuji Miki
修司 三木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP07890696A priority Critical patent/JP3792291B2/ja
Publication of JPH09268368A publication Critical patent/JPH09268368A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3792291B2 publication Critical patent/JP3792291B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｓｉウエハなど基体の表面に形成された細く
深い溝の底面にも基体表面とほぼ同じ厚さの成膜を行う
ことができるマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲ
ットを提供する。 【解決手段】 （１０３）面に対して垂直方向に配向し
た結晶粒が全体の結晶粒の５０〜９０％を占めることを
特徴とするマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲッ
ト。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｓｉウエハなど
基体の表面に形成された細く深い溝の底面にも基体表面
とほぼ同じ厚さの成膜を行うことができるマグネトロン
スパッタリング用Ｔｉターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、雰囲気ガスとしてＮ2 やＯ2 な
どの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、マグネッ
トによりＴｉターゲットの表面に垂直方向の磁界を印加
しながら前記Ｔｉターゲット表面をスパッタしてＳｉウ
エハなど基体の表面にＴｉＮ膜などのスパッタ膜を形成
するマグネトロンスパッタリング法は知られている。
【０００３】従来のＴｉターゲットは、（００２）面に
対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶粒の３０
〜４０％を占めて（００２）配向を主体とし、（１０
３）面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶
粒の２０〜３０％を占めて次に多く配向し、その他、
（０１１）面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体
の結晶粒の５〜２０％を占め、（０１０）面、（０１
２）面および（１１２）面に対して垂直方向に配向した
結晶粒がそれぞれ全体の結晶粒の２〜１０％を占めてい
た。
【０００４】この従来のＴｉターゲットを用い、図１に
示されるような、幅ａ、深さｂの溝１があるＳｉウエハ
など基体２の表面にマグネトロンスパッタリングする
と、基体２の表面に形成されたＴｉＮ膜３は、図２に示
されるように、溝１の底面に形成された膜厚ｙと基体２
の表面に形成された膜厚ｘとに差が生じ、均一な膜厚が
得られない。溝１の深さｂに対する幅ａの比（ｂ／ａ）
をアスペクト比と言い、膜厚ｙに対する膜厚ｘの比（ｙ
／ｘ）をカバレッジという。
【０００５】カバレッジ（ｙ／ｘ）は、１に近いほど溝
の底面に形成された膜厚ｙと基体表面に形成された膜厚
ｘとに差がなく均一な膜厚となる。しかし、溝のアスペ
クト比（ｂ／ａ）が大きくなるほど、膜のカバレッジ
（ｙ／ｘ）は小さくなって膜厚が不均一となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＴｉターゲ
ットを用いて細く深い溝（アスペクト比が大きい溝）が
ある基体に成膜すると、基体の表面に形成された膜厚と
細く深い溝の底部に形成された膜厚とは、厚さが異な
り、細く深い溝の底面ほど膜厚が薄くなる（カバレッジ
が小さくなる）ことは避けられず、これが原因で不良品
に至るのが現状であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、基体の表面に形成された膜厚と
細く深い溝の底面の膜厚との差が少ない（カバレッジが
１に近い）マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲッ
トを開発すべく研究を行なった結果、（１）Ｔｉターゲ
ットの結晶粒の配向が基体に形成された細く深い溝の底
面の膜厚に影響を及ぼし、（１０３）面に対して垂直方
向に配向した結晶粒が多いほど基体の表面に形成された
膜厚と細く深い溝の底部に形成された膜厚との差が小さ
くなる（カバレッジが１に近くなる）、（２）（１０
３）面に対して垂直方向に配向した結晶粒が全体の結晶
粒の５０〜９０％を占めるとよく、この配向性を有する
Ｔｉターゲットは従来よりも高加工度で加工し、高温で
熱処理することにより得られる、などの研究結果が得ら
れたのである。
【０００８】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、（１０３）面に対して垂直方向
に配向した結晶粒が全体の結晶粒の５０〜９０％を占め
るマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲットに特徴
を有するものである。
【０００９】この発明の（１０３）面に対して垂直方向
に配向した結晶粒が全体の結晶粒の５０〜９０％を占め
るマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲットは、圧
下率：５０〜９０％で冷間圧延したのち、温度：５００
〜６００℃、１〜３時間保持の熱処理を施すことにより
得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】電子ビーム溶解した純度：９９．
９９９％の純Ｔｉインゴットに表１に示される加工度の
冷間加工を施し、ついで表１に示される条件の熱処理を
施したのち機械加工することにより、直径：３００mm×
厚さ：６．３５mmの寸法をもった表２に示される配向分
布を有する本発明Ｔｉターゲット１〜１０および従来Ｔ
ｉターゲット１を作製した。
【００１１】なお、（１０３）面の配向分布を求める方
法は、（０１１）面の回折強度を１００に規格化した時
に（１０３）面の強度をＩS(103)とし、標準配向（ラン
ダム配向）の場合の（０１１）面の回折強度を１００に
規格化した時に（１０３）面の強度をＩR(103)とする
と、（１０３）面の配向分布は、 として求めた。その他、（００２）面、（０１０）面、
（０１１）、（０１２）面および（１１２）面の配向分
布も同様にして求めた。
【００１２】これら本発明Ｔｉターゲット１〜１０およ
び従来Ｔｉターゲット１を直径：３５０mm×厚さ：１５
mmの寸法をもったアルミニウム合金（ＪＩＳ Ａ５０５
２）製円板からなる冷却用バッキングプレートに拡散接
合したのち、直流マグネトロンスパッタリング装置に装
入し、出力：１２ＫＷ、雰囲気：Ａｒ／Ｎ2 ＝１：１の
気流下で、スパッタ圧力：８ｍＴｏｒｒ、スパッタ時
間：２分／ウエハの条件下で、表面にアスペクト比（ｂ
／ａ）が３の溝を有する直径：１５０ｍｍＳｉウエハの
上に厚さ：０．５μｍのＴｉＮ膜を形成し、膜のカバレ
ッジ（ｙ／ｘ）を測定し、これらの測定結果を表２に示
した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】表１〜表２に示される結果から、配向分
布：５０〜９０％の本発明Ｔｉターゲット１〜１０は、
従来Ｔｉターゲット１よりもカバレッジが１に近い値を
示すところから、細く深い溝の底面にも基体表面とほぼ
同じ厚さの成膜を行うことができることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基体表面に形成された溝の断面説明図である。
【図２】溝を有する基体表面に形成されたＴｉＮ膜の断
面説明図である。
【符号の説明】
１ 溝 ２ 基体 ３ ＴｉＮ膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （１０３）面に対して垂直方向に配向し
    た結晶粒が全体の結晶粒の５０〜９０％を占めることを
    特徴とするマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲッ
    ト。
JP07890696A 1996-04-01 1996-04-01 マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット Expired - Lifetime JP3792291B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07890696A JP3792291B2 (ja) 1996-04-01 1996-04-01 マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07890696A JP3792291B2 (ja) 1996-04-01 1996-04-01 マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09268368A true JPH09268368A (ja) 1997-10-14
JP3792291B2 JP3792291B2 (ja) 2006-07-05

Family

ID=13674882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07890696A Expired - Lifetime JP3792291B2 (ja) 1996-04-01 1996-04-01 マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3792291B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012057057A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリング用チタンターゲット
WO2013047740A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 京セラ株式会社 金属とセラミックスとの接合体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012057057A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリング用チタンターゲット
JPWO2012057057A1 (ja) * 2010-10-25 2014-05-12 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリング用チタンターゲット
JP5571196B2 (ja) * 2010-10-25 2014-08-13 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリング用チタンターゲット
US9068258B2 (en) 2010-10-25 2015-06-30 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Titanium target for sputtering
WO2013047740A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 京セラ株式会社 金属とセラミックスとの接合体
US9339991B2 (en) 2011-09-30 2016-05-17 Kyocera Corporation Metal-ceramic joined body

Also Published As

Publication number Publication date
JP3792291B2 (ja) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5087297A (en) Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same
KR0135369B1 (ko) 고순도티타늄 스퍼터링타겟
KR100499173B1 (ko) 낮은 투자율을 갖는 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법
KR20090005398A (ko) 중공 캐소드 스퍼터링 타겟
CN111958333A (zh) 一种钕铝靶材溅射面的抛光工艺
WO2004052785A2 (en) High purity nickel/vanadium sputtering components; and methods of making sputtering components
JP4621495B2 (ja) 高純度強磁性スパッタターゲット
JP5325096B2 (ja) 銅ターゲット
CN111727270A (zh) 形成具有细化形状和微结构的铜合金溅射靶的方法
KR20150130552A (ko) 코발트 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
JPH0610107A (ja) スパッタリング用の金属Ｔｉターゲットの製造方法
JP2001049426A (ja) 銅スパッタ・ターゲットの製造方法および銅スパッタ・ターゲットと裏当て板の組立体
JPH0794709B2 (ja) マグネトロン陰極スパツタ装置用ターゲツト
US7776166B2 (en) Texture and grain size controlled hollow cathode magnetron targets and method of manufacture
JPH09268368A (ja) マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット
JPH06128737A (ja) スパッタリングターゲット
JPS63145771A (ja) スパツタリングタ−ゲツト
JP2901854B2 (ja) 高純度チタニウムスパッタリングターゲット
WO2020194789A1 (ja) ターゲット材とバッキングプレートとの接合体、および、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体の製造方法
JP2000239835A (ja) スパッタリングターゲット
JP3177208B2 (ja) 高純度チタニウムスパッタリングターゲット
JPH0790560A (ja) 高純度チタニウムスパッタリングターゲット
JP2901852B2 (ja) 高純度チタニウムスパッタリングターゲット
JPH0790561A (ja) 高純度チタニウムスパッタリングターゲット
JP2901853B2 (ja) 高純度チタニウムスパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20021224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060310

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060405

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090414

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414

Year of fee payment: 7

EXPY Cancellation because of completion of term