JPH06334301A - スル−ホ−ル配線基板の加工方法 - Google Patents
スル−ホ−ル配線基板の加工方法Info
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- JPH06334301A JPH06334301A JP5117222A JP11722293A JPH06334301A JP H06334301 A JPH06334301 A JP H06334301A JP 5117222 A JP5117222 A JP 5117222A JP 11722293 A JP11722293 A JP 11722293A JP H06334301 A JPH06334301 A JP H06334301A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、スル−ホ−ル配線基板にレ−
ザ−でスル−ホ−ルを加工した後、このスル−ホ−ルに
サンドブラスト加工を行うことによって、レ−ザ−加工
に伴う熱溶融後固化した変質層を除去することにある。 【構成】本発明は、スル−ホ−ル配線基板の所定位置に
レ−ザ−でスル−ホ−ルを形成した後、このスル−ホ−
ルの内壁部に存在する熱溶融後固化した変質層をサンド
ブラスト加工により除去することを特徴とするスル−ホ
−ル配線基板の加工方法。
ザ−でスル−ホ−ルを加工した後、このスル−ホ−ルに
サンドブラスト加工を行うことによって、レ−ザ−加工
に伴う熱溶融後固化した変質層を除去することにある。 【構成】本発明は、スル−ホ−ル配線基板の所定位置に
レ−ザ−でスル−ホ−ルを形成した後、このスル−ホ−
ルの内壁部に存在する熱溶融後固化した変質層をサンド
ブラスト加工により除去することを特徴とするスル−ホ
−ル配線基板の加工方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レ−ザ−でスル−ホ−
ルを開けたスル−ホ−ル配線基板の加工方法に関する。
ルを開けたスル−ホ−ル配線基板の加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ハイブリッドIC等において高密
度実装を行う場合、スル−ホ−ル配線が用いられる。ア
ルミナ等のセラミック基板にスル−ホール加工を行う方
法としては、一つには、グリ−ンシ−トの状態でスル−
ホ−ルを開けた後に焼成する方法、二つには、基板の焼
成後レ−ザ−を用いてスル−ホ−ルを形成する方法、が
ある。一つ目の方法は、金型が必要なためコストが高く
なり、また、焼成時の収縮によりスル−ホ−ルの位置精
度が良好でないため、微細配線が必要な場合には適して
いなかった。二つ目のレ−ザ−加工方法は、上記一つ目
の方法の欠点を解決できるものであり、現在最も多く用
いられている。
度実装を行う場合、スル−ホ−ル配線が用いられる。ア
ルミナ等のセラミック基板にスル−ホール加工を行う方
法としては、一つには、グリ−ンシ−トの状態でスル−
ホ−ルを開けた後に焼成する方法、二つには、基板の焼
成後レ−ザ−を用いてスル−ホ−ルを形成する方法、が
ある。一つ目の方法は、金型が必要なためコストが高く
なり、また、焼成時の収縮によりスル−ホ−ルの位置精
度が良好でないため、微細配線が必要な場合には適して
いなかった。二つ目のレ−ザ−加工方法は、上記一つ目
の方法の欠点を解決できるものであり、現在最も多く用
いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記レ
−ザ−加工方法は、レ−ザ−の熱エネルギ−を用いてス
ル−ホ−ルを形成するため、セラミックの一部が、溶融
した後、冷却されることにより、セラミック特有の、再
結晶化した状態ではなく、ガラス質のような固化した状
態でスル−ホ−ル内部に残存してしまう。すなわち、ス
ル−ホ−ルの内壁に熱溶融後固化した変質層が生じ、そ
してこの変質層には熱ストレスによる無数のクラックが
存在するので、厚膜あるいは薄膜でメタライズした膜が
剥離しやすいという欠点を有していた。
−ザ−加工方法は、レ−ザ−の熱エネルギ−を用いてス
ル−ホ−ルを形成するため、セラミックの一部が、溶融
した後、冷却されることにより、セラミック特有の、再
結晶化した状態ではなく、ガラス質のような固化した状
態でスル−ホ−ル内部に残存してしまう。すなわち、ス
ル−ホ−ルの内壁に熱溶融後固化した変質層が生じ、そ
してこの変質層には熱ストレスによる無数のクラックが
存在するので、厚膜あるいは薄膜でメタライズした膜が
剥離しやすいという欠点を有していた。
【0004】したがって、本発明の目的は、スル−ホ−
ル配線基板にレ−ザ−でスル−ホ−ルを加工した後、こ
のスル−ホ−ルにサンドブラスト加工を行うことによっ
て、レ−ザ−加工に伴う熱溶融後固化した変質層を除去
することにある。
ル配線基板にレ−ザ−でスル−ホ−ルを加工した後、こ
のスル−ホ−ルにサンドブラスト加工を行うことによっ
て、レ−ザ−加工に伴う熱溶融後固化した変質層を除去
することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
上記目的を達成する為に、スル−ホ−ル配線基板の所定
位置にレ−ザ−でスル−ホ−ルを形成した後、このスル
−ホ−ルの内壁部に存在する熱溶融後固化した変質層を
サンドブラスト加工により除去することを特徴とするス
ル−ホ−ル配線基板の加工方法としたものである。
上記目的を達成する為に、スル−ホ−ル配線基板の所定
位置にレ−ザ−でスル−ホ−ルを形成した後、このスル
−ホ−ルの内壁部に存在する熱溶融後固化した変質層を
サンドブラスト加工により除去することを特徴とするス
ル−ホ−ル配線基板の加工方法としたものである。
【0006】
【作用】本発明は、レ−ザ−加工によるスルホ−ルの形
成後、このスル−ホ−ルにサンドブラストを行うので、
レ−ザ−加工によって熱溶融後に固化した変質層を除去
することができ、したがってメタライズ膜は強靭にスル
−ホ−ルの素面に固着して剥離することがない。
成後、このスル−ホ−ルにサンドブラストを行うので、
レ−ザ−加工によって熱溶融後に固化した変質層を除去
することができ、したがってメタライズ膜は強靭にスル
−ホ−ルの素面に固着して剥離することがない。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図1において、1はアルミナのスル−ホ−ル配線基
板で、厚み0.635mm、純度99.5%である。こ
のスル−ホ−ル配線基板1の所定の位置に、炭酸ガスレ
−ザ−を用いてφ0.3mmのスル−ホ−ル1aを開け
る。
る。図1において、1はアルミナのスル−ホ−ル配線基
板で、厚み0.635mm、純度99.5%である。こ
のスル−ホ−ル配線基板1の所定の位置に、炭酸ガスレ
−ザ−を用いてφ0.3mmのスル−ホ−ル1aを開け
る。
【0008】
【表1】
【0009】その後、表1に示す条件にて、サンドブラ
スト加工をスル−ホ−ル1a内部に施す。即ち、サンド
粒径#400のSiC(炭化珪素)を、吹付圧力5KGf
/cm2 で、2分間サンドブラスト加工を行う。その
後、スル−ホ−ル1aおよびスルホ−ル配線基板の表裏
に、以下の条件で、スル−ホ−ル配線1bのメタライズ
を施した。
スト加工をスル−ホ−ル1a内部に施す。即ち、サンド
粒径#400のSiC(炭化珪素)を、吹付圧力5KGf
/cm2 で、2分間サンドブラスト加工を行う。その
後、スル−ホ−ル1aおよびスルホ−ル配線基板の表裏
に、以下の条件で、スル−ホ−ル配線1bのメタライズ
を施した。
【0010】 1.NiCr 蒸着 膜厚 400オンク゛ストロ-ム 2.Au 蒸着 膜厚 200オンク゛ストロ-ム 3.Au メッキ 膜厚 約5μm なお、スル−ホ−ル1aの内面には、プラネタリ−治具
を用いて蒸着する。また、上記2のAu蒸着は、上記3
のAuメッキを行う際の電解メッキ用電極として用いる
ため必要である。このメタライズ後、450℃(大気雰
囲気)のオ−ブンに、試料としてメタライズ基板10枚
を5分間投入して、ヒ−ト試験を実施する。そして、取
り出した試料のスル−ホ−ル1a部分の膨れ、膜剥離の
有無を調べる。その結果は、表2の通りである。
を用いて蒸着する。また、上記2のAu蒸着は、上記3
のAuメッキを行う際の電解メッキ用電極として用いる
ため必要である。このメタライズ後、450℃(大気雰
囲気)のオ−ブンに、試料としてメタライズ基板10枚
を5分間投入して、ヒ−ト試験を実施する。そして、取
り出した試料のスル−ホ−ル1a部分の膨れ、膜剥離の
有無を調べる。その結果は、表2の通りである。
【0011】
【表2】
【0012】表2から、従来のサンドブラスト処理のな
い場合は、膨れが6/10、膜剥離が2/10発生して
いるのに対し、本発明のサンドブラスト処理を施した場
合は、膨れも膜剥離も一件も発生していないことが理解
される。即ち、サンドブラスト処理を行った場合、クラ
ック等の変質層が存在しないために、メタライズ処理を
施した膜は、スル−ホ−ルの素面に強固に固着している
ので、ヒ−ト試験を行っても膨れも膜剥離も生じないと
言うことである。スル−ホ−ルの孔径に関しては、例え
ば、φ0.1以下の小さなものについては、サンドの粒
径を小さなものにすることにより、全く問題なく変質層
の除去が行える。
い場合は、膨れが6/10、膜剥離が2/10発生して
いるのに対し、本発明のサンドブラスト処理を施した場
合は、膨れも膜剥離も一件も発生していないことが理解
される。即ち、サンドブラスト処理を行った場合、クラ
ック等の変質層が存在しないために、メタライズ処理を
施した膜は、スル−ホ−ルの素面に強固に固着している
ので、ヒ−ト試験を行っても膨れも膜剥離も生じないと
言うことである。スル−ホ−ルの孔径に関しては、例え
ば、φ0.1以下の小さなものについては、サンドの粒
径を小さなものにすることにより、全く問題なく変質層
の除去が行える。
【0013】
【発明の効果】本発明は、以上のように、スル−ホ−ル
のレ−ザ−加工後、このスル−ホ−ルにサンドブラスト
処理を行うので、スル−ホ−ルの位置精度が良好で、且
つレ−ザ−加工に伴う熱溶融後固化した変質層が除去で
き、スル−ホ−ルへのメタライズ膜の固着力が強く信頼
性が高くなる。特に、少量多品種のサンプルの生産にお
いて、コスト面での効果が著しく大きい。
のレ−ザ−加工後、このスル−ホ−ルにサンドブラスト
処理を行うので、スル−ホ−ルの位置精度が良好で、且
つレ−ザ−加工に伴う熱溶融後固化した変質層が除去で
き、スル−ホ−ルへのメタライズ膜の固着力が強く信頼
性が高くなる。特に、少量多品種のサンプルの生産にお
いて、コスト面での効果が著しく大きい。
【図1】 本発明の一実施例によって加工されたスル−
ホ−ルにメタライズを施したスル−ホ−ル配線基板の一
部断面図
ホ−ルにメタライズを施したスル−ホ−ル配線基板の一
部断面図
1 アルミナのスル−ホ−ル配線基板 1a スル−ホ−ル 1b スル−ホ−ル配線
Claims (1)
- 【請求項1】 スル−ホ−ル配線基板の所定位置にレ−
ザ−でスル−ホ−ルを形成した後、このスル−ホ−ルの
内壁部に存在する熱溶融後固化した変質層をサンドブラ
スト加工により除去することを特徴とするスル−ホ−ル
配線基板の加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5117222A JPH06334301A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | スル−ホ−ル配線基板の加工方法 |
US08/724,028 US5881455A (en) | 1993-05-19 | 1996-09-23 | Method of fabricating through-holed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5117222A JPH06334301A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | スル−ホ−ル配線基板の加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06334301A true JPH06334301A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14706422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5117222A Pending JPH06334301A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | スル−ホ−ル配線基板の加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5881455A (ja) |
JP (1) | JPH06334301A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011114103A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | 配線基板 |
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US6073344A (en) * | 1999-01-28 | 2000-06-13 | International Business Machines Corporation | Laser segmentation of plated through-hole sidewalls to form multiple conductors |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4044222A (en) * | 1976-01-16 | 1977-08-23 | Western Electric Company, Inc. | Method of forming tapered apertures in thin films with an energy beam |
JPS5328266A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-16 | Fujitsu Ltd | Method of producing multilayer ceramic substrate |
SU790381A1 (ru) * | 1979-02-26 | 1980-12-23 | Предприятие П/Я В-2962 | Устройство дл зачистки отверстий печатных плат |
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JPH0653253B2 (ja) * | 1986-11-08 | 1994-07-20 | 松下電工株式会社 | セラミツク基板の粗化法 |
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