JPS6212638A - ガラス板に銅をスパツタめつきする方法 - Google Patents
ガラス板に銅をスパツタめつきする方法Info
- Publication number
- JPS6212638A JPS6212638A JP15115785A JP15115785A JPS6212638A JP S6212638 A JPS6212638 A JP S6212638A JP 15115785 A JP15115785 A JP 15115785A JP 15115785 A JP15115785 A JP 15115785A JP S6212638 A JPS6212638 A JP S6212638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- glass plate
- sputtering
- plate
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
- C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ガラス板に銅をスパツクめっきする方法の改
良に関する。
良に関する。
(従来技術とその問題点)
従来、ガラス板に銅をスパッタめっきする場合には、接
合力を出す為にバインダーとして、Ti、Cr等の金属
層を設けているが、最近の電子回路、とりわけ高周波回
路では、この金属バインダ一層が悪影響を与える為、銅
をスパッタめっきしたガラス板を回路基板として使用す
ることを避けている。
合力を出す為にバインダーとして、Ti、Cr等の金属
層を設けているが、最近の電子回路、とりわけ高周波回
路では、この金属バインダ一層が悪影響を与える為、銅
をスパッタめっきしたガラス板を回路基板として使用す
ることを避けている。
(発明の目的)
本発明は、上記問題点を解消すべくなされたもので、金
属バインダ一層を設けなくとも接合力を高めることがで
きるように改善したガラス板に銅をスパッタめっきする
方法を提供することを目的とするものである。
属バインダ一層を設けなくとも接合力を高めることがで
きるように改善したガラス板に銅をスパッタめっきする
方法を提供することを目的とするものである。
(発明の構成)
本発明によるガラス板に銅をスパッタめっきする方法は
、スパッタリング装置内に、ターゲットとして銅をセッ
トすると共にガラス板を回転テーブルに取付けてセット
し、次にスパッタリング装置内を所要の真空度まで真空
引きした後ガラス板をエツチングし、次いで銅をスパッ
タし乍らガラス板をエツチングするプリスパッタを所要
時間行い、次に所要時間冷却後本スパッタを行い、次い
で所要時間冷却することを特徴とする。
、スパッタリング装置内に、ターゲットとして銅をセッ
トすると共にガラス板を回転テーブルに取付けてセット
し、次にスパッタリング装置内を所要の真空度まで真空
引きした後ガラス板をエツチングし、次いで銅をスパッ
タし乍らガラス板をエツチングするプリスパッタを所要
時間行い、次に所要時間冷却後本スパッタを行い、次い
で所要時間冷却することを特徴とする。
(実施例)
本発明によるガラスに銅をスパッタめっきする方法の一
実施例を説明する。先ずスパッタリング装置内に、ター
ゲットとして直径127n+、厚さ5■の銅板をセット
すると共に直径700寵、厚さ1flのプレパラート;
カリクラウンガラスにより成るガラス板を回転テーブル
にセットして相対向させた。この時の銅ターゲツトとガ
ラス板との間隔を100mとなした。次にスパッタリン
グ装置内を4X10−’Torr以上の真空度まで真空
引きした後、3X10−’TorrArガス雰囲気中で
テーブルを回転数2Orpmで回転し乍らガラス板を高
周波13.56MH!、lkwで10分間エツチングし
た。次いで銅板をDCIA、280■でスパッタし乍ら
ガラス板を高周波13.56MH2、lkwでエツチン
グするプリスパッタを3XIO−’TorrArガス雰
囲気中で1分間行った。次にスパッタリング装置内を冷
却し、ガラス板を15分間冷却して、Cuの異常結晶を
防止した。そして銅板をDC,4A、440Vで3x1
0−’TorrArガス雰囲気中で8分間本スパッタし
て、回転数2Orpmで回転中のガラス板に銅めっきを
1.0μ施した。次いでスパッタリング装置内を冷却し
、ガラス板を15分間冷却して酸化を防止した。
実施例を説明する。先ずスパッタリング装置内に、ター
ゲットとして直径127n+、厚さ5■の銅板をセット
すると共に直径700寵、厚さ1flのプレパラート;
カリクラウンガラスにより成るガラス板を回転テーブル
にセットして相対向させた。この時の銅ターゲツトとガ
ラス板との間隔を100mとなした。次にスパッタリン
グ装置内を4X10−’Torr以上の真空度まで真空
引きした後、3X10−’TorrArガス雰囲気中で
テーブルを回転数2Orpmで回転し乍らガラス板を高
周波13.56MH!、lkwで10分間エツチングし
た。次いで銅板をDCIA、280■でスパッタし乍ら
ガラス板を高周波13.56MH2、lkwでエツチン
グするプリスパッタを3XIO−’TorrArガス雰
囲気中で1分間行った。次にスパッタリング装置内を冷
却し、ガラス板を15分間冷却して、Cuの異常結晶を
防止した。そして銅板をDC,4A、440Vで3x1
0−’TorrArガス雰囲気中で8分間本スパッタし
て、回転数2Orpmで回転中のガラス板に銅めっきを
1.0μ施した。次いでスパッタリング装置内を冷却し
、ガラス板を15分間冷却して酸化を防止した。
こうして銅をスパッタめっきしたガラス板を、スパッタ
リング装置内より取り出し、銅めっきの厚さのばらつき
を検査した処、1.0〜1.3μの範囲のばらつきであ
った。また、この銅めっき面にセロテープを接着し、こ
のセロテープを引きはがして銅めっきをガラス板より剥
離するテストを行った処、銅めっきは全く剥離すること
が無く、接合力が高いものであった。このように銅めっ
きの接合力が高いのは、本スパッターの前に銅をスパッ
タし乍らガラス板をエツチングするプリスパッタ行うこ
とにより、ガラスと銅の境界に両者の薄い複合層が形成
され、この複合層を介して本スパッターによる銅めっき
が強固にガラス板に接合されるからに他ならない。
リング装置内より取り出し、銅めっきの厚さのばらつき
を検査した処、1.0〜1.3μの範囲のばらつきであ
った。また、この銅めっき面にセロテープを接着し、こ
のセロテープを引きはがして銅めっきをガラス板より剥
離するテストを行った処、銅めっきは全く剥離すること
が無く、接合力が高いものであった。このように銅めっ
きの接合力が高いのは、本スパッターの前に銅をスパッ
タし乍らガラス板をエツチングするプリスパッタ行うこ
とにより、ガラスと銅の境界に両者の薄い複合層が形成
され、この複合層を介して本スパッターによる銅めっき
が強固にガラス板に接合されるからに他ならない。
(発明の効果)
以上詳記した通り本発明によるガラス板に銅をスパッタ
めっきする方法は、本スパッターの前に銅をスパッタし
乍らガラス板をエツチングするプリスパッタを行うので
、ガラスと銅の境界に両者の薄い複合層が形成され、こ
の複合層を介して本スパッタによる銅めっきが強固にガ
ラス板に接合される。従って、従来のようにガラス板に
接合力向上の為のT I −、Cr等の金属バインダ一
層を形成する必要が無く、電子回路とりわけ高周波回路
の回路基板に採用しても何ら支障が無い銅めっきされた
ガラス板を得ることができるという効果がある。
めっきする方法は、本スパッターの前に銅をスパッタし
乍らガラス板をエツチングするプリスパッタを行うので
、ガラスと銅の境界に両者の薄い複合層が形成され、こ
の複合層を介して本スパッタによる銅めっきが強固にガ
ラス板に接合される。従って、従来のようにガラス板に
接合力向上の為のT I −、Cr等の金属バインダ一
層を形成する必要が無く、電子回路とりわけ高周波回路
の回路基板に採用しても何ら支障が無い銅めっきされた
ガラス板を得ることができるという効果がある。
また、本発明の方法では、プリスパッタ後冷却してから
本スパッタを行うので、ガラス板と銅めっき薄膜の熱膨
張率の差による歪の発生が減少せしめられると同時に、
銅の異常結晶成長(茶葉色になる)が防止されるという
効果もある。
本スパッタを行うので、ガラス板と銅めっき薄膜の熱膨
張率の差による歪の発生が減少せしめられると同時に、
銅の異常結晶成長(茶葉色になる)が防止されるという
効果もある。
Claims (1)
- スパッタリング装置内に、ターゲットとして銅をセット
すると共にガラス板を回転テーブルに取付けてセットし
、次にスパッタリング装置内を所要の真空度まで真空引
きした後ガラス板をエッチングし、次いで銅をスパッタ
し乍らガラス板をエッチングするプリスパッタを所要時
間行い、次に所要時間冷却後本スパッタを行い、次いで
所要時間冷却することを特徴とするガラス板に銅をスパ
ッタめっきする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15115785A JPS6212638A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ガラス板に銅をスパツタめつきする方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15115785A JPS6212638A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ガラス板に銅をスパツタめつきする方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6212638A true JPS6212638A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15512595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15115785A Pending JPS6212638A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ガラス板に銅をスパツタめつきする方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6212638A (ja) |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15115785A patent/JPS6212638A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3945902A (en) | Metallized device and method of fabrication | |
JPS6212638A (ja) | ガラス板に銅をスパツタめつきする方法 | |
JP4820508B2 (ja) | スパッタリングターゲットとその製造方法、スパッタリング装置、薄膜の製造方法、電子部品の製造方法 | |
JPS6212184A (ja) | 石英板に銅をスパツタめつきする方法 | |
JPH08218166A (ja) | スパッタリング用ターゲットの接合方法 | |
JPS6018749B2 (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
JP2802181B2 (ja) | セラミック回路板における導体膜の形成方法 | |
EP0564693A1 (en) | Film carrier type substrate and method of manufacturing the same | |
JPS62211374A (ja) | スパツタリング装置 | |
JPH02236277A (ja) | スパッタリング方法 | |
JPH05230643A (ja) | 物理蒸着薄膜の応力制御方法 | |
JPH0570711B2 (ja) | ||
JPH0740637B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JPH0799378A (ja) | プリント基板の抵抗体薄膜層形成方法 | |
JP3033780B2 (ja) | 基板への薄膜形成方法 | |
JPH029457B2 (ja) | ||
JPS6124236A (ja) | スパツタ膜の形成方法 | |
JP2818318B2 (ja) | セラミック回路板における導体膜の形成方法 | |
JPH06334301A (ja) | スル−ホ−ル配線基板の加工方法 | |
JP3218698B2 (ja) | 銅のメタライズ方法 | |
JPS6358912B2 (ja) | ||
JPH0232591A (ja) | 銅・有機絶縁膜配線板の製造方法 | |
JP2536604B2 (ja) | 銅・有機絶縁膜配線板の製造方法 | |
JPS63317667A (ja) | スパッタリング用タ−ゲットの接合法 | |
JPH0664988A (ja) | メタライズドセラミック基板の製造方法 |