JP3470959B2 - セラミック構造体およびその形成方法 - Google Patents
セラミック構造体およびその形成方法Info
- Publication number
- JP3470959B2 JP3470959B2 JP2000131371A JP2000131371A JP3470959B2 JP 3470959 B2 JP3470959 B2 JP 3470959B2 JP 2000131371 A JP2000131371 A JP 2000131371A JP 2000131371 A JP2000131371 A JP 2000131371A JP 3470959 B2 JP3470959 B2 JP 3470959B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- ceramic structure
- unsintered
- acrylic polymer
- green
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 25
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical group COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 22
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 22
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 12
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 claims description 12
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 glass frit Chemical compound 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 9
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 7
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N Angelic acid Natural products CC=C(C)C(O)=O UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 3
- 241000239366 Euphausiacea Species 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 32
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 7
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 7
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008119 Larix laricina Nutrition 0.000 description 1
- 241000218653 Larix laricina Species 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 231100000518 lethal Toxicity 0.000 description 1
- 230000001665 lethal effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000009824 pressure lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/976—Temporary protective layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は全般的に、半導体基
板を形成する方法および構造に関するものであり、具体
的には少なくとも１層の熱解重合が可能な表面層を使用
するセラミック・パッケージ製造のための、セラミック
の製法および構造の改良に関するものである。さらに具
体的には、本発明は、取扱いおよびサイジングやダイシ
ング操作などの加工中に生じる欠陥を減少または解消す
るために、グリーン・セラミック表面の少なくとも一部
分に密着する少なくとも１層の保護オーバーレイを使用
したセラミック・グリーン積層物の加工方法および構造
に関するものである。
板を形成する方法および構造に関するものであり、具体
的には少なくとも１層の熱解重合が可能な表面層を使用
するセラミック・パッケージ製造のための、セラミック
の製法および構造の改良に関するものである。さらに具
体的には、本発明は、取扱いおよびサイジングやダイシ
ング操作などの加工中に生じる欠陥を減少または解消す
るために、グリーン・セラミック表面の少なくとも一部
分に密着する少なくとも１層の保護オーバーレイを使用
したセラミック・グリーン積層物の加工方法および構造
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板および半導体装置は、新技術
の開発により、小型化しており、集積度を増している。
しかし、回路の集積度が増大することに伴い、全体的な
製造上の問題も増大している。半導体製造業者が競争力
を維持するためには、これらの製造上の問題は最少に保
つ必要がある。したがって半導体製造業者は常に、欠陥
部品の原因となる障害を識別し、これを除去することに
より、製品の品質を改善する必要に迫られている。工程
のばらつきを減少させることにより、体系的な欠陥を解
消するための著しい改善は行われているが、工程の改善
だけでは、歩留りと信頼性の両方に影響するランダムな
欠陥をすべて除去するには不十分である。歴史的には、
これらのランダムな欠陥の多くを除去して製品の不合格
率を受け入れられるレベルにまで改善するために、スク
リーニング技術が用いられている。
の開発により、小型化しており、集積度を増している。
しかし、回路の集積度が増大することに伴い、全体的な
製造上の問題も増大している。半導体製造業者が競争力
を維持するためには、これらの製造上の問題は最少に保
つ必要がある。したがって半導体製造業者は常に、欠陥
部品の原因となる障害を識別し、これを除去することに
より、製品の品質を改善する必要に迫られている。工程
のばらつきを減少させることにより、体系的な欠陥を解
消するための著しい改善は行われているが、工程の改善
だけでは、歩留りと信頼性の両方に影響するランダムな
欠陥をすべて除去するには不十分である。歴史的には、
これらのランダムな欠陥の多くを除去して製品の不合格
率を受け入れられるレベルにまで改善するために、スク
リーニング技術が用いられている。
【０００３】半導体製造業者が製品を改良しようとする
場合、製品を改善したり新製品を供給したりするため
に、常に新しい方法、新しい技術を見いだしている。半
導体基板またはセラミックのチップ・キャリアは、一般
に半導体装置を取り付けるための平坦なチップ・サイト
を有する平坦な表面を持つように製造される。これらの
基板は、モジュールとも呼ばれ、単一のセラミック層も
しくは単層のセラミック・モジュールを形成するグリー
ン・シート、または複数のセラミック層から製造され、
多層セラミック（ＭＬＣ）モジュールを形成するために
使用される。
場合、製品を改善したり新製品を供給したりするため
に、常に新しい方法、新しい技術を見いだしている。半
導体基板またはセラミックのチップ・キャリアは、一般
に半導体装置を取り付けるための平坦なチップ・サイト
を有する平坦な表面を持つように製造される。これらの
基板は、モジュールとも呼ばれ、単一のセラミック層も
しくは単層のセラミック・モジュールを形成するグリー
ン・シート、または複数のセラミック層から製造され、
多層セラミック（ＭＬＣ）モジュールを形成するために
使用される。
【０００４】以下の説明はＭＬＣモジュールについて行
うが、本発明の教示は単一層モジュールについても同様
に適用可能であることを理解されたい。
うが、本発明の教示は単一層モジュールについても同様
に適用可能であることを理解されたい。
【０００５】ＭＬＣモジュールは通常、電子産業で高性
能集積回路またはチップ（以下単にチップという）の実
装に用いられる。これらの高性能チップは、たとえばパ
ッド、ソルダ・ボールなど、多数の外部入出力（Ｉ／
Ｏ）を有し、そのためこれらのチップは電力を放散させ
る必要性が高い。このような高性能チップを収容するた
めに、ＭＬＣモジュールはたとえばパッド、ピン、ソル
ダ・ボールなど、多数の外部入出力（Ｉ／Ｏ）を備え、
さらにモジュールとチップの両方からの非常に大きい電
力を放散させることができなければならない。
能集積回路またはチップ（以下単にチップという）の実
装に用いられる。これらの高性能チップは、たとえばパ
ッド、ソルダ・ボールなど、多数の外部入出力（Ｉ／
Ｏ）を有し、そのためこれらのチップは電力を放散させ
る必要性が高い。このような高性能チップを収容するた
めに、ＭＬＣモジュールはたとえばパッド、ピン、ソル
ダ・ボールなど、多数の外部入出力（Ｉ／Ｏ）を備え、
さらにモジュールとチップの両方からの非常に大きい電
力を放散させることができなければならない。
【０００６】セラミック基板の標準的な工程には、セラ
ミック・フィラー、有機バインダ、溶剤ビヒクル、およ
び可塑剤分散液を含むセラミック・スラリのグリーン・
シート注型、ブランキング、バイアの穴開け、回路のパ
ーソナリゼーションまたはスクリーン・マスクを介して
の導電性ペーストのスクリーン・プリンティング、シン
ギュレーションまたはサイジング、点検・照合・位置合
せ、積み重ねおよび積層、バインダの燃焼（burn-of
f）、および焼結などの操作が含まれる。グリーン積層
物の取扱い、特にサイジングおよびダイシングの操作で
は、飛散したセラミックの破片が一般に表面層に落ち、
焼結工程など後続の加工中にセラミックに埋め込まれ
る。セラミック基板のこのような欠陥は好ましくないの
で、かなりの数の焼結された基板を手直し（rework）ま
たは廃棄しなければならず、費用の増加と製品歩留りの
低下のいずれかまたは両方の原因になっている。
ミック・フィラー、有機バインダ、溶剤ビヒクル、およ
び可塑剤分散液を含むセラミック・スラリのグリーン・
シート注型、ブランキング、バイアの穴開け、回路のパ
ーソナリゼーションまたはスクリーン・マスクを介して
の導電性ペーストのスクリーン・プリンティング、シン
ギュレーションまたはサイジング、点検・照合・位置合
せ、積み重ねおよび積層、バインダの燃焼（burn-of
f）、および焼結などの操作が含まれる。グリーン積層
物の取扱い、特にサイジングおよびダイシングの操作で
は、飛散したセラミックの破片が一般に表面層に落ち、
焼結工程など後続の加工中にセラミックに埋め込まれ
る。セラミック基板のこのような欠陥は好ましくないの
で、かなりの数の焼結された基板を手直し（rework）ま
たは廃棄しなければならず、費用の増加と製品歩留りの
低下のいずれかまたは両方の原因になっている。
【０００７】しかし本発明は、積層の間にグリーン・セ
ラミックの表面を保護し、取扱いおよびサイジングまた
はダイシング操作の間に、飛散したセラミックの破片に
対する犠牲保護層として機能する、熱解重合または分解
可能な表面皮膜または層を使用することにより、この問
題を解決する。しかし、この保護層は焼結サイクル中に
分解し、燃焼し去る（burn-off）材料でつくることが好
ましい。
ラミックの表面を保護し、取扱いおよびサイジングまた
はダイシング操作の間に、飛散したセラミックの破片に
対する犠牲保護層として機能する、熱解重合または分解
可能な表面皮膜または層を使用することにより、この問
題を解決する。しかし、この保護層は焼結サイクル中に
分解し、燃焼し去る（burn-off）材料でつくることが好
ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
一目的は、セラミック本体に損傷または欠陥を生じるこ
となく、またペーストのプルアウトを生じることのな
い、改良された半導体基板製造方法を提供することにあ
る。
一目的は、セラミック本体に損傷または欠陥を生じるこ
となく、またペーストのプルアウトを生じることのな
い、改良された半導体基板製造方法を提供することにあ
る。
【０００９】本発明の他の目的は、セラミック本体の損
傷またはペーストのプルアウト、あるいはその両方を回
避する、熱分解可能な表面皮膜を提供することにある。
傷またはペーストのプルアウト、あるいはその両方を回
避する、熱分解可能な表面皮膜を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、加工による欠陥を減
少・解消するために、セラミック・グリーン・シート積
層物の保護層として、新規の熱解重合または分解可能な
接着表面皮膜を提供することにある。
少・解消するために、セラミック・グリーン・シート積
層物の保護層として、新規の熱解重合または分解可能な
接着表面皮膜を提供することにある。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、積層、取扱
い、サイジング・ダイシング操作のいずれかまたは全部
の間に生じる欠陥を減少・解消するために、セラミック
・グリーン・シート積層物製造に際しての保護層とし
て、新規の熱解重合または分解可能な接着表面皮膜を提
供することにある。
い、サイジング・ダイシング操作のいずれかまたは全部
の間に生じる欠陥を減少・解消するために、セラミック
・グリーン・シート積層物製造に際しての保護層とし
て、新規の熱解重合または分解可能な接着表面皮膜を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、加工による欠
陥を減少・解消するために、グリーン・シート積層物の
上に、少なくとも１層の犠牲保護重合体接着剤の層を設
けるための、新規の方法および構造に関するものであ
る。この表面保護皮膜は、少なくとも１層の、焼結サイ
クル中に完全に燃焼し去る、熱解重合可能な重合体を備
えるものであることが好ましい。
陥を減少・解消するために、グリーン・シート積層物の
上に、少なくとも１層の犠牲保護重合体接着剤の層を設
けるための、新規の方法および構造に関するものであ
る。この表面保護皮膜は、少なくとも１層の、焼結サイ
クル中に完全に燃焼し去る、熱解重合可能な重合体を備
えるものであることが好ましい。
【００１３】したがって、本発明の一態様は、少なくと
も１個の無欠陥表面フィーチャを有する未焼結構造を保
護する方法であって、（ａ）前記無焼結構造上の前記表
面フィーチャの上に、少なくとも１層の熱解重合可能／
分解可能な層の少なくとも一部分を置くステップであっ
て、前記熱解重合可能／分解可能な層が、積層の間に前
記無焼結構造の少なくとも一部分と、前記無焼結構造上
の前記表面フィーチャの少なくとも一部分に熱結合可能
であり、かつ以後の焼結の間に炭素質の残渣を残さずに
熱分解可能であるという特徴を有するステップと、
（ｂ）前記熱解重合可能／分解可能な層の少なくとも一
部分が、前記表面フィーチャおよび前記無焼結構造の表
面トポロジーの少なくとも一部分と整合するように、前
記熱解重合可能／分解可能な層の少なくとも一部分に圧
力を加えるステップであって、前記熱解重合可能／分解
可能な層の少なくとも一部分が、前記無焼結構造の表面
の少なくとも一部分に密着し、それにより前記無焼結構
造を保護するステップとを含む方法である。
も１個の無欠陥表面フィーチャを有する未焼結構造を保
護する方法であって、（ａ）前記無焼結構造上の前記表
面フィーチャの上に、少なくとも１層の熱解重合可能／
分解可能な層の少なくとも一部分を置くステップであっ
て、前記熱解重合可能／分解可能な層が、積層の間に前
記無焼結構造の少なくとも一部分と、前記無焼結構造上
の前記表面フィーチャの少なくとも一部分に熱結合可能
であり、かつ以後の焼結の間に炭素質の残渣を残さずに
熱分解可能であるという特徴を有するステップと、
（ｂ）前記熱解重合可能／分解可能な層の少なくとも一
部分が、前記表面フィーチャおよび前記無焼結構造の表
面トポロジーの少なくとも一部分と整合するように、前
記熱解重合可能／分解可能な層の少なくとも一部分に圧
力を加えるステップであって、前記熱解重合可能／分解
可能な層の少なくとも一部分が、前記無焼結構造の表面
の少なくとも一部分に密着し、それにより前記無焼結構
造を保護するステップとを含む方法である。
【００１４】本発明の他の態様では、少なくとも１個の
メタライズされたフィーチャと、前記メタライズされた
フィーチャおよび少なくとも１枚の半導体基板の一部分
に固定された、少なくとも１層の熱解重合可能／分解可
能な層の少なくとも一部分とを有する、少なくとも１枚
の前記半導体基板を備える無焼結構造を含む。
メタライズされたフィーチャと、前記メタライズされた
フィーチャおよび少なくとも１枚の半導体基板の一部分
に固定された、少なくとも１層の熱解重合可能／分解可
能な層の少なくとも一部分とを有する、少なくとも１枚
の前記半導体基板を備える無焼結構造を含む。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１に示すように、焼結した、ま
たは未焼結の基板１５、通常セラミック基板１５は、上
面１１および下面１３を有する１層以上の個々のセラミ
ック・シートまたは層１０を備える。シート１０は通
常、ほとんどの場合シート１０と同一の材料の枠状部１
２を有する。枠状部１２は、ほとんどの場合シート１０
の延長域であり、機能的ではない動作またはフィーチャ
のために使用される。シート１０を加工するとき、粒子
または破片１４、１６、１８のいずれかまたはすべてが
基板１５の表面上に付着することが知られている。図１
に示すように、破片１４はセラミック・シート１０の内
側に、粒子１６は基板１５の表面１１の上下に、粒子１
８は表面１１の上に付着する。粒子によっては基板１５
の表面１１にゆるく付着するため、粒子１８のように当
業界でよく知られた方法で除去したり、吹き飛ばしたり
することができるかもしれない。しかし、粒子１４およ
び１６のようなその他の粒子は、セラミック層１０の表
面に完全に、または部分的に埋め込まれることがあるた
め、表面１１から除去することが幾分困難である。粒子
１４、１６、１８のいずれかまたはすべてを除去する方
法のひとつは、既知の研磨技術のいずれかによるもので
あるが、これによれば加工ステップをさらに追加しなけ
ればならず、また層１０または基板１５の厚みに影響を
及ぼすことがある。
たは未焼結の基板１５、通常セラミック基板１５は、上
面１１および下面１３を有する１層以上の個々のセラミ
ック・シートまたは層１０を備える。シート１０は通
常、ほとんどの場合シート１０と同一の材料の枠状部１
２を有する。枠状部１２は、ほとんどの場合シート１０
の延長域であり、機能的ではない動作またはフィーチャ
のために使用される。シート１０を加工するとき、粒子
または破片１４、１６、１８のいずれかまたはすべてが
基板１５の表面上に付着することが知られている。図１
に示すように、破片１４はセラミック・シート１０の内
側に、粒子１６は基板１５の表面１１の上下に、粒子１
８は表面１１の上に付着する。粒子によっては基板１５
の表面１１にゆるく付着するため、粒子１８のように当
業界でよく知られた方法で除去したり、吹き飛ばしたり
することができるかもしれない。しかし、粒子１４およ
び１６のようなその他の粒子は、セラミック層１０の表
面に完全に、または部分的に埋め込まれることがあるた
め、表面１１から除去することが幾分困難である。粒子
１４、１６、１８のいずれかまたはすべてを除去する方
法のひとつは、既知の研磨技術のいずれかによるもので
あるが、これによれば加工ステップをさらに追加しなけ
ればならず、また層１０または基板１５の厚みに影響を
及ぼすことがある。
【００１６】破片１４、１６、１８のいずれかまたはす
べては、種々の理由により表面１１および１３の上に付
着する。たとえば、ダイアモンド・ソーなどを使用して
グリーン積層物を切断することは、ＭＬＣ業界では通常
のことである。このような切断操作で、一般にセラミッ
クの破片が発生し、これらの破片は基板１５の表面１１
および１３の上面に落ち、付着する。このグリーン切断
工程では、グリーン・セラミック本体１５の高速切断の
ため、発生の瞬間には破片は高温である。このような破
片１４、１６、１８の温度は、発生する瞬間には、グリ
ーン・シート・スタック１０の重合体バインダのガラス
転移温度よりはるかに高い。したがって、破片１４、１
６、１８のいずれかまたはすべては、基板１５上に落下
すると、基板１５の表面１１、１３のいずれかまたは両
方の上にある材料を溶融（fuse）する傾向がある。この
ような例では、破片１４、１６、１８のいずれかまたは
すべては、焼結され、表面１１、１３のいずれかまたは
両方の上や、存在する可能性のあるあらゆるメタラジー
の上面に溶融したセラミックの粒子１４、１６、１８の
いずれかまたはすべてが付着する。この粒子１４、１
６、１８のいずれかまたはすべての融着は、メッキ、表
面実装など、焼結後の操作に重大な問題を生じる原因と
なる。粒子１４、１６、１８が融着した基板１５は、直
接製品の歩留りおよび製造コストに影響を与え、もちろ
ん不合格となる。
べては、種々の理由により表面１１および１３の上に付
着する。たとえば、ダイアモンド・ソーなどを使用して
グリーン積層物を切断することは、ＭＬＣ業界では通常
のことである。このような切断操作で、一般にセラミッ
クの破片が発生し、これらの破片は基板１５の表面１１
および１３の上面に落ち、付着する。このグリーン切断
工程では、グリーン・セラミック本体１５の高速切断の
ため、発生の瞬間には破片は高温である。このような破
片１４、１６、１８の温度は、発生する瞬間には、グリ
ーン・シート・スタック１０の重合体バインダのガラス
転移温度よりはるかに高い。したがって、破片１４、１
６、１８のいずれかまたはすべては、基板１５上に落下
すると、基板１５の表面１１、１３のいずれかまたは両
方の上にある材料を溶融（fuse）する傾向がある。この
ような例では、破片１４、１６、１８のいずれかまたは
すべては、焼結され、表面１１、１３のいずれかまたは
両方の上や、存在する可能性のあるあらゆるメタラジー
の上面に溶融したセラミックの粒子１４、１６、１８の
いずれかまたはすべてが付着する。この粒子１４、１
６、１８のいずれかまたはすべての融着は、メッキ、表
面実装など、焼結後の操作に重大な問題を生じる原因と
なる。粒子１４、１６、１８が融着した基板１５は、直
接製品の歩留りおよび製造コストに影響を与え、もちろ
ん不合格となる。
【００１７】次に図２および図３を参照すると、図２は
１枚または複数枚のセラミックのグリーン・シート２０
を有する、未焼結の基板２５を示す。図示するように、
少なくとも１枚のグリーン・シート２０、たとえば薄
い、または厚いセラミックのグリーン・シート２０は、
さらに１枚または複数枚の枠、すなわち非機能域２２
と、少なくとも１個の打ち抜き、メタライズ領域２６の
いずれかまたは両方が行われ、導電性材料２６を含むセ
ラミックのグリーン・シート２４に分割される。基板２
５はまた、メタライズされた領域２６の間に、非機能
域、メタライズされない領域２２のいずれかまたは両方
を含むことがある。メタライズされた領域２６はそれぞ
れ、類似の設計であっても異なる設計であってもよい。
グリーン・セラミック基板２５はまた、たとえば位置合
せ穴２８、位置合せマーク２９など、少なくとも１個の
フィーチャ２８、２９を含むものでもよい。メタライズ
された領域２６に形成されるパターンは、当業者には周
知のものである。
１枚または複数枚のセラミックのグリーン・シート２０
を有する、未焼結の基板２５を示す。図示するように、
少なくとも１枚のグリーン・シート２０、たとえば薄
い、または厚いセラミックのグリーン・シート２０は、
さらに１枚または複数枚の枠、すなわち非機能域２２
と、少なくとも１個の打ち抜き、メタライズ領域２６の
いずれかまたは両方が行われ、導電性材料２６を含むセ
ラミックのグリーン・シート２４に分割される。基板２
５はまた、メタライズされた領域２６の間に、非機能
域、メタライズされない領域２２のいずれかまたは両方
を含むことがある。メタライズされた領域２６はそれぞ
れ、類似の設計であっても異なる設計であってもよい。
グリーン・セラミック基板２５はまた、たとえば位置合
せ穴２８、位置合せマーク２９など、少なくとも１個の
フィーチャ２８、２９を含むものでもよい。メタライズ
された領域２６に形成されるパターンは、当業者には周
知のものである。
【００１８】図３は、図２の線３−３に沿った断面図
で、少なくとも１枚のメタライズ、位置合せ、積み重ね
または組み立てを行った後積層して未焼結基板２５とし
た、未焼結セラミック・グリーン・シート２０のスタッ
クを示す図である。基本的には、グリーン・シート２０
のスタックは、露出した表面２１および２３と、非メタ
ライズ域２２を有する少なくとも１枚のグリーン・シー
ト２４で構成される。グリーン・シート２０を積み重ね
た後、一軸積層など、従来の積層技術を用いて積層する
ことができる。
で、少なくとも１枚のメタライズ、位置合せ、積み重ね
または組み立てを行った後積層して未焼結基板２５とし
た、未焼結セラミック・グリーン・シート２０のスタッ
クを示す図である。基本的には、グリーン・シート２０
のスタックは、露出した表面２１および２３と、非メタ
ライズ域２２を有する少なくとも１枚のグリーン・シー
ト２４で構成される。グリーン・シート２０を積み重ね
た後、一軸積層など、従来の積層技術を用いて積層する
ことができる。
【００１９】図４は、破片１４、１６、１８のいずれか
またはすべての溶融に付随する問題を解消するために、
本発明の材料を使用する本発明の工程の、第１のステッ
プを示す。未焼結のグリーン・シート２５は、露出面２
１および２３を有し、メタライズされた領域２６を有
し、中間にメタライズされない領域２２があってもなく
てもよい、少なくとも１枚のグリーン・シート２５から
なる。次に、グリーン・シートのスタック２５を、少な
くとも１層の熱分解可能な重合体の上部保護層４１と、
少なくとも１層の熱分解可能な重合体の下部保護層４３
により保護する。後続の加工でどのような破片からもセ
ラミック・グリーン・シート２０を保護するため、上部
保護層４１と下部保護層４３の両方が、グリーン・シー
ト２０のメタライズされた領域２６の少なくとも一部分
を被覆することが好ましい。ほとんどの場合、枠または
メタライズされない領域２２上の破片は、基板２５の後
続の加工に致命的または有害ではないが、すべての表面
にどのような破片もないことが望ましい。
またはすべての溶融に付随する問題を解消するために、
本発明の材料を使用する本発明の工程の、第１のステッ
プを示す。未焼結のグリーン・シート２５は、露出面２
１および２３を有し、メタライズされた領域２６を有
し、中間にメタライズされない領域２２があってもなく
てもよい、少なくとも１枚のグリーン・シート２５から
なる。次に、グリーン・シートのスタック２５を、少な
くとも１層の熱分解可能な重合体の上部保護層４１と、
少なくとも１層の熱分解可能な重合体の下部保護層４３
により保護する。後続の加工でどのような破片からもセ
ラミック・グリーン・シート２０を保護するため、上部
保護層４１と下部保護層４３の両方が、グリーン・シー
ト２０のメタライズされた領域２６の少なくとも一部分
を被覆することが好ましい。ほとんどの場合、枠または
メタライズされない領域２２上の破片は、基板２５の後
続の加工に致命的または有害ではないが、すべての表面
にどのような破片もないことが望ましい。
【００２０】図５は、上部および下部保護層４１および
４３を有するスタックされたグリーン・シート２０の積
層構造５０を示す。上部保護層４１と下部保護層４３の
両方が、基板２５の表面２１および２３にそれぞれ密着
することにより、層４１と４３のいずれかまたは両方
が、セラミック・グリーン・シート２０のメタライズさ
れた領域２６からはく離せず、後続の加工でどのような
破片からもグリーン・シート２０を続けて保護すること
が好ましい。明らかにわかるように、保護層４１の上面
および保護層４３の下面は、積層後の操作で露出する。
４３を有するスタックされたグリーン・シート２０の積
層構造５０を示す。上部保護層４１と下部保護層４３の
両方が、基板２５の表面２１および２３にそれぞれ密着
することにより、層４１と４３のいずれかまたは両方
が、セラミック・グリーン・シート２０のメタライズさ
れた領域２６からはく離せず、後続の加工でどのような
破片からもグリーン・シート２０を続けて保護すること
が好ましい。明らかにわかるように、保護層４１の上面
および保護層４３の下面は、積層後の操作で露出する。
【００２１】図６は、積層物５０から得られた、グリー
ン・サイジングした基板６５を示す。積層物５０のグリ
ーン・サイジングの間、形成された破片および破片６
４、６６は、保護層４１と４３の表面上のいずれかまた
は両方の表面上に落下または付着した破片である。破片
６４と６６のいずれかまたは両方は、分解可能な保護層
４１と４３のいずれかまたは両方の表面上から、ブラッ
シング、スクレーピング、機械加工など、そのような機
械的手段によっても容易に除去できるようになる。しか
し、機械的手段によっても容易に除去できない破片６
４、６６も残り、どのような破片６４、６６も後続の焼
結サイクルの間に焼結されるか、付着したままになるこ
とがある。
ン・サイジングした基板６５を示す。積層物５０のグリ
ーン・サイジングの間、形成された破片および破片６
４、６６は、保護層４１と４３の表面上のいずれかまた
は両方の表面上に落下または付着した破片である。破片
６４と６６のいずれかまたは両方は、分解可能な保護層
４１と４３のいずれかまたは両方の表面上から、ブラッ
シング、スクレーピング、機械加工など、そのような機
械的手段によっても容易に除去できるようになる。しか
し、機械的手段によっても容易に除去できない破片６
４、６６も残り、どのような破片６４、６６も後続の焼
結サイクルの間に焼結されるか、付着したままになるこ
とがある。
【００２２】図７は、保護層４１と４３のいずれかまた
は両方が、炉での焼結サイクル中、およびセラミック基
板７５の高密度化のいずれかまたは両方の間に、熱分解
した後で得られた、焼結した基板７５を示す。メタライ
ズされない領域、すなわち枠２２は、焼結された領域７
２となり、この領域は後続の作業の間に除去しても、そ
のまま残してもよい。メタライズされた領域２６は、種
々の工程の間完全に保護されていたことがわかる。
は両方が、炉での焼結サイクル中、およびセラミック基
板７５の高密度化のいずれかまたは両方の間に、熱分解
した後で得られた、焼結した基板７５を示す。メタライ
ズされない領域、すなわち枠２２は、焼結された領域７
２となり、この領域は後続の作業の間に除去しても、そ
のまま残してもよい。メタライズされた領域２６は、種
々の工程の間完全に保護されていたことがわかる。
【００２３】グリーン・シート１０または２０の材料
は、いくつかを挙げれば、アルミナ、ガラス・フリット
をかけたアルミナ、ホウケイ酸ガラス、窒化アルミニウ
ム、セラミック、ガラス・セラミックを含む群から選択
することが好ましい。セラミック・スラリーおよびグリ
ーン・シート注型物の調製は、当業界で周知の方法によ
り行う。
は、いくつかを挙げれば、アルミナ、ガラス・フリット
をかけたアルミナ、ホウケイ酸ガラス、窒化アルミニウ
ム、セラミック、ガラス・セラミックを含む群から選択
することが好ましい。セラミック・スラリーおよびグリ
ーン・シート注型物の調製は、当業界で周知の方法によ
り行う。
【００２４】メタラジ・パターン２６をスクリーン印刷
するのに使用する導電性材料２６は、いくつかを挙げれ
ば、銅、モリブデン、ニッケル、タングステン、ガラス
・フリットを含む金属を含む群から選択することが好ま
しい。しかし、各種の層とフィーチャのいずれかまたは
両方に使用する導電性材料２６は、同一材料であっても
異なる材料であってもよい。導電性フィラー、重合体バ
インダ、および溶剤キャリアを含む導電性のスクリーン
印刷用材料、すなわちペースト２６は、当業界で周知の
方法により使用し、調製することができる。
するのに使用する導電性材料２６は、いくつかを挙げれ
ば、銅、モリブデン、ニッケル、タングステン、ガラス
・フリットを含む金属を含む群から選択することが好ま
しい。しかし、各種の層とフィーチャのいずれかまたは
両方に使用する導電性材料２６は、同一材料であっても
異なる材料であってもよい。導電性フィラー、重合体バ
インダ、および溶剤キャリアを含む導電性のスクリーン
印刷用材料、すなわちペースト２６は、当業界で周知の
方法により使用し、調製することができる。
【００２５】熱分解可能な上部および下部保護層４１、
４３のいずれかまたは両方を有する、組み立てられたグ
リーン・シート・スタック５０は、アイソスタティック
圧（isostatic pressure）、流体圧（hydrodynamic pre
ssure）、または液圧（hydrauric pressure）など、当
業界で周知の方法により、積層工程にかける。アイソス
タティック圧による積層の場合、図５に示すアセンブリ
をチェンバに移送し、チェンバに水、気体（空気または
窒素）などの流体を導入してアイソスタティック圧をか
けることができる。しかし、使用する流体がチェンバの
材料や内容物のいずれかまたは両方と反応したり、これ
らを劣化させたりしないように注意が必要である。この
ような方法および装置は、当業界で周知のものであり、
たとえば米国特許第５７４６８７４号および米国特許第
５７８５８００号明細書に記載されている。ある積層工
程では、アセンブリまたは装置をたとえば約７５℃に加
熱して、積層工程を容易にすることもできる。
４３のいずれかまたは両方を有する、組み立てられたグ
リーン・シート・スタック５０は、アイソスタティック
圧（isostatic pressure）、流体圧（hydrodynamic pre
ssure）、または液圧（hydrauric pressure）など、当
業界で周知の方法により、積層工程にかける。アイソス
タティック圧による積層の場合、図５に示すアセンブリ
をチェンバに移送し、チェンバに水、気体（空気または
窒素）などの流体を導入してアイソスタティック圧をか
けることができる。しかし、使用する流体がチェンバの
材料や内容物のいずれかまたは両方と反応したり、これ
らを劣化させたりしないように注意が必要である。この
ような方法および装置は、当業界で周知のものであり、
たとえば米国特許第５７４６８７４号および米国特許第
５７８５８００号明細書に記載されている。ある積層工
程では、アセンブリまたは装置をたとえば約７５℃に加
熱して、積層工程を容易にすることもできる。
【００２６】積層およびサイジング作業後、上部および
下部保護層４１、４３のいずれかまたは両方を有する、
積層された構造６５を焼結サイクルにかける。熱分解可
能な保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、焼結サ
イクルの初期、すなわち高密度化の開始前に解重合し、
燃焼し去る。
下部保護層４１、４３のいずれかまたは両方を有する、
積層された構造６５を焼結サイクルにかける。熱分解可
能な保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、焼結サ
イクルの初期、すなわち高密度化の開始前に解重合し、
燃焼し去る。
【００２７】熱分解可能な保護層４１、４３のいずれか
または両方の材料の選択は、本発明では非常に重要であ
る。保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、可撓性
があり、硬度が低く、成形可能で、ガラス転移温度が積
層温度より低い熱可塑性の性質を有するものが好まし
い。また、保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、
Ｅｂ（破断時伸び）が高く、積層時の圧力・温度条件で
グリーン・セラミック表面に接着するものが好ましい。
さらに分解可能な層４１、４３のいずれかまたは両方
は、約１１００℃、好ましくは約５５０度未満で熱によ
り完全に解重合し、炭素質の残渣やその他の有害な副産
物を残すことなく燃焼し去る低分子量の化合物を生成す
る必要がある。この分解可能な層４１、４３のいずれか
または両方はまた、積層中に粘り強く、引き裂きに強
く、すなわち、積層応力を分散し、均一な圧力分布を与
え、工程中にどのような変形も生じない必要がある。
または両方の材料の選択は、本発明では非常に重要であ
る。保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、可撓性
があり、硬度が低く、成形可能で、ガラス転移温度が積
層温度より低い熱可塑性の性質を有するものが好まし
い。また、保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、
Ｅｂ（破断時伸び）が高く、積層時の圧力・温度条件で
グリーン・セラミック表面に接着するものが好ましい。
さらに分解可能な層４１、４３のいずれかまたは両方
は、約１１００℃、好ましくは約５５０度未満で熱によ
り完全に解重合し、炭素質の残渣やその他の有害な副産
物を残すことなく燃焼し去る低分子量の化合物を生成す
る必要がある。この分解可能な層４１、４３のいずれか
または両方はまた、積層中に粘り強く、引き裂きに強
く、すなわち、積層応力を分散し、均一な圧力分布を与
え、工程中にどのような変形も生じない必要がある。
【００２８】本発明による保護および整合オーバーレイ
としての表面皮膜４１、４３のいずれかまたは両方に適
した重合体材料は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、アクリ
ル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イソブチル、メタク
リル酸フルオロブチルなどから誘導される単一重合体、
共重合体、三元重合体、またはこれらの重合体の物理的
混合物からなる、アクリル重合体から得られる熱可塑性
皮膜である。本発明による好ましい単一重合体、共重合
体、三元重合体、またはこれらの重合体の物理的混合物
のガラス転移温度（Ｔｇ）は約７０℃未満であり、引張
弾性係数は約３００〜約８００Ｎ／ｍｍ 2の範囲であ
る。保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、積層圧
力が約１７５ｋｇ／ｃｍ2（２５００ｐｓｉ）、積層温
度が約４５℃〜約９０℃といった、積層の温度および圧
力条件で裂けたり変形したりする問題がないように、引
張強さの高いものである必要がある。保護層４１、４３
のいずれかまたは両方は、熱膨張係数（ＴＣＥ）が約１
００〜約２００ｐｐｍ／℃であることが好ましい。ま
た、保護層４１、４３のいずれかまたは両方が、焼結工
程中に解重合し、焼結したセラミック中に炭素質の残渣
を残すことなく燃焼し去ることが好ましい。本発明によ
る保護および整合オーバーレイとしてのアクリル重合体
から得られる皮膜は部分硬化（Ｂステージ）または完全
硬化（Ｃステージ）した可撓性のある熱硬化性皮膜で、
積層条件でグリーン・シートに対する接着特性が優れ、
サイジングまたはダイシング作業中に飛散する破片が付
着しないよう、粘着性のない表面を有するものである。
としての表面皮膜４１、４３のいずれかまたは両方に適
した重合体材料は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、アクリ
ル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イソブチル、メタク
リル酸フルオロブチルなどから誘導される単一重合体、
共重合体、三元重合体、またはこれらの重合体の物理的
混合物からなる、アクリル重合体から得られる熱可塑性
皮膜である。本発明による好ましい単一重合体、共重合
体、三元重合体、またはこれらの重合体の物理的混合物
のガラス転移温度（Ｔｇ）は約７０℃未満であり、引張
弾性係数は約３００〜約８００Ｎ／ｍｍ 2の範囲であ
る。保護層４１、４３のいずれかまたは両方は、積層圧
力が約１７５ｋｇ／ｃｍ2（２５００ｐｓｉ）、積層温
度が約４５℃〜約９０℃といった、積層の温度および圧
力条件で裂けたり変形したりする問題がないように、引
張強さの高いものである必要がある。保護層４１、４３
のいずれかまたは両方は、熱膨張係数（ＴＣＥ）が約１
００〜約２００ｐｐｍ／℃であることが好ましい。ま
た、保護層４１、４３のいずれかまたは両方が、焼結工
程中に解重合し、焼結したセラミック中に炭素質の残渣
を残すことなく燃焼し去ることが好ましい。本発明によ
る保護および整合オーバーレイとしてのアクリル重合体
から得られる皮膜は部分硬化（Ｂステージ）または完全
硬化（Ｃステージ）した可撓性のある熱硬化性皮膜で、
積層条件でグリーン・シートに対する接着特性が優れ、
サイジングまたはダイシング作業中に飛散する破片が付
着しないよう、粘着性のない表面を有するものである。
【００２９】さらに、保護層４１、４３のいずれかまた
は両方の厚みも重要である。積層工程での歩留りを高
め、焼結炉での処理能力を高めるためには、熱分解可能
な層４１、４３のいずれかまたは両方の最大厚みは約
０．２５ｍｍ（１０ｍｉｌ）未満である必要がある。
は両方の厚みも重要である。積層工程での歩留りを高
め、焼結炉での処理能力を高めるためには、熱分解可能
な層４１、４３のいずれかまたは両方の最大厚みは約
０．２５ｍｍ（１０ｍｉｌ）未満である必要がある。
【００３０】熱による解重合可能な層４１、４３のいず
れかまたは両方に適した材料は、アクリル酸メチル、ア
クリル酸エチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブ
チル、アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イソブ
チル、メタクリル酸フルオロブチルなどの単量体または
これらの混合物から誘導される単一重合体、共重合体、
三元重合体、またはこれらの重合体の物理的混合物から
なる、アクリル重合体であることが理解されるだろう。
これらの中で、本発明の目的に有用な好ましい単一重合
体、共重合体、三元重合体、またはこれらの重合体の物
理的混合物は、Ｔｇが約７０℃未満、好ましくは約２５
℃〜約６５℃の範囲であり、引張弾性係数は約３００〜
約７００Ｎ／ｍｍ2の範囲、好ましくはで約３５０〜約
６５０Ｎ／ｍｍ2の範囲ある。
れかまたは両方に適した材料は、アクリル酸メチル、ア
クリル酸エチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブ
チル、アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イソブ
チル、メタクリル酸フルオロブチルなどの単量体または
これらの混合物から誘導される単一重合体、共重合体、
三元重合体、またはこれらの重合体の物理的混合物から
なる、アクリル重合体であることが理解されるだろう。
これらの中で、本発明の目的に有用な好ましい単一重合
体、共重合体、三元重合体、またはこれらの重合体の物
理的混合物は、Ｔｇが約７０℃未満、好ましくは約２５
℃〜約６５℃の範囲であり、引張弾性係数は約３００〜
約７００Ｎ／ｍｍ2の範囲、好ましくはで約３５０〜約
６５０Ｎ／ｍｍ2の範囲ある。
【００３１】本発明による熱可塑性アクリル重合体は、
下記の特異な性質を有する。 （ａ）高圧積層工程中にセラミック積層物への接着が、
サイジングおよびダイシング作業中維持され、セラミッ
クに優れた保護を与え、これによりセラミックの表面に
落下する飛散した破片が原因の欠陥による歩留りの低下
を減少させる。 （ｂ）高温で容易に解重合し、焼結工程の条件で、焼結
されたセラミック基板の表面に炭素質の残渣を残すこと
なく燃焼し去る。 （ｃ）アクリル重合体のオーバーレイは、接触するグリ
ーン・シートにペーストでスクリーン印刷したフィーチ
ャに悪影響を与えず、ペーストのにじみやはく離の問題
を生じない。 （ｄ）アクリル重合体の皮膜は前処理によりＢステージ
またはＣステージに硬化し、本発明による用途のためさ
らに溶剤処理を行う必要はない。 （ｅ）ＭＬＣ基板製造時の積層圧力・温度条件で、セラ
ミック・グリーン・シートに完全に整合する熱可塑性マ
スクを形成する。
下記の特異な性質を有する。 （ａ）高圧積層工程中にセラミック積層物への接着が、
サイジングおよびダイシング作業中維持され、セラミッ
クに優れた保護を与え、これによりセラミックの表面に
落下する飛散した破片が原因の欠陥による歩留りの低下
を減少させる。 （ｂ）高温で容易に解重合し、焼結工程の条件で、焼結
されたセラミック基板の表面に炭素質の残渣を残すこと
なく燃焼し去る。 （ｃ）アクリル重合体のオーバーレイは、接触するグリ
ーン・シートにペーストでスクリーン印刷したフィーチ
ャに悪影響を与えず、ペーストのにじみやはく離の問題
を生じない。 （ｄ）アクリル重合体の皮膜は前処理によりＢステージ
またはＣステージに硬化し、本発明による用途のためさ
らに溶剤処理を行う必要はない。 （ｅ）ＭＬＣ基板製造時の積層圧力・温度条件で、セラ
ミック・グリーン・シートに完全に整合する熱可塑性マ
スクを形成する。
【００３２】本発明によるアクリル単量体から誘導され
る代表的な単一重合体、共重合体、および三元重合体に
は、メタクリル酸エチル・アクリル酸メチル・メタクリ
ル酸ブチル共重合体、アクリル酸メチル・メタクリル酸
・メタクリル酸エチル共重合体、ポリメタクリル酸ブチ
ル、メタクリル酸エチル・メタクリル酸・メタクリル酸
ブチル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、アクリル酸
エチル・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共重合体な
どがある。
る代表的な単一重合体、共重合体、および三元重合体に
は、メタクリル酸エチル・アクリル酸メチル・メタクリ
ル酸ブチル共重合体、アクリル酸メチル・メタクリル酸
・メタクリル酸エチル共重合体、ポリメタクリル酸ブチ
ル、メタクリル酸エチル・メタクリル酸・メタクリル酸
ブチル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、アクリル酸
エチル・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共重合体な
どがある。
【００３３】アクリル重合体を主成分とする接着剤フィ
ルム、代表的にはデュポン（DuPont）から市販されてい
るタイプＱＬ接着剤シリーズ、パイララックス（Pyralu
x）製品ＬＦ０１００、ＬＦ０２００、および関連する
予備成形した重合体フィルムのシリーズが、本発明の目
的のための代表的な保護および整合用オーバーレイ・フ
ィルムであることが判明した。
ルム、代表的にはデュポン（DuPont）から市販されてい
るタイプＱＬ接着剤シリーズ、パイララックス（Pyralu
x）製品ＬＦ０１００、ＬＦ０２００、および関連する
予備成形した重合体フィルムのシリーズが、本発明の目
的のための代表的な保護および整合用オーバーレイ・フ
ィルムであることが判明した。
【００３４】
【実施例】下記の実施例は本発明をさらに説明するもの
であるが、いかなる形でも本発明の範囲を限定すること
を意図するものではない。
であるが、いかなる形でも本発明の範囲を限定すること
を意図するものではない。
【００３５】実施例１
本発明の方法により、欠陥のない表面メタラジー・フィ
ーチャを有するいくつかの多層セラミック構造のサンプ
ルを作製した。
ーチャを有するいくつかの多層セラミック構造のサンプ
ルを作製した。
【００３６】１サンプルで、メタライズされたセラミッ
ク層２４を含むスタックを積層枠（図示せず）中に置い
た。次に、厚み約２５〜５０μｍのアクリル酸重合体を
主成分とする熱可塑性接着剤フィルムＱＬ３５００をス
タックの上面および下面に付着させた。厚み約２５〜５
０μｍの保護接着剤熱可塑性フィルム４１、４３のいず
れかまたは両方を、デュポン（DuPont）から入手した
が、このフィルムは室温で約２００％の伸びを示すこと
がわかった。
ク層２４を含むスタックを積層枠（図示せず）中に置い
た。次に、厚み約２５〜５０μｍのアクリル酸重合体を
主成分とする熱可塑性接着剤フィルムＱＬ３５００をス
タックの上面および下面に付着させた。厚み約２５〜５
０μｍの保護接着剤熱可塑性フィルム４１、４３のいず
れかまたは両方を、デュポン（DuPont）から入手した
が、このフィルムは室温で約２００％の伸びを示すこと
がわかった。
【００３７】次にこのアセンブリを、厚み７５μｍのポ
リウレタンの袋（ショアＡスケールのジュロメータ硬度
３０）の中に置き、真空にしてヒートシールした。この
ポリウレタンの袋は、スティーブンス・ウレタン・フィ
ルム＆シート（Stevens Urethane Film & Sheet）から
入手した。この袋を内容物とともに、アイソスタティッ
ク・プレスを用いて、圧力約３５０ｋｇ／ｃｍ2、温度
約９０℃で積層した。
リウレタンの袋（ショアＡスケールのジュロメータ硬度
３０）の中に置き、真空にしてヒートシールした。この
ポリウレタンの袋は、スティーブンス・ウレタン・フィ
ルム＆シート（Stevens Urethane Film & Sheet）から
入手した。この袋を内容物とともに、アイソスタティッ
ク・プレスを用いて、圧力約３５０ｋｇ／ｃｍ2、温度
約９０℃で積層した。
【００３８】積層後、基板を袋から取り出し、検査し
た。保護接着剤フィルム４１および４３は、未焼結の基
板５０に良好に接着した表面保護フィルムを形成した。
有意に、基材表面の伸びまたは整合性と本来の性質によ
り、このような厳しい積層条件でも、ペーストのプルア
ウトやはく離は生じなかった。さらに、後続のサイジン
グ作業でも、保護接着剤フィルム４１および４３の上に
破片は付着しなかった。
た。保護接着剤フィルム４１および４３は、未焼結の基
板５０に良好に接着した表面保護フィルムを形成した。
有意に、基材表面の伸びまたは整合性と本来の性質によ
り、このような厳しい積層条件でも、ペーストのプルア
ウトやはく離は生じなかった。さらに、後続のサイジン
グ作業でも、保護接着剤フィルム４１および４３の上に
破片は付着しなかった。
【００３９】次にグリーン積層物５０を、当業界で周知
の方法により、焼結炉で焼結した。焼結サイクルの熱分
解およびバインダ除去の過程で、アクリル重合体保護層
４１，４３のいずれかまたは両方が、セラミック本体に
どのような残渣も残すことなく完全に分解し、セラミッ
ク基板７５に表面の損傷はなかった。Ｘ線光電子分光分
析（ＸＰＳ）により表面の分析を行ったところ、重合体
オーバーレイに起因するどのような炭素残渣も見られな
かった。また、炭素残渣を検査するために、Ｌｅｃｏ炭
素分析を行ったが、どのような外部からの残渣の形跡も
見られなかった。
の方法により、焼結炉で焼結した。焼結サイクルの熱分
解およびバインダ除去の過程で、アクリル重合体保護層
４１，４３のいずれかまたは両方が、セラミック本体に
どのような残渣も残すことなく完全に分解し、セラミッ
ク基板７５に表面の損傷はなかった。Ｘ線光電子分光分
析（ＸＰＳ）により表面の分析を行ったところ、重合体
オーバーレイに起因するどのような炭素残渣も見られな
かった。また、炭素残渣を検査するために、Ｌｅｃｏ炭
素分析を行ったが、どのような外部からの残渣の形跡も
見られなかった。
【００４０】比較例２
他の組の、セラミック層スタック２５のアセンブリのサ
ンプルを実施例１の方法により積層した。ただし、熱解
重合する表面層は使用しなかった。これらのサンプルは
埋め込まれた表面破片や密着したグリーン・サイジング
の破片を有し、袋の材料や積層板に大量のペーストやセ
ラミックの転着を示した。このことは、犠牲保護界面層
４１、４３のいずれかまたは両方と、本発明の方法が必
要であることを示した。
ンプルを実施例１の方法により積層した。ただし、熱解
重合する表面層は使用しなかった。これらのサンプルは
埋め込まれた表面破片や密着したグリーン・サイジング
の破片を有し、袋の材料や積層板に大量のペーストやセ
ラミックの転着を示した。このことは、犠牲保護界面層
４１、４３のいずれかまたは両方と、本発明の方法が必
要であることを示した。
【００４１】実施例３
他のシリーズのサンプルでは、他の種類のアクリル酸重
合体を主成分とする熱分解可能な表面フィルム、すなわ
ち一群のパイララックス（Pyralux）製品としてデュポ
ン（DuPont）から市販されている厚み２５〜５０μｍの
ＬＦ０１００、ＬＦ０２００フィルムを使用した。基本
的には、実施例１で説明したように、メタライズされた
セラミック層のアセンブリを積み重ね、積層枠中に置い
た。
合体を主成分とする熱分解可能な表面フィルム、すなわ
ち一群のパイララックス（Pyralux）製品としてデュポ
ン（DuPont）から市販されている厚み２５〜５０μｍの
ＬＦ０１００、ＬＦ０２００フィルムを使用した。基本
的には、実施例１で説明したように、メタライズされた
セラミック層のアセンブリを積み重ね、積層枠中に置い
た。
【００４２】他に試験したアクリル酸重合体から誘導さ
れた熱解重合可能／分解可能なフィルムは、アクリル系
単量体から誘導される単一重合体、共重合体、三元重合
体、またはこれらの物理的混合物から作製した。これら
の分解可能な熱可塑性フィルムに望ましい特性には、厚
みが約２５μｍないし約１２５μｍの範囲であること、
伸びが１５０％〜約５５０％であること、および弾性係
数が約０．３ＧＰａであることが挙げられる。
れた熱解重合可能／分解可能なフィルムは、アクリル系
単量体から誘導される単一重合体、共重合体、三元重合
体、またはこれらの物理的混合物から作製した。これら
の分解可能な熱可塑性フィルムに望ましい特性には、厚
みが約２５μｍないし約１２５μｍの範囲であること、
伸びが１５０％〜約５５０％であること、および弾性係
数が約０．３ＧＰａであることが挙げられる。
【００４３】他の組み立ておよび手順は実施例１で説明
したとおりである。この場合にも、メタラジー・フィー
チャ上には溶融した破片の形跡はなく、ペーストのプル
アウトやはく離も見られず、接着した表面フィルムがス
クリーン印刷したフィーチャおよびセラミックを保護す
ることが示された。また、熱解重合可能／分解可能な層
またはフィルムはすべて、後続の焼結作業中に残渣を生
じなかった。
したとおりである。この場合にも、メタラジー・フィー
チャ上には溶融した破片の形跡はなく、ペーストのプル
アウトやはく離も見られず、接着した表面フィルムがス
クリーン印刷したフィーチャおよびセラミックを保護す
ることが示された。また、熱解重合可能／分解可能な層
またはフィルムはすべて、後続の焼結作業中に残渣を生
じなかった。
【００４４】実施例４
この実施例では、積層圧力を液圧プレスから供給した以
外は、実施例１と同様の方法で、保護層４１、４３のい
ずれかまたは両方を有するセラミック層のアセンブリを
積み重ね、積層した。積層は圧力約３１５ｋｇ／ｃ
ｍ2、温度約７５度で行った。積層構造を検査したとこ
ろ、積層作業中も、後続のグリーン・サイジング作業中
も、スクリーン・プリンティングしたフィーチャおよび
セラミックは接着した表面フィルム４１、４３のいずれ
かまたは両方により保護されることが示された。
外は、実施例１と同様の方法で、保護層４１、４３のい
ずれかまたは両方を有するセラミック層のアセンブリを
積み重ね、積層した。積層は圧力約３１５ｋｇ／ｃ
ｍ2、温度約７５度で行った。積層構造を検査したとこ
ろ、積層作業中も、後続のグリーン・サイジング作業中
も、スクリーン・プリンティングしたフィーチャおよび
セラミックは接着した表面フィルム４１、４３のいずれ
かまたは両方により保護されることが示された。
【００４５】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００４６】（１）無欠陥表面フィーチャを有する未焼
結構造体を保護する方法であって、（ａ）前記未焼結構
造体上の前記表面フィーチャの上に、熱解重合可能／分
解可能な層を置くステップであって、前記熱解重合可能
／分解可能な層が、積層の間に前記未焼結構造体の少な
くとも一部分と、前記未焼結構造体上の前記表面フィー
チャの少なくとも一部分に熱接着可能であり、かつ以後
の焼結の間に炭素質の残渣を残さずに熱分解可能である
という特徴を有するステップと、（ｂ）前記熱解重合可
能／分解可能な層の少なくとも一部分が、前記表面フィ
ーチャおよび前記未焼結構造体の表面トポロジーの少な
くとも一部分と整合するように、前記熱解重合可能／分
解可能な層に圧力を加えるステップであって、前記熱解
重合可能／分解可能な層の少なくとも一部分が、前記未
焼結構造体の表面の少なくとも一部分に密着し、それに
より前記未焼結構造体を保護するステップとを含む方
法。 （２）前記未焼結構造体が半導体基板である、上記
（１）に記載の方法。 （３）前記未焼結構造体が半導体基板であり、前記基板
がセラミック基板、多層セラミック基板、およびガラス
・セラミック基板からなる群から選択されたものであ
る、上記（１）に記載の方法。 （４）前記未焼結構造体が少なくとも２枚のセラミック
・グリーン・シートからなり、圧力を加えると前記少な
くとも２枚のセラミック・グリーン・シートが積層され
る、上記（１）に記載の方法。 （５）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ホモポリマ
ー、共重合体、三元重合体およびこれらの混合物を含む
アクリル重合体から誘導される、上記（１）に記載の方
法。 （６）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ならびにメ
タクリル酸アルキル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
エチル、アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イソ
ブチル、およびメタクリル酸フルオロブチルの単量体の
ホモポリマー、共重合体、三元重合体およびこれらの混
合物を含むアクリル重合体から誘導される、上記（１）
に記載の方法。 （７）前記熱解重合可能／分解可能な層の材料が、メタ
クリル酸エチル・アクリル酸メチル・メタクリル酸ブチ
ル共重合体、アクリル酸メチル・メタクリル酸・メタク
リル酸エチル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、アク
リル酸エチル・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共重
合体からなる群から選択される、上記（１）に記載の方
法。 （８）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ＱＬ３５０
０接着フィルムおよびデュポン・パイララックス・シリ
ーズのフィルムＬＦ０１００、ＬＦ０２００、およびＦ
Ｒ０２００からなる群から選択される、上記（５）に記
載の方法。 （９）前記加えられる積層圧力が、約１７５ｋｇ／ｃｍ
2（約２５００ｐｓｉ）未満である、上記（１）に記載
の方法。 （１０）前記加えられる積層圧力が、約１７５ｋｇ／ｃ
ｍ2（約２５００ｐｓｉ）を超える、上記（１）に記載
の方法。 （１１）前記圧力を加えるステップが、アイソスタティ
ック圧、流体圧、および液圧からなる群から選択され
る、上記（１）に記載の方法。 （１２）前記未焼結構造体および前記熱解重合可能／分
解可能な層が、エンクロージャの内側にある、上記
（１）に記載の方法。 （１３）圧力を加える前に、前記エンクロージャを排気
して、前記エンクロージャがつぶれて、前記未焼結構造
体および前記熱解重合可能／分解可能な層に整合するス
テップをさらに含む、上記（１２）に記載の方法。 （１４）前記熱解重合可能／分解可能な層が、可撓性で
成形可能であり、ガラス転移温度が約７５℃未満で、破
断時伸び（％Ｅｂ）が約１５０％を超える、上記（１）
に記載の方法。 （１５）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有する、上
記（１）に記載の方法。 （１６）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有し、前記
位置合せ穴が、前記未焼結構造体を位置合せピンに位置
合せするのに使用される、上記（１）に記載の方法。 （１７）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有す
る、上記（１）に記載の方法。 （１８）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有し、
前記位置合せマークが、前記未焼結構造体を位置合せピ
ンに位置合せするのに使用される、上記（１）に記載の
方法。 （１９）前記未焼結構造体および前記熱解重合可能／分
解可能な層に焼結プロセスを施す、上記（１）に記載の
方法。 （２０）前記未焼結構造体および前記少なくとも１層の
熱解重合可能／分解可能な層に焼結プロセスを施し、前
記プロセスが完了すると、前記熱解重合可能／分解可能
な層からの残渣を含有しない焼結構造体が得られる、上
記（１）に記載の方法。 （２１）前記未焼結構造体が、アルミナ、ガラス・フリ
ットを含むアルミナ、ホウケイ酸ガラス、窒化アルミニ
ウム、セラミック、およびガラス・セラミックからなる
群から選択される材料を含む、上記（１）に記載の方
法。 （２２）前記表面フィーチャの材料が、銅、モリブデ
ン、ニッケル、タングステン、ガラス・フリットを含む
金属、導電性フィラー、および導電性重合体からなる群
から選択される、上記（１）に記載の方法。 （２３）メタライズされたフィーチャを有する半導体基
板と、前記半導体基板の上に付着された、熱解重合可能
／分解可能な層を含む、未焼結構造体。 （２４）前記半導体基板が、セラミック基板、多層セラ
ミック基板、およびガラス・セラミック基板からなる群
から選択される、上記（２３）に記載の未焼結構造体。 （２５）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ホモポリ
マー、共重合体、三元重合体およびこれらの混合物を含
むアクリル重合体から誘導される、上記（２３）に記載
の未焼結構造体。 （２６）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ならびに
メタクリル酸アルキル、アクリル酸エチル、メタクリル
酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イ
ソブチル、およびメタクリル酸フルオロブチルの単量体
のホモポリマー、共重合体、三元重合体およびこれらの
混合物を含むアクリル重合体から誘導される、上記（２
３）に記載の未焼結構造体。 （２７）前記熱解重合可能／分解可能な層の材料が、メ
タクリル酸エチル・アクリル酸メチル・メタクリル酸ブ
チル共重合体、アクリル酸メチル・メタクリル酸・メタ
クリル酸エチル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、ア
クリル酸エチル・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共
重合体からなる群から選択される、上記（２３）に記載
の未焼結構造体。 （２８）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ＱＬ３５
００接着フィルムおよびデュポン・パイララックス・シ
リーズのフィルムＬＦ０１００、ＬＦ０２００、および
ＦＲ０２００からなる群から選択される、上記（２３）
に記載の未焼結構造体。 （２９）前記熱解重合可能／分解可能な層が、可撓性で
成形可能であり、ガラス転移温度が約７５℃未満で、破
断時伸び（％Ｅｂ）が約１５０％を超える、上記（２
３）に記載の未焼結構造体。 （３０）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有する、上
記（２３）に記載の未焼結構造体。 （３１）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有し、前記
位置合せ穴が、前記未焼結構造体を位置合せピンに位置
合せするのに使用される、上記（２３）に記載の未焼結
構造体。 （３２）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有す
る、上記（２３）に記載の未焼結構造体。 （３３）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有し、
前記位置合せマークが、前記未焼結構造体を位置合せピ
ンに位置合せするのに使用される、上記（２３）に記載
の未焼結構造体。 （３４）前記未焼結構造体が、アルミナ、ガラス・フリ
ットを含むアルミナ、ホウケイ酸ガラス、窒化アルミニ
ウム、セラミック、およびガラス・セラミックからなる
群から選択される材料を含む、上記（２３）に記載の未
焼結構造体。 （３５）前記表面フィーチャの材料が、銅、モリブデ
ン、ニッケル、タングステン、ガラス・フリットを含む
金属、導電性フィラー、および導電性重合体からなる群
から選択される、上記（２３）に記載の未焼結構造体。
結構造体を保護する方法であって、（ａ）前記未焼結構
造体上の前記表面フィーチャの上に、熱解重合可能／分
解可能な層を置くステップであって、前記熱解重合可能
／分解可能な層が、積層の間に前記未焼結構造体の少な
くとも一部分と、前記未焼結構造体上の前記表面フィー
チャの少なくとも一部分に熱接着可能であり、かつ以後
の焼結の間に炭素質の残渣を残さずに熱分解可能である
という特徴を有するステップと、（ｂ）前記熱解重合可
能／分解可能な層の少なくとも一部分が、前記表面フィ
ーチャおよび前記未焼結構造体の表面トポロジーの少な
くとも一部分と整合するように、前記熱解重合可能／分
解可能な層に圧力を加えるステップであって、前記熱解
重合可能／分解可能な層の少なくとも一部分が、前記未
焼結構造体の表面の少なくとも一部分に密着し、それに
より前記未焼結構造体を保護するステップとを含む方
法。 （２）前記未焼結構造体が半導体基板である、上記
（１）に記載の方法。 （３）前記未焼結構造体が半導体基板であり、前記基板
がセラミック基板、多層セラミック基板、およびガラス
・セラミック基板からなる群から選択されたものであ
る、上記（１）に記載の方法。 （４）前記未焼結構造体が少なくとも２枚のセラミック
・グリーン・シートからなり、圧力を加えると前記少な
くとも２枚のセラミック・グリーン・シートが積層され
る、上記（１）に記載の方法。 （５）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ホモポリマ
ー、共重合体、三元重合体およびこれらの混合物を含む
アクリル重合体から誘導される、上記（１）に記載の方
法。 （６）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ならびにメ
タクリル酸アルキル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
エチル、アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イソ
ブチル、およびメタクリル酸フルオロブチルの単量体の
ホモポリマー、共重合体、三元重合体およびこれらの混
合物を含むアクリル重合体から誘導される、上記（１）
に記載の方法。 （７）前記熱解重合可能／分解可能な層の材料が、メタ
クリル酸エチル・アクリル酸メチル・メタクリル酸ブチ
ル共重合体、アクリル酸メチル・メタクリル酸・メタク
リル酸エチル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、アク
リル酸エチル・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共重
合体からなる群から選択される、上記（１）に記載の方
法。 （８）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ＱＬ３５０
０接着フィルムおよびデュポン・パイララックス・シリ
ーズのフィルムＬＦ０１００、ＬＦ０２００、およびＦ
Ｒ０２００からなる群から選択される、上記（５）に記
載の方法。 （９）前記加えられる積層圧力が、約１７５ｋｇ／ｃｍ
2（約２５００ｐｓｉ）未満である、上記（１）に記載
の方法。 （１０）前記加えられる積層圧力が、約１７５ｋｇ／ｃ
ｍ2（約２５００ｐｓｉ）を超える、上記（１）に記載
の方法。 （１１）前記圧力を加えるステップが、アイソスタティ
ック圧、流体圧、および液圧からなる群から選択され
る、上記（１）に記載の方法。 （１２）前記未焼結構造体および前記熱解重合可能／分
解可能な層が、エンクロージャの内側にある、上記
（１）に記載の方法。 （１３）圧力を加える前に、前記エンクロージャを排気
して、前記エンクロージャがつぶれて、前記未焼結構造
体および前記熱解重合可能／分解可能な層に整合するス
テップをさらに含む、上記（１２）に記載の方法。 （１４）前記熱解重合可能／分解可能な層が、可撓性で
成形可能であり、ガラス転移温度が約７５℃未満で、破
断時伸び（％Ｅｂ）が約１５０％を超える、上記（１）
に記載の方法。 （１５）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有する、上
記（１）に記載の方法。 （１６）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有し、前記
位置合せ穴が、前記未焼結構造体を位置合せピンに位置
合せするのに使用される、上記（１）に記載の方法。 （１７）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有す
る、上記（１）に記載の方法。 （１８）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有し、
前記位置合せマークが、前記未焼結構造体を位置合せピ
ンに位置合せするのに使用される、上記（１）に記載の
方法。 （１９）前記未焼結構造体および前記熱解重合可能／分
解可能な層に焼結プロセスを施す、上記（１）に記載の
方法。 （２０）前記未焼結構造体および前記少なくとも１層の
熱解重合可能／分解可能な層に焼結プロセスを施し、前
記プロセスが完了すると、前記熱解重合可能／分解可能
な層からの残渣を含有しない焼結構造体が得られる、上
記（１）に記載の方法。 （２１）前記未焼結構造体が、アルミナ、ガラス・フリ
ットを含むアルミナ、ホウケイ酸ガラス、窒化アルミニ
ウム、セラミック、およびガラス・セラミックからなる
群から選択される材料を含む、上記（１）に記載の方
法。 （２２）前記表面フィーチャの材料が、銅、モリブデ
ン、ニッケル、タングステン、ガラス・フリットを含む
金属、導電性フィラー、および導電性重合体からなる群
から選択される、上記（１）に記載の方法。 （２３）メタライズされたフィーチャを有する半導体基
板と、前記半導体基板の上に付着された、熱解重合可能
／分解可能な層を含む、未焼結構造体。 （２４）前記半導体基板が、セラミック基板、多層セラ
ミック基板、およびガラス・セラミック基板からなる群
から選択される、上記（２３）に記載の未焼結構造体。 （２５）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ホモポリ
マー、共重合体、三元重合体およびこれらの混合物を含
むアクリル重合体から誘導される、上記（２３）に記載
の未焼結構造体。 （２６）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ならびに
メタクリル酸アルキル、アクリル酸エチル、メタクリル
酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸イ
ソブチル、およびメタクリル酸フルオロブチルの単量体
のホモポリマー、共重合体、三元重合体およびこれらの
混合物を含むアクリル重合体から誘導される、上記（２
３）に記載の未焼結構造体。 （２７）前記熱解重合可能／分解可能な層の材料が、メ
タクリル酸エチル・アクリル酸メチル・メタクリル酸ブ
チル共重合体、アクリル酸メチル・メタクリル酸・メタ
クリル酸エチル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、ア
クリル酸エチル・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共
重合体からなる群から選択される、上記（２３）に記載
の未焼結構造体。 （２８）前記熱解重合可能／分解可能な層が、ＱＬ３５
００接着フィルムおよびデュポン・パイララックス・シ
リーズのフィルムＬＦ０１００、ＬＦ０２００、および
ＦＲ０２００からなる群から選択される、上記（２３）
に記載の未焼結構造体。 （２９）前記熱解重合可能／分解可能な層が、可撓性で
成形可能であり、ガラス転移温度が約７５℃未満で、破
断時伸び（％Ｅｂ）が約１５０％を超える、上記（２
３）に記載の未焼結構造体。 （３０）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有する、上
記（２３）に記載の未焼結構造体。 （３１）前記未焼結構造体が、位置合せ穴を有し、前記
位置合せ穴が、前記未焼結構造体を位置合せピンに位置
合せするのに使用される、上記（２３）に記載の未焼結
構造体。 （３２）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有す
る、上記（２３）に記載の未焼結構造体。 （３３）前記未焼結構造体が、位置合せマークを有し、
前記位置合せマークが、前記未焼結構造体を位置合せピ
ンに位置合せするのに使用される、上記（２３）に記載
の未焼結構造体。 （３４）前記未焼結構造体が、アルミナ、ガラス・フリ
ットを含むアルミナ、ホウケイ酸ガラス、窒化アルミニ
ウム、セラミック、およびガラス・セラミックからなる
群から選択される材料を含む、上記（２３）に記載の未
焼結構造体。 （３５）前記表面フィーチャの材料が、銅、モリブデ
ン、ニッケル、タングステン、ガラス・フリットを含む
金属、導電性フィラー、および導電性重合体からなる群
から選択される、上記（２３）に記載の未焼結構造体。
【図１】加工中に異物が融着した未焼結グリーン・セラ
ミック積層物を示す概略断面図である。
ミック積層物を示す概略断面図である。
【図２】打ち抜きおよびスクリーン・プリンティングに
より形成した複数の基板パターンを有する、複数の未焼
結セラミック・グリーン・シートを示す平面図である。
より形成した複数の基板パターンを有する、複数の未焼
結セラミック・グリーン・シートを示す平面図である。
【図３】メタライズ、積み重ねまたは組立て、位置合
せ、および積層を行った、未焼結セラミック・グリーン
・シートのスタックを示す、図２の線３−３に沿った断
面図である。
せ、および積層を行った、未焼結セラミック・グリーン
・シートのスタックを示す、図２の線３−３に沿った断
面図である。
【図４】本発明による積層保護層がセラミック・グリー
ン・シートのスタック上に置かれた本発明の実施の形態
を示す断面図である。
ン・シートのスタック上に置かれた本発明の実施の形態
を示す断面図である。
【図５】グリーン・セラミック積層物に、薄い積層保護
層が積層された、本発明の実施の形態を示す断面図であ
る。
層が積層された、本発明の実施の形態を示す断面図であ
る。
【図６】加工中に発生する異物から、焼結前のグリーン
・セラミック積層物を保護する、本発明の実施の形態を
示す断面図である。
・セラミック積層物を保護する、本発明の実施の形態を
示す断面図である。
【図７】本発明の材料および本発明の方法によって異物
の融着による欠陥が除去された、焼結後のセラミック基
板を示す断面図である。
の融着による欠陥が除去された、焼結後のセラミック基
板を示す断面図である。
１０ シート
１１ シート上面
１２ 枠状部
１３ シート下面
１４ 異物
１６ 異物
１８ 異物
１５ 未焼結基板
２０ グリーン・シート
２１ グリーン・シート上面
２３ グリーン・シート上面
２２ 枠状部 非機能域
２４ グリーン・シート
２５ 未焼結基板
２６ 機能域
２８ 位置合せ穴
２９ 位置合せマーク
４１ 熱分解する上部保護層
４３ 熱分解する下部保護層
５０ 積層物
６４ 異物
６６ 異物
６５ グリーン・サイズ基板
７５ 焼結した基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 リチャード・エフ・インディク
アメリカ合衆国12590 ニューヨーク州
ワッピンガーズ・フォールズ ブレイ・
ファーム・レーン ９ アール・ディ
ー・ナンバー３
(72)発明者 ヴィンセント・ピー・ピーターソン
アメリカ合衆国12603 ニューヨーク州
ポーキープシー タマラック・ヒル・ド
ライブ 55
(72)発明者 クリシュナ・ジー・サチデヴ
アメリカ合衆国12533 ニューヨーク州
ホープウェル・ジャンクション ファー
ビュー・ドライブ 23
(56)参考文献 特開 平10−70210（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−12894（ＪＰ，Ａ)
特公 平５−77483（ＪＰ，Ｂ２)
米国特許5746874（ＵＳ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/622
B28B 11/00 - 11/22
H05K 3/46
Claims (18)
- 【請求項１】未焼結のセラミック構造体の切断工程にお
いて、前記セラミック構造体の表面を保護する方法であ
って （ａ）前記セラミック構造体の表面上に、前記セラミッ
ク構造体の燒結によって炭素質の残渣を残さずに熱分解
可能な、アクリルホモポリマー、アクリル共重合体、ア
クリル三元重合体およびこれらの混合物から選ばれるア
クリル重合体フィルムを置くステップと、 （ｂ）前記未燒結のセラミック構造体の積層工程におい
て、該積層のための圧力及び温度で、前記フィルムを前
記セラミック構造体の表面の少なくとも一部分に密着さ
せ、 （ｃ）前記密着されたフィルムにより、切断工程におい
て前記未燒結のセラミック構造体を保護するステップと
を含む方法。 - 【請求項２】前記セラミック構造体が半導体基板であ
る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】前記半導体基板がセラミック基板、多層セ
ラミック基板、およびガラス・セラミック基板からなる
群から選択されたものである、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】前記未燒結のセラミック構造体が少なくと
も２枚のセラミック・グリーン・シートからなり、前記
積層工程において圧力を加えると前記少なくとも２枚の
セラミック・グリーン・シートが積層される、請求項１
〜３のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】前記アクリル重合体が、アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル
酸、メタクリル酸、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸
イソブチル、およびメタクリル酸フルオロブチルからな
る群より選択される単量体から誘導されるホモポリマ
ー、共重合体、三元重合体又はこれらの混合物である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】前記アクリル重合体が、メタクリル酸エチ
ル・アクリル酸メチル・メタクリル酸ブチル共重合体、
アクリル酸メチル・メタクリル酸・メタクリル酸エチル
共重合体、ポリメタクリル酸エチル、アクリル酸エチル
・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共重合体及びこれ
らの混合物からなる群から選択される、請求項５記載の
方法。 - 【請求項７】ステップ（ａ）の後に前記未燒結のセラミ
ック構造体および前記アクリル重合体フィルムが、袋の
中に置かれるステップをさらに含む、請求項１に記載の
方法。 - 【請求項８】ステップ（ｂ）において圧力を加える前
に、袋の中を真空にして、前記袋をつぶして、前記アク
リル重合体フィルムを前記未燒結のセラミック構造体に
密着させるステップをさらに含む、請求項７に記載の方
法。 - 【請求項９】前記アクリル重合体フィルムが、可撓性で
成形可能であり、ガラス転移温度が約７５℃未満で、破
断時伸び（％Ｅｂ）が約１５０％を超える、請求項１〜
８のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１０】前記未燒結のセラミック構造体および前
記アクリル重合体フィルムに焼結プロセスを施すステッ
プをさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の
方法。 - 【請求項１１】前記未燒結のセラミック構造体および前
記アクリル重合体フィルムに焼結プロセスを施し、前記
焼結プロセスが完了すると、アクリル重合体フィルムか
らの残渣を含有しない焼結構造体が得られる、請求項１
０に記載の方法。 - 【請求項１２】前記未燒結のセラミック構造体が、アル
ミナ、ガラス・フリットを含むアルミナ、ホウケイ酸ガ
ラス、窒化アルミニウム、セラミック、およびガラス・
セラミックからなる群から選択される材料を含む、請求
項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１３】前記半導体基板が、銅、モリブデン、ニ
ッケル、タングステン、ガラス・フリットを含む金属、
導電性フィラー、および導電性重合体からなる群から選
択される材料からなるメタラジ・パターンを有する、請
求項２または３に記載の方法。 - 【請求項１４】ガラス転移温度２５℃〜６５℃を有し、
燒結工程において残渣を残すことなく燃焼するアクリル
重合体フィルムが、上又は上及び下に付着された未燒結
のセラミック構造体。 - 【請求項１５】前記アクリル重合体が、メタクリル酸エ
チル・アクリル酸メチル・メタクリル酸ブチル共重合
体、アクリル酸メチル・メタクリル酸・メタクリル酸エ
チル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、アクリル酸エ
チル・メタクリル酸エチル・メタクリル酸共重合体及び
これらの混合物からなる群から選択される請求項１４に
記載の未燒結のセラミック構造体。 - 【請求項１６】前記アクリル重合体フィルムの破断時伸
び（％Ｅｂ）が１５０％を超える、請求項１４または１
５に記載の未燒結のセラミック構造体。 - 【請求項１７】前記未燒結のセラミック構造体が、アル
ミナ、ガラス・フリットを含むアルミナ、ホウケイ酸ガ
ラス、窒化アルミニウム、セラミック、およびガラス・
セラミックからなる群から選択される材料を含む、請求
項１４〜１６のいずれか１項に記載の未燒結のセラミッ
ク構造体。 - 【請求項１８】前記未燒結のセラミック構造体が、銅、
モリブデン、ニッケル、タングステン、ガラス・フリッ
トを含む金属、導電性フィラー、および導電性重合体か
らなる群から選択される材料からなるメタラジ・パター
ンを含む、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の未
燒結のセラミック構造体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/302943 | 1999-04-30 | ||
| US09/302,943 US6261927B1 (en) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Method of forming defect-free ceramic structures using thermally depolymerizable surface layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001002475A JP2001002475A (ja) | 2001-01-09 |
| JP3470959B2 true JP3470959B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=23169916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000131371A Expired - Fee Related JP3470959B2 (ja) | 1999-04-30 | 2000-04-28 | セラミック構造体およびその形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6261927B1 (ja) |
| JP (1) | JP3470959B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551845B1 (en) * | 1996-01-02 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Method of temporarily securing a die to a burn-in carrier |
| US6458630B1 (en) * | 1999-10-14 | 2002-10-01 | International Business Machines Corporation | Antifuse for use with low k dielectric foam insulators |
| DE10113361A1 (de) * | 2001-03-20 | 2002-09-26 | Andreas Roosen | Verfahren zur Verbindung keramischer Grünkörper unter Verwendung eines Transfertapes und Überführung dieser verklebten Grünkörper in einen Keramikkörper |
| JP3860515B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2006-12-20 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
| AU2003286496A1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-05-04 | The Regents Of The University Of California | Isostatic pressure assisted wafer bonding method |
| JPWO2004049356A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2006-03-30 | 日本カーバイド工業株式会社 | セラミックパッケージ及びチップ抵抗器並びにそれらの製造方法 |
| US20060182939A1 (en) * | 2005-02-11 | 2006-08-17 | Motorola, Inc. | Method and arrangement forming a solder mask on a ceramic module |
| US20070113950A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for providing uniaxial load distribution for laminate layers of multilayer ceramic chip carriers |
| DE102007005341A1 (de) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements |
| US7915082B2 (en) * | 2008-10-23 | 2011-03-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device |
| JP2011018669A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Nitto Denko Corp | 半導体ウェハダイシング用粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体ウェハのダイシング方法 |
| DE102009029485A1 (de) * | 2009-09-15 | 2011-03-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Keramikbauteils, Keramikbauteil und Bauteilanordnung |
| CN111095489B (zh) * | 2017-09-12 | 2023-11-28 | 日本碍子株式会社 | 芯片部件的制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167491A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | 株式会社東芝 | 導体路形成方法 |
| JPH083913B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1996-01-17 | キヤノン株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH0212894A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミック配線基板の裁断方法 |
| US5070302A (en) * | 1989-09-05 | 1991-12-03 | Eastman Kodak Company | Capacitance probe for measuring a width of a clearance between parts |
| US5073180A (en) * | 1991-03-20 | 1991-12-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming sealed co-fired glass ceramic structures |
| US5521427A (en) * | 1992-12-18 | 1996-05-28 | Lsi Logic Corporation | Printed wiring board mounted semiconductor device having leadframe with alignment feature |
| JPH07253311A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | パターン検査装置の較正方法、パターン検査方法、パターン位置決定方法、および半導体装置の製造方法 |
| US5746874A (en) | 1995-09-29 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for forming cavity substrates using flexible preform insert |
| JPH09130873A (ja) | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 送受信回路 |
| US5785800A (en) * | 1996-06-21 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | Apparatus for forming cavity structures using thermally decomposable surface layer |
| EP0834598A1 (en) * | 1996-10-07 | 1998-04-08 | Shipley Company LLC | Selective metallization of three dimensional objects |
| US5923115A (en) * | 1996-11-22 | 1999-07-13 | Acuson Corporation | Low mass in the acoustic path flexible circuit interconnect and method of manufacture thereof |
| US6143451A (en) * | 1996-11-26 | 2000-11-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Imaged laserable assemblages and associated processes with high speed and durable image-transfer characteristics for laser-induced thermal transfer |
| US6159497A (en) * | 1998-10-30 | 2000-12-12 | Noven Pharmaceuticals, Inc. | Patch applicator |
-
1999
- 1999-04-30 US US09/302,943 patent/US6261927B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-09 US US09/370,733 patent/US6597058B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-28 JP JP2000131371A patent/JP3470959B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001002475A (ja) | 2001-01-09 |
| US6597058B1 (en) | 2003-07-22 |
| US6261927B1 (en) | 2001-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3470959B2 (ja) | セラミック構造体およびその形成方法 | |
| US4510000A (en) | Method for palladium activating molybdenum metallized features on a ceramic substrate | |
| US5277723A (en) | Method for producing multilayer ceramic body with convex side faces | |
| EP0043955A1 (en) | Method of forming a glass-ceramic structure | |
| EP0244696A2 (en) | Method of fabricating a multilayered ceramic substrate having solid non-porous metal conductors | |
| EP1187198A3 (en) | Metal-ceramic circuit board and manufacturing method thereof | |
| CN110012618B (zh) | 一种叠层片式电子元器件的加工方法 | |
| EP0180091B1 (en) | Method of selectively depositing metal layers on a substrate | |
| JP2973820B2 (ja) | セラミックス基板の製造方法 | |
| JPH1070210A (ja) | 半導体基板に凹部を形成する装置および方法 | |
| US5676788A (en) | Method for forming cavity structures using thermally decomposable surface layer | |
| EP2120522A1 (en) | Method for the production of laminated ceramic electronic parts | |
| Barlow et al. | Multilayer ceramics | |
| JP3085649B2 (ja) | 転写シート及びそれを用いた配線基板の製造方法 | |
| JP4789443B2 (ja) | 複合シートの製造方法、積層体の製造方法および積層部品の製造方法 | |
| KR20090023487A (ko) | 표면 회로 패턴이 있는 저온 동시-소성 세라믹의 무압력 구속 소결을 위한 개선된 방법 | |
| US5346751A (en) | Electronic package using closed pore composites | |
| JP3872283B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP2008084922A (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP2004146701A (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP2005056977A (ja) | 積層セラミック基板の製造方法および誘電体積層デバイス | |
| JP3909186B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3748400B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP2006261459A (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法および電子部品実装基板の製造方法 | |
| JP3850243B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |