JPH1070210A - 半導体基板に凹部を形成する装置および方法 - Google Patents
半導体基板に凹部を形成する装置および方法Info
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- JPH1070210A JPH1070210A JP9130873A JP13087397A JPH1070210A JP H1070210 A JPH1070210 A JP H1070210A JP 9130873 A JP9130873 A JP 9130873A JP 13087397 A JP13087397 A JP 13087397A JP H1070210 A JPH1070210 A JP H1070210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インサートを用いる必要のない、半導体基板
内に凹部を形成する装置および方法を提供する。 【解決手段】 熱分解可能な表面層２３を、ラミネーシ
ョンの前に、凹部１５上に設けて、凹部の外形にコンフ
ォームさせる。このようにして、ラミネーション・プロ
セス中の凹部棚１２，１４の破壊および、凹部棚への損
傷を防止する。ラミネーション・プロセスの後、凹部棚
への損傷、またはペースト閉じ込みを生じさせることな
く、焼結プロセスの熱分解およびバインダ除去工程で、
熱分解可能な層を取り除く。
内に凹部を形成する装置および方法を提供する。 【解決手段】 熱分解可能な表面層２３を、ラミネーシ
ョンの前に、凹部１５上に設けて、凹部の外形にコンフ
ォームさせる。このようにして、ラミネーション・プロ
セス中の凹部棚１２，１４の破壊および、凹部棚への損
傷を防止する。ラミネーション・プロセスの後、凹部棚
への損傷、またはペースト閉じ込みを生じさせることな
く、焼結プロセスの熱分解およびバインダ除去工程で、
熱分解可能な層を取り除く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般には半導体基
板に凹部を形成する装置および方法に関し、少なくとも
凹部の一部に接着し、分解可能な少なくとも１つの表面
層を用いて凹部を形成するものである。
板に凹部を形成する装置および方法に関し、少なくとも
凹部の一部に接着し、分解可能な少なくとも１つの表面
層を用いて凹部を形成するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板およびデバイスは、新しい技
術の発展により、より小さく且つより高密度になりつつ
ある。しかしながら、回路密度の増大は、全製造問題の
対応する増大を引き起こす。しかし、半導体製造業者の
競争力を保持させるには、これらの問題を最小にしなけ
ればならない。したがって、半導体製造業者は、欠陥パ
ーツまたはコンポーネントを生じる欠陥を識別し除去す
ることによって、彼等の製品の品質を改善するように、
常に挑戦し続けている。プロセス変動を低減することに
よって、システマティックな欠陥を除去するために、か
なりの改善がなされたが、プロセスの改善だけでは、歩
留まりおよび信頼性に影響を与えるすべてのランダムな
欠陥を除去するには不十分である。歴史的には、スクリ
ーニング技術を用いて、これらのランダム欠陥の多くを
摘み取ることによって、製品欠陥率を許容レベルに改善
してきた。
術の発展により、より小さく且つより高密度になりつつ
ある。しかしながら、回路密度の増大は、全製造問題の
対応する増大を引き起こす。しかし、半導体製造業者の
競争力を保持させるには、これらの問題を最小にしなけ
ればならない。したがって、半導体製造業者は、欠陥パ
ーツまたはコンポーネントを生じる欠陥を識別し除去す
ることによって、彼等の製品の品質を改善するように、
常に挑戦し続けている。プロセス変動を低減することに
よって、システマティックな欠陥を除去するために、か
なりの改善がなされたが、プロセスの改善だけでは、歩
留まりおよび信頼性に影響を与えるすべてのランダムな
欠陥を除去するには不十分である。歴史的には、スクリ
ーニング技術を用いて、これらのランダム欠陥の多くを
摘み取ることによって、製品欠陥率を許容レベルに改善
してきた。
【０００３】半導体製造業者の製品を改善するという要
求において、彼等は、新しい製品を改善し、あるいは提
供する新しい方法および技術を常に発見しつつある。い
くつかの応用に対して、凹部を有するセラミックのキャ
リアまたはサブストレート（以下、単にサブストレート
と言う）を作製し、凹部内に半導体チップを設け、サブ
ストレートに固定することが発見された。これらの半導
体サブストレートは、しばしばモジュールと呼ばれ、単
一層のセラミックモジュールを形成する単一のセラミッ
ク層またはグリーンシート、あるいはＭＬＣ（ｍｕｌｔ
ｉ−ｌａｙｅｒｃｅｒａｍｉｃ；多層セラミック）を形
成する複数のセラミック層から作ることができる。
求において、彼等は、新しい製品を改善し、あるいは提
供する新しい方法および技術を常に発見しつつある。い
くつかの応用に対して、凹部を有するセラミックのキャ
リアまたはサブストレート（以下、単にサブストレート
と言う）を作製し、凹部内に半導体チップを設け、サブ
ストレートに固定することが発見された。これらの半導
体サブストレートは、しばしばモジュールと呼ばれ、単
一層のセラミックモジュールを形成する単一のセラミッ
ク層またはグリーンシート、あるいはＭＬＣ（ｍｕｌｔ
ｉ−ｌａｙｅｒｃｅｒａｍｉｃ；多層セラミック）を形
成する複数のセラミック層から作ることができる。
【０００４】以下の説明は、ＭＬＣモジュールに向けら
れるが、本発明の教示は、単一層モジュールにも同じよ
うに適用できることを理解すべきである。
れるが、本発明の教示は、単一層モジュールにも同じよ
うに適用できることを理解すべきである。
【０００５】１個または複数個の凹部を有するＭＬＣモ
ジュールは、高性能集積回路またはチップ（以降、単に
チップと言う）をパッケージングするのに、電子産業分
野で通常用いられる。これらの高性能チップは、例えば
パッドまたは半田ボールのような多数の外部入力／出力
（Ｉ／Ｏと呼ばれる）を有しており、これらのチップ
は、非常に高い電力消費を有している。このような高性
能チップを収容するためには、ＭＬＣモジュールは、ま
た、例えばパッド，ピン，半田ボールのような多数の外
部Ｉ／Ｏを設けなければならず、および、モジュールお
よびチップより発生する非常に高い電力消費を処理する
ことができる。さらに、凹部内の棚上にワイヤボンディ
ング・パッドが存在する。
ジュールは、高性能集積回路またはチップ（以降、単に
チップと言う）をパッケージングするのに、電子産業分
野で通常用いられる。これらの高性能チップは、例えば
パッドまたは半田ボールのような多数の外部入力／出力
（Ｉ／Ｏと呼ばれる）を有しており、これらのチップ
は、非常に高い電力消費を有している。このような高性
能チップを収容するためには、ＭＬＣモジュールは、ま
た、例えばパッド，ピン，半田ボールのような多数の外
部Ｉ／Ｏを設けなければならず、および、モジュールお
よびチップより発生する非常に高い電力消費を処理する
ことができる。さらに、凹部内の棚上にワイヤボンディ
ング・パッドが存在する。
【０００６】ＭＬＣサブストレート内の１個または複数
個の凹部は、典型的にはプラグのような硬質または軟質
のインサートの助けによって、ラミネーション・プロセ
ス中に正常にラミネートされる。このプラグは、典型的
に、ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒ
ｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，“ＦＩＸＴＵＲＥ ＦＯＲＦＡ
ＢＲＩＣＡＴＩＮＧ ＣＯＭＰＬＥＸ ＳＵＢＳＴＲＡ
ＴＥ ＤＥＳＩＧＮＦＲＯＭ ＧＲＥＥＮ ＳＨＥＥＴ
ＣＥＲＡＭＩＣＳ”，Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．１１，ｐ
ａｇｅ ３５５９（Ａｐｒｉｌ １９７４）にＰｈｉｌ
ｉｐｓによって開示されている。このインサートは、ラ
ミネーション・プロセスの際の積層グリーンセラミック
体の破壊または変形を防止する。１個または複数個の凹
部を作製するこの方法は、高精度および高レベルの表面
仕上げによるインサートの機械加工を必要とする。
個の凹部は、典型的にはプラグのような硬質または軟質
のインサートの助けによって、ラミネーション・プロセ
ス中に正常にラミネートされる。このプラグは、典型的
に、ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒ
ｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，“ＦＩＸＴＵＲＥ ＦＯＲＦＡ
ＢＲＩＣＡＴＩＮＧ ＣＯＭＰＬＥＸ ＳＵＢＳＴＲＡ
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ＣＥＲＡＭＩＣＳ”，Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．１１，ｐ
ａｇｅ ３５５９（Ａｐｒｉｌ １９７４）にＰｈｉｌ
ｉｐｓによって開示されている。このインサートは、ラ
ミネーション・プロセスの際の積層グリーンセラミック
体の破壊または変形を防止する。１個または複数個の凹
部を作製するこの方法は、高精度および高レベルの表面
仕上げによるインサートの機械加工を必要とする。
【０００７】本来的に、このようなインサートのコスト
は、サブストレートのコストに比べて非常に高い。さら
に、これらインサートまたはプラグは、種々の形状およ
びサイズの凹部に対して同一のインサートを用いる柔軟
性を与えない。さらに、凹部にこれらインサートを設
け、続いてこれらインサートを除去することは、高価な
プロセスであり、インサートを何回も除去することは、
セラミック・グリーンシートの層剥離、またはグリーン
セラミック体への他の損傷につながる。これらの固体イ
ンサートに対する他の欠点は、使用の前にこれらをクリ
ーニングして、ペーストの閉じ込みまたはグリーンセラ
ミック層またはパッドへの損傷を避けることが要求され
ることである。クリーニングしても、有効な剥離層が無
いが故に、ペーストの閉じ込みはしばしば発生する。
は、サブストレートのコストに比べて非常に高い。さら
に、これらインサートまたはプラグは、種々の形状およ
びサイズの凹部に対して同一のインサートを用いる柔軟
性を与えない。さらに、凹部にこれらインサートを設
け、続いてこれらインサートを除去することは、高価な
プロセスであり、インサートを何回も除去することは、
セラミック・グリーンシートの層剥離、またはグリーン
セラミック体への他の損傷につながる。これらの固体イ
ンサートに対する他の欠点は、使用の前にこれらをクリ
ーニングして、ペーストの閉じ込みまたはグリーンセラ
ミック層またはパッドへの損傷を避けることが要求され
ることである。クリーニングしても、有効な剥離層が無
いが故に、ペーストの閉じ込みはしばしば発生する。
【０００８】ＭＬＣサブストレートにこれら１個または
複数個の凹部を作製する他の方法によれば、グリーンシ
ートを積層しラミネートした後に、凹部を機械加工す
る。しかし、この方法は、大量生産でパーツを製造する
コスト効果の良い方法ではない。
複数個の凹部を作製する他の方法によれば、グリーンシ
ートを積層しラミネートした後に、凹部を機械加工す
る。しかし、この方法は、大量生産でパーツを製造する
コスト効果の良い方法ではない。
【０００９】インサート無しにＭＬＣサブストレートに
凹部を形成することもできる。この方法は、ラミネーシ
ョン条件が、グリーンセラミック体に変形を生じないよ
うな場合に、実行される。これらの場合、典型的に、ラ
ミネーション圧は非常に低く、グリーンシート調合物
は、製品の寸法制御が、焼結プロセスを変更することに
よって行われるような物である。しかし、大量生産で
は、グリーンシート調合物を調整し、製品毎に焼結サイ
クルを展開することは、コストが高くなり、時間の消費
となる。さらに、この方法は、最終の結果を得るため
に、層間の接着材と、多数のラミネーション・ステップ
とを典型的に必要とする。したがって、この低圧ラミネ
ーション・プロセスに関連した問題のいくつかは、焼結
体に対して、寸法制御のためのプロセス・ウィンドウを
利用できないということである。セラミック・グリーン
シートの層剥離は、接着材の除去の故に、焼結の際に発
生し、通常に存在する始発構造の密度勾配は、劣悪なサ
ブストレート寸法制御を生じる。さらに、積層およびラ
ミネーションのコストが増大し、および有効なグリーン
シート接着を有するようにグリーンシートへの金属添加
の制限が増大する。
凹部を形成することもできる。この方法は、ラミネーシ
ョン条件が、グリーンセラミック体に変形を生じないよ
うな場合に、実行される。これらの場合、典型的に、ラ
ミネーション圧は非常に低く、グリーンシート調合物
は、製品の寸法制御が、焼結プロセスを変更することに
よって行われるような物である。しかし、大量生産で
は、グリーンシート調合物を調整し、製品毎に焼結サイ
クルを展開することは、コストが高くなり、時間の消費
となる。さらに、この方法は、最終の結果を得るため
に、層間の接着材と、多数のラミネーション・ステップ
とを典型的に必要とする。したがって、この低圧ラミネ
ーション・プロセスに関連した問題のいくつかは、焼結
体に対して、寸法制御のためのプロセス・ウィンドウを
利用できないということである。セラミック・グリーン
シートの層剥離は、接着材の除去の故に、焼結の際に発
生し、通常に存在する始発構造の密度勾配は、劣悪なサ
ブストレート寸法制御を生じる。さらに、積層およびラ
ミネーションのコストが増大し、および有効なグリーン
シート接着を有するようにグリーンシートへの金属添加
の制限が増大する。
【００１０】従来技術は、また、この問題に他の方法で
対応した。
対応した。
【００１１】米国特許第４，６３６，２７５号明細書
は、弾性ブラダーを用いて、階段状凹部にボンディング
・パッドを有する集積回路パッケージを製造する方法を
開示している。
は、弾性ブラダーを用いて、階段状凹部にボンディング
・パッドを有する集積回路パッケージを製造する方法を
開示している。
【００１２】米国特許第４，６８０，０７５号明細書
は、熱可塑性プラグを用いて、階段状凹部にボンディン
グ・パッドを有する集積回路パッケージを製造する方法
を開示している。
は、熱可塑性プラグを用いて、階段状凹部にボンディン
グ・パッドを有する集積回路パッケージを製造する方法
を開示している。
【００１３】米国特許第４，７３７，２０８号明細書
は、非平坦な表面（このような構造は、そこに形成され
た凹部を有する構造を持つ）を有する多層構造を製造す
る方法を開示している。
は、非平坦な表面（このような構造は、そこに形成され
た凹部を有する構造を持つ）を有する多層構造を製造す
る方法を開示している。
【００１４】すべての凹部形成方法において、鋭いコー
ナーと、平坦なワイヤボンディング棚とを有する凹部プ
ロファイルが実現されるように、材料の組を選択するこ
とが重要である。不適切な剥離材料および／または膜材
料が選択されると、丸みのあるエッジおよびコーナー
と、傾斜したワイヤボンディング棚と、ペースト閉じ込
みとが生じる。
ナーと、平坦なワイヤボンディング棚とを有する凹部プ
ロファイルが実現されるように、材料の組を選択するこ
とが重要である。不適切な剥離材料および／または膜材
料が選択されると、丸みのあるエッジおよびコーナー
と、傾斜したワイヤボンディング棚と、ペースト閉じ込
みとが生じる。
【００１５】しかし、本発明は、ラミネーション中に凹
部棚およびエッジを保護するが、焼結サイクル中に分解
してバーンオフする分解可能な表面膜または層を使用す
ることによって、これらおよび他の問題を解決してい
る。
部棚およびエッジを保護するが、焼結サイクル中に分解
してバーンオフする分解可能な表面膜または層を使用す
ることによって、これらおよび他の問題を解決してい
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱分解可能
な表面膜を用いて、凹部サブストレートを形成する装
置、およびインサートの無い方法である。
な表面膜を用いて、凹部サブストレートを形成する装
置、およびインサートの無い方法である。
【００１７】したがって、本発明の一つの目的は、イン
サートを用いる必要のない、半導体サブストレートに凹
部を形成する装置および方法を提供することにある。
サートを用いる必要のない、半導体サブストレートに凹
部を形成する装置および方法を提供することにある。
【００１８】本発明の他の目的は、セラミック体に損傷
を生ぜず、またはペースト閉じ込みを生じることなし
に、半導体サブストレートに凹部を形成する装置および
方法を提供することにある。
を生ぜず、またはペースト閉じ込みを生じることなし
に、半導体サブストレートに凹部を形成する装置および
方法を提供することにある。
【００１９】本発明のさらに他の目的は、セラミック体
への損傷、およびペースト閉じ込みを避けるのに重要
な、熱分解可能な表面膜を提供することにある。
への損傷、およびペースト閉じ込みを避けるのに重要
な、熱分解可能な表面膜を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様では、少
なくとも１つの凹部を有する未焼結セラミック構造を形
成する方法は、（ａ）第１のプレート上に少なくとも１
つの凹部を有する少なくとも１つのセラミック・グリー
ンシートを設ける工程を含み、（ｂ）前記凹部上に少な
くとも１つの平坦な熱分解可能な層を設ける工程を含
み、前記熱分解可能な層は、ラミネーション工程の際に
前記グリーンシートに熱的に接着可能であり、次の焼結
工程の際に、炭質残留物を残すことなく熱分解可能であ
り、（ｃ）前記熱分解可能な層の少なくとも一部に圧力
を加える工程を含み、前記熱分解可能な層の少なくとも
一部を、前記凹部にコンフォームさせ、前記凹部の破壊
を防止し、前記熱分解可能な層は、さらに、前記少なく
とも１つのセラミック・グリーンシートの少なくとも一
部に接着して、少なくとも一つの凹部を有する前記未焼
結のセラミック構造を形成する。
なくとも１つの凹部を有する未焼結セラミック構造を形
成する方法は、（ａ）第１のプレート上に少なくとも１
つの凹部を有する少なくとも１つのセラミック・グリー
ンシートを設ける工程を含み、（ｂ）前記凹部上に少な
くとも１つの平坦な熱分解可能な層を設ける工程を含
み、前記熱分解可能な層は、ラミネーション工程の際に
前記グリーンシートに熱的に接着可能であり、次の焼結
工程の際に、炭質残留物を残すことなく熱分解可能であ
り、（ｃ）前記熱分解可能な層の少なくとも一部に圧力
を加える工程を含み、前記熱分解可能な層の少なくとも
一部を、前記凹部にコンフォームさせ、前記凹部の破壊
を防止し、前記熱分解可能な層は、さらに、前記少なく
とも１つのセラミック・グリーンシートの少なくとも一
部に接着して、少なくとも一つの凹部を有する前記未焼
結のセラミック構造を形成する。
【００２１】本発明の他の態様では、構造は、半導体基
板を備え、この半導体基板は、少なくとも１つの凹部を
有し、この少なくとも１つの凹部の少なくとも一部は、
熱分解可能な材料よりなる少なくとも１つの層を有して
いる。
板を備え、この半導体基板は、少なくとも１つの凹部を
有し、この少なくとも１つの凹部の少なくとも一部は、
熱分解可能な材料よりなる少なくとも１つの層を有して
いる。
【００２２】本発明のさらに他の態様では、少なくとも
１つのセラミック・グリーンシート内に保護された凹部
を形成する装置において、（ａ）少なくとも１つの凹部
を有する前記少なくとも１つのセラミック・グリーンシ
ートを支持する第１のプレートと、（ｂ）前記少なくと
も１つのセラミック・グリーンシートの少なくとも一
部、および前記凹部上に、少なくとも１つの平坦な熱分
解可能な層を、位置決めして設ける手段と、（ｃ）前記
熱分解可能な層を、前記凹部にコンフォームさせ、前記
凹部の少なくとも一部に接着させて、少なくとも１つの
セラミック・グリーンシート内に保護された凹部を形成
する少なくとも１つの加圧手段と、を備えている。
１つのセラミック・グリーンシート内に保護された凹部
を形成する装置において、（ａ）少なくとも１つの凹部
を有する前記少なくとも１つのセラミック・グリーンシ
ートを支持する第１のプレートと、（ｂ）前記少なくと
も１つのセラミック・グリーンシートの少なくとも一
部、および前記凹部上に、少なくとも１つの平坦な熱分
解可能な層を、位置決めして設ける手段と、（ｃ）前記
熱分解可能な層を、前記凹部にコンフォームさせ、前記
凹部の少なくとも一部に接着させて、少なくとも１つの
セラミック・グリーンシート内に保護された凹部を形成
する少なくとも１つの加圧手段と、を備えている。
【００２３】
【発明の実施の形態】図を詳細に参照すると、図１およ
び図２は、所望のラミネートされ焼結された凹部サブス
トレートが示されている。このサブストレートは、多層
セラミック（ＭＬＣ）サブストレート７５のようなサブ
ストレートであり、基部１８および棚１２，１４を有す
る凹部１５を有している。説明のために、ただ２つの棚
１２，１４を示しているが、凹部１５は、１つのあるい
は複数の棚を有することができる。
び図２は、所望のラミネートされ焼結された凹部サブス
トレートが示されている。このサブストレートは、多層
セラミック（ＭＬＣ）サブストレート７５のようなサブ
ストレートであり、基部１８および棚１２，１４を有す
る凹部１５を有している。説明のために、ただ２つの棚
１２，１４を示しているが、凹部１５は、１つのあるい
は複数の棚を有することができる。
【００２４】個々のセラミック・グリーンシート１１，
１３は、典型的に、ＭＬＣサブストレート７５を形成す
るのに用いられる。グリーンシート１１は、開口を有さ
ないが、グリーンシート１３は、凹部１５を形成する開
口を有している。
１３は、典型的に、ＭＬＣサブストレート７５を形成す
るのに用いられる。グリーンシート１１は、開口を有さ
ないが、グリーンシート１３は、凹部１５を形成する開
口を有している。
【００２５】ここで用いられるように、用語“凹部”
は、グリーンシート１１および／または１３の内壁およ
び内面によって作られる構造を意味する。凹部１５は、
図２に示すように、基部１８とグリーンシート１３の内
壁とによって形成される止まり穴とすることができる。
しかし、ある場合には、グリーンシート１１の存在なし
に、グリーンシート１３の内壁によって形成された開き
穴とすることができる。
は、グリーンシート１１および／または１３の内壁およ
び内面によって作られる構造を意味する。凹部１５は、
図２に示すように、基部１８とグリーンシート１３の内
壁とによって形成される止まり穴とすることができる。
しかし、ある場合には、グリーンシート１１の存在なし
に、グリーンシート１３の内壁によって形成された開き
穴とすることができる。
【００２６】これらのグリーンシート１１，１３は、技
術上周知のテープ・キャスティング・プロセスを用いて
作製される。簡単に言うと、セラミック・グリーンシー
ト（すなわち、未焼成の層）の大きなロールまたはシー
トが作製され、次に、個々のグリーンシートがセラミッ
ク・グリーンシートのこれらの大きなロールまたはシー
トから打ち抜かれる。続いて、凹部１５を形成する個々
のセラミック・グリーンシート１３が、また、打ち抜か
れ、あるいは、開口領域が適切にあけられて、凹部１５
を有するセラミック層１３が形成される。
術上周知のテープ・キャスティング・プロセスを用いて
作製される。簡単に言うと、セラミック・グリーンシー
ト（すなわち、未焼成の層）の大きなロールまたはシー
トが作製され、次に、個々のグリーンシートがセラミッ
ク・グリーンシートのこれらの大きなロールまたはシー
トから打ち抜かれる。続いて、凹部１５を形成する個々
のセラミック・グリーンシート１３が、また、打ち抜か
れ、あるいは、開口領域が適切にあけられて、凹部１５
を有するセラミック層１３が形成される。
【００２７】セラミック・グリーンシート１１，１３の
各々は、少なくとも１つの位置決め穴２４を有し、図４
に示すように、対応する位置決めピン２２に対して位置
決めする。通常、各グリーンシート１１，１３について
の位置決め穴２４の数は、位置決めピン２２の数に一致
する。
各々は、少なくとも１つの位置決め穴２４を有し、図４
に示すように、対応する位置決めピン２２に対して位置
決めする。通常、各グリーンシート１１，１３について
の位置決め穴２４の数は、位置決めピン２２の数に一致
する。
【００２８】典型的に、セラミック層１１および／また
は１３の材料は、アルミナ，ガラス・フリットを有する
アルミナ，窒化アルミニウム，ボロシリケート・ガラ
ス，ガラス・セラミックよりなる群から選ばれる。しか
し、他のセラミック材料を用いることもできる。
は１３の材料は、アルミナ，ガラス・フリットを有する
アルミナ，窒化アルミニウム，ボロシリケート・ガラ
ス，ガラス・セラミックよりなる群から選ばれる。しか
し、他のセラミック材料を用いることもできる。
【００２９】次に、また技術上周知の配線金属（図示せ
ず）が、標準スクリーニング・プロセスによって、個々
のセラミック・グリーンシート１１および／または１３
の１つ以上の面に設けられる。これら面は、棚１２，１
４を形成するグリーンシート１１および／または１３の
部分を含んでいる。
ず）が、標準スクリーニング・プロセスによって、個々
のセラミック・グリーンシート１１および／または１３
の１つ以上の面に設けられる。これら面は、棚１２，１
４を形成するグリーンシート１１および／または１３の
部分を含んでいる。
【００３０】凹部１５内の基部領域１８は、典型的に、
半導体チップ（図示せず）の取り付けのために設けら
れ、領域１９は所望の凹部サブストレート７５の上面で
ある。
半導体チップ（図示せず）の取り付けのために設けら
れ、領域１９は所望の凹部サブストレート７５の上面で
ある。
【００３１】棚１２，１４は、典型的に、領域１８に固
定されるチップへの電気的接続（例えば、ワイヤボンデ
ィングによる）のためのパッド（図示せず）を有してい
る。
定されるチップへの電気的接続（例えば、ワイヤボンデ
ィングによる）のためのパッド（図示せず）を有してい
る。
【００３２】図２に明瞭に示されるように、ラミネート
され焼結された凹部サブストレート７５は、明確な鋭い
コーナー１６と、明確な平坦な棚１２，１４とを有して
いる。これらは、例えばラミネーションの際に発生する
損傷のような種々の理由のために、実際の方法で得るこ
とは非常に難しい。
され焼結された凹部サブストレート７５は、明確な鋭い
コーナー１６と、明確な平坦な棚１２，１４とを有して
いる。これらは、例えばラミネーションの際に発生する
損傷のような種々の理由のために、実際の方法で得るこ
とは非常に難しい。
【００３３】図２は、また、サブストレート７５が少な
くとも１つの棚１２，１４を有し、棚１２および／また
は１４のエッジすなわちコーナー１６の一部が、凹部１
５に開いていることを明瞭に示している。
くとも１つの棚１２，１４を有し、棚１２および／また
は１４のエッジすなわちコーナー１６の一部が、凹部１
５に開いていることを明瞭に示している。
【００３４】図３は、図２に示したものに類似である
が、ひずんだ棚１２，１４とエッジ１６とを示すＭＬＣ
サブストレート６０の断面図である。基本的に、図３の
ひずんだラミネートおよび／または焼成されたサブスト
レートは、丸みのあるコーナー１６と存在しない棚１
２，１４とを有している。さらに、棚１２の部分は、破
壊されて、基部領域１８に占有領域（ｒｅａｌ ｅｓｔ
ａｔｅ）を形成し、基部領域１８内へのチップ取り付け
を妨げる。サブストレート６０のこの変形は、ラミネー
ションまたは焼結の際に生じる。しかし、多くの場合、
棚のこのひずみは、ラミネーション・プロセスの際に生
じる。
が、ひずんだ棚１２，１４とエッジ１６とを示すＭＬＣ
サブストレート６０の断面図である。基本的に、図３の
ひずんだラミネートおよび／または焼成されたサブスト
レートは、丸みのあるコーナー１６と存在しない棚１
２，１４とを有している。さらに、棚１２の部分は、破
壊されて、基部領域１８に占有領域（ｒｅａｌ ｅｓｔ
ａｔｅ）を形成し、基部領域１８内へのチップ取り付け
を妨げる。サブストレート６０のこの変形は、ラミネー
ションまたは焼結の際に生じる。しかし、多くの場合、
棚のこのひずみは、ラミネーション・プロセスの際に生
じる。
【００３５】図４は、第１のプレート２０を示す。この
プレートは、金属プレートとするのが好ましく、少なく
とも１つの位置決めピン２２を有している。各セラミッ
ク・グリーンシート１１および／または１３は、図１に
最良に示されているように、少なくとも１つの位置決め
穴２４を有し、位置決めピン２２に対して、グリーンシ
ート１１および／または１３を位置決めする。通常、各
グリーンシート上の位置決め穴２４の数は、位置決めピ
ン２２の数に一致する。
プレートは、金属プレートとするのが好ましく、少なく
とも１つの位置決めピン２２を有している。各セラミッ
ク・グリーンシート１１および／または１３は、図１に
最良に示されているように、少なくとも１つの位置決め
穴２４を有し、位置決めピン２２に対して、グリーンシ
ート１１および／または１３を位置決めする。通常、各
グリーンシート上の位置決め穴２４の数は、位置決めピ
ン２２の数に一致する。
【００３６】次に、グリーンシート１１および／または
１２は、位置決めピン２２を用いて、適切な順序で第１
のプレート２０上に積層され、凹部１５を有する未焼成
サブストレート１０（ラミネーション・プロセスを経て
いない）を形成する。
１２は、位置決めピン２２を用いて、適切な順序で第１
のプレート２０上に積層され、凹部１５を有する未焼成
サブストレート１０（ラミネーション・プロセスを経て
いない）を形成する。
【００３７】好ましくは、第１のプレート２０と、未焼
成サブストレート１０の第１のグリーンシート１１また
は１３との間に設けられた、非付着セパレータ材料２１
のシートが存在する。非付着セパレータ材料２１は、第
１のプレートに、もしくは未焼成凹部サブストレート１
０の第１のグリーンシート１１または１３に接着しない
ように選ばれる。このことは、加圧下で、未焼成凹部サ
ブストレート１０の第１のセラミック・グリーンシート
１１または１３が、第１のプレート２０の面に接着また
は固着しないことを保証する。好適な非付着セパレータ
材料２１は、セラミック・グリーンシート１１または１
３に対し、最小の親和力を有するか、または親和力を有
さない高分子シート材料、または未焼成凹部サブストレ
ート１０を形成するのに用いられる、グリーンシート１
１または１３に接着する金属材料である。
成サブストレート１０の第１のグリーンシート１１また
は１３との間に設けられた、非付着セパレータ材料２１
のシートが存在する。非付着セパレータ材料２１は、第
１のプレートに、もしくは未焼成凹部サブストレート１
０の第１のグリーンシート１１または１３に接着しない
ように選ばれる。このことは、加圧下で、未焼成凹部サ
ブストレート１０の第１のセラミック・グリーンシート
１１または１３が、第１のプレート２０の面に接着また
は固着しないことを保証する。好適な非付着セパレータ
材料２１は、セラミック・グリーンシート１１または１
３に対し、最小の親和力を有するか、または親和力を有
さない高分子シート材料、または未焼成凹部サブストレ
ート１０を形成するのに用いられる、グリーンシート１
１または１３に接着する金属材料である。
【００３８】非付着セパレータ材料のいくつかの例は、
剛性と低い伸び率が必要とされるならば、マイラー（Ｍ
ｙｌａｒ）のようなポリマーであり、高い伸び率が必要
とされるならば、ラテックス・ゴムまたはポリエチレン
である。一般に、非付着セパレータ材料２１は、例えば
エラストマ，マイラー，ラテックス・ゴム，ポリエステ
ル，ポリエチレン，およびポリウレタンからなる群から
選ぶべきである。
剛性と低い伸び率が必要とされるならば、マイラー（Ｍ
ｙｌａｒ）のようなポリマーであり、高い伸び率が必要
とされるならば、ラテックス・ゴムまたはポリエチレン
である。一般に、非付着セパレータ材料２１は、例えば
エラストマ，マイラー，ラテックス・ゴム，ポリエステ
ル，ポリエチレン，およびポリウレタンからなる群から
選ぶべきである。
【００３９】少なくとも１つの位置決めピン２２を用い
て、すべてのグリーンシート１１および／または１３
が、セパレータ材料２１および第１のプレート２０上に
積層された後、１つの平坦なシート形状の熱分解可能な
膜２３が、再び位置決めピン２２および位置決め穴２４
を用いて、未焼成凹部サブストレート１０上に設けられ
る。
て、すべてのグリーンシート１１および／または１３
が、セパレータ材料２１および第１のプレート２０上に
積層された後、１つの平坦なシート形状の熱分解可能な
膜２３が、再び位置決めピン２２および位置決め穴２４
を用いて、未焼成凹部サブストレート１０上に設けられ
る。
【００４０】図４から明らかなように、分解可能な膜２
３の平坦面は、平らであり、凹部１５の形状に少しもコ
ンフォームしない。言い換えれば、平坦かつ分解可能な
表面膜２３は、予め形成されたインサートではない。し
かし、平坦な表面膜２３は、後に詳細に説明するよう
に、外部圧力および熱が加えられると、凹部１５の形状
にコンフォームする材料とすべきである。
３の平坦面は、平らであり、凹部１５の形状に少しもコ
ンフォームしない。言い換えれば、平坦かつ分解可能な
表面膜２３は、予め形成されたインサートではない。し
かし、平坦な表面膜２３は、後に詳細に説明するよう
に、外部圧力および熱が加えられると、凹部１５の形状
にコンフォームする材料とすべきである。
【００４１】熱分解可能な表面膜２３に対する選択は、
本発明には非常に重要である。ラミネーション温度より
小さい軟化温度で、フレキシブルで、軟らかく、モール
ド可能でなければならない。室温で１５０％より大きい
伸び率でなければならず、グリーンセラミック面に接着
可能でなければならない。さらに、分解可能な膜２３
は、炭素または他の有害な残留物を残さずに、約５５０
℃より小さい温度で熱分解可能でなければならない。こ
の分解可能な層２３は、ラミネーションの際に、強じん
で、耐引き裂き性がなければならない。すなわち、層２
３は、ラミネーション応力を分布させ、一様な圧力分布
を許容する。これらの上述した特性は、重要である。し
たがって、熱分解可能な表面膜２３が、凹部１５の形状
にコンフォームさせられると、凹部１５の鋭いコーナー
１６は丸くならず、凹部の棚１２，１４はひずまなくな
る。表面膜２３の適切な材料は、パラフィルム（Ｐａｒ
ａｆｉｌｍ）“Ｍ”およびパラフィルム“Ｆ”（Ａｍｅ
ｒｉｃａｎ Ｃａｎ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｇｒｅｅｎｗｉ
ｃｈ，ＣＴ，ＵＳＡの商標）、および熱可塑性材料であ
る。一般的に言えば、パラフィン・ワックスにポリエチ
レン化合物を加えたものが、約１７５ｋｇ（ｗｔ）／ｃ
ｍ-2（約２５００ｐｓｉ）より大きい高圧でのラミネー
トを含む、すべてのラミネーション圧、および約４５℃
〜約９０℃のラミネーション温度で、最良である。さら
に、材料の厚さも、重要である。熱分解可能な材料２３
の最大厚さは、ラミネーション・プロセスで高い歩留り
を有し、焼結炉内で高いスループットを有するには、約
０．２５４ｍｍ（約１０ミル）より小さくなければなら
ない。
本発明には非常に重要である。ラミネーション温度より
小さい軟化温度で、フレキシブルで、軟らかく、モール
ド可能でなければならない。室温で１５０％より大きい
伸び率でなければならず、グリーンセラミック面に接着
可能でなければならない。さらに、分解可能な膜２３
は、炭素または他の有害な残留物を残さずに、約５５０
℃より小さい温度で熱分解可能でなければならない。こ
の分解可能な層２３は、ラミネーションの際に、強じん
で、耐引き裂き性がなければならない。すなわち、層２
３は、ラミネーション応力を分布させ、一様な圧力分布
を許容する。これらの上述した特性は、重要である。し
たがって、熱分解可能な表面膜２３が、凹部１５の形状
にコンフォームさせられると、凹部１５の鋭いコーナー
１６は丸くならず、凹部の棚１２，１４はひずまなくな
る。表面膜２３の適切な材料は、パラフィルム（Ｐａｒ
ａｆｉｌｍ）“Ｍ”およびパラフィルム“Ｆ”（Ａｍｅ
ｒｉｃａｎ Ｃａｎ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｇｒｅｅｎｗｉ
ｃｈ，ＣＴ，ＵＳＡの商標）、および熱可塑性材料であ
る。一般的に言えば、パラフィン・ワックスにポリエチ
レン化合物を加えたものが、約１７５ｋｇ（ｗｔ）／ｃ
ｍ-2（約２５００ｐｓｉ）より大きい高圧でのラミネー
トを含む、すべてのラミネーション圧、および約４５℃
〜約９０℃のラミネーション温度で、最良である。さら
に、材料の厚さも、重要である。熱分解可能な材料２３
の最大厚さは、ラミネーション・プロセスで高い歩留り
を有し、焼結炉内で高いスループットを有するには、約
０．２５４ｍｍ（約１０ミル）より小さくなければなら
ない。
【００４２】図５において、少なくとも１つの包囲エン
クロージャ３０を、図４のアセンブリ、すなわち第１の
プレート２０，非付着セパレータ材料２１，位置決めピ
ン２２，未焼成凹部サブストレート１０，平坦かつ熱分
解可能な表面膜２３の周りに設けて、アセンブリ３９を
形成する。次に、エンクロージャ３０は、矢印３２で示
すように、真空排気する。エンクロージャはつぶれて、
分解可能な表面膜２３を押圧し、凹部１５を含む未焼成
凹部サブストレート１０の表面外形をコンフォームす
る。次に、包囲エンクロージャ３０は、技術上周知の方
法でシールされる。
クロージャ３０を、図４のアセンブリ、すなわち第１の
プレート２０，非付着セパレータ材料２１，位置決めピ
ン２２，未焼成凹部サブストレート１０，平坦かつ熱分
解可能な表面膜２３の周りに設けて、アセンブリ３９を
形成する。次に、エンクロージャ３０は、矢印３２で示
すように、真空排気する。エンクロージャはつぶれて、
分解可能な表面膜２３を押圧し、凹部１５を含む未焼成
凹部サブストレート１０の表面外形をコンフォームす
る。次に、包囲エンクロージャ３０は、技術上周知の方
法でシールされる。
【００４３】図５のアセンブリ３９に明らかなように、
分解可能な表面膜２３とエンクロージャ３０は、凹部１
５を含む未焼成凹部サブストレート１０の形状にコンフ
ォームしている。エンクロージャ３０の材料は、例え
ば、ポリウレタン，非常に薄いマイラー膜，ポリエチレ
ン，またはポリエチレンのコポリマーで構成できる。
分解可能な表面膜２３とエンクロージャ３０は、凹部１
５を含む未焼成凹部サブストレート１０の形状にコンフ
ォームしている。エンクロージャ３０の材料は、例え
ば、ポリウレタン，非常に薄いマイラー膜，ポリエチレ
ン，またはポリエチレンのコポリマーで構成できる。
【００４４】図５に示すように、全アセンブリ３９は、
グリーンシート１１，１３のラミネーション・プロセス
の準備ができている。このラミネーション・プロセスの
ためには、静圧が好ましい。静圧は、全アセンブリ３９
を、水またはガス（例えば空気または窒素）のような流
体中に置くことによって、与えることができる。このラ
ミネーション・プロセスの際に、用いる流体が、エンク
ロージャ３０に相互作用またはエンクロージャ３０を分
解しない、あるいはエンクロージャ３０内に入って内部
を汚染しないように、注意しなければならない。グリー
ンシート１１，１３については、アセンブリ３９を、ラ
ミネーション・プロセス中に例えば約７５℃の温度に加
熱することが要求される。
グリーンシート１１，１３のラミネーション・プロセス
の準備ができている。このラミネーション・プロセスの
ためには、静圧が好ましい。静圧は、全アセンブリ３９
を、水またはガス（例えば空気または窒素）のような流
体中に置くことによって、与えることができる。このラ
ミネーション・プロセスの際に、用いる流体が、エンク
ロージャ３０に相互作用またはエンクロージャ３０を分
解しない、あるいはエンクロージャ３０内に入って内部
を汚染しないように、注意しなければならない。グリー
ンシート１１，１３については、アセンブリ３９を、ラ
ミネーション・プロセス中に例えば約７５℃の温度に加
熱することが要求される。
【００４５】厳密に言えば、静圧がガスによって与えら
れるならば、エンクロージャは必要でない。しかし、エ
ンクロージャ３０は望ましい。というのは、エンクロー
ジャは、分解可能な膜すなわちシート２３を、エンクロ
ージャ３０の真空排気プロセスの際に、凹部１５の形状
にコンフォームさせるからである。
れるならば、エンクロージャは必要でない。しかし、エ
ンクロージャ３０は望ましい。というのは、エンクロー
ジャは、分解可能な膜すなわちシート２３を、エンクロ
ージャ３０の真空排気プロセスの際に、凹部１５の形状
にコンフォームさせるからである。
【００４６】ラミネーション・プロセスの後、アセンブ
リ３９は、ラミネーション環境から取り出され、エンク
ロージャ３０は除去あるいは剥がされる。ラミネートさ
れたグリーンシート１１，１３を有するアセンブリの残
りの部分と、コンフォーマルな分解可能な材料すなわち
層２３とは、焼結プロセスへの準備ができている。
リ３９は、ラミネーション環境から取り出され、エンク
ロージャ３０は除去あるいは剥がされる。ラミネートさ
れたグリーンシート１１，１３を有するアセンブリの残
りの部分と、コンフォーマルな分解可能な材料すなわち
層２３とは、焼結プロセスへの準備ができている。
【００４７】図６には、本発明のさらに他の実施例を示
す。図６の実施例は、エンクロージャ３０が無い点を除
いて、図５の実施例と同じである。さらに、図６の装置
は、位置決めピン２２と位置決めされる少なくとも１つ
の位置決め開口２４を有する少なくとも１つの第２のプ
レート３４と、少なくとも１つの穴すなわち開口３５と
を有している。
す。図６の実施例は、エンクロージャ３０が無い点を除
いて、図５の実施例と同じである。さらに、図６の装置
は、位置決めピン２２と位置決めされる少なくとも１つ
の位置決め開口２４を有する少なくとも１つの第２のプ
レート３４と、少なくとも１つの穴すなわち開口３５と
を有している。
【００４８】基本的には、第２のプレート３４は、分解
可能な膜２３上に設けられ、第２のプレート３４に対し
てラム（図示せず）によって一軸圧力が好適に加えられ
て、未焼成のサブストレート１０のグリーンシート１
１，１３のラミネーションを生じさせる。
可能な膜２３上に設けられ、第２のプレート３４に対し
てラム（図示せず）によって一軸圧力が好適に加えられ
て、未焼成のサブストレート１０のグリーンシート１
１，１３のラミネーションを生じさせる。
【００４９】流体、好ましくはガスが、第２のプレート
３４の開口３５を経て供給される。これにより、熱分解
可能な面膜２３を、凹部１５の形状にコンフォームさ
せ、ラミネーション・プロセス中に凹部１５を保護す
る。
３４の開口３５を経て供給される。これにより、熱分解
可能な面膜２３を、凹部１５の形状にコンフォームさ
せ、ラミネーション・プロセス中に凹部１５を保護す
る。
【００５０】ある条件の下では、ラミネーション・プロ
セスの際に、装置を例えば約７５℃に加熱して、ラミネ
ーション・プロセスを容易にすることが好ましい。
セスの際に、装置を例えば約７５℃に加熱して、ラミネ
ーション・プロセスを容易にすることが好ましい。
【００５１】ラミネーションの後に、第２のプレート３
４を除去し、続いて第１のプレート２０から、未焼成凹
部サブストレート１０を取りはずす。このラミネーショ
ン・プロセスの際に、分解可能な表面膜２３は、未焼成
凹部サブストレート１０の表面に接着する。
４を除去し、続いて第１のプレート２０から、未焼成凹
部サブストレート１０を取りはずす。このラミネーショ
ン・プロセスの際に、分解可能な表面膜２３は、未焼成
凹部サブストレート１０の表面に接着する。
【００５２】分解可能な表面膜２３を凹部１５に接着さ
せる他の実施例を、図７に示す。図７の実施例は、次の
点を除いて、図６の実施例と同じである。すなわち、第
２のプレート４４は、ガスのような流体を供給する開口
３５のような開口を持つ必要がなく、および第２のプレ
ート４４は、インサート４５上にある。いくつかの応用
では、第２のプレート４４とインサート４５とが、ちょ
うど１つの部片となることを理解すべきである。
せる他の実施例を、図７に示す。図７の実施例は、次の
点を除いて、図６の実施例と同じである。すなわち、第
２のプレート４４は、ガスのような流体を供給する開口
３５のような開口を持つ必要がなく、および第２のプレ
ート４４は、インサート４５上にある。いくつかの応用
では、第２のプレート４４とインサート４５とが、ちょ
うど１つの部片となることを理解すべきである。
【００５３】分解可能な層すなわち膜２３は、図４に示
すように未焼成の凹部サブストレート１０上に設けら
れ、凹部２５の一部を形成した後に、インサート４５
は、第２のプレート４４によって凹部１５内に押圧さ
れ、分解可能な膜２３を凹部１５の形状にコンフォーム
させる。
すように未焼成の凹部サブストレート１０上に設けら
れ、凹部２５の一部を形成した後に、インサート４５
は、第２のプレート４４によって凹部１５内に押圧さ
れ、分解可能な膜２３を凹部１５の形状にコンフォーム
させる。
【００５４】さらに、ラム（図示せず）によって第２の
プレート４４に対し圧力を更に加えると、未焼成の凹部
サブストレート１０のグリーンシート１１，１３のラミ
ネーションを生じさせる。また、いくつかのラミネーシ
ョン・プロセスに対して、装置を、ラミネーション・プ
ロセス中に例えば約７５℃に加熱して、ラミネーション
・プロセスを容易にすることができる。
プレート４４に対し圧力を更に加えると、未焼成の凹部
サブストレート１０のグリーンシート１１，１３のラミ
ネーションを生じさせる。また、いくつかのラミネーシ
ョン・プロセスに対して、装置を、ラミネーション・プ
ロセス中に例えば約７５℃に加熱して、ラミネーション
・プロセスを容易にすることができる。
【００５５】ラミネーションの後に、第２のプレート４
４およびインサート４５を除去し、続いて第１のプレー
ト２０から、未焼成凹部サブストレート１０を取りはず
す。ラミネートされたグリーンシート１１，１３と分解
可能な層２３とを有するこの構造は、焼結サイクルに対
して準備されている。
４およびインサート４５を除去し、続いて第１のプレー
ト２０から、未焼成凹部サブストレート１０を取りはず
す。ラミネートされたグリーンシート１１，１３と分解
可能な層２３とを有するこの構造は、焼結サイクルに対
して準備されている。
【００５６】図８に示す凹部サブストレート５０は、本
発明の装置および方法によって得られたサブストレート
を示している。ラミネートされた構造５０は、平坦な凹
部階段１２，１４と基部１８とを有する明確な凹部５５
と、明確な鋭いコーナー１６とを有している。分解可能
な層２３は、凹部１５の表面に接着する。
発明の装置および方法によって得られたサブストレート
を示している。ラミネートされた構造５０は、平坦な凹
部階段１２，１４と基部１８とを有する明確な凹部５５
と、明確な鋭いコーナー１６とを有している。分解可能
な層２３は、凹部１５の表面に接着する。
【００５７】ラミネートされた半導体構造５０は、将来
の焼結のために保存されるか、あるいは、今、焼結工程
に送ることができる。前述したように、分解可能な層２
３は、焼結サイクルの初めに、すなわち高密度化のオン
・セット（ｏｎ−ｓｅｔ）の前に、バーンオフされる。
の焼結のために保存されるか、あるいは、今、焼結工程
に送ることができる。前述したように、分解可能な層２
３は、焼結サイクルの初めに、すなわち高密度化のオン
・セット（ｏｎ−ｓｅｔ）の前に、バーンオフされる。
【００５８】分解可能な構造を有するラミネートされた
グリーンシートを、焼結サイクルを経た後、図１および
図２に明瞭に示すように、所望のラミネートされ、およ
び焼結された凹部サブストレート７５が得られる。
グリーンシートを、焼結サイクルを経た後、図１および
図２に明瞭に示すように、所望のラミネートされ、およ
び焼結された凹部サブストレート７５が得られる。
【００５９】分解可能な表面膜２３は、室温で１５０％
より大きい伸び率を有し、炭素または他の有害な残留物
を残すことなしに、約５５０℃より小さい温度で熱的に
分解されるのが好ましい。もちろん、分解可能な層２３
は、ラミネーション温度でグリーンシート１１，１３に
接着できる材料でなければならない。
より大きい伸び率を有し、炭素または他の有害な残留物
を残すことなしに、約５５０℃より小さい温度で熱的に
分解されるのが好ましい。もちろん、分解可能な層２３
は、ラミネーション温度でグリーンシート１１，１３に
接着できる材料でなければならない。
【００６０】１つの熱分解可能な層２３の第１に重要な
成分の少なくとも１つは、パラフィン・ワックスでなけ
ればならないことは明らかである。しかし、熱分解可能
な層２３の少なくとも１つに対し、次に重要な材料は、
ポリエチレン，ポリウレタン，ポリプロピレンよりなる
群から選ぶことができる。
成分の少なくとも１つは、パラフィン・ワックスでなけ
ればならないことは明らかである。しかし、熱分解可能
な層２３の少なくとも１つに対し、次に重要な材料は、
ポリエチレン，ポリウレタン，ポリプロピレンよりなる
群から選ぶことができる。
【００６１】具体例 本発明の種々の態様を、以下の具体例によってさらに説
明する。これら具体例は、本発明をさらに説明すること
のみを目的としており、本発明の範囲を限定することを
意図するものではない。
明する。これら具体例は、本発明をさらに説明すること
のみを目的としており、本発明の範囲を限定することを
意図するものではない。
【００６２】具体例１ 凹部を有する多層セラミック体のいくつかのサンプル
を、本発明のプロセスを用いて作製した。
を、本発明のプロセスを用いて作製した。
【００６３】１つのサンプルでは、メタライズされたセ
ラミック層１３を有する凹部が、ラミネーション・フレ
ーム内に設けられ、セラミック層１３は、マイラー２１
の層によって、底部ラミネーション・プレート２０から
分離されている。次に、パラフィルムＭよりなる分解可
能な表面層２３を、凹部１５上に設けた。フレキシブル
な熱可塑性パラフィルムＭ２３は、０．１２７ｍｍ（５
ミル）厚さであり、室温で約２００％の伸び率を有して
いた。このパラフィルムは、ＡｍｅｒｉｃａｎＮａｔｉ
ｏｎａｌ Ｃａｎ，Ｃｈｉｃａｇｏ，ＩＬ，ＵＳＡによ
って作られている。
ラミック層１３を有する凹部が、ラミネーション・フレ
ーム内に設けられ、セラミック層１３は、マイラー２１
の層によって、底部ラミネーション・プレート２０から
分離されている。次に、パラフィルムＭよりなる分解可
能な表面層２３を、凹部１５上に設けた。フレキシブル
な熱可塑性パラフィルムＭ２３は、０．１２７ｍｍ（５
ミル）厚さであり、室温で約２００％の伸び率を有して
いた。このパラフィルムは、ＡｍｅｒｉｃａｎＮａｔｉ
ｏｎａｌ Ｃａｎ，Ｃｈｉｃａｇｏ，ＩＬ，ＵＳＡによ
って作られている。
【００６４】次に、このアセンブリを、０．０７６ｍｍ
（３ミル）厚さのポリウレタン・バッグ（３０デュロメ
ータ・ショアＡ）の内部に設け、真空排気して、ヒート
シールした。ポリウレタン・バッグ３０は、Ｓｔｅｖｅ
ｎｓ Ｕｒｅｔｈａｎｅ Ｆｉｌｍ ＆ Ｓｈｅｅｔ，
Ｎｏｒｔｈａｍｐｔｏｎ，ＭＡ，ＵＳＡにより市販され
ている。バッグ３０は、その中身と共に、約３５０ｋｇ
（ｗｔ）／ｃｍ-2（約５０００ｐｓｉ）の圧力下で、静
圧で約９０℃の温度でラミネートされた。
（３ミル）厚さのポリウレタン・バッグ（３０デュロメ
ータ・ショアＡ）の内部に設け、真空排気して、ヒート
シールした。ポリウレタン・バッグ３０は、Ｓｔｅｖｅ
ｎｓ Ｕｒｅｔｈａｎｅ Ｆｉｌｍ ＆ Ｓｈｅｅｔ，
Ｎｏｒｔｈａｍｐｔｏｎ，ＭＡ，ＵＳＡにより市販され
ている。バッグ３０は、その中身と共に、約３５０ｋｇ
（ｗｔ）／ｃｍ-2（約５０００ｐｓｉ）の圧力下で、静
圧で約９０℃の温度でラミネートされた。
【００６５】ラミネーションの後、凹部サブストレート
１０を、バッグ３０から取り出し、検査した。パラフィ
ルム２３は、未焼成サブストレート１０上を被覆する十
分に接着した表面を形成した。凹部１５およびセラミッ
ク体は、良好な寸法制御を有することわかった。より重
要なことには、表面コーティングシーリングと基部被覆
面の特性との故に、これらの厳しいラミネーション条件
の下で、ペースト閉じ込みはなかった。
１０を、バッグ３０から取り出し、検査した。パラフィ
ルム２３は、未焼成サブストレート１０上を被覆する十
分に接着した表面を形成した。凹部１５およびセラミッ
ク体は、良好な寸法制御を有することわかった。より重
要なことには、表面コーティングシーリングと基部被覆
面の特性との故に、これらの厳しいラミネーション条件
の下で、ペースト閉じ込みはなかった。
【００６６】次に、グリーン・ラミネートを、焼結炉内
で普通に焼結した。焼結サイクルの熱分解およびバイン
ダ除去工程の際に、セラミック体に残留物を、あるいは
セラミック・サブストレートへの表面損傷を残すことな
く、パラフィルムは完全に分解した。ＥＳＣＡ表面分析
およびＬｅｃｏカーボン分析の両方を用いて、炭素残留
物を検査した。この材料およびプロセスは、非常に安価
なインサート無し凹部形成方法を提供した。
で普通に焼結した。焼結サイクルの熱分解およびバイン
ダ除去工程の際に、セラミック体に残留物を、あるいは
セラミック・サブストレートへの表面損傷を残すことな
く、パラフィルムは完全に分解した。ＥＳＣＡ表面分析
およびＬｅｃｏカーボン分析の両方を用いて、炭素残留
物を検査した。この材料およびプロセスは、非常に安価
なインサート無し凹部形成方法を提供した。
【００６７】具体例２ 他の組のサンプルでは、セラミック層１１，１３のアセ
ンブリを、具体例１で説明したように積層してラミネー
トしたが、分解可能な表面層パラフィルムＭ２３は用い
なかった。これらサンプルは、凹部およびセラミック体
の両方に良好な寸法制御を与えたが、これらサンプル
は、バッグ材料およびラミネーション・プレートによる
非常に厳しいペーストおよびセラミック閉じ込みを有し
た。したがって、分解可能な界面層および本発明のプロ
セスの必要性を示している。
ンブリを、具体例１で説明したように積層してラミネー
トしたが、分解可能な表面層パラフィルムＭ２３は用い
なかった。これらサンプルは、凹部およびセラミック体
の両方に良好な寸法制御を与えたが、これらサンプル
は、バッグ材料およびラミネーション・プレートによる
非常に厳しいペーストおよびセラミック閉じ込みを有し
た。したがって、分解可能な界面層および本発明のプロ
セスの必要性を示している。
【００６８】具体例３ 他の一連のサンプルにおいて、セラミック層のアセンブ
リを、具体例１において説明したように、積層しラミネ
ートした。しかし、用いたバッグ材料は、市販のポリエ
ステルのタイプであった。これらのサンプルの大半は、
ペーストまたはセラミック閉じ込みを発生しなかった。
リを、具体例１において説明したように、積層しラミネ
ートした。しかし、用いたバッグ材料は、市販のポリエ
ステルのタイプであった。これらのサンプルの大半は、
ペーストまたはセラミック閉じ込みを発生しなかった。
【００６９】凹部１５およびセラミック体１０の両方に
対する寸法制御は、約１４０ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ-2（約
２０００ｐｓｉ）までの圧力については良好であった。
しかし、ラミネーション圧が約１４０ｋｇ（ｗｔ）／ｃ
ｍ-2（約２０００ｐｓｉ）に設定されると、寸法制御は
悪くなった。したがって、本発明のプロセスの必要性を
再び示している。
対する寸法制御は、約１４０ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ-2（約
２０００ｐｓｉ）までの圧力については良好であった。
しかし、ラミネーション圧が約１４０ｋｇ（ｗｔ）／ｃ
ｍ-2（約２０００ｐｓｉ）に設定されると、寸法制御は
悪くなった。したがって、本発明のプロセスの必要性を
再び示している。
【００７０】具体例４ 他の一連のサンプルでは、異なる種類の分解可能な表面
膜２３を用いた。基本的には、多階段凹部構造を有する
メタライズされたセラミック層のアセンブリと、個々の
セラミック層とを積層し、ラミネーション・フレーム内
に設けた。
膜２３を用いた。基本的には、多階段凹部構造を有する
メタライズされたセラミック層のアセンブリと、個々の
セラミック層とを積層し、ラミネーション・フレーム内
に設けた。
【００７１】用いた分解可能な膜は、いくつかのサンプ
ルに対しては、ポリエチレンのコポマーおよびパラフィ
ン・ワックスより作られ、他のサンプルに対しては、ポ
リウレタンおよびパラフィン・ワックスより作られ、い
くつかの他のサンプルに対しては、ポリプロピレンおよ
びパラフィン・ワックスにより作られている。これらの
分解可能な膜２３の特性は、約０．０５０ｍｍ（約２ミ
ル）〜約０．２５４ｍｍ（約１０ミル）の厚さの範囲に
あり、約１５０％〜約５５０％の伸び率を有しており、
引張り応力は約０．０３ＧＰａ〜約０．３ＧＰａの範囲
にあった。
ルに対しては、ポリエチレンのコポマーおよびパラフィ
ン・ワックスより作られ、他のサンプルに対しては、ポ
リウレタンおよびパラフィン・ワックスより作られ、い
くつかの他のサンプルに対しては、ポリプロピレンおよ
びパラフィン・ワックスにより作られている。これらの
分解可能な膜２３の特性は、約０．０５０ｍｍ（約２ミ
ル）〜約０．２５４ｍｍ（約１０ミル）の厚さの範囲に
あり、約１５０％〜約５５０％の伸び率を有しており、
引張り応力は約０．０３ＧＰａ〜約０．３ＧＰａの範囲
にあった。
【００７２】アセンブリの残りおよび続く手順は、具体
例１に示されたものと同じである。凹部サブストレート
１０をラミネートした後、凹部サブストレートを検査し
た。ラミネートされた構造および多階段凹部寸法は、約
３８５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ-2（約５５００ｐｓｉ）まで
のすべての圧力に対し、ポリウレタン・バッグを有す
る、シリコン被覆のポリウレタン・ベースの表面層につ
いては、所望の仕様の範囲内にあることがわかった。
例１に示されたものと同じである。凹部サブストレート
１０をラミネートした後、凹部サブストレートを検査し
た。ラミネートされた構造および多階段凹部寸法は、約
３８５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ-2（約５５００ｐｓｉ）まで
のすべての圧力に対し、ポリウレタン・バッグを有す
る、シリコン被覆のポリウレタン・ベースの表面層につ
いては、所望の仕様の範囲内にあることがわかった。
【００７３】しかし、いくつかの分解可能な膜の材料で
は、必要とされる寸法は、約２１０ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ
-2（約３０００ｐｓｉ）まででのみ適合できた。しか
し、すべての場合において、ペースト閉じ込みはなかっ
た。というのは、接着した表面膜２３が、スクリーニン
グされた構造およびセラミックを保護するからである。
は、必要とされる寸法は、約２１０ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ
-2（約３０００ｐｓｉ）まででのみ適合できた。しか
し、すべての場合において、ペースト閉じ込みはなかっ
た。というのは、接着した表面膜２３が、スクリーニン
グされた構造およびセラミックを保護するからである。
【００７４】具体例５ この具体例では、セラミック層のアセンブリを、次の点
を除いて、具体例１で説明したように、積層しラミネー
トした。すなわち、予め形成されたインサート４５を、
分解可能な表面膜２３と上部ラミネーション・プレート
４４との間の凹部１５内に用いた。加えられたラミネー
ション圧は、水圧によった。ラミネーションは、約約３
１５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ-2（約４５００ｐｓｉ）の圧力
および約７５℃の温度で行った。
を除いて、具体例１で説明したように、積層しラミネー
トした。すなわち、予め形成されたインサート４５を、
分解可能な表面膜２３と上部ラミネーション・プレート
４４との間の凹部１５内に用いた。加えられたラミネー
ション圧は、水圧によった。ラミネーションは、約約３
１５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ-2（約４５００ｐｓｉ）の圧力
および約７５℃の温度で行った。
【００７５】凹部サブストレート１０をラミネートした
後、凹部１５を検査した。凹部構造および寸法は、所望
の仕様の範囲内にあることがわかった。スクリーニング
された構造とセラミックは、接着した表面膜２３によっ
て保護された。
後、凹部１５を検査した。凹部構造および寸法は、所望
の仕様の範囲内にあることがわかった。スクリーニング
された構造とセラミックは、接着した表面膜２３によっ
て保護された。
【００７６】用いたインサート４５の表面仕上げおよび
清浄度は、分解可能な表面膜を用いた場合に比べて、故
意に副標準にした。インサート４５の表面は、凹部２５
に触れず、すなわち直接に接触しないので、より経済的
なインサート４５を用いることができた。
清浄度は、分解可能な表面膜を用いた場合に比べて、故
意に副標準にした。インサート４５の表面は、凹部２５
に触れず、すなわち直接に接触しないので、より経済的
なインサート４５を用いることができた。
【００７７】さらに、製品の品質は、本発明の進歩性の
ある被覆膜プロセスの故に、用いたインサートの品質に
依存しない。
ある被覆膜プロセスの故に、用いたインサートの品質に
依存しない。
【００７８】本発明を特定の好適な実施例によって説明
したが、前述した説明から、当業者には多くの変更，変
形が可能なことは明らかである。
したが、前述した説明から、当業者には多くの変更，変
形が可能なことは明らかである。
【００７９】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）半導体基板を備え、この半導体基板は、少なくと
も１つの凹部を有し、この少なくとも１つの凹部の少な
くとも一部は、熱分解可能な材料よりなる少なくとも１
つの層を有することを特徴とする構造。 （２）前記熱分解可能な材料の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであることを特徴とする上記（１）に
記載の構造。 （３）前記熱分解可能な材料の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであり、前記熱分解可能な材料の次に
重要な成分は、ポリエチレン，ポリウレタン，ポリプロ
ピレンよりなる群から選ばれることを特徴とする上記
（１）に記載の構造。 （４）前記半導体基板は、少なくとも１つの棚を有し、
前記少なくとも１つの棚のエッジの少なくとも一部が、
前記凹部に開いていることを特徴とする上記（１）に記
載の構造。 （５）前記棚は、少なくとも１つの電気的接続のための
少なくとも１つの手段を有することを特徴とする上記
（４）に記載の構造。 （６）前記半導体基板は、多層セラミック・サブストレ
ートおよびガラスセラミック・サブストレートよりなる
群から選ばれることを特徴とする上記（１）に載の構
造。 （７）前記半導体基板は、少なくとも１つの位置決め穴
を有することを特徴とする上記（１）に記載の構造。 （８）少なくとも１つのセラミック・グリーンシート内
に保護された凹部を形成する装置において、（ａ）少な
くとも１つの凹部を有する前記少なくとも１つのセラミ
ック・グリーンシートを支持する第１のプレートと、
（ｂ）前記少なくとも１つのセラミック・グリーンシー
トの少なくとも一部、および前記凹部上に、少なくとも
１つの平坦な熱分解可能な層を、位置決めして設ける手
段と、（ｃ）前記熱分解可能な層を、前記凹部にコンフ
ォームさせ、前記凹部の少なくとも一部に接着させて、
少なくとも１つのセラミック・グリーンシート内に保護
された凹部を形成する少なくとも１つの加圧手段と、を
備えることを特徴とする装置。 （９）少なくとも２つのセラミック・グリーンシートが
あり、前記加圧手段は、前記２つのセラミック・グリー
ンシートをラミネートさせることを特徴とする上記
（８）に記載の装置。 （１０）前記熱分解可能な層の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであることを特徴とする上記（８）に
記載の装置。 （１１）前記熱分解可能な層の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであり、前記熱分解可能な層の次に重
要な成分は、ポリエチレン，ポリウレタン，ポリプロピ
レンよりなる群から選ばれることを特徴とする上記
（８）に記載の装置。 （１２）前記加圧手段は、約１７５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ
-2（約２５００ｐｓｉ）より小さい圧力を加えることを
特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１３）前記加圧手段は、約１７５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ
-2（約２５００ｐｓｉ）より大きい圧力を加えることを
特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１４）前記加圧手段は、静圧，動圧，水圧よりなる群
から選ばれることを特徴とする上記（８）に記載の装
置。 （１５）前記第１のプレート，前記少なくとも１つのセ
ラミック・グリーンシート，前記少なくとも１つの熱分
解可能な層は、少なくとも１つの包囲エンクロージャの
内部にあることを特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１６）前記包囲エンクロージャがつぶれて、前記少な
くとも１つの熱分解可能な層にコンフォームするよう
に、前記包囲エンクロージャを真空排気する手段をさら
に備えることを特徴とする上記（１５）に記載の装置。 （１７）前記加圧手段は、前記熱分解可能な層上に、少
なくとも１つの開口を有する少なくとも１つの第２のプ
レートを有し、前記第２のプレートの前記１つの開口を
経た圧力が、前記少なくとも１つの熱分解可能な層を、
前記凹部の少なくとも一部に従わせて、前記少なくとも
１つのセラミック・グリーンシートの少なくとも一部に
接着させることを特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１８）前記加圧手段が、前記熱分解可能な層上に、少
なくとも１つの予め形成されたインサートを有し、前記
予め形成されたインサート上への圧力が、前記少なくと
も１つの熱分解可能な層を、前記凹部の少なくとも一部
に従わせて、前記少なくとも１つのセラミック・グリー
ンシートの少なくとも一部に接着させることを特徴とす
る上記（８）に記載の装置。 （１９）前記熱分解可能な層は、フレキシブルで、約７
５℃より低い軟化温度でモールド可能であり、約１５０
％より大きい伸び率を有することを特徴とする上記
（８）に記載の装置。 （２０）前記グリーンシートの材料は、セラミックまた
はガラス・セラミックからなる群から選ばれることを特
徴とする上記（８）に記載の装置。 （２１）前記少なくとも１つのグリーンシートを位置決
めするために、少なくとも１つの位置決めピンを有する
ことを特徴とする上記（８）に記載の装置。 （２２）前記少なくとも１つのグリーンシートを位置決
めするために、前記グリーンシートの１つの位置決め穴
に対応する少なくとも１つの位置決めピンを有すること
を特徴とする上記（８）に記載の装置。
の事項を開示する。 （１）半導体基板を備え、この半導体基板は、少なくと
も１つの凹部を有し、この少なくとも１つの凹部の少な
くとも一部は、熱分解可能な材料よりなる少なくとも１
つの層を有することを特徴とする構造。 （２）前記熱分解可能な材料の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであることを特徴とする上記（１）に
記載の構造。 （３）前記熱分解可能な材料の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであり、前記熱分解可能な材料の次に
重要な成分は、ポリエチレン，ポリウレタン，ポリプロ
ピレンよりなる群から選ばれることを特徴とする上記
（１）に記載の構造。 （４）前記半導体基板は、少なくとも１つの棚を有し、
前記少なくとも１つの棚のエッジの少なくとも一部が、
前記凹部に開いていることを特徴とする上記（１）に記
載の構造。 （５）前記棚は、少なくとも１つの電気的接続のための
少なくとも１つの手段を有することを特徴とする上記
（４）に記載の構造。 （６）前記半導体基板は、多層セラミック・サブストレ
ートおよびガラスセラミック・サブストレートよりなる
群から選ばれることを特徴とする上記（１）に載の構
造。 （７）前記半導体基板は、少なくとも１つの位置決め穴
を有することを特徴とする上記（１）に記載の構造。 （８）少なくとも１つのセラミック・グリーンシート内
に保護された凹部を形成する装置において、（ａ）少な
くとも１つの凹部を有する前記少なくとも１つのセラミ
ック・グリーンシートを支持する第１のプレートと、
（ｂ）前記少なくとも１つのセラミック・グリーンシー
トの少なくとも一部、および前記凹部上に、少なくとも
１つの平坦な熱分解可能な層を、位置決めして設ける手
段と、（ｃ）前記熱分解可能な層を、前記凹部にコンフ
ォームさせ、前記凹部の少なくとも一部に接着させて、
少なくとも１つのセラミック・グリーンシート内に保護
された凹部を形成する少なくとも１つの加圧手段と、を
備えることを特徴とする装置。 （９）少なくとも２つのセラミック・グリーンシートが
あり、前記加圧手段は、前記２つのセラミック・グリー
ンシートをラミネートさせることを特徴とする上記
（８）に記載の装置。 （１０）前記熱分解可能な層の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであることを特徴とする上記（８）に
記載の装置。 （１１）前記熱分解可能な層の最も重要な成分は、パラ
フィン・ワックスであり、前記熱分解可能な層の次に重
要な成分は、ポリエチレン，ポリウレタン，ポリプロピ
レンよりなる群から選ばれることを特徴とする上記
（８）に記載の装置。 （１２）前記加圧手段は、約１７５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ
-2（約２５００ｐｓｉ）より小さい圧力を加えることを
特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１３）前記加圧手段は、約１７５ｋｇ（ｗｔ）／ｃｍ
-2（約２５００ｐｓｉ）より大きい圧力を加えることを
特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１４）前記加圧手段は、静圧，動圧，水圧よりなる群
から選ばれることを特徴とする上記（８）に記載の装
置。 （１５）前記第１のプレート，前記少なくとも１つのセ
ラミック・グリーンシート，前記少なくとも１つの熱分
解可能な層は、少なくとも１つの包囲エンクロージャの
内部にあることを特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１６）前記包囲エンクロージャがつぶれて、前記少な
くとも１つの熱分解可能な層にコンフォームするよう
に、前記包囲エンクロージャを真空排気する手段をさら
に備えることを特徴とする上記（１５）に記載の装置。 （１７）前記加圧手段は、前記熱分解可能な層上に、少
なくとも１つの開口を有する少なくとも１つの第２のプ
レートを有し、前記第２のプレートの前記１つの開口を
経た圧力が、前記少なくとも１つの熱分解可能な層を、
前記凹部の少なくとも一部に従わせて、前記少なくとも
１つのセラミック・グリーンシートの少なくとも一部に
接着させることを特徴とする上記（８）に記載の装置。 （１８）前記加圧手段が、前記熱分解可能な層上に、少
なくとも１つの予め形成されたインサートを有し、前記
予め形成されたインサート上への圧力が、前記少なくと
も１つの熱分解可能な層を、前記凹部の少なくとも一部
に従わせて、前記少なくとも１つのセラミック・グリー
ンシートの少なくとも一部に接着させることを特徴とす
る上記（８）に記載の装置。 （１９）前記熱分解可能な層は、フレキシブルで、約７
５℃より低い軟化温度でモールド可能であり、約１５０
％より大きい伸び率を有することを特徴とする上記
（８）に記載の装置。 （２０）前記グリーンシートの材料は、セラミックまた
はガラス・セラミックからなる群から選ばれることを特
徴とする上記（８）に記載の装置。 （２１）前記少なくとも１つのグリーンシートを位置決
めするために、少なくとも１つの位置決めピンを有する
ことを特徴とする上記（８）に記載の装置。 （２２）前記少なくとも１つのグリーンシートを位置決
めするために、前記グリーンシートの１つの位置決め穴
に対応する少なくとも１つの位置決めピンを有すること
を特徴とする上記（８）に記載の装置。
【図１】２つの棚を有する多層セラミック（ＭＬＣ）の
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿ったＭＬＣサブストレート
の断面図であり、ひずみの無い明確な棚およびエッジを
示している。
の断面図であり、ひずみの無い明確な棚およびエッジを
示している。
【図３】図２に類似しているが、ひずんだ棚およびエッ
ジを示すＭＬＣサブストレートの断面図である。
ジを示すＭＬＣサブストレートの断面図である。
【図４】グリーンシート・ラミネーションのために準備
される、熱分解可能な表面膜とのラミネートの前のＭＬ
Ｃサブストレートの断面図である。
される、熱分解可能な表面膜とのラミネートの前のＭＬ
Ｃサブストレートの断面図である。
【図５】エンクロージャ内に設けられ真空排気された図
４のＭＬＣサブストレートの断面図である。
４のＭＬＣサブストレートの断面図である。
【図６】凹部にコンフォームする熱分解可能な膜とのラ
ミネートの際の、ＭＬＣサブストレートの他の実施例の
断面図である。
ミネートの際の、ＭＬＣサブストレートの他の実施例の
断面図である。
【図７】凹部にコンフォームする熱分解可能な膜と、凹
部内のインサートとのラミネートの際の、ＭＬＣサブス
トレートのさらに他の実施例の断面図である。
部内のインサートとのラミネートの際の、ＭＬＣサブス
トレートのさらに他の実施例の断面図である。
【図８】本発明のプロセスによって作製された凹部サブ
ストレートの断面図であり、ラミネーションの後であっ
て焼結前の、凹部エッジおよび棚とを接着し、これらを
保護する分解可能な膜を示している。
ストレートの断面図であり、ラミネーションの後であっ
て焼結前の、凹部エッジおよび棚とを接着し、これらを
保護する分解可能な膜を示している。
【符号の説明】 １０ 未焼成サブストレート １１，１３ セラミック・グリーンシート １２，１４ 棚 １５ 凹部 １６ コーナー １８ 基部 ２０ 第１のプレート ２２ 位置決めピン ２３ 熱分解可能な膜 ２４ 位置決め穴 ３０ 包囲エンクロージャ ３４，４４ 第２のプレート ３５ 開口 ４５ インサート ６０，７５ ＭＬＣサブストレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ニランジャン・モハンラル・パテル アメリカ合衆国 12590 ニューヨーク州 ワッピンガーズ フォールズ カーナビ ー ストリート 16エイ (72)発明者 カート・アラン・スミス アメリカ合衆国 12603 ニューヨーク州 ポウキープシー シルヴァー レーン ６
Claims (22)
- 【請求項１】半導体基板を備え、この半導体基板は、少
なくとも１つの凹部を有し、この少なくとも１つの凹部
の少なくとも一部は、熱分解可能な材料よりなる少なく
とも１つの層を有することを特徴とする構造。 - 【請求項２】前記熱分解可能な材料の最も重要な成分
は、パラフィン・ワックスであることを特徴とする請求
項１記載の構造。 - 【請求項３】前記熱分解可能な材料の最も重要な成分
は、パラフィン・ワックスであり、前記熱分解可能な材
料の次に重要な成分は、ポリエチレン，ポリウレタン，
ポリプロピレンよりなる群から選ばれることを特徴とす
る請求項１記載の構造。 - 【請求項４】前記半導体基板は、少なくとも１つの棚を
有し、前記少なくとも１つの棚のエッジの少なくとも一
部が、前記凹部に開いていることを特徴とする請求項１
記載の構造。 - 【請求項５】前記棚は、少なくとも１つの電気的接続の
ための少なくとも１つの手段を有することを特徴とする
請求項４記載の構造。 - 【請求項６】前記半導体基板は、多層セラミック・サブ
ストレートおよびガラスセラミック・サブストレートよ
りなる群から選ばれることを特徴とする請求項１記載の
構造。 - 【請求項７】前記半導体基板は、少なくとも１つの位置
決め穴を有することを特徴とする請求項１記載の構造。 - 【請求項８】少なくとも１つのセラミック・グリーンシ
ート内に保護された凹部を形成する装置において、
（ａ）少なくとも１つの凹部を有する前記少なくとも１
つのセラミック・グリーンシートを支持する第１のプレ
ートと、（ｂ）前記少なくとも１つのセラミック・グリ
ーンシートの少なくとも一部、および前記凹部上に、少
なくとも１つの平坦な熱分解可能な層を、位置決めして
設ける手段と、（ｃ）前記熱分解可能な層を、前記凹部
にコンフォームさせ、前記凹部の少なくとも一部に接着
させて、少なくとも１つのセラミック・グリーンシート
内に保護された凹部を形成する少なくとも１つの加圧手
段と、を備えることを特徴とする装置。 - 【請求項９】少なくとも２つのセラミック・グリーンシ
ートがあり、前記加圧手段は、前記２つのセラミック・
グリーンシートをラミネートさせることを特徴とする請
求項８記載の装置。 - 【請求項１０】前記熱分解可能な層の最も重要な成分
は、パラフィン・ワックスであることを特徴とする請求
項８記載の装置。 - 【請求項１１】前記熱分解可能な層の最も重要な成分
は、パラフィン・ワックスであり、前記熱分解可能な層
の次に重要な成分は、ポリエチレン，ポリウレタン，ポ
リプロピレンよりなる群から選ばれることを特徴とする
請求項８記載の装置。 - 【請求項１２】前記加圧手段は、約１７５ｋｇ（ｗｔ）
／ｃｍ-2（約２５００ｐｓｉ）より小さい圧力を加える
ことを特徴とする請求項８記載の装置。 - 【請求項１３】前記加圧手段は、約１７５ｋｇ（ｗｔ）
／ｃｍ-2（約２５００ｐｓｉ）より大きい圧力を加える
ことを特徴とする請求項８記載の装置。 - 【請求項１４】前記加圧手段は、静圧，動圧，水圧より
なる群から選ばれることを特徴とする請求項８記載の装
置。 - 【請求項１５】前記第１のプレート，前記少なくとも１
つのセラミック・グリーンシート，前記少なくとも１つ
の熱分解可能な層は、少なくとも１つの包囲エンクロー
ジャの内部にあることを特徴とする請求項８記載の装
置。 - 【請求項１６】前記包囲エンクロージャがつぶれて、前
記少なくとも１つの熱分解可能な層にコンフォームする
ように、前記包囲エンクロージャを真空排気する手段を
さらに備えることを特徴とする請求項１５記載の装置。 - 【請求項１７】前記加圧手段は、前記熱分解可能な層上
に、少なくとも１つの開口を有する少なくとも１つの第
２のプレートを有し、前記第２のプレートの前記１つの
開口を経た圧力が、前記少なくとも１つの熱分解可能な
層を、前記凹部の少なくとも一部に従わせて、前記少な
くとも１つのセラミック・グリーンシートの少なくとも
一部に接着させることを特徴とする請求項８記載の装
置。 - 【請求項１８】前記加圧手段が、前記熱分解可能な層上
に、少なくとも１つの予め形成されたインサートを有
し、前記予め形成されたインサート上への圧力が、前記
少なくとも１つの熱分解可能な層を、前記凹部の少なく
とも一部に従わせて、前記少なくとも１つのセラミック
・グリーンシートの少なくとも一部に接着させることを
特徴とする請求項８記載の装置。 - 【請求項１９】前記熱分解可能な層は、フレキシブル
で、約７５℃より低い軟化温度でモールド可能であり、
約１５０％より大きい伸び率を有することを特徴とする
請求項８記載の装置。 - 【請求項２０】前記グリーンシートの材料は、セラミッ
クまたはガラス・セラミックからなる群から選ばれるこ
とを特徴とする請求項８記載の装置。 - 【請求項２１】前記少なくとも１つのグリーンシートを
位置決めするために、少なくとも１つの位置決めピンを
有することを特徴とする請求項８記載の装置。 - 【請求項２２】前記少なくとも１つのグリーンシートを
位置決めするために、前記グリーンシートの１つの位置
決め穴に対応する少なくとも１つの位置決めピンを有す
ることを特徴とする請求項８記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/668,294 US5785800A (en) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | Apparatus for forming cavity structures using thermally decomposable surface layer |
| US08/668294 | 1996-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070210A true JPH1070210A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=24681772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9130873A Pending JPH1070210A (ja) | 1996-06-21 | 1997-05-21 | 半導体基板に凹部を形成する装置および方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5785800A (ja) |
| JP (1) | JPH1070210A (ja) |
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| KR101015709B1 (ko) | 2009-07-02 | 2011-02-22 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 적층체 모듈 및 그 제조방법 |
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